【課題】画素内に容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１の電極と第２の電極と、ソース電極とドレイン電極のうちの一方が前記第１の電極と接続された薄膜トランジスタと、前記一方の電極よりも上層に順に形成される第１のシリコン窒化膜および有機絶縁膜とを有する。前記第２の電極は前記有機絶縁膜よりも上層に形成され、第２のシリコン窒化膜は前記第２の電極と前記第１の電極との間の層に形成され、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜は両者を貫通しソース電極とドレイン電極のうち一方の電極と前記第１の電極とを接続するコンタクトホールを有し、前記第２のシリコン窒化膜は、前記一方の電極と接触する領域を持たず、前記第２のシリコン窒化膜の下面が前記コンタクトホールにおいて前記第１のシリコン窒化膜の上面と接触している。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と
、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の
開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの作製工程において、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁膜、ゲート電極層、酸化アルミニウム膜を順に作成した後、酸化物半導体層および酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、かつ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体層を形成する。また、酸化アルミニウム膜を形成することにより、該トランジスタを有する半導体装置や電子機器の作製工程での熱処理でも大気から水や水素が酸化物半導体層に侵入し、拡散することを防止することができ、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または
、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶
縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と
、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁
層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根（ＲＭＳ）
粗さが１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層
表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜上に形成される酸化物半導体膜と、当該酸化物半導体膜とゲート絶縁膜を介して重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜に接し、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを備えるトランジスタであり、下地絶縁膜は、酸化物半導体膜と一部接する第１の酸化絶縁膜と、当該第１の酸化絶縁膜の周囲に設けられる第２の酸化絶縁膜とを有し、トランジスタのチャネル幅方向と交差する酸化物半導体膜の端部は、第２の酸化絶縁膜上に位置するものである。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１方向に沿ってそれぞれ延出する第１主画素電極及び第２主画素電極と、第１方向に沿ってそれぞれ延出する第１主共通電極、第２主共通電極、及び、第３主共通電極とを備え、前記第１主共通電極と前記第２主共通電極との間に前記第１主画素電極が対向するとともに前記第２主共通電極と前記第３主共通電極との間に前記第２主画素電極が対向し、第１方向に直交する第２方向に沿った前記第１主共通電極と前記第１主画素電極との間の第１電極間距離、前記第２主共通電極と前記第１主画素電極との間の第２電極間距離、前記第２主共通電極と前記第２主画素電極との間の第３電極間距離、及び、前記第３主共通電極と前記第２主画素電極との間の第４電極間距離のうち、１つ乃至３つの電極間距離は、他の電極間距離とは異なることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素が高精細になっても所望の電気容量を有する保持容量を実現可能な電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置は、データ線６ａ及び走査線３ａと、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して設けられたトランジスター３０と、トランジスター３０に電気的に接続され、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとが誘電体層を介して対向配置される保持容量と、を備え、第１容量電極１６ａは、第１導電膜と第１導電膜の上面及び側面を覆う第２導電膜とを有し、第２容量電極１６ｂは、第１容量電極１６ａの上面及び側面において誘電体層を介して第１容量電極１６ａと対向して保持容量を形成している。 （もっと読む）

【課題】所望の保持容量を有すると共に、画素電極の表面における凹凸に起因する表示ムラが低減された電気光学装置、これを備えた電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０上に、トランジスターと、トランジスターに対応して設けられた画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に、画素電極１５と一部が対向するように設けられ、画素電極１５と誘電体層１４を介して保持容量を構成する容量配線３ｂと、を備え、容量配線３ｂは、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられた絶縁膜１３に埋め込まれるように形成されており、絶縁膜１３と共に画素電極１５側の面が平坦化されてなる。 （もっと読む）

【課題】静止画表示時に再書き込みのタイミングを検知する手段を持つ低消費電力型の液晶表示装置及びその駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液晶表示パネル側から照射される光の照度を検出する光センサを液晶表示パネルの端部近傍に設置し、極めてオフ電流の低いトランジスタを使用した液晶表示パネルの表示領域の画素とモニタ用画素に電位を供給して静止画を表示させ、少なくともモニタ用画素の液晶層を透過した光を光センサで検出させ、その照度の変化率が既定値に達したときに、液晶表示パネルの表示領域の画素及びモニタ用画素に再度電位を供給し、静止画像を維持させる。 （もっと読む）

