【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高い信頼性を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、画素電極（９ａ）と、画素電極に対応して設けられたトランジスター（３０）と、トランジスターと電気的に接続されたデータ線（６ａ）と、画素電極及びトランジスター間に設けられ、第１電極（７２）及び第２電極（７１）が容量絶縁膜（７５）を介して対向配置されることで形成される蓄積容量（７０）と、第１電極と同一層に設けられた第１付加容量電極（４０１）と、第１電極及び第２電極とは異なる層に設けられた第２付加容量電極（４０２）とが、付加容量絶縁膜（４２）を介して対向配置されることで形成され、データ線と電気的に接続された付加容量（４００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】開口率及び静電容量を向上させる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の第１領域に位置する薄膜トランジスタと、第１領域に隣接する第２領域に位置するキャパシタとを備え、薄膜トランジスタは、活性層と、活性層のチャネル領域に対応する位置に、前記活性層と離隔されて位置するゲート電極と、活性層に電気的に接続されるソース及びドレイン電極と、活性層とゲート電極との間に順次形成された第１絶縁層〜第３絶縁層を有するゲート絶縁膜とを備え、第１絶縁層の厚さに対する第２絶縁層の厚さの比は、約０．１〜約１．５であり、第２絶縁層の厚さに対する第３絶縁層の厚さの比は、約２〜約１２である表示装置。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、トランジスタ数を削減し、表示品位及び／または撮像品位を向上させる。
【解決手段】ゲートが選択信号線２０８に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方に出力信号線２１２が電気的に接続され、他方に基準信号線２１１が電気的に接続されたトランジスタ２０５と、リセット信号線２０９にアノードまたはカソードの一方が電気的に接続され、他方にトランジスタ２０５のバックゲート２０６が電気的に接続されたフォトダイオード２０４を有し、フォトダイオード２０４を順バイアスとしてトランジスタ２０５のバックゲート電位を初期化し、逆バイアスとしたフォトダイオード２０４の光の強度に応じた逆方向電流で前記バックゲート電位を変化させ、トランジスタ２０５をオンすることで前記出力信号線２１２の電位を変化させ、光の強度に応じた信号を得る。 （もっと読む）

【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極３５、スイッチング素子３４、対向電極８２、液晶層２８、第１配向膜７１、および第２配向膜８３を備える。液晶層２８のダイレクターが液晶層の厚み方向となすプレチルト角が、対向電極８２側で画素電極３５側よりも大きくなっている。画素電極３５にスイッチング素子３４を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極３５に高電位が印加されているときのスイッチング素子３４の寄生容量による画素電極３５の電位の変化量と、画素電極３５に前記低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極３５の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と前記低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が基準電位よりも高い。 （もっと読む）

【課題】フリッカー等の表示不具合の発生を抑制して表示品位の向上を図ることが可能な液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板１０の液晶層の側に設けられた第１配向膜１３と、対向基板２０の液晶層の側に対向電極２２に接して設けられた第２配向膜２３と、画素電極１２と第１配向膜１３との間に設けられた、液晶層よりも膜厚が薄く、かつ、液晶層よりも高比抵抗の、ＳｉＯ_２からなる誘電体膜３８と、を備え、対向電極２２には、スイッチング素子４０の寄生容量に起因するフリッカーを低減するように設定された対向電極電位が印加され、画素電極１２には、対向電極電位を基準として高位の電圧を正極性、低位の電圧を負極性としたときに、正極性の電圧と負極性の電圧とが交互に印加され、正極性の電圧が印加される第１の期間の長さが負極性の電圧が印加される第２の期間の長さに比べて長く設定される。 （もっと読む）

【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極３５と、スイッチング素子３４と、対向電極８２と、液晶層２８と、第１配向膜７１と、第１配向膜７１と画素電極３５との間に設けられた酸化シリコンからなる誘電体層７０と、液晶層２８と対向電極８２との間に、対向電極８２と当接して設けられた第２配向膜８３と、を備える。画素電極３５にスイッチング素子３４を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極３５に高電位が印加されているときのスイッチング素子３４の寄生容量による画素電極３５の電位の変化量と、画素電極３５に低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極３５の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が、基準電位よりも低い。 （もっと読む）

