トランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法
【課題】電気移動度が高いと同時に、製造費用を最少化することができる、トランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成される、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、前記微細線の第２被覆上に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、前記接触孔を通じて前記微細線と連結される第２及び第３電極とを有する。
【解決手段】基板上に形成される、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、前記微細線の第２被覆上に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、前記接触孔を通じて前記微細線と連結される第２及び第３電極とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法に関し、詳しくは、電気移動度が高いと同時に、製造費用を最少化することができるトランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、陰極線管表示装置から液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）や有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）などに代替されるのに伴って表示領域が大型化されてきているが、表示領域を制御するための回路は次第に小さく形成されて、全体的な装置の大きさは小型化、軽量化されてきている。
現在は、装置の大きさをより小さく形成するために、基板にトランジスタを直接集積している。そして、表示領域を構成する各画素もトランジスタを有するが、トランジスタの大きさが小さくなるほど、画素の開口率が増加して、表示品質が優れた表示装置を実現することができる。
【０００３】
このようなトランジスタは、出力電極、入力電極、制御電極、及び半導体からなるが、半導体の特性によってトランジスタの駆動能力が異なる。
半導体の中でも、主に使用されるケイ素は、結晶状態によって、多結晶シリコン、非晶質シリコン、または単結晶シリコンに分類される。
【０００４】
このうち、非晶質シリコンは、低い温度で蒸着することができて薄膜の形成が可能であるので大型表示板に主に利用されているが、多結晶または単結晶シリコンに比べて電界効果移動度（ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が低い。
そして、単結晶及び多結晶シリコンは、電界効果移動度は優れているが、単結晶または多結晶シリコンを形成するための工程が複雑であるという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来のトランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、電気移動度が高いと同時に、製造費用を最少化することができる、トランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明によるトランジスタは、基板上に形成される、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、前記微細線の第２被覆上に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、前記接触孔を通じて前記微細線と連結される第２及び第３電極とを有することを特徴とする。
【０００７】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことが好ましい。
前記絶縁膜は、アクリル系共重合体を含むことが好ましい。
前記第１被覆は、絶縁体を含むことが好ましい。
前記第１被覆は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことが好ましい。
前記第２被覆は、導体を含むことが好ましい。
前記第２被覆は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことが好ましい。
前記第１電極と第１及び第２被覆との境界線は一致することが好ましい。
【０００８】
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるトランジスタは、基板上に形成される第１、第２、及び第３電極と、前記第１電極上に形成される半導体核と、該半導体核の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、前記第１電極及び前記微細線上に形成される固定部材とを有し、前記半導体核の一部は、前記第１及び第２被覆と前記固定部材とで覆われずに前記第２及び第３電極と連結されることを特徴とする。
【０００９】
前記半導体核の両端部は前記固定部材で覆われないことが好ましい。
前記第２及び第３電極の少なくとも一部は前記固定部材上にあることが好ましい。
前記第２及び第３電極は、前記半導体核と接触する境界線を有することが好ましい。
前記第１被覆は、絶縁体を含むことが好ましい。
前記第１被覆は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことが好ましい。
前記第２被覆は、導体を含むことが好ましい。
前記第２被覆は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことが好ましい。
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、基板と、前記基板上に形成され、半導体核と、該半導体核の一部を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線と、前記微細線の外皮上に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記半導体核の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、前記接触孔を通じて前記微細線と各々連結される第２及び第３電極と、前記第３電極と連結される画素電極とを有することを特徴とする。
【００１１】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことが好ましい。
前記絶縁膜は、アクリル系共重合体を含むことが好ましい。
前記内皮は、絶縁体を含むことが好ましい。
前記内皮は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことが好ましい。
前記外皮は、導体を含むことが好ましい。
前記外皮は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことが好ましい。
前記第１電極と前記内皮及び前記外皮との境界線は一致することが好ましい。
前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極の間に充填される液晶層をさらに有することが好ましい。
【００１２】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、基板上に形成される第１、第２、及び第３電極と、前記第１電極上に形成される半導体核、該半導体核の一部を囲む内皮、該内皮を囲む外皮とを有する微細線と、前記第１電極及び前記微細線上に形成される固定部材と、前記第３電極と連結される画素電極とを有し、前記半導体核の一部は、前記内皮及び外皮と前記固定部材とで覆われずに前記第２及び第３電極と連結されることを特徴とする。
【００１３】
前記半導体核の両端部は前記固定部材で覆われないことが好ましい。
前記第２及び第３電極の少なくとも一部は前記固定部材上にあることが好ましい。
前記内皮は、絶縁体を含むことが好ましい。
前記内皮は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことが好ましい。
前記外皮は導体を含むことが好ましい。
前記外皮は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことが好ましい。
前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極の間に充填される液晶層をさらに有することが好ましい。
【００１４】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の製造方法は、基板上に半導体核と、該半導体核を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線を撒く段階と、前記微細線と重畳するゲート電極を含むゲート線を形成する段階と、前記外皮及び内皮の一部を除去して前記半導体核を露出させる段階と、前記半導体核を露出させる接触孔を有する絶縁膜を形成する段階と、前記接触孔を通じて各々の前記微細線と各々連結されるデータ線及び出力電極を形成する段階と、前記出力電極と連結される画素電極を形成する段階とを有することを特徴とする。
【００１５】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことが好ましい。
前記絶縁膜は、アクリル系重合体を含むことが好ましい。
前記ゲート線及び前記外皮は湿式エッチングでエッチングし、前記内皮は乾式または湿式エッチングでエッチングすることが好ましい。
前記微細線は、液体に混合してそれを塗布することによって撒くことが好ましい。
前記液体は、エタノールを含むことが好ましい。
【００１６】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の製造方法は、基板上にゲート電極を含むゲート線を形成する段階と、前記基板上に半導体核と、該半導体核を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線を撒く段階と、前記微細線を露出させる接触孔を有する固定部材を形成する段階と、前記接触孔を通じて露出された前記微細線の前記外皮及び内皮を除去して前記半導体核を露出させる段階と、前記接触孔を通じて各々の前記半導体核と各々連結されるデータ線及び出力電極を形成する段階と、前記出力電極と連結される画素電極を形成する段階とを有することを特徴とする。
【００１７】
前記固定部材で覆われない前記微細線を除去する段階をさらに有することが好ましい。
前記ゲート線及び前記外皮は湿式エッチングでエッチングし、前記内皮は乾式または湿式エッチングでエッチングすることが好ましい。
前記微細線は、液体に混合してそれを塗布することによって撒くことが好ましい。
前記液体は、エタノールを含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るトランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法によれば、微細線を利用してトランジスタを実現することによって、複雑な工程を行わなくても性能が優れたトランジスタを含む表示板を製造することができ、生産費用を最少化することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、本発明に係るトランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図面では、各層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体を通して類似した部分については、同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も意味する。反対に、ある部分が他の部分の“直上”にあるとする時、これはその中間に他の部分がない場合を意味する。
【００２０】
次に、図面を参照して、本発明の一実施形態による微細線トランジスタ、微細線トランジスタ表示板、及びその製造方法について説明する。
図１乃至図４を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置の一例について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図２は図１に示した微細線トランジスタ表示板のＩＩの部分を拡大して示した配置図であり、図３は図２の微細線の斜視図であり、図４は図１の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
本実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する微細線トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００と、これら二つの表示板１００、２００の間に注入されている液晶層３を含む。
【００２１】
まず、共通電極表示板２００について説明する（図４参照）。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）という遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０は、クロムの単一膜またはクロム及び酸化クロムの二重膜からなったり、黒色顔料（ｐｉｇｍｅｎｔ）を含む有機膜からなることができる。
基板２１０上には、また、複数の色フィルタ（ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）２３０が形成されている。色フィルタ２３０は、基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができ、基本色の例としては、赤色、緑色、青色などの三原色がある。隣接する色フィルタ２３０の周縁は重畳することができる。
