【課題】画素ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し、信頼性と生産性を向上させる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】画素領域に形成する画素ＴＦＴをチャネルエッチ型の逆スタガ型ＴＦＴで基板上に形成し、ソース領域及びドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じフォトマスクで行う。また、ソース配線を画素電極と同じ材料である導電膜で覆い、基板全体を外部の静電気等から保護する構造とする。このような構成とすることで、製造工程において製造装置と絶縁体基板との摩擦による静電気の発生を防止することができる。特に、製造工程で行われる液晶配向処理のラビング時に発生する静電気からＴＦＴ等を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】高分解能でカラーでの撮像が可能な安価なタッチパネルを提供することを課題とする。
【解決手段】対向する第１基板及び第２基板を有するパネルと、第１基板側から異なる波長領域の光をパネルに順にまたは並行して供給する複数の光源とを有し、第１基板と第２基板の間には、液晶素子、フォトダイオード及び薄膜トランジスタを各々有する複数の画素が設けられており、フォトダイオードが有する島状の半導体膜と、薄膜トランジスタが有する島状の半導体膜とは、第２基板上の一の半導体膜をエッチングすることで形成されているタッチパネル。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜前にゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減した後、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】液晶分子を配向させる配向膜の形成工程を合理化可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶層４０６を介して対向配置される第１基板１０１及び第２基板３０１を備え、第１基板側１０１に、少なくとも各画素内に面状又は複数の線状に形成された第１電極と、第１電極の上層に絶縁層を介して形成され、画素毎に第１電極に重畳して形成される線状の複数の第２電極とを有し、第１電極と第２電極とで生じる電界で液晶層を駆動する液晶表示装置であって、基板１０１及び３０１の内の少なくとも一方の基板の対向面側に、配向膜１１２を形成する工程と、その工程で形成される配向膜の周縁部と表示領域との間の領域に形成される配向膜を所定幅で除去し、表示領域を囲む溝部Ａを形成する工程と、溝部にシール材４０４を塗布し、基板１０１と３０１とを固着する共に液晶層４０６を密封する工程とからなる液晶表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光センサ素子を画素と同一の絶縁性基板上にマトリクス状に配置した画像表示装置であって、低照度光の検出精度を落とすことなく、高照度光の検出を可能にし、光センサ素子が検出できる光の照度レンジを拡大できる光センサ内蔵画像表示装置の提供。
【解決手段】画像表示装置と光センサ装置とが同一絶縁性基板上に形成され、前記光センサ装置は、前記絶縁性基板上にマトリクス状に配置された光センサ素子群と、前記光センサ素子群を２次元撮像装置として機能させる付加回路とで構成されている光センサ内蔵画像表示装置であって、
２次元撮像装置を構成している１ピクセル分の中に、少なくとも１個の光センサ素子と、前記光センサ素子で生成された電荷を蓄積する少なくとも２個の容量値が異なる蓄積容量を備える。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示素子のドライバとして適用されるシフトレジスタを安定動作させる。
【解決手段】 液晶表示素子１の表示領域１１は、マトリクス状に配置されたｍ×ｎ個の画素を有しており、主走査方向に伸延するｎ本のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎと、副走査方向に伸延するｍ本のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍが一方の基板上に形成されている。ゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎのそれぞれと、そこに直接的にまたは間接的に接続されたＴＦＴ、画素容量、補償容量などの素子から構成される回路は分布定数的な電気的特定を有している。液晶表示素子１には、表示領域１１のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎと同等に分布定数的な電気的特性を有するように構成されたゲートラインＧＬｎ＋１、ＧＬｎ＋２が設けられている。ゲートドライバ２は、表示領域１１のゲートラインＧＬｎを選択した次の水平期間で、ダミー素子領域１２のゲートラインＧＬｎ＋１を選択する。