【課題】動作特性及び信頼性の向上した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、前記第１の加熱処理の際に前記結晶性半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去するとともに第２の酸化膜を形成し、前記第２の酸化膜が形成された前記結晶性半導体膜に第１のレーザ光を照射し、前記第２の酸化膜上に希ガス元素を含む半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素を前記希ガス元素を含む半導体膜にゲッタリングし、前記希ガス元素を含む半導体膜および前記第２の酸化膜を除去し、前記結晶性半導体膜に第２のレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンのように電気的特性が向上した薄膜トランジスタ表示板を低コストで製造することができる方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されている制御電極１２４ａと、制御電極１２４ａ上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されていて、制御電極と重畳する半導体１５１と、半導体１５１と一部分が重畳する入力電極１７３ａと、半導体１５１と一部分が重畳する出力電極１７５ａと、を含み、半導体１５１は非晶質シリコンからなる第１部分と多結晶シリコンからなる第２部分とを含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、トランジスタのソース・ドレイン電極間のチャネル長を短く、均一に形成する。
【解決手段】表面に下地絶縁膜１０２を形成したガラス基板１０１上にソースドレイン電極１０３を形成し、ソース・ドレイン両電極上に不純物含有液体シリコン材料を滴下し、滴下した不純物含有液体シリコン材料をソースドレイン電極１０３上から下地絶縁膜１０２上に溢れさせることによって、ソース・ドレイン両電極を覆う塗布膜１０４，１０５を形成し、塗布膜１０４，１０５を焼成してＮ型シリコン膜１０７，１０８にする。さらに、Ｎ型シリコン膜１０７，１０８の間に半導体膜１０９を形成し、半導体膜１０９上にゲート絶縁膜１１０、ゲート電極１１２を順次形成する。 （もっと読む）

【課題】 遮光層中の樹脂塗料成分などが液晶中に溶出することにより、液晶層の挙動が不安定になるのを回避した安定性に優れた光変調素子を提供することである。
【解決手段】 一対の電極間に挟持され、画像情報に対応する露光光の照射と、前記一対の電極間に印加される電圧との双方の刺激により、露光光が担持する画像と同一の可視画像が書き込まれる光変調素子であって、前記露光光の照射により該露光光の強度分布に応じた電気的特性分布を示す光導電層と、前記一対の電極に印加された電圧の、前記光導電層の電気的特性分布に応じて分布した分圧が印加され、該分圧に応じて光学的特性分布による可視画像が記録される液晶層と、前記光導電層と前記液晶層とに挟まれた位置に形成された遮光層と、を少なくとも有し、該遮光層が部分けん化ポリビニルアルコールを含む光変調素子である。 （もっと読む）

