【課題】色再現性を高め、かつインクの充填率を高めることのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１絶縁基板と、第１絶縁基板の上に形成されているゲート線と、ゲート線と交差するデータ線と、ゲート線及びデータ線と接続される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ、ゲート線及びデータ線の上に形成され、断面の形状が上部ａと下部ａ’の幅が中心部ｂの幅より大きいことを特徴とする隔壁と、薄膜トランジスタと接続される画素電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造のマスクを用いることなく、かつ、透過率の調整が難しくなるのを抑制しながら、深さが異なる凹部とコンタクトホールとを容易に形成することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置１００の製造方法は、平坦化膜１２を除去することにより設けられるコンタクトホール１２ａを形成するためのコンタクトホール形成用のパターンと平坦化膜１２の表面側の一部を取り除くことにより設けられる窪み部１２ｂを形成するために露光限界解像度よりも小さい幅のスリット３１ｂを有する窪み部形成用のパターンとが形成されたマスク２９を用いて、平坦化膜１２のコンタクトホール形成領域およびサブ柱状スペーサー２６ｂに対応する領域を露光することにより、平坦化膜１２にコンタクトホール１２ａとサブ柱状スペーサー２６ｂに対応する窪み部１２ｂとを形成する露光工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、部材を追加することなく、着色層に分散される材料が液晶に溶け出すことを防止することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、液晶２０を駆動するために第１基板１６に平行な電界を発生させるための電極構造層５０を含む。電極構造層５０は、液晶２０及びカラーフィルタ層４０の相互に対向する面を区画するように半導体酸化物又は半導体窒化物から形成された透明絶縁膜５２と、透明絶縁膜５２の両面にそれぞれ配置されたいずれも酸化物半導体からなる第１透明導電膜５４及び第２透明導電膜５６と、を有する。カラーフィルタ層４０は、１層の着色層４２からなる第１領域４４と、２層又はそれ以上の積層された着色層４２からなる第２領域４６と、を含む。第２領域４６では積層された着色層４２によって凸部４８が形成され、凸部４８が第１基板１６と第２基板１８の間のギャップを保持する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ座標検出電極とＹ座標検出電極の配置部に隣接する画素電極に対応する画素の開口率低下を少なくする。
【解決手段】画素電極５と画素ＴＦＴ６と走査線１４及び信号線１５を設けた基板３に、各画素電極５と信号線１５との間に信号線１５と平行に形成された複数のＸ座標検出ライン１９と、各画素電極５と走査線１４との間に走査線１４に平行に形成された複数のＹ座標検出ライン２０と、Ｙ座標検出ライン２０上に絶縁膜を介して形成され、一方が絶縁膜に設けられた第１コンタクト孔２９においてＸ座標検出ライン１９に接続され、他方が絶縁膜に設けられた第２コンタクト孔３０においてＹ座標検出ライン２０に接続された複数のＸ座標検出電極及２５びＹ座標検出電極２６とを設け、他方の基板に設けられた対向電極に、この基板の外面側からのタッチによる撓み変形によってＸ座標検出電極２５とＹ座標検出電極２６の両方に接触する接点部を設けた。 （もっと読む）

