【課題】色層を積層してブラックマトリクスの代わりとする構造において、アクティブマトリクス基板における共通電極電位の供給を低抵抗で行うことを容易にしながら、額縁部を確実に遮光する。
【解決手段】ノーマリブラックのアクティブマトリクス液晶表示装置において、３色以上の色層を備える第１の基板と、アクティブマトリクスアレイが形成された第２の基板と、を含み、前記第１の基板には、ブラックマトリクスが配置されておらず、表示部の周囲の額縁部に色層が積層された構造を有し、前記表示部の四つの辺のうち、走査線を引き出す辺およびデータ線を引き出す辺の前記額縁部には、３色以上の色層が積層された第１遮光層が形成され、その他の辺の少なくとも１つの辺の前記額縁部には、２色の色層が積層された第２遮光層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】互いに孤立した島状の遮光層の帯電防止策を行うことにより、隣接サブ画素間の
遮光層の除去を可能して、開口率を向上させた液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル１０Ａは、表示領域３０の周辺部の非表示領域３１
には、複数の引き回し配線３６を有し、第２基板ＣＦには、平面視で薄膜トランジスター
ＴＦＴと重畳する位置に形成された遮光層２５を有する液晶表示パネル１０Ａであって、
第２基板ＣＦの遮光層２５は、互いに孤立した島状に形成されており、第１基板ＡＲの非
表示領域３１には、平面視で引き回し配線３６と重畳する位置に導電性のシールド層４６
が形成されている。 （もっと読む）

【課題】遮蔽膜とコモン線とを接続しないで良質な画像表示を行うことができるアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素ＴＦＴと、前記画素ＴＦＴに電気的に接続された画素電極と、遮蔽膜とが設けられた基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、遮蔽膜はフローティングになっており、画素電極と前記遮蔽膜との間に第１の誘電体を有し、遮蔽膜と前記コモン線との間に第２の誘電体を有する。 （もっと読む）

【課題】一対の電極間に形成される層間絶縁膜のコンタクトホールによって露出される導
電層と電極とのコンタクト抵抗が大きくなるのを抑制することが可能な液晶表示装置の製
造方法を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置１００の製造方法では、共通電位配線１７および画素電極
１９を覆うように有機膜からなる層間絶縁膜２０を形成する工程と、層間絶縁膜２０の共
通電位配線１７に対応する領域にコンタクトホール２０ａを形成する工程と、コンタクト
ホール２０ａによって露出された共通電位配線１７および層間絶縁膜２０の表面をエッチ
ングする工程と、共通電位配線１７にコンタクトホール２０ａを介して接続され、層間絶
縁膜２０を挟んで画素電極１９と対向するように設けられる共通電極２１を形成する工程
とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスとを用い、プラズマを発生させて、厚さ３〜１０ｎｍ、好ましくは３〜５ｎｍの第１の半導体層を形成する。次に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを用い、プラズマを発生させて、非晶質半導体と、第１の半導体層を種結晶として部分的に結晶成長させて、形成される微結晶半導体で形成される複数の錐形状の凸部を有する第２の半導体層を形成する。次に、一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層を形成し、導電層を形成して、薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】遮光部材を薄膜トランジスタ表示板に形成する場合、必要に応じて臨時に遮光部材を透明にする。
【解決手段】本発明が一実施形態による可変透明度を有する遮光部材は、重合性化合物、バインダ、及び臨界温度以下ではブラックを現わし、前記臨界温度以上では透明である熱変色物質を含む。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板における配線と電極端子との接続部において、電極端子に欠陥が生じた場合でも、配線に含まれる金属が腐食することがない構成を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、接続部１６を備えたアクティブマトリクス基板であって、上記接続部１６は、第１の金属層１ｂと、上記第１の金属層１ｂの上に、上記第１の金属層１ｂの幅より狭く積層された第２の金属層１ａと、上記第２の金属層１ａの上に、上記第２の金属層１ａを完全に覆い、かつ上記第１の金属層１ｂの幅より狭く積層された保護部２と、上記保護部２の上に、上記保護部２を完全に覆い、かつ上記第１の金属層１ｂに接触するように積層された電極端子３とを備えているので、電極端子３に欠陥部４が生じた場合でも、配線に含まれる金属が腐食することがない。 （もっと読む）