【課題】 高濃度タングステンをウェットエッチングする工程を有する、高濃度タングステンの薄膜を備えた基板の製造方法、および該高濃度タングステンを第２素子電極に有する非線形抵抗素子を備えた電気光学装置の製造方法を提供すること。また、上記基板、上記電気光学装置、および上記電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置の製造方法が、基体上に第１素子電極５１を形成する工程と、第１素子電極５１に重ねて絶縁層５２を形成する工程と、絶縁層５２に重ねて、タングステンの濃度が６０原子％より高い金属の薄膜を形成する工程と、前記金属の薄膜を、燐酸および硝酸を含む水溶液でエッチングすることにより第２素子電極５３の形状にパターニングする工程とを含む。ここで前記水溶液は、燐酸濃度が２５％以上４０％以下、硝酸濃度が５％以上１５％以下、温度が５５℃以上６５℃以下の水溶液である。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製した半導体装置を提供することを目的とする。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】連続した波状形状有する形状のパターンを、均一な間隔をもって隣接して備えた半導体装置である。隣接するパターンにおいて、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、パターン同士の線幅の最大個所（節の最大値）同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接したパターンを設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板を製造する方法において、絶縁膜の界面付近でのリーク特性を向上させる。
【解決手段】 本発明の素子基板製造方法は、基体１０上に、第１導電膜２０を形成する工程と、第１導電膜２０上に絶縁膜３０を形成する工程と、絶縁膜３０上に第２導電膜４０を形成する工程とを有する。絶縁膜３０の形成工程では、絶縁膜３０における界面付近３２，３５と内部３６との間で処理条件が異なる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射窓の付着物を抑制することで、照射密度の均一化を図り、これによって被処理基板上に均一な膜を形成できる電気光学装置の製造装置、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 減圧状態に維持された光照射室２内の被処理基板５にエネルギー光８を照射することにより熱処理を施す電気光学装置の製造装置１であって、光照射室２に設けられた光導入用の窓部３と、被処理基板５との間には、当該被処理基板５から放出する放出物質を付着させる防着板７が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】 漏光による光電流の発生を防止し、ＴＦＴ素子の特性を適切に防止することが可能な液晶表示装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一対の基板１Ａ，１Ｂと、一対の基板１Ａ，１Ｂに挟まれた液晶層７と、ＴＦＴ基板１Ａにマトリクス状に配置された複数の画素電極３４と、複数の画素電極３４に対応するようにＴＦＴ基板１Ａ上に配置されており、かつ各々が半導体層２を有する複数のＴＦＴ素子Ｔと、を備える液晶表示装置Ａ１であって、各々がＴＦＴ基板１Ａの面内方向において各半導体層２の四方を囲う複数の第１透明絶縁層４Ａと、ＴＦＴ基板１Ａの面内方向において複数の第１透明絶縁層４Ａの四方を囲う第２透明絶縁層４Ｂと、をさらに備えており、かつ、第１透明絶縁層４Ａは、その屈折率が第２透明絶縁層４Ｂの屈折率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】電気移動度が高いと同時に、製造費用を最少化することができる、トランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成される、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、前記微細線の第２被覆上に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、前記接触孔を通じて前記微細線と連結される第２及び第３電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】 大きなオン電流と小さなオフ電流を有する、良好な特性の薄膜トランジスタ装置をフォトリソの回数を減らし、安価に提供する。さらに、この薄膜トランジスタ装置を使用した薄膜トランジスタアレイ及び画像の安定し軽量で薄い薄膜トランジスタディスプレイを提供する
【解決手段】 ゲート電極およびキャパシタ下部電極とを有し、その上に形成されたゲート絶縁膜を介してゲート絶縁膜に接してソース電極及びドレイン電極が配置されており、ソース電極及びドレイン電極の間隙を埋めるように半導体層が配置されており、その上に形成された層間絶縁膜を介して画素電極が配置されてなり、平面配置的に見てソース電極が孤立島パターンであり、ゲート電極がソース電極及びドレイン電極の間にあってソース電極をほぼ囲むＣ字状であり、ドレイン電極がゲート電極をほぼ囲むＣ字状であって、ソース電極の内部にキャパシタ下部電極を有する薄膜トランジスタ装置。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構造で高画質の表示を得られ、また簡便な工程により製造可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶装置（電気光学装置）では、基板上に、第１電極１１１と素子絶縁膜１１２を含むＴＦＤ素子（非線形素子）１６と、第１配線１３と、該第１配線１３上に形成された層間絶縁膜１１５と、該層間絶縁膜１１５上に形成された第２配線１４とが設けられており、前記層間絶縁膜１１５に設けられた素子部貫通孔（第１の開口部）１１５ｃ内に前記ＴＦＤ素子１６が設けられ、前記第２配線１４の一部が前記素子部貫通孔１１５ｃ内に延設されて第１電極１１１上の素子絶縁膜１１２と当接し、当該素子部貫通孔１１５ｃ内で前記ＴＦＤ素子１６の第２電極を形成している。 （もっと読む）

【課題】 長時間の連続通電時や高電界の印加時においても素子破壊が発生しない非線形素子、この非線形素子を介して画素電極を駆動する電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、ニオブまたはその合金からなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる絶縁体１４と、この絶縁体１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。ニオブの陽極酸化膜からなる絶縁体１４は、欠陥が多いため、長時間の連続通電時や高電界の印加時において過電流に起因する破壊が分散して起こるので、素子破壊が発生しにくい。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を利用した新規な画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アクティブマトリックス型の画像表示装置において、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタの活性層１２として、非晶質酸化物を用いる。アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、光制御素子と、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満の非晶質酸化物である。 （もっと読む）

【課題】半導体膜を形成するのに際して、光重合性を有する組成物の蒸発を抑制して、均一な膜厚の半導体膜を安定して形成することができ、また、蒸発した前記組成物によるフォトマスクやチャンバー内の汚染を防止し得る半導体膜の形成方法、半導体素子基板の製造方法、かかる方法により得られた半導体素子基板を備える電気光学装置、電子デバイスおよび半導体膜形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体膜の形成方法は、光透過性を有する基板１０の一方の面側に半導体膜を形成する方法であり、基板１０の一方の面側に、光重合性を有する組成物を含有する液状材料を供給して液状被膜２０ａを形成する工程と、液状被膜２０ａが形成された一方の面側を密閉容器４３で蓋った状態で基板１０の他方の面側から液状被膜２０ａに光４０を照射し、前記組成物を重合させて重合体膜を得る工程と、重合体膜を加熱することにより半導体膜を得る工程とを有する。 （もっと読む）

本発明は、基板及びポリアニオンとともにカチオン形態で存在する電子伝導性ポリチオフェン・ポリマーを含み透明導電性層を含む部材であって、前記導電性層が50以下のFOMを有する部材（ここで、FOMは、ln(1/T)対[1/SER]のプロットの勾配として定義され、そして、T＝可視光透過率、SER＝表面電気抵抗(オーム／□)、FOM＝性能示数であり、そして該SERの値は1000オーム／□以下である）を提供する。
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トランジスタ構造の少なくとも一部分が実質的に透明であるエンハンスメント・モード電界効果トランジスタである。該トランジスタの一変形形態は、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択された実質的に絶縁性で実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。実質的に透明な材料から構成されるゲート絶縁体層は、チャネル層／ゲート絶縁体層境界面を形成するようにチャネル層に隣接して配置される。該トランジスタの第２の変形形態は、アニーリングにより生成される実質的に絶縁性のＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択される実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。該トランジスタを含む装置、及び該トランジスタを作る方法も開示されている。
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【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）