【課題】酸化物半導体層を備えたＴＦＴ素子などのアクティブ素子の良否の予測を精度高く行うことができる回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板２には、第１の電極４と、第１の電極４とは電気的に分離されている第２の電極６と、第１の電極４および第２の電極６と接するように形成された酸化物半導体層５と、を備えたトラップ準位測定用パターン３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】動画と静止画を表示可能な液晶表示装置において、誤動作を低減し、低消費電力化が可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】端子部、スイッチングトランジスタ、駆動回路部、並びに画素トランジスタ及び複数の画素を有する画素回路部、が形成された第１の基板と、スイッチングトランジスタを介して端子部と電気的に接続される共通電極が形成された第２の基板と、画素電極と共通電極との間には液晶が挟持されており、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタの第１の端子と第２の端子とを非導通状態とし、共通電極を電気的に浮遊状態とし、静止画から動画に切り替わる期間において、共通電極に共通電位を供給する第１のステップ、駆動回路部に電源電圧を供給する第２のステップ、駆動回路部にクロック信号を供給する第３のステップ、駆動回路部にスタートパルス信号を供給する第４のステップ、の順に行う。 （もっと読む）

【課題】金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。
【解決手段】
本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を少ない工程で作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、ｎ型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層とＩＧＺＯ半導体層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンのように電気的特性が向上した薄膜トランジスタ表示板を低コストで製造することができる方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されている制御電極１２４ａと、制御電極１２４ａ上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されていて、制御電極と重畳する半導体１５１と、半導体１５１と一部分が重畳する入力電極１７３ａと、半導体１５１と一部分が重畳する出力電極１７５ａと、を含み、半導体１５１は非晶質シリコンからなる第１部分と多結晶シリコンからなる第２部分とを含む。 （もっと読む）

【課題】 長期間の使用後もトランジスタの動作が安定な半導体装置、この半導体装置を備えた液晶ディスプレイパネル及び電子機器、並びに前記半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 トランジスタＴ５はそのしきい値電圧の絶対値が増加する方向に変動するように使用されるものであり、トランジスタＴ６はそのしきい値電圧の絶対値が低下する方向に変動するように使用されるものである。トランジスタＴ５のチャネル領域６には、リンを１×１０^１２ｃｍ^−２の濃度で導入し、トランジスタＴ６のチャネル領域６には、リンを３×１０^１２ｃｍ^−２の濃度で導入する。これにより、トランジスタＴ５の作製当初のしきい値電圧の絶対値を、トランジスタＴ６の初期しきい値の絶対値よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】 表示のための電圧信号をプログラムすることなく所望のパターンを常時表示させることが可能な液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 液晶表示装置の製造方法が、ガラス基板１１の表面に電流のシフト量Ｉ_S＝（（Ｉ₁₀₀−Ｉ₀）／Ｉ₀）×１００が５以上かつ１５以下である非線形抵抗素子を形成する工程Ｐ１２と、ガラス基板１１とガラス基板１２とを貼り合わせる工程Ｐ３１と、一の領域に配置された非線形抵抗素子に第１の電圧を印加するとともに、他の領域に配置された非線形抵抗素子に第１の電圧と異なる第２の電圧を印加して焼き付けを行う工程Ｐ３６とを含み、Ｉ₁₀₀は、初期状態の非線形抵抗素子に電流Ｉ₀＝１×１０^-7［Ａ］が流れるような電圧振幅を持つ矩形波を印加し続けた場合において、当該矩形波の印加開始から１００秒後に流れる電流であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗性及び信頼性を同時に確保できる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタ表示板は、絶縁基板と、絶縁基板上に形成されるゲート線と、ゲート線上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるソース電極を含むデータ線と、ソース電極と対向しているドレイン電極と、ドレイン電極と接続される画素電極とを有し、ゲート線と、データ線及びドレイン電極とのうちの少なくとも一つは、導電性酸化物からなる第１導電層及び銅を含む第２導電層を有する。 （もっと読む）

【課題】 高い特性及び信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 絶縁膜上の電極や配線形成後のドライエッチングにおけるエッチングダメージを防止する。ドライエッチングのプラズマによる荷電粒子の発生を、半導体層に達しないように、導電層を形成してダメージを抑制する。これにより、特に微細化な構造を持つ薄膜トランジスタにおいて、トランジスタ特性の劣化を生じさせない方法を提供することを目的とする。 （もっと読む）