【課題】 薄膜トランジスタの特性を良好にすると同時に、蓄積容量部に形成される金属−絶縁体−半導体構造（ＭＩＳ構造）を解消しキャパシタの値を安定化させることで、フォトマスク工程数を削減しても高い性能を維持できる薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】 ４回以下のフォトマスク工程数で作製される薄膜トランジスタ部２１６と、蓄積容量部２１７とを有する薄膜トランジスタアレイ基板において、チャンネルの形成に寄与しない活性半導体層をシリサイド化する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層より電気伝導度の低い抵抗層を有し、前記活性層と前記抵抗層との間に前記活性層の酸化物半導体よりも酸素との結合力の強い元素種を含む酸化物を含有する中間層を有する薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高開口率化及び高精細化に対応した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数の走査線１２と、走査線を覆って形成した絶縁膜２１と、各走査線１２に交差する交差部１３Ｄを有する複数の信号線１３と、走査線と信号線とに隣接して配設した画素電極と、半導体層、ゲート絶縁膜、前記走査線に接続したゲート電極と、ドレイン電極１４ｂ及びソース電極１４ａの何れかで信号線に接続された一方の電極と、画素電極に接続されたドレイン電極及びソース電極の他方の電極と、ドレイン電極及びソース電極が信号線に沿う方向に直線状に配置された複数の薄膜トランジスタ１４と、第１の重ね合わせ部１７ａが交差部１３Ｄ上に重なり第２の重ね合わせ部１７ｃが一方の電極上に重なり一方の電極と信号線とを接続する複数の中継電極１７と、を具備し、中継電極の第１の重ね合せ部は走査線１２の幅方向の両側端部１２ｂ、１２ｃに対応する絶縁膜２１の段差部１３Ｅ，１３Ｄを覆う長さを有する。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆを含み、Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆ原子の全体含有量対比Ｈｆ原子含有量の組成比が２〜１６ａｔ％である酸化物半導体及びこれを備える薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置において、信号線に起因して生ずる段差部における液晶の配向乱れを解消し、光漏れのない高コントラストの液晶表示装置を実現する。
【解決手段】 アレイ基板２と対向基板３間に液晶層が挟持され、アレイ基板２上に各画素に対応してスイッチング素子が形成されるとともに、これらスイッチング素子に接続される信号線１２が形成されてなる液晶表示装置である。信号線１２は、埋め込み用層間絶縁膜である第３の層間絶縁膜２９中に埋め込まれるとともに、第３の層間絶縁膜２９の上面２９ａと信号線１２の上面１２ａとが略面一とされて平坦化されている。平坦化された面上に第２の層間絶縁膜２４が形成され、第２の層間絶縁膜２４上に液晶層２５が配されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（Ｓ１）上に形成された有機半導体膜（１５）と、前記有機半導体膜上にゲート絶縁膜（１７）を介して形成されたゲート電極（１９）と、前記ゲート電極の両側に位置する有機半導体膜と電気的に接続され、前記基材と前記有機半導体膜との間に形成された第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）と、を有し、前記第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）の少なくとも一部が前記基材（Ｓ１）中に埋め込まれている。かかる構成によれば、第１および第２電極が基材中に埋め込まれているため、その段差が軽減され、トランジスタ特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、静電気保護素子を備えた液晶表示装置に関し、冗長性に優れ、比較的低い電圧が長時間発生する静電気に対しても十分な保護機能を備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】静電気保護素子部２８、３０は、外部取り出し電極１６、１８に接続されるソース電極（Ｓ）と共通線２２、２４に接続されるドレイン電極（Ｄ）とを有する第１のＴＦＴ３２と第１のＴＦＴ３２ゲート電極（Ｇ）に接続された導電体４２と、外部取り出し電極１６、１８に接続されたソース電極（Ｓ）と導電体４２に接続されたドレイン電極（Ｄ）と電気的に孤立しているゲート電極（Ｇ）とを有する第２のＴＦＴ３８と、共通線２２、２４に接続されたソース電極（Ｓ）と導電体４２に接続されたドレイン電極（Ｄ）と電気的に孤立しているゲート電極（Ｇ）とを有する第３のＴＦＴ４０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧などのばらつきを低減させることができ、信頼性の高い高性能なＴＦＴ特性を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、基板上に形成され、ソース領域４ｃ、ドレイン領域４ｄ及びチャネル領域４ｂを有する多結晶半導体層４ａと、多結晶半導体層４ａのソース領域４ｃ及びドレイン領域４ｄ上に形成された金属性導電層６と、多結晶半導体層４ａと金属性導電層６との間に形成された合金層５とを有し、多結晶半導体層４ａは、チャネル領域４ｂの膜厚が、金属性導電層６が形成された領域の膜厚より薄くなるように形成された凹部４ｅを有し、凹部４ｅの深さＸと、合金層５の膜厚Ｙと、金属性導電層６の膜厚ｔとが、次の関係を満たしている。
