【課題】レーザマーキングによる容量絶縁膜のクラック発生を防止することのできる液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
基板上の表示領域内にマトリックス状に配置される画素と、前記表示領域を除く余白領域に形成される書き込み膜と、前記表示領域から前記余白領域に伸延し、前記書き込み膜の上層に形成される透明絶縁膜とを備える液晶表示装置であって、前記透明絶縁膜は、有機化合物からなり、基板表面を平坦化する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の上層に形成される無機化合物からなる薄膜であって、前記書き込み膜の上部領域に前記有機絶縁膜に至る開口部が形成される無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜の開口部に形成され、当該無機絶縁膜の開口部から露出される前記有機絶縁膜を覆う透明電極層とを少なくとも備える液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、高開口率・高コントラスト化を達成することにより、より明るいなどの高い品質を備えた画像を表示可能とする。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、基板上に、ＴＦＴ（３０）、走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）、並びに蓄積容量（７０）及びシールド層（４００）等が積層構造の一部を構成しつつ備えられている。そして、本発明では、これら各種構成要素が、画素電極（９ａ）の形成領域と相補関係にある遮光領域に形成されている。これにより、画素開口率は高まる。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル等の電気光学装置において、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効率よく抑制しつつ、動作の安定化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、チャネル領域、ソースドレイン領域及びＬＤＤ領域を有する半導体層（３０ａ）と、チャネル領域に対向するゲート電極（３０ｂ）と、半導体層より上層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された上側遮光膜（１）と、半導体層より下層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された下側遮光膜（１１）と、半導体層及び下側遮光膜間に積層され、少なくともＬＤＤ領域に重なる領域における膜厚よりソースドレイン領域に重なる領域における膜厚の方が小さくなるように形成された下側層間絶縁膜（１２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】補助容量下電極の形成面積を増大させずに開口率を維持したまま、補助容量を従
来例の液晶表示装置よりも増大化させることができ、フリッカやクロストーク等が生じ難
い液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置１０Ａは、画素領域毎に形成された補助容量下電極１
５、補助容量上電極（ドレイン電極Ｄ）及び画素電極１６と、を備え、補助容量上電極の
表面にはパッシベーション膜１８及び層間膜１９が形成され、画素電極１６は層間膜１９
の表面に形成されており、画素電極１６は、平面視で補助容量下電極１５と重畳しかつ補
助容量上電極とは重畳しない領域を有し、層間膜１９には、画素電極１６が平面視で補助
容量上電極と重畳しない領域に開口部１９ａが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】遮光膜の内部に発生する応力を原因とする不具合の発生を極力防止することによって、良好な動作を続行し得る電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板上に、ＴＦＴ（３０）を構成する半導体層（１ａ）と、走査線及びデータ線と、走査線の上層側に積層され且つ半導体層を上側から覆う上側遮光膜（４００）と、半導体層に電気的に接続された画素電極（９ａ）と、二つの電極及びこれに挟持される誘電体膜からなる蓄積容量とを備えており、上側遮光膜は前記二つの電極の一方に共通電位を供給する容量配線としての機能を有するとともに走査線又はデータ線の延びる方向に沿って断続的に配置された島状部からなる（スリット４００Ｓ参照。）。 （もっと読む）

【課題】画素設計の変更によって高開口率の液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の液晶表示装置用アレイ基板は、基板と、基板上に第１方向に形成された第１及び第２ゲート配線と、第２方向に形成されて、第１及び第２ゲート配線と交差して第１及び第２画素領域を定義する第１、第２、第３データ配線と、第２ゲート配線及び第１データ配線の交差地点と第２ゲート配線及び第２データ配線の交差地点にそれぞれ対応された第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタと、第１及び第２画素領域にそれぞれ位置し、第１及び第２薄膜トランジスタとそれぞれ連結された第１及び第２画素電極と、第１及び第２ゲート配線間に位置して第１及び第２画素電極とそれぞれ重なり、第２データ配線下部で互いに接触して第１及び第２ゲート配線間に位置する第２データ配線部分を覆う第１及び第２共通配線を含む。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板側にＣＦを有するＬＣＤ用基板におけるＣＦの残渣や剥離を抑制して導通不良をなくす。
【解決手段】複数の画素領域にそれぞれ形成された画素電極とその画素電極を駆動するＴＦＴ２との間に形成されるパッシベーション膜１４を、ＳｉＮ層１４ａ，１４ｂ、ＳｉＯ層１４ｃの積層構造とし、その最上層をＳｉＯ層１４ｃとする。このような積層構造のパッシベーション膜１４上に樹脂ＣＦ層１５を形成する。樹脂ＣＦ層１５は、ＳｉＯ層１４ｃ上に直接形成されることにより、その密着力の低下が抑制され、樹脂ＣＦ層１５形成時にはＣＦの剥離が発生し難くなり、樹脂ＣＦ層１５へのコンタクトホール形成時にはＣＦの残渣が発生し難くなる。それにより、導通不良が抑制され、表示特性に優れた信頼性の高いＴＦＴ基板１およびＬＣＤが実現される。 （もっと読む）

【課題】高開口率の画素を有する、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。また、表示装置を低コストで作製することを課題の一とする。
【解決手段】画素部において、走査信号線及び補助容量線を第２の導電膜で形成し、データ信号線を第１の導電膜で形成する。ＴＦＴ部においては、ゲート電極は第１の導電膜で形成し、第２の導電膜からなる走査信号線とゲート絶縁膜中の開口部を通じて電気的に接続させる。また、ソース電極及びドレイン電極は、第２の導電膜で形成する。補助容量部においては、第２の導電膜からなる補助容量線を下部電極とし、パッシベーション膜を誘電体膜として容量電極間を介して、画素電極を上部電極とする。 （もっと読む）