色フィルタ２３０上には、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質などからなる共通電極２７０が形成されている。
共通電極２７０及び色フィルタ２３０の間には、色フィルターが露出されるのを防止して平坦面を提供するための蓋膜（ｏｖｅｒ ｃｏａｔ）（図示せず）を形成することもできる。
【００２２】
次に、微細線トランジスタ表示板１００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数の微細線（ｎａｎｏ ｗｉｒｅ）１５４が形成されている。
図２を参照すると、微細線１５４は二次元的に平面上に平行に配列されている。しかし、微細線１５４は互いに平行でなく不規則に配列されることもあり、三次元的に積層されることもある。
図３を参照すると、各々の微細線１５４は、ナノメートル（ｎａｎｏｍｅｔｅｒ）の大きさの単結晶半導体からなる半導体芯１５４ａ、半導体芯１５４ａを囲んでいる内皮１５４ｂ、そして内皮１５４ｂを囲んでいる外皮１５４ｃを含む。外皮１５４ｃ及び内皮１５４ｂは半導体芯１５４ａの中心部だけを囲んでいて、半導体芯１５４ａの両端部は露出されている。
【００２３】
半導体芯１５４ａの材料としては、ナノメートルの大きさに形成することができる半導体であれば全て可能であり、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体などがある。半導体芯１５４ａは、導電性不純物イオンで弱くドーピングされていて、導電性不純物としては、ホウ素（Ｂ）やガリウム（Ｇａ）などのＰ型不純物、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）などのＮ型不純物がある。半導体芯１５４ａの直径（Ｄ）は約１８〜２２ｎｍの範囲であり、長さ（Ｌ）は約３０〜３５μｍの範囲である。
内皮１５４ｂは、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）からなり、外皮１５４ｃは、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などの導電物質からなる。内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃの厚さ（Ｔ１、Ｔ２）は各々約２０〜２５ｎｍの範囲である。
基板１１０上には、また、複数のゲート線（ｇａｔｅ ｌｉｎｅ）１２１が形成されている。
【００２４】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向にのびている。各ゲート線１２１は、下に突出して複数の微細線１５４と重畳する複数のゲート電極１２４、及び他の層または外部装置との接続のために面積が拡張されているゲート線の端部１２９を含む。ゲート電極１２４は、微細線１５４の外皮１５４ｃ上に位置して、微細線１５４の内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃとその境界が一致し、半導体芯１５４ａとは分離されている。ゲート信号を生成する駆動回路（図示せず）が微細線トランジスタ表示板１００上に集積される場合、ゲート線１２１がのびて駆動回路と連結することができる。
【００２５】
ゲート線１２１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどからなるのが好ましい。しかし、これらは物理的な性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造からなることもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少させることができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えばアルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属からなることができる。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ及びＩＺＯとの物理的、化学的、電気的な接触特性が優れている物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル（Ｔａ）、またはチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。このような組合わせの好ましい例としては、クロムの下部膜及びアルミニウム（合金）の上部膜や、アルミニウム（合金）の下部膜及びモリブデン（合金）の上部膜がある。しかし、ゲート線１２１はこの他にも多様な金属及び導電物質からなることができる。
【００２６】
ゲート線１２１の側面は基板１１０の表面に対して傾いていて、その傾斜角は約３０〜８０゜であるのが好ましい。
微細線１５４及びゲート線１２１上には、絶縁膜１８０が形成されている。絶縁膜１８０は、アクリル（ａｒｃｒｙｌａｔｅ）系共重合体などの有機物質からなり、約３．５〜４．５μｍの厚さであるのが好ましい。しかし、絶縁膜１８０は、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機物や低誘電率絶縁物でもありうる。低誘電率絶縁物の誘電定数は４．０以下であるのが好ましく、プラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどがその例である。有機絶縁物のうちの感光性を有するもので絶縁膜１８０を形成することもでき、絶縁膜１８０の表面は平坦でありうる。また、絶縁膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしつつ露出された半導体芯１５４ａ部分に影響が及ばないように、下部無機膜及び上部有機膜の二重膜構造からなることもできる。
【００２７】
絶縁膜１８０には、ゲート線の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１及び半導体芯１５４ａの一部を露出する複数の接触孔１８３、１８５が形成されている。この時、微細線１５４の両端部が露出される。
絶縁膜１８０上には、複数のデータ線（ｄａｔａ ｌｉｎｅ）１７１及び複数の出力電極（ｏｕｔｐｕｔ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５が形成されている。
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向にのびて、ゲート線１２１と交差している。各データ線１７１は、接触孔１８３を通じて半導体芯１５４ａと連結されている入力電極１７３、及び他の層または外部駆動回路との接続のために面積が拡張されている端部１７９を含む。データ電圧を生成するデータ駆動回路が基板１１０上に集積される場合、データ線１７１がのびてデータ駆動回路と直接連結することができる。
出力電極１７５は、データ線１７１と分離されていて、接触孔１８５を通じて半導体芯１５４ａと連結されている。
【００２８】
少なくとも一つの微細線１５４は、一つのゲート電極１２４、一つの入力電極１７３、及び一つの出力電極１７５と共にトランジスタを構成し、トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は微細線１５４の内皮１５４ｂの内側の半導体芯１５４ａに形成される。
このように、単結晶シリコンからなる微細線を利用してトランジスタを形成すれば、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンからなる薄膜トランジスタより駆動能力が高くなる。
【００２９】
データ線１７１及び出力電極１７５は、モリブデン系、クロム、タンタル、及びチタニウムなどの耐火性金属、またはこれらの合金を含むのが好ましく、耐火性金属などの導電膜（図示せず）及び低抵抗物質の導電膜（図示せず）からなる多層膜構造からなることができる。多層膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）の下部膜及びアルミニウム（合金）の上部膜の二重膜や、モリブデン（合金）の下部膜、アルミニウム（合金）の中間膜、及びモリブデン（合金）の上部膜の三重膜がある。しかし、これらはこの他にも多様な金属及び導電物質からなることもできる。
データ線１７１及び出力電極１７５の側面も基板１１０の表面に対して傾いていて、その傾斜角は約３０〜８０゜であるのが好ましい。
【００３０】
絶縁膜１８０上には、データ線１７１及び出力電極１７５を保護するための保護膜（図示せず）が形成されることがある。保護膜は、絶縁膜１８０と同一な物質からなることができる。
絶縁膜１８０上には、また、複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２は、ＩＺＯまたはＩＴＯなどの透明な導電物質、またはアルミニウムや銀、クロムなどの不透明な反射性導電物質からなることができる。
【００３１】
画素電極１９１は、出力電極１７５と直接接触して、これからデータ電圧の印加を受ける。データ電圧の印加を受けた画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極間の液晶層３の液晶分子の配向を決定する。
画素電極１９１及び共通電極２７０はキャパシタ（以下では液晶キャパシタとする）を構成して、微細線トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。電圧を維持する能力を強化するために、液晶キャパシタと並列に連結された他のキャパシタを構成することもでき、これをストレージキャパシタという。ストレージキャパシタは、画素電極１９１及びこれと隣接するゲート線１２１（これを前段ゲート線とする）の重畳などによって構成され、ストレージキャパシタの静電容量、つまり、保持容量を増加させるために、ゲート線１２１を拡張した突出部（図示せず）を形成して重畳面積を大きくしたり、別途の維持電極線（図示せず）及び画素電極１９１を重畳させてストレージキャパシタを構成することができる。
【００３２】
以上で説明した二つの表示板１００、２００の内側面には、配向膜１１、２１が各々塗布されている。二つの表示板１００、２００の外側側には、偏光子（図示せず）が各々設置されているが、二つの偏光子の透過軸は互いに垂直であったり平行であったりして配置される。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光子のうちの一つを省略することができる。
【００３３】
表示板１００、２００及び偏光子の間には、液晶層３の遅延値を補償するための少なくとも一つの位相遅延フィルム（ｒｅｔａｒｄａｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）（図示せず）が位置することができる。位相遅延フィルムは、複屈折性（ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）を有して、液晶層３の複屈折性を逆に補償する役割を果たす。遅延フィルムとしては、一軸性または二軸性光学フィルムがあり、特に負の（ｎｅｇａｔｉｖｅ）一軸性光学フィルムが好ましい。
【００３４】
微細線トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００の間には、絶縁物質からなって、二つの表示板１００、２００の間隔を一定に維持するための間隔材（図示せず）が形成されている。
液晶表示装置は、また、偏光子、位相遅延フィルム、表示板１００、２００、及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ ｕｎｉｔ）（図示せず）を含むことができる。
液晶層３は、垂直配向方式または捩じれネマチック配向方式で配向され、両基板１１０、２１０の中心面に対して対称に曲がって配向させることもできる。
【００３５】
このような本実施形態による微細線トランジスタは、移動度が高い単結晶シリコンを含む微細線からなるので、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンを使用した薄膜トランジスタより駆動能力が高い。したがって、一般的な薄膜トランジスタより小さくすることができて、画素の開口率が増加する。また、このような微細線トランジスタは、ゲート駆動回路及びデータ駆動回路を構成する素子として使用されることができるので、これら駆動回路を基板１１０に集積するのが容易である。
【００３６】
次に、図１乃至図４に示した微細線トランジスタ表示板を製造する方法について、図１乃至図４と共に図５乃至図１０を参照して詳細に説明する。
図５は図１及び図４に示した液晶表示装置の微細線トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図６は図５の微細線トランジスタ表示板のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図であり、図７は図５の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図８は図７の微細線トランジスタ表示板のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図であり、図９は図８の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図１０は図９の微細線トランジスタ表示板のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【００３７】