０．１ｔ≦Ｙ≦０．３ｔ
０．３Ｙ≦Ｘ≦２Ｙ （もっと読む）

【課題】ブラウン管並の視野角を実現できる、基板面に略平行な電界で表示を制御するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、明るく、かつ、低消費電力のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 走査信号線ＧＬと、対向電圧信号線ＣＬと、隣接する２本の映像信号線ＤＬとの交差領域内に画素が配置される。各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを含む。走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは図の左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されている。画素電極ＰＸはソース電極ＳＤ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴと接続され、対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体になっている。映像信号線ＤＬに沿って上下に隣接する２画素では、図１のＡ線で折曲げたとき、平面構成が重なり合う構成となっている。これにより、外部回路から左右方向の各画素の対向電極ＣＴへ対向電圧を十分に供給するためことが容易になる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の形状を改良して、インパクトイオン化の原因となるドレイン端での電界集中を防止可能な薄膜トランジスタを備えた半導体装置、この半導体装置の製造方法、および当該半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｘの薄膜トランジスタ３０ｎにおいて、ゲート電極３ｎは、その表面を酸化してなるシリコン酸化膜３ｓにより覆われて、エッジ部分３ｗ、３ｘ、３ｙ、３ｚが丸みを有しているため、ゲート電極３ｎには、電界の集中するエッジ部分がない。このため、ゲート電極３ｎのエッジ部分に対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１３０ｎのドレイン端では、電界が集中しないので、インパクトイオン化が発生しにくい。それ故、下地絶縁層１２上に形成された薄膜トランジスタ３０ｎであっても、良好な電流−ゲート電圧特性を有する。 （もっと読む）

【課題】例えば、高圧水蒸気処理によってＰチャネル型ＴＦＴ等のトランジスタ素子の動作特性が低下させない。
【解決手段】ＴＦＴ１３０と同層に形成されたＴＦＴ３０の高圧水蒸気処理が施される際に、重なる部分４２ａに水分が回り込まないようにＴＦＴ１３０上に保護膜１３３ａ及び１３３ｂが形成されている。このような保護膜１３３ａ及び１３３ｂが形成された境界領域Ｒａ及びＲｂの夫々は、絶縁膜４２上の画素領域に形成されたＴＦＴ３０に高圧水蒸気処理が施された際に、重なる部分４２ａ、より具体的には、絶縁膜４２のうちチャネル領域１３０ａ´の両端部分に重なる部分に水分が回り込まないように重なる部分４２ａを保護可能な幅を有する領域である。 （もっと読む）

【課題】生産性を損なわず、生産コストを大幅に増加させることなく、高性能化したＴＦＴを搭載する表示装置の生産システムを提供することを目的とする。
【解決手段】表示装置の生産システムとして、成膜装置、エッチング装置、レジスト塗布／現像装置、露光装置を含み、各装置は工程間搬送機構又は工程内搬送機構で連結しているものが適用される。この生産システムは薄膜トランジスタを形成する工程を行うことが可能なように構成されている。この生産システムのうち、成膜装置として、微結晶半導体膜を形成するプラズマＣＶＤ装置を有し、プラズマＣＶＤ装置で形成された微結晶半導体膜にレーザ光を照射するレーザ処理装置が付加されるとともに、プラズマＣＶＤ装置とレーザ処理装置間において被処理基板が搬送機構、工程内搬送機構又は工程間搬送機構で行われる。