【課題】必要十分なキャパシティをもつ保持容量を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属表面を有する基板１１と、前記金属表面を有する基板上に形成された絶縁膜１２と、前記絶縁膜上に形成された画素部とを有する半導体装置において、前記画素部は、ＴＦＴと、該ＴＦＴと接続する配線２１とを有しており、保持容量は、前記金属表面を有する基板、前記絶縁膜および前記配線により構成されている。前記絶縁膜の膜厚が薄いほど、また、前記絶縁膜と前記配線の接する領域の面積が大きいほど、大きなキャパシティを得られるので有利である。 （もっと読む）

【課題】素子基板の対向面の平坦性を確保し、対向基板の観察側から照射光に加え、素子基板の背面側からの照射光によってシール材を硬化させる。
【解決手段】素子基板の対向面における有効表示領域ａでは、反射性を有する画素電極１１８が所定のピッチでマトリクス状に配列する。平面視したときに有効表示領域ａよりも外側であってシール領域ｃよりも内側の無効表示領域ｂには、画素電極１１８と同一層からなる第１導電パターン１３１を設ける。シール領域ｃには画素電極１１８と同一層からなる第２導電パターン１３２を設ける。平面視したときの第２導電パターン１３２の面積密度は、第１導電パターン１３１の面積密度よりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に於けるＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造の形成は、従来、ゲート電極をマスクにセルフアラインで形成しているが、ゲート電極が２層構造となる場合が多く、成膜工程とエッチング工程が複雑になる。またドライエッチング等のプロセスのみでＬＤＤ構造及びＧＯＬＤ構造の形成を行っている為、トランジスタ構造が全て同一構造となり、回路毎にＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造及びシングルドレイン構造を別々に形成することが困難である。
【解決手段】 回折格子パターン或いは半透膜から成る光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスク或いはレチクルをゲート電極形成用フォトリソグラフィ工程に適用することにより、ドライエッチング及びイオン注入工程を通し、回路毎にＧＯＬＤ構造及びＬＤＤ構造及びシングルドレイン構造のトランジスタを簡単に形成することができることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線上の一部を含む半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。これにより露出したゲート配線の一部を絶縁層で覆い、これに液晶層の間隔を維持するスペーサを兼ねさせる。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】透光性の蓄積容量を構成するにあたって、透光性の電極に対してエッチングストッパー層を設けても、エッチングストッパー層周辺から出射される表示光の光量低下を防止することのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置において、蓄積容量５５では、第１電極５１ａ、誘電体膜５２および第２電極５３ａが透光性を備えている。第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。エッチングストッパー層５４ａは、第１電極５１ａおよび第２電極５３ａを構成するＩＴＯ膜と同等の屈折率を備えている。このため、エッチングストッパー層５４ａを透過しない光と、エッチングストッパー層５４ａを透過した光との間において干渉が発生しない。 （もっと読む）

【課題】画素内に容量の大きな保持容量を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、前記第１の基板上に、映像信号線が接続される第１の電極と前記画素電極と接続される第２の電極とを含む薄膜トランジスタを形成する工程と、前記第２の電極よりも上層に第１のシリコン窒化膜を形成する工程と、前記第１のシリコン窒化膜よりも上層に有機絶縁膜を形成する工程と、前記有機絶縁膜よりも上層に容量電極を形成する工程と、前記有機絶縁膜を形成した後に前記容量電極より上層かつ前記画素電極よりも下層に前記第１のシリコン窒化膜の成膜温度よりも低温で第２のシリコン窒化膜を成膜する工程と、前記第２の電極上に、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜とを貫通し前記第２の電極と前記画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】島状半導体層を形成するための工程を省略し、ゲート電極を形成する工程（同一層で形成される配線を含む）、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程（同一層で形成される配線を含む）、コンタクトホールを形成する（コンタクトホール以外の絶縁層等の除去を含む）工程、画素電極（同一層で形成される配線を含む）を形成する工程の４つのフォトリソグラフィ工程で液晶表示装置を作製する。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。配線の形状及び電位を工夫することで、寄生チャネルの形成を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】垂直配向型液晶表示装置の画質を改善する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板上にゲート線と共に共通電極線が形成されており、共通電極線には分枝として保持容量電極が形成されている。ゲート線と共通電極線の上にはゲート絶縁膜が形成されており、ゲート絶縁膜の上にはデータ線が形成されている。データ線の上には保護膜が形成されており、保護膜の上には第１開口パターンを有する画素電極が形成されている。薄膜トランジスタ基板と対向する上部基板にはブラックマトリックスと第２開口パターンを有する共通電極が形成されている。この時、画素電極は、第２開口パターンと画素電極の辺とが重なる部分において、保持容量電極を完全に覆うように形成する。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を単純化すると同時に、良好な画質を確保できる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。また、本発明の他の目的は、画素の開口率を向上することができる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。
【解決手段】 本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、基板上に形成されているゲート線と、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されている第１半導体と、少なくとも一部分の第１半導体上に形成されているデータ線及びドレイン電極と、ゲート絶縁膜上に形成されている蓄積導電体と、データ線、ドレイン電極及び蓄積導電体上に形成されている第１保護膜と、第１保護膜上に形成され、蓄積導電体上に位置した開口部を有する第２保護膜と、第２保護膜上に形成され、ドレイン電極に接続され、開口部で蓄積導電体と重なる画素電極とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。 （もっと読む）