まず、図５及び図６を参照すると、透明な絶縁基板１１０上に、内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃで囲まれた半導体芯１５４ａを含む微細線１５４を撒く。微細線１５４は、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）または感光剤（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔｏｒ）などに混合して、その混合液を塗布することによって撒かれる。
塗布方法の例としては、グラビアコーティング（ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔｉｎｇ）、メイヤーロッドコーティング（ｍｅｙｅｒ ｒｏｄ ｃｏａｔｉｎｇ）、ドクターブレードコーティング（ｄｏｃｔｅｒ ｂｌａｄｅ ｃｏａｔｉｎｇ）、スピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）、スリットコーティング（ｓｌｉｔ ｃｏａｔｉｎｇ）、インクジェット印刷（ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔ）などがある。微細線１５４を一定に整列させるためには、混合液を一定の方向に流したり、微細線が入ることができる溝を有する枠を形成して塗布することができる。
エタノールを使用する場合には、エタノールは後に蒸発して基板１１０上には微細線１５４だけが残る。
【００３８】
その後、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などによって導電膜を積層した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行いして、ゲート電極１２４及びゲート線の端部１２９を含むゲート線１２１を形成する。そうすると、ゲート線１２１と分離されている一部の微細線１５４は完全に露出され、他の一部の微細線１５４は部分的にゲート線１２１で覆われて部分的にゲート線１２１から離れて露出される。
【００３９】
完全に露出された微細線１５４は基板１１０から全て除去し、一部が露出された微細線１５４はその外皮１５４ｃ及び内皮１５４ｂをエッチングして半導体芯１５４ａを露出する。ゲート線１２１及び外皮１５４ｃは湿式エッチング（ｗｅｔ ｅｔｃｈ）し、内皮１５４ｂは乾式エッチング（ｄｒｙ ｅｔｃｈ）または湿式エッチングすることができる。この時、内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃのうちの基板１１０と隣接した部分は除去されないこともある。
このようにすれば、撒かれた微細線１５４のうちの少なくとも一部は図２に示したように両側が露出される。
【００４０】
次に、図７及び図８を参照すれば、スピンコーティングなどによって有機物絶縁膜１８０を積層する。スピンコーティングなどによって形成された薄膜は、化学気相蒸着法などを使用する場合より薄膜の形成速度が速く、生産性を向上させることができる。次に、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い絶縁膜１８０に複数の接触孔１８３、１８５を形成することによって、微細線１５４の半導体芯１５４ａを露出させる。
【００４１】
その後、図９及び図１０を参照すれば、スパッタリングなどによって導電膜を形成した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い、接触孔１８３を通じて微細線１５４の一側端部と連結される複数のデータ線１７１及び接触孔１８５を通じて微細線１５４の反対側端部と連結される複数の出力電極１７５を形成する。
【００４２】
次に、図１及び図４に示したように、ＩＴＯまたはＩＺＯなどを蒸着した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い、出力電極１７５と連結される画素電極１９１及び接触部材８１、８２を形成する。
このように、不純物をドーピングしたり結晶化する複雑な工程を行わなくても、数回のフォトリソグラフィ及びエッチング工程のみを行って性能が優れたトランジスタを含む表示板を製造することができる。
【００４３】
次に、本発明の他の実施形態による液晶表示装置について、図１１乃至図１５を参照して説明する。
図１１は本発明の他の実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図１２は図１１に示した微細線トランジスタ表示板のＸＩＩの部分を拡大して示した配置図であり、図１３は図１１の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った断面図であり、図１４は本発明の他の実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図１５は図１４の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のＸＶ−ＸＶ線に沿った断面図である。
【００４４】
本実施形態による液晶表示装置も、微細線トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００、そして液晶層３を含む。
図１１乃至図１５に示した表示板１００、２００の層状構造は、図１乃至図４に示したものとほぼ類似している。
共通電極表示板２００を見ると、絶縁基板２１０上に、遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０及び複数の色フィルタ２３０が形成されている。
色フィルタ２３０上には、共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０及び色フィルタ２３０の間には、色フィルタが露出されるのを防止して平坦面を提供するための蓋膜（ｏｖｅｒ ｃｏａｔ）（図示せず）を形成することもできる。
【００４５】
微細線トランジスタ表示板１００を見ると、絶縁基板１１０上に、ゲート電極１２４及びゲート線の端部１２９を含む複数のゲート線（ｇａｔｅｌｉｎｅ）１２１が形成されており、ゲート線１２１上には、複数の微細線１５４が形成されている。
図１２を参照すると、微細線１５４は、ゲート電極１２４を横切って互いに交差して、不規則に配列されている。しかし、微細線１５４は、互いに平行に配列されることもあり、三次元的に積層されることもある。
図１３を参照すると、各々の微細線１５４は、半導体芯１５４ａ、内皮１５４ｂ、そして外皮１５４ｃを含む。
【００４６】
微細線１５４及びゲート線１２１上には、固定部材（ｆｉｘｅｒ）１６０が形成されている。固定部材１６０は、微細線１５４をゲート線１２１上に固定する。
固定部材１６０は、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機絶縁物、有機絶縁物、低誘電率絶縁物などからなる。有機絶縁物及び低誘電率絶縁物の誘電定数は４．０以下であるのが好ましく、低誘電率絶縁物の例としては、プラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどがある。有機絶縁物のうちの感光性を有するもので固定部材１６０を形成することもでき、固定部材１６０の表面は平坦でありうる。また、固定部材１６０は、下部無機膜及び上部有機膜の二重膜構造からなることもできる。
【００４７】
固定部材１６０には、接触孔１６１、１６３、１６５が形成されている。接触孔１６３、１６５は半導体芯１５４ａの両端部を露出し、接触孔１６１はゲート線１２１の端部１２９を露出する。接触孔１６３、１６５の境界線は微細線１５４の内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃの境界と一致する。
【００４８】
これとは異なって、図１４及び図１５に示したように、固定部材１６０は、ゲート線１２１に沿ってのびていて、固定部材１６０の幅がゲート線１２１の幅より若干広いこともある。この半導体芯１５４ａの両端部は固定部材１６０の外側に露出されている。
基板１００及び固定部材１６０上には、複数のデータ線（ｄａｔａ ｌｉｎｅ）１７１及び複数の出力電極（ｏｕｔｐｕｔ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５が形成されている。
【００４９】
各データ線１７１は、接触孔１６３を通じて半導体芯１５４ａと連結されている入力電極１７３、及び他の層または外部駆動回路との接続のために面積が拡張されている端部１７９を含む。入力電極１７３の境界線のうちの一部は接触孔１６３内に位置する。
出力電極１７５は、データ線１７１と分離されていて、接触孔１６５を通じて半導体芯１５４ａと連結されている。そして、出力電極１７５の境界線のうちの一部は接触孔１６５内に位置する。
【００５０】
少なくとも一つの微細線１５４は、一つのゲート電極１２４、一つの入力電極１７３、及び一つの出力電極１７５と共にトランジスタを構成し、トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は微細線１５４の内皮１５４ｂの内側の半導体芯１５４ａに形成される。
【００５１】
基板１００上には、また、複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
接触補助部材８１は、接触孔１６１を通じてゲート線１２１の端部１２９と連結されており、接触補助部材８２は、データ線１７１の端部１７９と連結されている。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接続性を補完して、これらを保護する。
以上で説明した二つの表示板１００、２００の内側面には、配向膜１１、２１が各々塗布されている。
【００５２】
それでは、図１１乃至図１３に示した微細線トランジスタ表示板を製造する方法について、図１６乃至図２１と共に図１１及び図１３を参照して詳細に説明する。
図１６は図１１及び図１３に示した液晶表示装置の微細線トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図１７は図１６の微細線トランジスタ表示板のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿った断面図であり、図１８は図１６の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図１９は図１８の微細線トランジスタ表示板のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿った断面図であり、図２０は図１８の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図２１は図２０の微細線トランジスタ表示板のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿った断面図である。
【００５３】
まず、図１６及び図１７を参照すると、透明な絶縁基板１１０上に、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などによって導電膜を積層した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い、ゲート電極１２４を含むゲート線１２１を形成する。
【００５４】
次に、図１８及び図１９を参照すれば、内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃで囲まれた半導体芯１５４ａを含む微細線１５４を撒く。微細線１５４は、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）または感光剤（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔｏｒ）などに混合して、その混合液を塗布することによって撒かれる。
その後、微細線１５４上に絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い複数の接触孔１６１、１６３、１６５を有する固定部材１６０を形成する。そうすれば、ゲート線１２１と分離されている一部の微細線１５４は完全に露出され、他の一部の微細線１５４は部分的にゲート線１２１で覆われて部分的にゲート線１２１から離れて露出される。
【００５５】
完全に露出された微細線１５４は全て除去し、一部が露出された微細線１５４は外皮１５４ｃ及び内皮１５４ｂをエッチングして半導体芯１５４ａを露出する。外皮１５４ｃは湿式エッチング（ｗｅｔ ｅｔｃｈ）し、内皮１５４ｂは乾式エッチング（ｄｒｙ ｅｔｃｈ）または湿式エッチングすることができる。
【００５６】
次に、図２０及び図２１を参照すると、スパッタリングなどによって導電膜を形成した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い、接触孔１６３を通じて微細線１５４の一側端部と連結される複数のデータ線１７１及び接触孔１６５を通じて微細線１５４の反対側端部と連結される複数の出力電極１７５を形成する。
この時、データ線１７１及び出力電極１７５がゲート電極１２４下の微細線１５４の外皮１５４ｃと接触しないように、一定の距離をおいてエッチングする。
その後、図１１及び図１３を参照すれば、ＩＴＯまたはＩＺＯなどを蒸着した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い、出力電極１７５と連結される画素電極１９１及び接触部材８１、８２を形成する。
【００５７】
以上で説明したトランジスタは、有機発光表示装置にも使用することができる。
有機発光表示装置は、複数の信号線、及びこれらに連結されていて、ほぼ行列形態に配列されている複数の画素を含む。各画素は、有機発光素子、駆動トランジスタ、及びスイッチングトランジスタを含む。