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、かつ特性が良好な半透過性膜、表示デバイス、及びパターン基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半透過性膜は、光学特性として光の透過特性と反射特性とを有する半透過性膜である。半透過性膜は、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金のいずれかに少なくとも４０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満の窒素を含む窒素含有膜である。また、半透過性膜は、上記の窒素含有膜と金属膜との積層膜とすることも可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート電極とソース電極間の絶縁性を向上させ、ゲート電極とソース電極間のリーク電流を低減させることにより、確実に動作する薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第１の開口部および第２の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第１の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第２の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を備える薄膜トランジスタにすることにより、ゲート電極とソース電極との間の絶縁膜の膜厚が実質的に増すこととなり、絶縁性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳ方式を代表とする横電界方式の液晶表示装置において、液晶材料にかかる
電界を十分にすることを課題とする。
【解決手段】横電界方式において、１組の電極ではなく、複数組の電極を用いて、共通電
極直上や画素電極直上にある液晶材料に電界をかける。１組の電極は、櫛歯状に設けられ
た共通電極と、櫛歯状に設けられた画素電極との組である。その他の組の電極は、画素部
に設けられた共通電極と、該櫛歯状に設けられた画素電極との組である。 （もっと読む）

【課題】接続する素子の駆動電圧によってトランジスタのドレイン電圧が決定される。トランジスタの小型化にともないドレイン領域に集中する電界強度が高まり、ホットキャリアが生成し易くなる。ドレイン領域に電界が集中し難いトランジスタを提供することを課題の一とする。また、トランジスタを有する表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高い導電率を有する第１配線層および第２配線層の端部とゲート電極層の重なりをなくすことにより、第１電極層及び第２電極層近傍に電界が集中する現象を緩和してホットキャリアの発生を抑制し、加えて第１配線層および第２配線層より高抵抗の第１電極層および第２電極層をドレイン電極層として用いてトランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される補助容量の容量変動を防止する。
【解決手段】ＴＦＴ５と補助容量６を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。ＴＦＴ基板１を製造するときには、ＴＦＴ５の閾値を変動させる処理として、酸素不足の条件下でＩＧＺＯ層を成膜する処理、ＩＧＺＯ層に対するプラズマ処理、あるいは、窒素下でのベーク処理を行う。これにより、補助容量６の容量が変動する電圧の範囲を補助容量６の電極間電圧が取り得る範囲と重ならないように移動させて、補助容量６の容量変動を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される補助容量の容量を大きく、かつ、その変動を防止する。
【解決手段】ＴＦＴ４と補助容量５を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。ＴＦＴ基板１を製造するときには、補助容量半導体層１７を低抵抗化する処理として、パシベーション層２０を形成した後で絵素電極２１を形成する前にプラズマ処理を行う。これにより、補助容量半導体層１７を導体化し、補助容量５の容量を大きくすると共に、補助容量５の容量変動を防止する。 （もっと読む）

【課題】素子基板側から入射した光を共通電極で反射して素子基板から出射する方式を採用した場合でも、画素トランジスターの能動層に強い光が入射することのない液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００においては、画素電極９ａおよび素子基板１０は透光性を備え、共通電極２１は光反射性を備えている。このため、素子基板１０側から入射した光を共通電極２１で反射して素子基板１０から出射することができる。素子基板１０側から入射した光のうち、画素トランジスター３０の能動層に向かう光は遮光層７ａで遮られるので、画素トランジスター３０の能動層に強い光が入射することはない。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テレビ受像機や電子機器の表示部に用いられる液晶表示装置に関し、