【課題】画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。
【解決手段】液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。非画素領域の入力端子パッド２６の周囲に、第１のメタル層からなる下層ダミーパターンＡと第２のメタル層からなる上層ダミーパターンＢが積み重ね形成されている。ダミーパターンＡ，Ｂ上の第３の層間絶縁膜１３の成膜表面レベルが底上げされるため、その部分での過研磨を解消できる。そのため、ＣＭＰ処理において一様の研磨レートが得られる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性を向上させる。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、第１３族元素および酸素を含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つ。さらに該絶縁膜が、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むことにより、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸化物半導体膜中の酸素欠陥を低減する。また、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を積層構造として、酸化物半導体膜の上下に、アルミニウムを含む膜を設けることで、酸化物半導体膜への水の侵入を防止する。 （もっと読む）

【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されＴＦＴ特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】良好な表示品位を有する液晶表示装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、対向配置されたアレイ基板１１０と対向基板２０１との間に挟持された液晶層２０３とを備え、１画素内に反射部と、透過部とが設けられている液晶表示装置であって、アレイ基板１１０が、反射部Ｓに設けられた反射画素電極６５と、反射部Ｓに設けられ、反射画素電極６５との間で斜め方向電界を生じさせる反射画素電極６５の上層に設けられた反射共通電極６６と、透過部Ｔに設けられた透過共通電極９２と、透過部Ｔに設けられ、透過共通電極９２との間で横方向電界を生じさせる透過画素電極９１と、を備えているものである。反射画素電極６５の表面は金属膜によって形成されており、透過画素電極９１、透過共通電極９２、及び反射共通電極６６は同じ透明導電膜によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１絶縁基板の上方に配置された共通電極と、共通電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜の上に配置され共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された複数の画素電極と、画素電極の各々を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、第２絶縁基板の第１基板と対向する内面において画素電極の間の直上に配置されたブラックマトリクスと、画素電極の各々の直上に配置されたカラーフィルタと、カラーフィルタの第１基板側に配置された第２配向膜と、を備えた第２基板と、第１基板と第２基板との間に保持されるとともに画素電極の間の直上に位置する第１領域と画素電極の直上に位置する第２領域とを含む液晶層と、を備え、液晶層の屈折率異方性をΔｎとし液晶層の厚みをｄとし液晶層の位相差値をΔｎ・ｄで定義したとき、第１領域の位相差値は第２領域の位相差値よりも小さい液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】外光の影響を抑制する。
【解決手段】入射する光の照度に応じてデータ信号を生成する光検出回路と、前記光検出回路に重畳するライトユニットと、を具備する光検出装置であって、前記ライトユニットの状態を点灯状態にして前記光検出回路により第１のデータ信号を生成し、前記ライトユニットの状態を消灯状態にして前記光検出回路により第２のデータ信号を生成し、前記第１のデータ信号及び前記第２のデータ信号を比較することにより、比較した２つのデータ信号の差分データである差分データ信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】補助容量電極を薄膜トランジスタに重ねる構造とした場合であっても、光リーク電流の発生を抑制することができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ８の上層側に補助容量電極１１が前記薄膜トランジスタ８と重なるように配置された液晶表示素子であって、前記補助容量電極１１は、光を吸収する光吸収層２６と、前記光吸収層２６の上層側に成膜された遮光性を有した金属層２７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】補助容量電極を薄膜トランジスタに重ねる構造とした場合であっても、光リーク電流の発生を抑制することができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ８の上層側に金属からなる補助容量電極１１が前記薄膜トランジスタ８と重なるように配置された液晶表示素子であって、前記薄膜トランジスタ８は、半導体層２１上に該半導体層２１に接するように配置された絶縁性材料からなるエッチング防止層２４と、前記エッチング防止層２４との間に前記半導体層２１が介在するように配置されたゲート電極Ｇと、を有し、前記薄膜トランジスタ８の前記ゲート電極Ｇと重なる領域における前記補助容量電極１１は、前記薄膜トランジスタ８におけるチャネル長方向に沿う方向の長さが、前記ゲート電極Ｇの前記方向の長さよりも短く且つ前記エッチング防止層２４の前記方向の長さよりも長く形成されている。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】交互に交差して画素領域を定義するゲートライン、データライン及び共通電極ラインと、ゲートライン及びデータラインの交差部に形成され、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、共通電極ライン及び延びたドレイン電極の交差部に形成され、第１ストレージ電極、第２ストレージ電極及び第３ストレージ電極を備えるストレージキャパシタと、を備える平板表示装置である。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板に転写方式で薄膜トランジスタを備える画像表示装置を製造することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
支持基板の主面側に有機材料からなる樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の上層に半導体回路または表示回路を形成する工程と、前記樹脂膜に吸収される波長の光を前記支持基板側から照射して、前記支持基板から前記樹脂層を剥離する工程と、前記樹脂層を薄膜化又は除去する工程と、前記樹脂層の側から第１基板を貼る工程とを有する画像表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）