駆動及びスイッチングトランジスタは、各々微細線、制御端子、入力端子、及び出力端子を含む。微細線は、図３のように、単結晶シリコンからなる半導体芯、半導体芯の中心部を囲んでいる内皮、内皮を囲んでいる外皮を含む。制御端子は外皮と重畳し、制御端子及び入力端子は半導体芯と連結されている。
そして、スイッチングトランジスタの出力端子は駆動トランジスタの制御端子と連結されており、駆動トランジスタの出力端子は有機発光素子と連結されている。ここで、有機発光素子は、駆動トランジスタの出力電流によって異なる強さで発光することによって、画像を表示する。
【００５８】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】図１に示した微細線トランジスタ表示板のＩＩの部分を拡大して示した配置図である。
【図３】図２の微細線の斜視図である。
【図４】図１の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置をＩＶ−ＩＶ線に沿って切断して示した断面図である。
【図５】図１及び図４に示した液晶表示装置の微細線トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図６】図５の微細線トランジスタ表示板をＶＩ−ＶＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図７】図５の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図８】図７の微細線トランジスタ表示板をＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図９】図８の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図１０】図９の微細線トランジスタ表示板をＸ−Ｘ線に沿って切断して示した断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図１２】図１１に示した微細線トランジスタ表示板のＸＩＩの部分を拡大して示した配置図である。
【図１３】図１１の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図１５】図１４の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置をＸＶ−ＸＶ線に沿って切断して示した断面図である。
【図１６】図１１及び図１３に示した液晶表示装置の微細線トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図１７】図１６の微細線トランジスタ表示板をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図１８】図１６の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図１９】図１８の微細線トランジスタ表示板をＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿って切断して示した断面図である。
【図２０】図１８の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図２１】図２０の微細線トランジスタ表示板をＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
３ 液晶層
１１、２１ 配向膜
８１、８２ 接触補助部材
１００、２００ 表示板
１１０、２１０ 絶縁基板
１２１、１２９ ゲート線、ゲート線の端部
１２４ ゲート電極
１５４ 微細線
１５４ａ 半導体芯
１５４ｂ 内皮
１５４ｃ 外皮
１６０ 固定部材
１６１、１６３、１６５ 接触孔
１７１、１７９ データ線、の端部
１７３ 入力電極
１７５ 出力電極
１８０ 絶縁膜
１８１、１８３、１８５ 接触孔
１９１ 画素電極
２２０ 遮光部材
２３０ 色フィルタ
２７０ 共通電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法に関し、詳しくは、電気移動度が高いと同時に、製造費用を最少化することができるトランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、陰極線管表示装置から液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）や有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）などに代替されるのに伴って表示領域が大型化されてきているが、表示領域を制御するための回路は次第に小さく形成されて、全体的な装置の大きさは小型化、軽量化されてきている。
現在は、装置の大きさをより小さく形成するために、基板にトランジスタを直接集積している。そして、表示領域を構成する各画素もトランジスタを有するが、トランジスタの大きさが小さくなるほど、画素の開口率が増加して、表示品質が優れた表示装置を実現することができる。
【０００３】
このようなトランジスタは、出力電極、入力電極、制御電極、及び半導体からなるが、半導体の特性によってトランジスタの駆動能力が異なる。
半導体の中でも、主に使用されるケイ素は、結晶状態によって、多結晶シリコン、非晶質シリコン、または単結晶シリコンに分類される。
【０００４】
このうち、非晶質シリコンは、低い温度で蒸着することができて薄膜の形成が可能であるので大型表示板に主に利用されているが、多結晶または単結晶シリコンに比べて電界効果移動度（ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が低い。
そして、単結晶及び多結晶シリコンは、電界効果移動度は優れているが、単結晶または多結晶シリコンを形成するための工程が複雑であるという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来のトランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、電気移動度が高いと同時に、製造費用を最少化することができる、トランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明によるトランジスタは、基板上に形成される、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、前記微細線の第２被覆上に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、前記接触孔を通じて前記微細線と連結される第２及び第３電極とを有することを特徴とする。
【０００７】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことが好ましい。
前記絶縁膜は、アクリル系共重合体を含むことが好ましい。
前記第１被覆は、絶縁体を含むことが好ましい。
前記第１被覆は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことが好ましい。
前記第２被覆は、導体を含むことが好ましい。
前記第２被覆は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことが好ましい。
前記第１電極と第１及び第２被覆との境界線は一致することが好ましい。
【０００８】
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるトランジスタは、基板上に形成される第１、第２、及び第３電極と、前記第１電極上に形成される半導体核と、該半導体核の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、前記第１電極及び前記微細線上に形成される固定部材とを有し、前記半導体核の一部は、前記第１及び第２被覆と前記固定部材とで覆われずに前記第２及び第３電極と連結されることを特徴とする。
【０００９】
前記半導体核の両端部は前記固定部材で覆われないことが好ましい。
前記第２及び第３電極の少なくとも一部は前記固定部材上にあることが好ましい。
前記第２及び第３電極は、前記半導体核と接触する境界線を有することが好ましい。
前記第１被覆は、絶縁体を含むことが好ましい。
前記第１被覆は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことが好ましい。
前記第２被覆は、導体を含むことが好ましい。
前記第２被覆は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことが好ましい。
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、基板と、前記基板上に形成され、半導体核と、該半導体核の一部を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線と、前記微細線の外皮上に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記半導体核の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、前記接触孔を通じて前記微細線と各々連結される第２及び第３電極と、前記第３電極と連結される画素電極とを有することを特徴とする。
【００１１】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことが好ましい。
前記絶縁膜は、アクリル系共重合体を含むことが好ましい。
前記内皮は、絶縁体を含むことが好ましい。
前記内皮は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことが好ましい。
前記外皮は、導体を含むことが好ましい。
前記外皮は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことが好ましい。
前記第１電極と前記内皮及び前記外皮との境界線は一致することが好ましい。
前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極の間に充填される液晶層をさらに有することが好ましい。
【００１２】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、基板上に形成される第１、第２、及び第３電極と、前記第１電極上に形成される半導体核、該半導体核の一部を囲む内皮、該内皮を囲む外皮とを有する微細線と、前記第１電極及び前記微細線上に形成される固定部材と、前記第３電極と連結される画素電極とを有し、前記半導体核の一部は、前記内皮及び外皮と前記固定部材とで覆われずに前記第２及び第３電極と連結されることを特徴とする。
【００１３】
前記半導体核の両端部は前記固定部材で覆われないことが好ましい。
前記第２及び第３電極の少なくとも一部は前記固定部材上にあることが好ましい。
前記内皮は、絶縁体を含むことが好ましい。
前記内皮は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことが好ましい。
前記外皮は導体を含むことが好ましい。
前記外皮は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことが好ましい。
前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極の間に充填される液晶層をさらに有することが好ましい。
【００１４】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の製造方法は、基板上に半導体核と、該半導体核を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線を撒く段階と、前記微細線と重畳するゲート電極を含むゲート線を形成する段階と、前記外皮及び内皮の一部を除去して前記半導体核を露出させる段階と、前記半導体核を露出させる接触孔を有する絶縁膜を形成する段階と、前記接触孔を通じて各々の前記微細線と各々連結されるデータ線及び出力電極を形成する段階と、前記出力電極と連結される画素電極を形成する段階とを有することを特徴とする。
【００１５】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことが好ましい。
前記絶縁膜は、アクリル系重合体を含むことが好ましい。
前記ゲート線及び前記外皮は湿式エッチングでエッチングし、前記内皮は乾式または湿式エッチングでエッチングすることが好ましい。
前記微細線は、液体に混合してそれを塗布することによって撒くことが好ましい。
前記液体は、エタノールを含むことが好ましい。
【００１６】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の製造方法は、基板上にゲート電極を含むゲート線を形成する段階と、前記基板上に半導体核と、該半導体核を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線を撒く段階と、前記微細線を露出させる接触孔を有する固定部材を形成する段階と、前記接触孔を通じて露出された前記微細線の前記外皮及び内皮を除去して前記半導体核を露出させる段階と、前記接触孔を通じて各々の前記半導体核と各々連結されるデータ線及び出力電極を形成する段階と、前記出力電極と連結される画素電極を形成する段階とを有することを特徴とする。
【００１７】
前記固定部材で覆われない前記微細線を除去する段階をさらに有することが好ましい。
前記ゲート線及び前記外皮は湿式エッチングでエッチングし、前記内皮は乾式または湿式エッチングでエッチングすることが好ましい。
前記微細線は、液体に混合してそれを塗布することによって撒くことが好ましい。