【課題】ラビングロールの周辺部材に粉塵が付着しにくい液晶装置の製造装置を提供する
。
【解決手段】素子基板と対向基板とに挟持された液晶層と、それぞれの基板において液晶
層に面する側に設けられ配向処理が施される配向膜とを有する液晶装置の製造装置（ラビ
ング装置７１）であって、ラビング布が捲回されたラビングロール７５と、ラビングロー
ル７５の周辺に設けられた周辺部材（ラビングロールガイド８６、ステージ７３）と、を
有し、周辺部材は、フッ素樹脂のコーティング処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】サブ画素の形状が屈曲部を有するものとされておりながら、表示領域の端部が方
形状となるようにされた、開口率が大きい横電界方式の液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】屈曲部を有するサブ画素１１には、下電極１９と、屈曲部を有する複数のス
リット状開口２３が形成されている上電極２２とが形成され、カラーフィルター基板には
非表示領域を遮光することにより表示領域の開口を形成する遮光層２６、２６ａ及び２６
ｂが形成されている横電界方式の液晶表示パネル１０において、非表示領域の遮光層２６
、２６ａ及び２６ｂは、表示領域の最外周側が方形状となる形状に形成されていることを
特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上にトランジスター等の素子を歩留まりよく形成可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板１０１の第１面１０１ａにＴＦＴ素子が形成される液晶装置１１の製造方法であって、第１面１０１ａから第２面１０１ｂに亘って導電膜７０を形成する工程と、第１面１０１ａの素子領域８２にレジストパターン８３を形成する工程と、レジストパターン８３をマスクとして、素子領域８２を除く領域の導電膜７０をエッチングして除去する工程と、レジストパターン８３を除去した後、残った導電膜７０をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、を有し、エッチングして除去する工程は、第１面１０１ａの素子領域８２と重ならない領域に複数の支持部材８１を当接させて被処理基板１０１を支持しエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】より簡便な構成で、全体を均一な温度に制御することが可能な液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板４０と、対向基板１０と、ＴＦＴアレイ基板４０又は対向基板１０上に形成され、表示領域５１内において一定の間隔で平行に設けられた複数の並列部１５ａと、表示領域５１の周辺で複数の並列部１５ａの一方の端部と他方の端部とをそれぞれ収束するように形成された収束部１５ｂとを有するヒーター電極１５と、表示領域５１の互いに対角となる角部近傍に設けられ、ＴＦＴアレイ基板４０の入力端子よりヒーター電極１５に電力を供給するために接続される入力点及び出力点と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】低温環境下においても表示特性の優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置１００は、液晶分子を駆動する電極対１３，１４を備える第１の基板１と、第１の基板１と所定の間隙を持って対向配置される第２の基板２を備える。第２の基板２は、第１の基板１と対向する側の表示領域５１、及び額縁領域５２に配設されたヒーター用電極２１と、ヒーター用電極２１より上層に、当該ヒーター用電極２１を被覆するように配設され、少なくとも平坦化機能を有するオーバーコート層２４を有する絶縁層２５とを具備する。また、ヒーター用電極２１に対して、外部から電位の供給可能な電位供給手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 単一の共通対向電極を使用する構成に比べ、製造条件のばらつきによる表示特性のばらつきを抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、互いに対向する第１および第２の基板と、前記第１および第２の基板の間に封入された液晶層と、前記第１の基板上に形成された複数の画素電極と、前記第２の基板上に、前記複数の画素電極の各々に対応して形成された、複数の対向電極と、前記第１の基板上に、前記複数の画素電極にそれぞれ対応して形成された複数の能動素子と、前記第１の基板上に前記複数の能動素子の各々に対応して形成され、前記第１の基板上を第１の方向に延在するゲート配線パターンと、前記第１の基板上に前記複数の能動素子の各々に対応して形成され、前記第１の基板上を、前記第１の方向に直交する第２の方向に延在するデータ配線パターンとを備え、前記複数の対向電極は、それぞれの電位に保持される。 （もっと読む）

【課題】表示品位及び信頼性を向上することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１反射部及び第１透過部を有する第１画素に配置された第１カラーフィルタ層３２Ｇと、第１反射部の前記第１カラーフィルタ層に形成された第１開口部ＯＰ１と、第２反射部及び第２透過部を有する第２画素に配置された第２カラーフィルタ層３２Ｂと、第２反射部の第２カラーフィルタ層に形成され第１開口部より小さい第２開口部ＯＰ２と、第１乃至第２カラーフィルタ層及び第１乃至第２開口部の上に配置されたオーバーコート層と、第１反射部及び第２反射部のオーバーコート層の上に配置され第１開口部のエッジの直上よりも外側にエッジが形成された樹脂層３４と、オーバーコート層及び樹脂層の上に配置された対向電極ＥＴと、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳ方式を代表とする横電界方式の液晶表示装置において、液晶材料にかかる
電界を十分にすることを課題とする。
【解決手段】横電界方式において、１組の電極ではなく、複数組の電極を用いて、共通電
極直上や画素電極直上にある液晶材料に電界をかける。１組の電極は、櫛歯状に設けられ
た共通電極と、櫛歯状に設けられた画素電極との組である。その他の組の電極は、画素部
に設けられた共通電極と、該櫛歯状に設けられた画素電極との組である。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜１０２と、絶縁膜１０４と、半導体膜１０６と、不純物半導体膜１０８と、第２の導電膜１１０とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク１１２を形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第１の導電膜１０２がエッチングされた膜１１３に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層１１６Ａを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜１０６を用いる。 （もっと読む）

【課題】液晶分子のドメインを安定的に形成することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１信号線、第２信号線は、第１絶縁基板上に形成されていて、第２信号線は、第１信号線と絶縁されて交差している。画素電極は、画素ごとに形成され、画素は、第１信号線と第２信号線が交差して定義される。薄膜トランジスタは、第１信号線、第２信号線及び画素電極と連結されている。共通電極は、第２絶縁基板において第１絶縁基板と対向している側に形成されている。液晶層は、第１絶縁基板と第２絶縁基板との間に形成されている。ドメイン規制手段は、第２絶縁基板において第１絶縁基板と対向している側と第１絶縁基板の上とのうちの少なくとも一方に形成されている。ドメイン規制手段は、液晶層の液晶分子を画素の領域において複数のドメインに分割する。ドメイン規制手段は、節目を有する。節目は、凹部及び凸部の少なくとも一方である。 （もっと読む）