【課題】相対的に大面積化した表示装置に効果的に用いることができる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及びこれを備えた表示装置、並びにその製造方法において、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタは、基板上に形成されたアクティブ層と、前記アクティブ層の一部領域の上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、前記ゲート絶縁膜パターンの一部領域の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜パターン及び前記ゲート電極を覆うエッチング防止膜パターンと、前記アクティブ層及び前記エッチング防止膜パターンの上に形成されたソース部材及びドレイン部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】表示された画像が良好に認識できる表示装置を提供することを課題の一とする。また、その表示装置を生産性良く作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に液晶層を介して入射する光を反射する画素電極と、透光性を有する画素電極と、透光性を有する画素電極と重なる位置に側面が反射層で覆われた構造体を設ける。構造体は、透光性を有するエッチングストップ層上に形成され、エッチングストップ層は、構造体の下に透光層として残存する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高密度な保持容量及びＴＦＴに対する高い遮光性能を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、基板と画素電極との間に画素電極に対応して設けられたトランジスタ（３０）と、画素電極とトランジスタとの間に設けられ、画素電極及びトランジスタに電気的に接続された第１容量電極（７１）と、画素電極と第１容量電極との間に、容量絶縁膜（７５）を介して第１容量電極と対向配置されており、所定の電位が供給される第２容量電極（７２）と、画素電極と第２容量電極との間にトランジスタと少なくとも部分的に重なるように設けられ、第２容量電極との間に配置された絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第２容量電極に電気的に接続される遮光膜（２００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域を、テーパー部を有するゲート電極及びテーパー部を有するゲート絶縁膜に対応させて設ける。具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板で島状に半導体層を構成することにより、マスク数の減少と信頼性を向上する。また、マスク数の減少のために３マスク工程で液晶表示装置用アレイ基板を製作する過程で、リフトオフ工程による不良を最小化することができる。
【解決手段】本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。また、アクティブ及びオーミックコンタクト層を含む半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状にゲート電極内に形成することによって漏れ電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】工程中に酸化物半導体パターンの劣化が発生することを防止することができる薄膜トランジスタ基板およびそれの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板１０、前記絶縁基板１０上に形成されたゲート電極２４およびゲート絶縁膜３０、前記ゲート絶縁膜３０上に配置された酸化物半導体パターン４２、前記酸化物半導体パターン４２上に形成されたエッチング防止パターン５２、前記エッチング防止パターン５２上に形成されたソース電極６５およびドレーン電極６６を含み、前記エッチング防止パターン５２のすべての側面は前記酸化物半導体パターン４２の側面の内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、容易に容量絶縁膜の膜厚制御を行う。
【解決手段】電気光学装置は、画素毎に設けられたトランジスタ（３０）と、トランジスタに対応して設けられた画素電極（９）と、画素電極に電気的に接続されており、第１容量電極（２）、第１容量電極に上層側から対向配置された第２容量電極（５）、及び第１容量電極及び第２容量電極間に形成された容量絶縁膜（７）からなる蓄積容量（７０）とを備える。容量絶縁膜は、酸化ハフニウムを含む第１層（７ａ）と、第１層の上層に形成されており、アルミナを含む第２層（７ｂ）と、第１層の下層に形成されており、アルミナを含む第３層（７ｃ）と、第２層の上層に形成されており、酸化ハフニウムを含む第４層（７ｄ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の周囲が薄暗い環境でも画像表示が認識できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】１つの画素において、液晶層を介して入射する光を反射する領域と、透過領域とを両方有する画素電極を設け、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とする。外光はあるが、その明るさが不十分であり薄暗い場合は、バックライトを弱く点灯し反射モードで表示を行うことによって、画像表示を可能とする。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】水平電界駆動方式の液晶表示装置の開口率を向上させる。加えて、水平電界を印加するための電極の数を容易に調節することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に、ゲート電極を含み一部傾いた部分を有するゲート線及び維持電極線が形成されており、ゲート線を覆うゲート絶縁膜上には、少なくとも一部分が半導体層上に位置し、ゲート線と交差してゲート線の傾いた部分と共に梯形パターンの画素領域を定義するデータ線、及びデータ線から分離されてゲート線を中心に対向するドレーン電極と、維持電極線と重畳して維持蓄電器を構成する画素電極線とが形成されている。半導体層を覆う保護膜上には、ドレーン電極と電気的に連結されている線形の画素電極、及び画素電極と交互に配置されて形成され、縁部は画素電極の縁部と互いに一定の間隔を置いて互いに平行な線形の共通電極が形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁層による光透過率の低下を防止することができる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１基板１１０上に位置する第１絶縁層１１６と、第１絶縁層１１６上に位置する下部電極１１８ｂと、下部電極１１８ｂの上面及び側面を囲むように形成された誘電体層１２０ａと、誘電体層１２０ａ上に位置する上部電極１２２ａと、を備える。第１絶縁層１１６は、誘電体層１２０ａに対してエッチング選択比を有してもよい。第１絶縁層１１６は、シリコン酸化物を含み、誘電体層１２０ａは、シリコン窒化物を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】エッチングによりソース・ドレイン電極を形成しても、有機半導体層が損傷を受けることなく、良好なオン／オフ比を示す有機半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１と、前記基板上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２及び基板１上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成されたｐ型有機半導体層４と、有機半導体層４上に形成された保護層５と、保護層５上に形成されたソース電極８及びドレイン電極９と、を有する半導体装置を構成する。 （もっと読む）