前記液体は、エタノールを含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るトランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法によれば、微細線を利用してトランジスタを実現することによって、複雑な工程を行わなくても性能が優れたトランジスタを含む表示板を製造することができ、生産費用を最少化することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、本発明に係るトランジスタ、これを含む表示装置、及びその製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図面では、各層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体を通して類似した部分については、同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も意味する。反対に、ある部分が他の部分の“直上”にあるとする時、これはその中間に他の部分がない場合を意味する。
【００２０】
次に、図面を参照して、本発明の一実施形態による微細線トランジスタ、微細線トランジスタ表示板、及びその製造方法について説明する。
図１乃至図４を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置の一例について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図２は図１に示した微細線トランジスタ表示板のＩＩの部分を拡大して示した配置図であり、図３は図２の微細線の斜視図であり、図４は図１の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
本実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する微細線トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００と、これら二つの表示板１００、２００の間に注入されている液晶層３を含む。
【００２１】
まず、共通電極表示板２００について説明する（図４参照）。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）という遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０は、クロムの単一膜またはクロム及び酸化クロムの二重膜からなったり、黒色顔料（ｐｉｇｍｅｎｔ）を含む有機膜からなることができる。
基板２１０上には、また、複数の色フィルタ（ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）２３０が形成されている。色フィルタ２３０は、基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができ、基本色の例としては、赤色、緑色、青色などの三原色がある。隣接する色フィルタ２３０の周縁は重畳することができる。
色フィルタ２３０上には、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質などからなる共通電極２７０が形成されている。
共通電極２７０及び色フィルタ２３０の間には、色フィルターが露出されるのを防止して平坦面を提供するための蓋膜（ｏｖｅｒ ｃｏａｔ）（図示せず）を形成することもできる。
【００２２】
次に、微細線トランジスタ表示板１００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数の微細線（ｎａｎｏ ｗｉｒｅ）１５４が形成されている。
図２を参照すると、微細線１５４は二次元的に平面上に平行に配列されている。しかし、微細線１５４は互いに平行でなく不規則に配列されることもあり、三次元的に積層されることもある。
図３を参照すると、各々の微細線１５４は、ナノメートル（ｎａｎｏｍｅｔｅｒ）の大きさの単結晶半導体からなる半導体芯１５４ａ、半導体芯１５４ａを囲んでいる内皮１５４ｂ、そして内皮１５４ｂを囲んでいる外皮１５４ｃを含む。外皮１５４ｃ及び内皮１５４ｂは半導体芯１５４ａの中心部だけを囲んでいて、半導体芯１５４ａの両端部は露出されている。
【００２３】
半導体芯１５４ａの材料としては、ナノメートルの大きさに形成することができる半導体であれば全て可能であり、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体などがある。半導体芯１５４ａは、導電性不純物イオンで弱くドーピングされていて、導電性不純物としては、ホウ素（Ｂ）やガリウム（Ｇａ）などのＰ型不純物、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）などのＮ型不純物がある。半導体芯１５４ａの直径（Ｄ）は約１８〜２２ｎｍの範囲であり、長さ（Ｌ）は約３０〜３５μｍの範囲である。
内皮１５４ｂは、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）からなり、外皮１５４ｃは、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などの導電物質からなる。内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃの厚さ（Ｔ１、Ｔ２）は各々約２０〜２５ｎｍの範囲である。
基板１１０上には、また、複数のゲート線（ｇａｔｅ ｌｉｎｅ）１２１が形成されている。
【００２４】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向にのびている。各ゲート線１２１は、下に突出して複数の微細線１５４と重畳する複数のゲート電極１２４、及び他の層または外部装置との接続のために面積が拡張されているゲート線の端部１２９を含む。ゲート電極１２４は、微細線１５４の外皮１５４ｃ上に位置して、微細線１５４の内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃとその境界が一致し、半導体芯１５４ａとは分離されている。ゲート信号を生成する駆動回路（図示せず）が微細線トランジスタ表示板１００上に集積される場合、ゲート線１２１がのびて駆動回路と連結することができる。
【００２５】
ゲート線１２１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどからなるのが好ましい。しかし、これらは物理的な性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造からなることもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少させることができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えばアルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属からなることができる。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ及びＩＺＯとの物理的、化学的、電気的な接触特性が優れている物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル（Ｔａ）、またはチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。このような組合わせの好ましい例としては、クロムの下部膜及びアルミニウム（合金）の上部膜や、アルミニウム（合金）の下部膜及びモリブデン（合金）の上部膜がある。しかし、ゲート線１２１はこの他にも多様な金属及び導電物質からなることができる。
【００２６】
ゲート線１２１の側面は基板１１０の表面に対して傾いていて、その傾斜角は約３０〜８０゜であるのが好ましい。
微細線１５４及びゲート線１２１上には、絶縁膜１８０が形成されている。絶縁膜１８０は、アクリル（ａｒｃｒｙｌａｔｅ）系共重合体などの有機物質からなり、約３．５〜４．５μｍの厚さであるのが好ましい。しかし、絶縁膜１８０は、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機物や低誘電率絶縁物でもありうる。低誘電率絶縁物の誘電定数は４．０以下であるのが好ましく、プラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどがその例である。有機絶縁物のうちの感光性を有するもので絶縁膜１８０を形成することもでき、絶縁膜１８０の表面は平坦でありうる。また、絶縁膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしつつ露出された半導体芯１５４ａ部分に影響が及ばないように、下部無機膜及び上部有機膜の二重膜構造からなることもできる。
【００２７】
絶縁膜１８０には、ゲート線の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１及び半導体芯１５４ａの一部を露出する複数の接触孔１８３、１８５が形成されている。この時、微細線１５４の両端部が露出される。
絶縁膜１８０上には、複数のデータ線（ｄａｔａ ｌｉｎｅ）１７１及び複数の出力電極（ｏｕｔｐｕｔ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５が形成されている。
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向にのびて、ゲート線１２１と交差している。各データ線１７１は、接触孔１８３を通じて半導体芯１５４ａと連結されている入力電極１７３、及び他の層または外部駆動回路との接続のために面積が拡張されている端部１７９を含む。データ電圧を生成するデータ駆動回路が基板１１０上に集積される場合、データ線１７１がのびてデータ駆動回路と直接連結することができる。
出力電極１７５は、データ線１７１と分離されていて、接触孔１８５を通じて半導体芯１５４ａと連結されている。
【００２８】
少なくとも一つの微細線１５４は、一つのゲート電極１２４、一つの入力電極１７３、及び一つの出力電極１７５と共にトランジスタを構成し、トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は微細線１５４の内皮１５４ｂの内側の半導体芯１５４ａに形成される。
このように、単結晶シリコンからなる微細線を利用してトランジスタを形成すれば、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンからなる薄膜トランジスタより駆動能力が高くなる。
【００２９】
データ線１７１及び出力電極１７５は、モリブデン系、クロム、タンタル、及びチタニウムなどの耐火性金属、またはこれらの合金を含むのが好ましく、耐火性金属などの導電膜（図示せず）及び低抵抗物質の導電膜（図示せず）からなる多層膜構造からなることができる。多層膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）の下部膜及びアルミニウム（合金）の上部膜の二重膜や、モリブデン（合金）の下部膜、アルミニウム（合金）の中間膜、及びモリブデン（合金）の上部膜の三重膜がある。しかし、これらはこの他にも多様な金属及び導電物質からなることもできる。
データ線１７１及び出力電極１７５の側面も基板１１０の表面に対して傾いていて、その傾斜角は約３０〜８０゜であるのが好ましい。
【００３０】
絶縁膜１８０上には、データ線１７１及び出力電極１７５を保護するための保護膜（図示せず）が形成されることがある。保護膜は、絶縁膜１８０と同一な物質からなることができる。
絶縁膜１８０上には、また、複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２は、ＩＺＯまたはＩＴＯなどの透明な導電物質、またはアルミニウムや銀、クロムなどの不透明な反射性導電物質からなることができる。
【００３１】
画素電極１９１は、出力電極１７５と直接接触して、これからデータ電圧の印加を受ける。データ電圧の印加を受けた画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極間の液晶層３の液晶分子の配向を決定する。
画素電極１９１及び共通電極２７０はキャパシタ（以下では液晶キャパシタとする）を構成して、微細線トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。電圧を維持する能力を強化するために、液晶キャパシタと並列に連結された他のキャパシタを構成することもでき、これをストレージキャパシタという。ストレージキャパシタは、画素電極１９１及びこれと隣接するゲート線１２１（これを前段ゲート線とする）の重畳などによって構成され、ストレージキャパシタの静電容量、つまり、保持容量を増加させるために、ゲート線１２１を拡張した突出部（図示せず）を形成して重畳面積を大きくしたり、別途の維持電極線（図示せず）及び画素電極１９１を重畳させてストレージキャパシタを構成することができる。
【００３２】
以上で説明した二つの表示板１００、２００の内側面には、配向膜１１、２１が各々塗布されている。二つの表示板１００、２００の外側側には、偏光子（図示せず）が各々設置されているが、二つの偏光子の透過軸は互いに垂直であったり平行であったりして配置される。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光子のうちの一つを省略することができる。
【００３３】