【課題】柔軟性に富み、かつ、損傷し難く、耐久性に富み、そして動作不良が起き難い高品質な液晶セルを提供することである。
【解決手段】導電層と導電層との間に液晶層が設けられてなる液晶セルであって、
前記導電層の中の少なくとも一方の導電層が金属ナノワイヤで構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成される不揮発性メモリ素子において、外部の光が電荷保持部に当ることにより、保持した電荷が、活性化し逃げることを防止することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間に位置していることを特徴とする半導体記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数のデータ線（６ａ）及び複数の走査線（１１ａ）と、複数の画素の各々に形成された画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するトランジスタ（３０）と、トランジスタ遮光部分を有する遮光部（７１）と、トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及びトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極（９５）とを備える。更に、画素電極と中継電極とは、第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホール（８６）を介して電気的に接続され、トランジスタと中継電極とは、第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホール（８５）を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】極性の偏りに起因するＴＦＴの特性劣化が少なく、しかも光量に対して線形特性
を持った出力特性が得られ、光検出精度を向上させた光量検出回路を提供すること。
【解決手段】本発明の光量検出回路は、ＴＦＴのゲート電極に逆バイアス電圧が印加され
ている時に流れる電流を利用して外光の光量を検出する光検知部を備える光量検出回路に
おいて、前記光検知部は、ゲートバイアス制御手段により、前記ＴＦＴのゲート電極に印
加する電圧Ｇｖを、外光を検知する際に印加する第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０から、正バ
イアス電圧Ｇｖｏｎに変えた後、前記第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０よりもさらに低い第２
の逆バイアス電圧Ｇｖｏｆｆに変え、その後に前記第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０に戻した
後に流れる電流による出力を外光の光量として出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動用ＴＦＴ及び高電圧駆動用ＴＦＴがいずれも良好な特性を有する薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】低電圧駆動用ＴＦＴ及び高電圧駆動用ＴＦＴの動作層となるポリシリコン層２０３は、いずれもシリコン酸化膜２０５に覆われている。低電圧駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜はシリコン酸化膜２０５のみにより形成されている。また、上から見たときにゲート電極２０６ａのエッジと高濃度不純物領域２０３ａのエッジとが一致しており、ＬＤＤ領域は設けられていない。一方、高電圧駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜２０４，２０５を積層して形成されている。また、上から見たときにゲート電極２０６ｂのエッジと高濃度不純物領域２０３ａとの間に、ＬＤＤ領域２０３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】画素電極とソース配線、さらには画素電極とＴＦＴとの電気的な干渉を抑制する構造を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記活性層に接続されたソース配線及びドレイン電極と、前記ソース配線及び前記ドレイン電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜上に形成された電磁シールド用の導電膜と、前記導電膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続された画素電極とを有し、前記導電膜は前記ソース配線と前記画素電極との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】画像品質、位置検出精度の向上を実現する。
【解決手段】液晶パネル２００の一方の面の側から、その表示領域ＰＡへ照明光を出射するバックライト３００の動作を、外光センサ素子３２ｂによって得られた受光データに基づいて制御する。ここでは、表示領域ＰＡに配置された外光センサ素子３２ｂによって得られた受光データに基づいて、バックライト３００の動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧ＣＶＤ法によ
る窒化シリコン膜は、膜厚の１０％程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネ
ルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、
液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。
【解決手段】基板（１）上に反射電極（１４）がマトリックス状に形成されるとともに各
反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電
極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜（
１７）として、膜厚が５００〜２０００オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入
射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】 光リークを抑制するとともに、干渉の影響を少なくする。
【解決手段】 液晶を挟んで透明基板と対向配置され反射型液晶表示装置を構成する半導体基板を含む反射型液晶表示装置用基板であって、透明基板と対向するように前記半導体基板の上方に配置された複数の反射電極（２２，２３）と、上方から複数の反射電極（２２，２３）の間隙２４を通って進入する光を上方に反射するために、半導体基板と反射電極（２２，２３）との間に配置された金属層１７と、を有し、金属層１７は間隙２４に対応する領域に凹部１９を有する。 （もっと読む）

【課題】低電圧、且つ短時間でＯＣＢモードの初期配向転移を行うことができる、液晶装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１０は、対向して配置された第１基板１２と第２基板１４との間に挟持された液晶層１６を有し、液晶層１６の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、第１基板１２は、互いに交差する走査線３６Ａ及びデータ線と、複数の画素電極３０と、走査線３６Ａ又はデータ線よりも液晶層１６側に設けられた絶縁膜６２と、絶縁膜６２に形成したコンタクトホール５７を介して走査線３６Ａ又はデータ線と電気的に接続された転移電極５８と、転移電極５８と画素電極３０との間に設けられた誘電体膜６６と、を含み、転移電極５８は、誘電体膜６６を介して画素電極３０との間に電位差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、ウェット処理工程における電蝕の発生を防止し、高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極を駆動するための一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を構成すると共に、複数の画素電極と同一膜からなる導電部（６１０）と、複数の画素電極が配列された画素領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に、画素電極よりも絶縁膜を介して下層側に設けられると共に、この絶縁膜に開口された開口部（８１０）から少なくとも一部が露出する端子（１０２ｃ）とを備える。更に、この端子にソースが電気的に接続されると共に導電部にドレインが電気的に接続された第１トランジスタ（５００）を備える。 （もっと読む）