【課題】表示用サブ画素が横電界方式で作動し、視野角制御用サブ画素が縦電界方式で作
動する視野角制御用サブ画素を備えた視野角制御効果が良好な液晶表示装置を提供するこ
と。
【解決手段】液晶層ＬＣを挟持して対向配置された第１基板２２及び第２基板３４を有し
、１ピクセル毎に表示用サブ画素１８Ａと視野角制御用サブ画素１９Ａが隣接配置された
液晶表示装置１０Ａであって、第１基板２２は、表示用サブ画素１８Ａとして絶縁膜２８
を挟んで形成された下電極２７と複数のスリット３３が形成された上電極２９とを備えて
いると共に、視野角制御用サブ画素１９Ａに視野角制御用電極３０を備え、第２基板３４
は、表示用サブ画素１８Ａ及び視野角制御用サブ画素１９Ａに跨って形成された透明導電
性電極３５を備えている。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】 反射型領域から得られる画像と透過型領域から得られる画像との間の輝度の相違を低減させた液晶表示装置を提供。
【解決手段】 画素領域に、映像信号が印加される画素電極と、少なくとも１つの隣の画素領域と共通の信号であって前記映像信号に対して基準となる信号が印加される対向電極とを有し、前記画素領域は、少なくとも一部に、前面側からの光を反射して反射型の表示を行う反射板を有し、前記反射板は、少なくとも一部が絶縁膜を介して前記画素電極および前記対向電極と重畳するとともに、前記反射板は、それぞれの画素領域毎に独立して形成されており、前記画素電極に印加される信号と同じ信号が印加される。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配線等を電気抵抗値の少ない素材で形成することによって、高品位な画像表示を可能としつつ、光リーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、相交差するデータ線（６）及び走査線（１１）と、該交差に設けられた画素電極（９）と、（i）一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域（１ａ´）を有する半導体膜と、（ii）ゲート電極（３ａ）とを含むトランジスタ（３０）と、ゲート電極上に配置された遮光部（１１ｂ）と、画素電極の下層側に形成された下部容量電極（７２）とを備える。第１及び第２絶縁膜には、遮光部とゲート電極とを接続する第１部分と、他の方向に沿って延在し、半導体膜の脇で遮光部と走査線とを電気的に接続する第２部分とを有するコンタクトホール（８０１）が形成され、画素電極及び下部容量電極は、保持容量（７０）を形成している。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタをインクジェット方法で形成しながらも、遮光部材と間隔保持部材とを共に形成することによって、製造工程、製造時間および製造費用を著しく減少させることのできる薄膜トランジスタ基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ基板は、基板と、基板上に形成され、絶縁されて交差するゲート線およびデータ線と、ゲート線およびデータ線と接続される薄膜トランジスタと、基板上に形成される遮光部材と、基板上に形成される複数のカラーフィルタと、複数のカラーフィルタのうちの一部のカラーフィルタ上に配置される間隔保持部材とを有し、カラーフィルタのうち一部はインクジェット方式で形成され、間隔保持部材は遮光部材と同一の物質で同時に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】外部からの静電気に起因する画像乱れを抑制した液晶装置を提供する。
【解決手段】素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が挟持され、素子基板１０上に画素電極９と共通電極１９とが形成され、画素電極９と共通電極１９との間に発生する電界によって液晶を駆動する横電界方式の液晶装置であって、対向基板２０の液晶層５０側の面に、画素電極９間に対応してブラックマトリクス２２ｂが形成され、ブラックマトリクス２２ｂと接して画素電極９と対向する位置及び画素電極９間の位置に静電シールド層４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】例えば、画素スイッチング用素子として用いられる薄膜トランジスタについて、そのサイズを小さくすることによって生じる可能性があるＯＮ電流の減少を抑制する。