表示板１００、２００及び偏光子の間には、液晶層３の遅延値を補償するための少なくとも一つの位相遅延フィルム（ｒｅｔａｒｄａｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）（図示せず）が位置することができる。位相遅延フィルムは、複屈折性（ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）を有して、液晶層３の複屈折性を逆に補償する役割を果たす。遅延フィルムとしては、一軸性または二軸性光学フィルムがあり、特に負の（ｎｅｇａｔｉｖｅ）一軸性光学フィルムが好ましい。
【００３４】
微細線トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００の間には、絶縁物質からなって、二つの表示板１００、２００の間隔を一定に維持するための間隔材（図示せず）が形成されている。
液晶表示装置は、また、偏光子、位相遅延フィルム、表示板１００、２００、及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ ｕｎｉｔ）（図示せず）を含むことができる。
液晶層３は、垂直配向方式または捩じれネマチック配向方式で配向され、両基板１１０、２１０の中心面に対して対称に曲がって配向させることもできる。
【００３５】
このような本実施形態による微細線トランジスタは、移動度が高い単結晶シリコンを含む微細線からなるので、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンを使用した薄膜トランジスタより駆動能力が高い。したがって、一般的な薄膜トランジスタより小さくすることができて、画素の開口率が増加する。また、このような微細線トランジスタは、ゲート駆動回路及びデータ駆動回路を構成する素子として使用されることができるので、これら駆動回路を基板１１０に集積するのが容易である。
【００３６】
次に、図１乃至図４に示した微細線トランジスタ表示板を製造する方法について、図１乃至図４と共に図５乃至図１０を参照して詳細に説明する。
図５は図１及び図４に示した液晶表示装置の微細線トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図６は図５の微細線トランジスタ表示板のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図であり、図７は図５の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図８は図７の微細線トランジスタ表示板のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図であり、図９は図８の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図１０は図９の微細線トランジスタ表示板のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【００３７】
まず、図５及び図６を参照すると、透明な絶縁基板１１０上に、内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃで囲まれた半導体芯１５４ａを含む微細線１５４を撒く。微細線１５４は、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）または感光剤（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔｏｒ）などに混合して、その混合液を塗布することによって撒かれる。
塗布方法の例としては、グラビアコーティング（ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔｉｎｇ）、メイヤーロッドコーティング（ｍｅｙｅｒ ｒｏｄ ｃｏａｔｉｎｇ）、ドクターブレードコーティング（ｄｏｃｔｅｒ ｂｌａｄｅ ｃｏａｔｉｎｇ）、スピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）、スリットコーティング（ｓｌｉｔ ｃｏａｔｉｎｇ）、インクジェット印刷（ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔ）などがある。微細線１５４を一定に整列させるためには、混合液を一定の方向に流したり、微細線が入ることができる溝を有する枠を形成して塗布することができる。
エタノールを使用する場合には、エタノールは後に蒸発して基板１１０上には微細線１５４だけが残る。
【００３８】
その後、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などによって導電膜を積層した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行いして、ゲート電極１２４及びゲート線の端部１２９を含むゲート線１２１を形成する。そうすると、ゲート線１２１と分離されている一部の微細線１５４は完全に露出され、他の一部の微細線１５４は部分的にゲート線１２１で覆われて部分的にゲート線１２１から離れて露出される。
【００３９】
完全に露出された微細線１５４は基板１１０から全て除去し、一部が露出された微細線１５４はその外皮１５４ｃ及び内皮１５４ｂをエッチングして半導体芯１５４ａを露出する。ゲート線１２１及び外皮１５４ｃは湿式エッチング（ｗｅｔ ｅｔｃｈ）し、内皮１５４ｂは乾式エッチング（ｄｒｙ ｅｔｃｈ）または湿式エッチングすることができる。この時、内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃのうちの基板１１０と隣接した部分は除去されないこともある。
このようにすれば、撒かれた微細線１５４のうちの少なくとも一部は図２に示したように両側が露出される。
【００４０】
次に、図７及び図８を参照すれば、スピンコーティングなどによって有機物絶縁膜１８０を積層する。スピンコーティングなどによって形成された薄膜は、化学気相蒸着法などを使用する場合より薄膜の形成速度が速く、生産性を向上させることができる。次に、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い絶縁膜１８０に複数の接触孔１８３、１８５を形成することによって、微細線１５４の半導体芯１５４ａを露出させる。
【００４１】
その後、図９及び図１０を参照すれば、スパッタリングなどによって導電膜を形成した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い、接触孔１８３を通じて微細線１５４の一側端部と連結される複数のデータ線１７１及び接触孔１８５を通じて微細線１５４の反対側端部と連結される複数の出力電極１７５を形成する。
【００４２】
次に、図１及び図４に示したように、ＩＴＯまたはＩＺＯなどを蒸着した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い、出力電極１７５と連結される画素電極１９１及び接触部材８１、８２を形成する。
このように、不純物をドーピングしたり結晶化する複雑な工程を行わなくても、数回のフォトリソグラフィ及びエッチング工程のみを行って性能が優れたトランジスタを含む表示板を製造することができる。
【００４３】
次に、本発明の他の実施形態による液晶表示装置について、図１１乃至図１５を参照して説明する。
図１１は本発明の他の実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図１２は図１１に示した微細線トランジスタ表示板のＸＩＩの部分を拡大して示した配置図であり、図１３は図１１の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った断面図であり、図１４は本発明の他の実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図１５は図１４の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のＸＶ−ＸＶ線に沿った断面図である。
【００４４】
本実施形態による液晶表示装置も、微細線トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００、そして液晶層３を含む。
図１１乃至図１５に示した表示板１００、２００の層状構造は、図１乃至図４に示したものとほぼ類似している。
共通電極表示板２００を見ると、絶縁基板２１０上に、遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０及び複数の色フィルタ２３０が形成されている。
色フィルタ２３０上には、共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０及び色フィルタ２３０の間には、色フィルタが露出されるのを防止して平坦面を提供するための蓋膜（ｏｖｅｒ ｃｏａｔ）（図示せず）を形成することもできる。
【００４５】
微細線トランジスタ表示板１００を見ると、絶縁基板１１０上に、ゲート電極１２４及びゲート線の端部１２９を含む複数のゲート線（ｇａｔｅｌｉｎｅ）１２１が形成されており、ゲート線１２１上には、複数の微細線１５４が形成されている。
図１２を参照すると、微細線１５４は、ゲート電極１２４を横切って互いに交差して、不規則に配列されている。しかし、微細線１５４は、互いに平行に配列されることもあり、三次元的に積層されることもある。
図１３を参照すると、各々の微細線１５４は、半導体芯１５４ａ、内皮１５４ｂ、そして外皮１５４ｃを含む。
【００４６】
微細線１５４及びゲート線１２１上には、固定部材（ｆｉｘｅｒ）１６０が形成されている。固定部材１６０は、微細線１５４をゲート線１２１上に固定する。
固定部材１６０は、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機絶縁物、有機絶縁物、低誘電率絶縁物などからなる。有機絶縁物及び低誘電率絶縁物の誘電定数は４．０以下であるのが好ましく、低誘電率絶縁物の例としては、プラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどがある。有機絶縁物のうちの感光性を有するもので固定部材１６０を形成することもでき、固定部材１６０の表面は平坦でありうる。また、固定部材１６０は、下部無機膜及び上部有機膜の二重膜構造からなることもできる。
【００４７】
固定部材１６０には、接触孔１６１、１６３、１６５が形成されている。接触孔１６３、１６５は半導体芯１５４ａの両端部を露出し、接触孔１６１はゲート線１２１の端部１２９を露出する。接触孔１６３、１６５の境界線は微細線１５４の内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃの境界と一致する。
【００４８】
これとは異なって、図１４及び図１５に示したように、固定部材１６０は、ゲート線１２１に沿ってのびていて、固定部材１６０の幅がゲート線１２１の幅より若干広いこともある。この半導体芯１５４ａの両端部は固定部材１６０の外側に露出されている。
基板１００及び固定部材１６０上には、複数のデータ線（ｄａｔａ ｌｉｎｅ）１７１及び複数の出力電極（ｏｕｔｐｕｔ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５が形成されている。
【００４９】
各データ線１７１は、接触孔１６３を通じて半導体芯１５４ａと連結されている入力電極１７３、及び他の層または外部駆動回路との接続のために面積が拡張されている端部１７９を含む。入力電極１７３の境界線のうちの一部は接触孔１６３内に位置する。
出力電極１７５は、データ線１７１と分離されていて、接触孔１６５を通じて半導体芯１５４ａと連結されている。そして、出力電極１７５の境界線のうちの一部は接触孔１６５内に位置する。
【００５０】
少なくとも一つの微細線１５４は、一つのゲート電極１２４、一つの入力電極１７３、及び一つの出力電極１７５と共にトランジスタを構成し、トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は微細線１５４の内皮１５４ｂの内側の半導体芯１５４ａに形成される。
【００５１】
基板１００上には、また、複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
接触補助部材８１は、接触孔１６１を通じてゲート線１２１の端部１２９と連結されており、接触補助部材８２は、データ線１７１の端部１７９と連結されている。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接続性を補完して、これらを保護する。
以上で説明した二つの表示板１００、２００の内側面には、配向膜１１、２１が各々塗布されている。
【００５２】
それでは、図１１乃至図１３に示した微細線トランジスタ表示板を製造する方法について、図１６乃至図２１と共に図１１及び図１３を参照して詳細に説明する。
図１６は図１１及び図１３に示した液晶表示装置の微細線トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図１７は図１６の微細線トランジスタ表示板のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿った断面図であり、図１８は図１６の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図１９は図１８の微細線トランジスタ表示板のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿った断面図であり、図２０は図１８の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図２１は図２０の微細線トランジスタ表示板のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿った断面図である。
【００５３】