【課題】ホワイトバランスの悪化を防止しつつ表示領域の周縁部を滑らかに見せる。
【解決手段】仮想湾曲線４に沿うように配置される画素１０における一方の部分画素領域１０Ｕまたは１０Ｌが遮光部２１Ｂにより覆われる。これにより、周縁部Ｅを仮想湾曲線４に近づけるように配置する場合の自由度が増し、周縁部Ｅを滑らかに見せることができる。また、走査線Ｙにより部分画素領域１０Ｕおよび１０Ｌの境界の部分が遮光されるので、画素１０が分かれて見え、解像度が高まるので、周縁部Ｅをより滑らか見せることができる。また、遮光層２１で部分画素領域１０及び１０のいずれか一方を遮光するので、ホワイトバランスの悪化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で画素の開口率の向上と補助容量の確保とが実現できる表示装置を提供する。
【解決手段】 ｎ行ｍ列（ｎ及びｍは、それぞれ２以上の整数を表す。）のマトリクス状に配列された画素電極と、略格子状に設けられたｎ本のソースライン及びｍ本のゲートラインとを有する薄膜トランジスタアレイ基板を備えた表示装置であって、上記ゲートラインは、奇数行の画素電極と偶数行の画素電極との間に、奇数行用のゲートライン及び偶数行用のゲートラインがともに配置され、基板面に対して法線方向から見たときに、上記奇数行用のゲートラインと上記偶数行用のゲートラインと重なる領域にシールド電極を更に有し、上記シールド電極と上記画素電極とは電気的に分離されている表示装置である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の額縁領域において光漏れを信頼性よく防止する。
【解決手段】画像表示領域と、シール材ＳＬと、第２基板の液晶側の面であって画像表示領域よりも外側に形成された遮光膜ＢＭｆと、第１基板の画像表示領域に、第１方向に伸長されるドレイン信号線ＤＬと、第２方向に伸長されるゲート信号線ＧＬと、薄膜トランジスタＴＦＴと、画素電極ＰＸとを備え、画素電極と対向電極ＣＴ間に電界が印加されていない状態で明表示がなされる液晶表示装置であって、ドレイン信号線は、第２基板の遮光膜と重なる領域まで伸長され、かつ、画像表示領域より外側であってシール材よりも内側の領域のうち、隣接するドレイン信号線の間の領域の１つあたりに、２つ以上の遮光セグメントＳＨＳが、ドレイン信号線と同層で形成され、ドレイン信号線と遮光セグメントとの間隔および隣接する遮光セグメント同士の間隔は、それぞれ３０μｍ未満の値に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 フィードスルーを防止する。
【解決手段】電気光学装置は、第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子（１３）と、第１期間においてデータ電位が供給される第１データ線及び第１電極間に設けられる第１スイッチング素子（ＳＷ１０１）と、第２期間においてデータ電位が供給される第２データ線及び第２電極間に設けられる第２スイッチング素子（ＳＷ１０２）と、第１・第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を、これら第１・第２スイッチング素子に供給する走査線（３）と、を備える。そして、基板を平面視すると、第２電極は、その少なくとも一部が、前記走査線と重なるように形成され、前記第１電極は、少なくとも、前記走査線の全幅を覆うことがないように形成される。 （もっと読む）

【課題】絵素の正確な位置を容易に把握することができるアクティブマトリクス基板、及びこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配列された複数のソース配線（データ配線）Ｓ１〜ＳＭ及び複数のゲート配線（走査配線）Ｇ１〜ＧＮと、ソース配線Ｓ１〜ＳＭとゲート配線Ｇ１〜ＧＮとの交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタ（スイッチング素子）２５及び薄膜トランジスタ２５に接続された絵素電極２６を有する絵素Ｐとを備え、液晶パネル（表示パネル）の基板として用いられるアクティブマトリクス基板において、マトリクス状の行方向及び列方向の各々の方向において、隣接する２つの絵素Ｐの絵素構造を互いに異ならせる。 （もっと読む）

【課題】開口率が向上した水平電界型液晶ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施例は水平電界型液晶ディスプレイ装置およびその製造方法に関し、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟まれた液晶層、及び前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた複数のスペーサーと、を備える当該水平電界型液晶ディスプレイ装置において、前記第１の基板は、複数の薄膜トランジスターと、前記複数の薄膜トランジスターを駆動するゲートライン及びデータラインを備え、前記第２の基板は、複数の画像電極、及び前記画像電極と対応し且つ水平電界を形成する共通電極を備え、前記スペーサーは前記第１の基板上の各前記画像電極と、第２の基板上の相応した各前記薄膜トランジスターをそれぞれ電気的に接続する導電スペーサーである。 （もっと読む）