【解決手段】下地部（１３）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）の基板面を基準としてＴＦＴアレイ基板（１０）の図中上側に向かって突出した凸部であり、下地絶縁膜（１２）の一部として一体として、又は下地絶縁膜（１２）とは別に形成されている。下地部（１３）の表面（１３ｓ）は、面（１３ｓ−１）と、面（１３ｓ−２）とから構成されている。チャネル領域（１ｃ）は、該チャネル領域（１ｃ）が表面（１３ｓ）に沿って延びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】信号線を跨ぐ上電極のスリット状開口の周縁の明るい領域が信号線及び遮光膜によって遮光されることを防止した液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル１０Ａは、表示領域にマトリクス状に配置された複数の走査線１８及び信号線２１と、下電極の表面に絶縁膜を介して表示領域の全面に亘って形成されていると共に、サブ画素領域毎に複数のスリット状開口２７ａが形成されている上電極２７と、配向膜とを有し、スリット状開口２７ａは、信号線２１に沿って延在すると共に、ラビング処理の方向に対して所定の角度傾いた方向に延在する主部と、先端部とを有し、前記スリット状開口２７ａの主部の周縁（エッジ部）２７ｃは平面視で遮光膜であるＢＭ層３１と重畳しないように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の低い導電性に優れた透明導電膜を得ることができ、量産ラインに容易に
用いることができる透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜９は、インジウム−スズ酸化膜９ａ又はインジウム−亜
鉛酸化膜９ｃ、アルミニウム−ニッケル合金膜９ｂ及びインジウム−スズ酸化膜９ａ又は
インジウム−亜鉛酸化膜９ｃが順次積層された３層構造からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光源である有機ＥＬユニットと液晶表示ユニットとの距離を短くて、ほぼ均一にする表示装置を提供する。
【解決手段】発光ユニット（有機ＥＬユニット）２０と、前記発光ユニット２０を封止するザグリ部４５ａが形成された透明封止基板４５を配置し、前記発光ユニット２０から照射された光を受光すると電気的な抵抗値が低下する光導電層５２を備えた記憶性表示ユニット（液晶表示ユニット）１０と、から構成されることによって、高表示階調を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡略化された構造を採用しながらも、開口率を犠牲にすることなしに、全画素で最適な駆動条件を達成可能とする。
【解決手段】本発明の液晶表示装置では、アレイ基板１０が含んでいる各画素回路は、スイッチ１０４を介して信号線１０５ａに接続された画素電極１０８Ｐと対電極１０８Ｃとを含んでいる。走査線１０１又は信号線１０５ａの長さ方向に隣り合った画素回路は対電極１０８Ｃが互いに接続されている。対向基板２０は、走査線１０１の長さ方向に配列した画素回路からなる列の１つ以上と各々が向き合い、信号線１０５ａの長さ方向に配列した複数のリセット電極２０８Ｒを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＤ構造を有するトランジスタにおけるリーク電流をより有効に低減できると共に比較的容易に製造可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ’、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、並びにデータ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを有する半導体膜１ａと、ゲート電極３ａとを含み、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃのうち少なくとも一方は、少なくとも部分的に、チャネル領域１ａ’よりも幅広に形成される。 （もっと読む）

【課題】開口率（透過率）の低下を抑制する。
【解決手段】液晶装置（１００）は、第１基板（１０）と、第２基板（２０）と、サブ画素部（７１）に対応する第１電極（９ａ）と、隣接するｍ（但し、ｍは３以上の整数）個のサブ画素部で構成される表示画素部を横断して延びる開口部（１１ｂ）を備える第２電極（１１）と、液晶層（５０）と、スペーサ（４０）と、サブ画素部の境界を覆うと共に、スペーサを覆う第１遮光部（２３ａ）と、及び第１者後部が覆うサブ画素部の境界とは異なるサブ画素部の境界を覆うと共に、スペーサを覆わない第２遮光部（２３ｂ）を備える遮光膜（２３）とを備え、第１遮光部は、表示画素部のうちの両端のサブ画素部以外のサブ画素部の境界を覆い、第１遮光部の面積は、第２遮光部の面積よりも大きい。 （もっと読む）