まず、図１６及び図１７を参照すると、透明な絶縁基板１１０上に、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などによって導電膜を積層した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い、ゲート電極１２４を含むゲート線１２１を形成する。
【００５４】
次に、図１８及び図１９を参照すれば、内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃで囲まれた半導体芯１５４ａを含む微細線１５４を撒く。微細線１５４は、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）または感光剤（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔｏｒ）などに混合して、その混合液を塗布することによって撒かれる。
その後、微細線１５４上に絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い複数の接触孔１６１、１６３、１６５を有する固定部材１６０を形成する。そうすれば、ゲート線１２１と分離されている一部の微細線１５４は完全に露出され、他の一部の微細線１５４は部分的にゲート線１２１で覆われて部分的にゲート線１２１から離れて露出される。
【００５５】
完全に露出された微細線１５４は全て除去し、一部が露出された微細線１５４は外皮１５４ｃ及び内皮１５４ｂをエッチングして半導体芯１５４ａを露出する。外皮１５４ｃは湿式エッチング（ｗｅｔ ｅｔｃｈ）し、内皮１５４ｂは乾式エッチング（ｄｒｙ ｅｔｃｈ）または湿式エッチングすることができる。
【００５６】
次に、図２０及び図２１を参照すると、スパッタリングなどによって導電膜を形成した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い、接触孔１６３を通じて微細線１５４の一側端部と連結される複数のデータ線１７１及び接触孔１６５を通じて微細線１５４の反対側端部と連結される複数の出力電極１７５を形成する。
この時、データ線１７１及び出力電極１７５がゲート電極１２４下の微細線１５４の外皮１５４ｃと接触しないように、一定の距離をおいてエッチングする。
その後、図１１及び図１３を参照すれば、ＩＴＯまたはＩＺＯなどを蒸着した後でフォトリソグラフィ及びエッチング工程を行い、出力電極１７５と連結される画素電極１９１及び接触部材８１、８２を形成する。
【００５７】
以上で説明したトランジスタは、有機発光表示装置にも使用することができる。
有機発光表示装置は、複数の信号線、及びこれらに連結されていて、ほぼ行列形態に配列されている複数の画素を含む。各画素は、有機発光素子、駆動トランジスタ、及びスイッチングトランジスタを含む。
駆動及びスイッチングトランジスタは、各々微細線、制御端子、入力端子、及び出力端子を含む。微細線は、図３のように、単結晶シリコンからなる半導体芯、半導体芯の中心部を囲んでいる内皮、内皮を囲んでいる外皮を含む。制御端子は外皮と重畳し、制御端子及び入力端子は半導体芯と連結されている。
そして、スイッチングトランジスタの出力端子は駆動トランジスタの制御端子と連結されており、駆動トランジスタの出力端子は有機発光素子と連結されている。ここで、有機発光素子は、駆動トランジスタの出力電流によって異なる強さで発光することによって、画像を表示する。
【００５８】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】図１に示した微細線トランジスタ表示板のＩＩの部分を拡大して示した配置図である。
【図３】図２の微細線の斜視図である。
【図４】図１の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置をＩＶ−ＩＶ線に沿って切断して示した断面図である。
【図５】図１及び図４に示した液晶表示装置の微細線トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図６】図５の微細線トランジスタ表示板をＶＩ−ＶＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図７】図５の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図８】図７の微細線トランジスタ表示板をＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図９】図８の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図１０】図９の微細線トランジスタ表示板をＸ−Ｘ線に沿って切断して示した断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図１２】図１１に示した微細線トランジスタ表示板のＸＩＩの部分を拡大して示した配置図である。
【図１３】図１１の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図１５】図１４の微細線トランジスタ表示板を含む液晶表示装置をＸＶ−ＸＶ線に沿って切断して示した断面図である。
【図１６】図１１及び図１３に示した液晶表示装置の微細線トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図１７】図１６の微細線トランジスタ表示板をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図１８】図１６の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図１９】図１８の微細線トランジスタ表示板をＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿って切断して示した断面図である。
【図２０】図１８の次の段階での微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図２１】図２０の微細線トランジスタ表示板をＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
３ 液晶層
１１、２１ 配向膜
８１、８２ 接触補助部材
１００、２００ 表示板
１１０、２１０ 絶縁基板
１２１、１２９ ゲート線、ゲート線の端部
１２４ ゲート電極
１５４ 微細線
１５４ａ 半導体芯
１５４ｂ 内皮
１５４ｃ 外皮
１６０ 固定部材
１６１、１６３、１６５ 接触孔
１７１、１７９ データ線、の端部
１７３ 入力電極
１７５ 出力電極
１８０ 絶縁膜
１８１、１８３、１８５ 接触孔
１９１ 画素電極
２２０ 遮光部材
２３０ 色フィルタ
２７０ 共通電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、
前記微細線の第２被覆上に形成される第１電極と、
前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、
前記接触孔を通じて前記微細線と連結される第２及び第３電極とを有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記絶縁膜は、アクリル系共重合体を含むことを特徴とする請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記第１被覆は、絶縁体を含むことを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記第１被覆は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項４に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記第２被覆は、導体を含むことを特徴とする請求項１または４に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記第２被覆は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記第１電極と第１及び第２被覆との境界線は一致することを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項９】
基板上に形成される第１、第２、及び第３電極と、
前記第１電極上に形成される半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、
前記第１電極及び前記微細線上に形成される固定部材とを有し、
前記半導体芯の一部は、前記第１及び第２被覆と前記固定部材とで覆われずに前記第２及び第３電極と連結されることを特徴とするトランジスタ。
【請求項１０】
前記半導体芯の両端部は前記固定部材で覆われないことを特徴とする請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１１】
前記第２及び第３電極の少なくとも一部は前記固定部材上にあることを特徴とする請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１２】
前記第２及び第３電極は、前記半導体芯と接触する境界線を有することを特徴とする請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１３】
前記第１被覆は、絶縁体を含むことを特徴とする請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１４】
前記第１被覆は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項１３に記載のトランジスタ。
【請求項１５】
前記第２被覆は、導体を含むことを特徴とする請求項９または１３に記載のトランジスタ。
【請求項１６】
前記第２被覆は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１５に記載のトランジスタ。
【請求項１７】
基板と、
前記基板上に形成され、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線と、
前記微細線の外皮上に形成される第１電極と、
前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、
前記接触孔を通じて前記微細線と各々連結される第２及び第３電極と、
前記第３電極と連結される画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記絶縁膜は、アクリル系共重合体を含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記内皮は、絶縁体を含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記内皮は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記外皮は、導体を含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記外皮は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記第１電極と前記内皮及び前記外皮との境界線は一致することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極の間に充填される液晶層をさらに有することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２６】
基板上に形成される第１、第２、及び第３電極と、
前記第１電極上に形成される半導体芯、該半導体芯の一部を囲む内皮、該内皮を囲む外皮とを有する微細線と、
前記第１電極及び前記微細線上に形成される固定部材と、
前記第３電極と連結される画素電極とを有し、
前記半導体芯の一部は、前記内皮及び外皮と前記固定部材とで覆われずに前記第２及び第３電極と連結されることを特徴とする表示装置。
【請求項２７】
前記半導体芯の両端部は前記固定部材で覆われないことを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２８】
前記第２及び第３電極の少なくとも一部は前記固定部材上にあることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２９】
前記内皮は、絶縁体を含むことを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項３０】
前記内皮は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項２９に記載の表示装置。
【請求項３１】
前記外皮は導体を含むことを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項３２】
前記外皮は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３３】
前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極の間に充填される液晶層をさらに有することを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項３４】
基板上に半導体芯と、該半導体芯を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線を撒く段階と、
前記微細線と重畳するゲート電極を含むゲート線を形成する段階と、
前記外皮及び内皮の一部を除去して前記半導体芯を露出させる段階と、
前記半導体芯を露出させる接触孔を有する絶縁膜を形成する段階と、