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗化およびすぐれた反射特性により高い表示特性を有する反射型ならびに半透過型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】透明性絶縁基板と第１の金属薄膜から形成されたゲート配線とゲート配線端子部とゲート電極とゲート絶縁膜と半導体層と第２の金属薄膜から形成されるソース電極とドレイン電極と前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート配線と直交するようになるソース配線と前記ソース電極と前記ドレイン電極とを覆いかつ前記ゲート配線端子部に達するコンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、第３の金属薄膜からなり、前記ドレイン電極と接続する画素電極と、透明導電性膜からなり前記コンタクトホールを介して前記ゲート配線端子部と接続する端子パッドとを備え、前記第１の金属薄膜はチッ素（Ｎ）元素を５〜２５重量％添加したＡｌＮｄ−Ｎ膜とからなる二層膜であり前記端子パッドは前記ＡｌＮｄ−Ｎ膜を介して前記ＡｌＮｄ膜と接続する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部、駆動回路、および外部入力端子を有する表示装置を有する表示装置において、前記画素部と前記駆動回路部は、半導体膜と、ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜、および前記絶縁膜上に前記半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、前記外部入力端子は、前記ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、前記電極と同じ層に形成され、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し前記第１の配線と接続された第２の配線と、前記第２の配線に接続され、前記第２の配線上に形成された透明導電膜と、前記第２の配線と前記透明導電膜が接続している位置で前記透明導電膜と接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】５回のマスク工程でアレイ基板を製造できる反射透過型液晶表示装置等を得る。
【解決手段】画素部、ゲートパッド部、データパッド部に区分されるアレイ基板と、画素部に形成されるゲート電極及びゲートラインと、ゲート電極の上部でゲート電極よりも幅が狭く、島状に形成されるアクティブパターンと、アクティブパターン上に形成されるオーミックコンタクト層及びバリアメタル層と、画素部に形成され、オーミックコンタクト層及びバリアメタル層を介して、アクティブパターンのソース領域に電気的に接続するソース電極、及びアクティブパターンのドレイン領域に電気的に接続するドレイン電極と、画素部に形成され、ゲートラインと交差し、反射部及び透過部からなる画素領域を定義するデータラインと、透過部に形成される画素電極と、反射部に形成される反射電極と、アレイ基板と対向して貼り合わせられるカラーフィルタ基板とを含む。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、保持容量を形成する場合、容量の一方の電極にも多結晶半導体膜を用いることが多い。このような多結晶半導体膜を有する保持容量と薄膜トランジスタを備えた表示装置においては、保持容量が半導体膜に起因する電圧依存性を示すため表示不良を引き起こしていた。
【解決手段】本発明にかかる表示装置においては、保持容量１３０の下部電極として用いられてきた多結晶半導体膜からなる半導体層４ｄの上層に金属性導電膜５を積層した。 （もっと読む）

【課題】エネルギー線の照射による有機半導体層の劣化を防止して素子特性を維持することが可能な有機半導体素子を提供する。
【解決手段】有機半導体層１１を用いて構成された有機半導体素子１ａにおいて、有機半導体層１１を覆う状態でエネルギー線を遮蔽する材料からなる遮蔽層１５が設けられていることを特徴とする。有機半導体層１１が形成された基板３および有機半導体層１１を覆う状態で基板３上に設けられた保護膜１３のうちの少なくとも一方が、遮蔽層として用いられている。この有機半導体層１１に対してゲート絶縁膜７を介してゲート電極５が積層され、ゲート絶縁膜７およびゲート電極５の少なくとも一方が遮蔽層として用いられている。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタの特性を改善する。
【解決手段】本発明は、ゲート電極を形成する段階、ゲート電極と離隔しているソース電極及び、ソース電極と対向するドレイン電極を形成する段階、ソース電極及びドレイン電極と接触する島状有機半導体層を形成する段階、島状有機半導体層の上に溶媒を噴射する段階、及び溶媒を乾燥する段階を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】低い配線抵抗，熱的安定性を有し，画素電極との接触抵抗特性が改善されたフラットパネルディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フラットパネルディスプレイ装置は、基板１００と，該基板１００上に順次積層された耐熱性金属膜パターン１３１ａ，アルミニウム系金属膜パターン１３１ｃ，およびキャッピング金属膜パターン１３１ｄを備えるソース／ドレイン電極１３１と，を含み，耐熱性金属膜パターン１３１ａは，５００Å以下の厚さを有し，耐熱性金属膜パターン１３１ａとアルミニウム系金属膜パターン１３１ｃとの間には，拡散防止膜パターン１３１ｂがさらに含まれる （もっと読む）