特に液晶材料に混入した重合性材料を重合させて液晶材料にプレチルト角を付与する液晶
表示装置に関し、斜め方向の階調輝度特性が改善されると共に、輝度低下が抑制された液
晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、対向配置されたＴＦＴ基板２及び対向基板４と、両基板２
、４間に封止された、液晶材料とポリマーとを含む液晶組成物３０とを有している。液晶
表示装置の画素領域は、接続電極１１を介してＴＦＴ１０のソース電極１０ｂに電気的に
接続された第１の画素電極２１が形成された第１の副画素２０と、接続電極１１との間に
保護膜２７を挟んで制御容量を形成し、第１の画素電極２１から分離された第２の画素電
極２３、２５が形成された第２の副画素２２、２４とを有している。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオフ電流の増加、又はしきい値電圧のマイナスシフトを予防すること。
【解決手段】薄膜トランジスタ１５０は、ソース電極層１０７ａ及びドレイン電極層１０７ｂと酸化物半導体層１０３の間にバッファ層１０６が設けられている。バッファ層１０６は、酸化物半導体層１０３の中央部上に、絶縁体若しくは半導体である金属酸化物層１０５を有する。金属酸化物層１０５は、酸化物半導体層１０３への不純物の侵入を抑制する保護層として機能する。そのため、薄膜トランジスタ１５０のオフ電流の増加、又はしきい値電圧のマイナスシフトを予防することができる。 （もっと読む）

【課題】。画素トランジスターを構成する半導体膜と同層の半導体膜を保持容量電極として用いた場合でも、十分な容量値の保持容量を構成することのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、保持容量６０を構成するにあたって、画素トランジスター３０を構成する半導体膜１ａと同層の第１保持容量電極１ｆと、画素トランジスター３０のゲート電極と同層の第２保持容量電極３ｂとの間に、ゲート絶縁層２と同層の第１誘電体層２ａを介在させる。また、画素トランジスター３０のチャネル領域１ｇと平面的に重ならない領域において、第１保持容量電極１ｆの下面に第２誘電体層１５を介して第３保持容量電極４ａを対向させる。 （もっと読む）

【課題】ＷＳｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成し、ＳｉＯ₂膜を緻密化するため成膜温度より高い温度でアニールを行った場合、ＳｉＯ₂膜中にクラックが入る欠陥が生じる場合がある。このクラックの発生を抑えるために、アニール時の温度変化速度を抑え、急激な熱膨張／熱収縮を避けているが、クラック欠陥を十分抑えられないという課題がある。
【解決手段】ＷＳｉ膜を用いた、走査線前駆体１１ｃをスパッタリングにより２００ｎｍの膜厚に堆積させる。そして、パターニング後、無機絶縁膜１００としてＳｉＯ₂膜を堆積する。そして、約７００℃で熱処理を行う。そして、無機絶縁膜１００を除去する。走査線前駆体１１ｃの改質に伴い、無機絶縁膜１００との間には応力が掛かっている。ここで、無機絶縁膜１００を除去することで、走査線前駆体１１ｃの改質に伴う応力をパターン側面を含めて開放することが可能となり、クラック欠陥の発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、寄生トランジスタの発生に基づくトランジスタの特性劣化を改善する。
【解決手段】半導体装置は、基板（１０）上に、所定種類のイオンが注入されることにより、第１の濃度で不純物領域が形成された本体部（４１０ｃ１）、及び本体部の縁部のうち所定の方向に延びる部分に沿って設けられ、第１の濃度より第２の濃度で不純物領域が形成されたエッジ部（４１０ｃ２）を有する第１チャネル領域（４１０ｃ）を含み、所定の方向に沿って長手状に形成された第１半導体層（４１０）、並びに第１チャネル領域に対向配置された第１ゲート電極（４３０）を有する第１トランジスタ（４００）と、第１チャネル領域と同じ導電型を有し、第１の濃度より高い第３の濃度で不純物領域が形成された第２チャネル領域（１ａ´）を含む第２半導体層（１ａ）、並びに第２チャネル領域に対向配置された第２ゲート電極（３ａ）を有する第２トランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成領域にＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなる配線層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記ＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層との間にソース領域又はドレイン領域を設ける。ソース領域又はドレイン領域、及び画素領域は同一層のＳｉＯｘを含まないＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）