前記接触孔を通じて各々の前記微細線と各々連結されるデータ線及び出力電極を形成する段階と、
前記出力電極と連結される画素電極を形成する段階とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことを特徴とする請求項３４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３６】
前記絶縁膜は、アクリル系重合体を含むことを特徴とする請求項３４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３７】
前記ゲート線及び前記外皮は湿式エッチングでエッチングし、前記内皮は乾式または湿式エッチングでエッチングすることを特徴とする請求項３４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３８】
前記微細線は、液体に混合してそれを塗布することによって撒くことを特徴とする請求項３４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３９】
前記液体は、エタノールを含むことを特徴とする請求項３８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４０】
基板上にゲート電極を含むゲート線を形成する段階と、
前記基板上に半導体芯と、該半導体芯を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線を撒く段階と、
前記微細線を露出させる接触孔を有する固定部材を形成する段階と、
前記接触孔を通じて露出された前記微細線の前記外皮及び内皮を除去して前記半導体芯を露出させる段階と、
前記接触孔を通じて各々の前記半導体芯と各々連結されるデータ線及び出力電極を形成する段階と、
前記出力電極と連結される画素電極を形成する段階とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４１】
前記固定部材で覆われない前記微細線を除去する段階をさらに有することを特徴とする請求項４０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４２】
前記ゲート線及び前記外皮は湿式エッチングでエッチングし、前記内皮は乾式または湿式エッチングでエッチングすることを特徴とする請求項４０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４３】
前記微細線は、液体に混合してそれを塗布することによって撒くことを特徴とする請求項４０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４４】
前記液体は、エタノールを含むことを特徴とする請求項４３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板上に形成される、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、
前記微細線の第２被覆上に形成される第１電極と、
前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、
前記接触孔を通じて前記微細線と連結される第２及び第３電極とを有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記絶縁膜は、アクリル系共重合体を含むことを特徴とする請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記第１被覆は、絶縁体を含むことを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記第１被覆は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項４に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記第２被覆は、導体を含むことを特徴とする請求項１または４に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記第２被覆は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記第１電極と第１及び第２被覆との境界線は一致することを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項９】
基板上に形成される第１、第２、及び第３電極と、
前記第１電極上に形成される半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、
前記第１電極及び前記微細線上に形成される固定部材とを有し、
前記半導体芯の一部は、前記第１及び第２被覆と前記固定部材とで覆われずに前記第２及び第３電極と連結されることを特徴とするトランジスタ。
【請求項１０】
前記半導体芯の両端部は前記固定部材で覆われないことを特徴とする請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１１】
前記第２及び第３電極の少なくとも一部は前記固定部材上にあることを特徴とする請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１２】
前記第２及び第３電極は、前記半導体芯と接触する境界線を有することを特徴とする請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１３】
前記第１被覆は、絶縁体を含むことを特徴とする請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１４】
前記第１被覆は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項１３に記載のトランジスタ。
【請求項１５】
前記第２被覆は、導体を含むことを特徴とする請求項９または１３に記載のトランジスタ。
【請求項１６】
前記第２被覆は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１５に記載のトランジスタ。
【請求項１７】
基板と、
前記基板上に形成され、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線と、
前記微細線の外皮上に形成される第１電極と、
前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、
前記接触孔を通じて前記微細線と各々連結される第２及び第３電極と、
前記第３電極と連結される画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記絶縁膜は、アクリル系共重合体を含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記内皮は、絶縁体を含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記内皮は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記外皮は、導体を含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記外皮は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム、及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記第１電極と前記内皮及び前記外皮との境界線は一致することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極の間に充填される液晶層をさらに有することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２６】
基板上に形成される第１、第２、及び第３電極と、
前記第１電極上に形成される半導体芯、該半導体芯の一部を囲む内皮、該内皮を囲む外皮とを有する微細線と、
前記第１電極及び前記微細線上に形成される固定部材と、
前記第３電極と連結される画素電極とを有し、
前記半導体芯の一部は、前記内皮及び外皮と前記固定部材とで覆われずに前記第２及び第３電極と連結されることを特徴とする表示装置。
【請求項２７】
前記半導体芯の両端部は前記固定部材で覆われないことを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２８】
前記第２及び第３電極の少なくとも一部は前記固定部材上にあることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２９】
前記内皮は、絶縁体を含むことを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項３０】
前記内皮は、酸化ケイ素または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項２９に記載の表示装置。
【請求項３１】
前記外皮は導体を含むことを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項３２】
前記外皮は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウム及びタンタルのうちから少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３３】
前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極の間に充填される液晶層をさらに有することを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項３４】
基板上に半導体芯と、該半導体芯を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線を撒く段階と、
前記微細線と重畳するゲート電極を含むゲート線を形成する段階と、
前記外皮及び内皮の一部を除去して前記半導体芯を露出させる段階と、
前記半導体芯を露出させる接触孔を有する絶縁膜を形成する段階と、
前記接触孔を通じて各々の前記微細線と各々連結されるデータ線及び出力電極を形成する段階と、
前記出力電極と連結される画素電極を形成する段階とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記絶縁膜は、有機物質を含むことを特徴とする請求項３４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３６】
前記絶縁膜は、アクリル系重合体を含むことを特徴とする請求項３４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３７】
前記ゲート線及び前記外皮は湿式エッチングでエッチングし、前記内皮は乾式または湿式エッチングでエッチングすることを特徴とする請求項３４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３８】
前記微細線は、液体に混合してそれを塗布することによって撒くことを特徴とする請求項３４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３９】
前記液体は、エタノールを含むことを特徴とする請求項３８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４０】
基板上にゲート電極を含むゲート線を形成する段階と、
前記基板上に半導体芯と、該半導体芯を囲む内皮と、該内皮を囲む外皮とを有する微細線を撒く段階と、
前記微細線を露出させる接触孔を有する固定部材を形成する段階と、
前記接触孔を通じて露出された前記微細線の前記外皮及び内皮を除去して前記半導体芯を露出させる段階と、
前記接触孔を通じて各々の前記半導体芯と各々連結されるデータ線及び出力電極を形成する段階と、
前記出力電極と連結される画素電極を形成する段階とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４１】
前記固定部材で覆われない前記微細線を除去する段階をさらに有することを特徴とする請求項４０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４２】
前記ゲート線及び前記外皮は湿式エッチングでエッチングし、前記内皮は乾式または湿式エッチングでエッチングすることを特徴とする請求項４０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４３】
前記微細線は、液体に混合してそれを塗布することによって撒くことを特徴とする請求項４０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４４】
前記液体は、エタノールを含むことを特徴とする請求項４３に記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２００６−２９５１９９（Ｐ２００６−２９５１９９Ａ）
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１１２７３２（Ｐ２００６−１１２７３２）
【出願日】平成１８年４月１４日（２００６．４．１４）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年４月１４日（２００６．４．１４）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【Ｆターム（参考）】
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