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１Ａは、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、駆動側基板１０の側から順に、導電膜２７Ａ、酸化物半導体よりなる半導体層１１、絶縁膜１２Ｂおよび導電膜１３Ｂを積層してなる。保持容量素子１０Ｃでは、導電膜２７Ａ，１３Ｂ間において容量形成がなされ、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボト
ムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン
電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設
けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１方向に沿ってそれぞれ延出した第１ソース配線及び第２ソース配線と、前記第１ソース配線と前記第２ソース配線との間に位置し第１方向に沿って延出した主画素電極と、前記第１ソース配線及び前記第２ソース配線のそれぞれとの間に絶縁膜を介して対向し第１方向に沿って延出した第１主共通電極と、を備えた第１基板と、前記第１主共通電極と対向し第１方向に沿って延出するとともに前記第１主共通電極と電気的に接続された第２主共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示基板とその製造方法及びこれを有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１領域と第２領域に区分された画素領域を有する基板上に第１及び第２領域にかけて形成されたストレージ電極、ストレージ電極上に形成される透明絶縁膜パターン、透明絶縁膜パターン上の第１及び第２領域にそれぞれ形成された第１及び第２画素電極を含む表示基板を構成し、第１及び第２画素電極のうちのいずれか１つに凹部が形成されるかまたは透明絶縁膜パターンはストレージ電極上の第１領域に形成された第１開口部と第２領域に形成された第２開口部を含む開口部が形成される。開口部及び凹部は、ストレージ電極が形成された領域上において互いに対応する位置にある。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数のシリンドリカルレンズがそれぞれのレンズ面の母線に対して直交する方向に並んだシリンドリカルレンズアレイを有するレンズアレイユニットと、前記母線が延出する母線方向とは異なる方向に沿って帯状に延出するとともにくの字状に形成された画素電極を各画素に備え、前記レンズアレイユニットの背面側に配置された第１基板と、前記画素電極と平行な方向に沿って帯状に延出するとともに前記画素電極の直上の位置に並んで配置された対向電極を複数の画素に対して共通に備え、前記レンズアレイユニットと前記第１基板との間に配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。 （もっと読む）

【課題】ダミー画素部に黒色のベタ状の画像を表示させた場合、ダミー画素電極には最大（又は最小）の電圧が印加され続けられる。一方、画素電極には、平均すれば中間調の電圧が印加される。この電位差によって発生する横方向電界により液晶層中に含まれるイオン性不純物が移動して偏在し、シミ状の表示むらが発生するという課題があった。
【解決手段】基板上に設けられ、画素電極が配列した表示画素部と、前記表示画素部を平面視で囲うように配列したダミー画素電極と、を備え、前記ダミー画素電極は、電気的にフローティング状態を取り、前記ダミー画素電極と前記画素電極との間隙は、前記画素電極間の間隔よりも小さい。そのため、ダミー画素電極の電位は、隣り合う画素電極の電位に近づく。そのため、横方向電界を緩和でき、シミ状の表示むらの発生を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】所望の電気容量を有する保持容量を有すると共に、画素電極間における表示むらを低減させた液晶装置、これを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられたトランジスターとしてのＴＦＴ３０と、画素電極１５と画素電極１５に誘電体層を介して対向配置された光透過性を有する容量電極１６ａとにより構成された保持容量と、画素電極１５とＴＦＴ３０とを電気的に接続させる第１コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ５と、容量電極１６ａと容量配線３ｂとを電気的に接続させる第２コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ４と、を備え、画素電極１５と容量電極１６ａは、画素Ｐごとに独立して設けられ、容量電極１６ａとコンタクトホールＣＮＴ４は平面的に画素電極１５が設けられた領域内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、酸化物半導体よりなる半導体層１１上に絶縁膜１２Ｂを介して導電膜１３Ｂを有し、かつ半導体層１１上の選択的な領域に、導電膜１３Ｂおよび絶縁膜１２Ｂのうちの少なくとも一部が除去されてなる凹部を有している。保持容量素子１０Ｃでは、そのような凹部を通じて、半導体層１１の酸化物半導体から酸素が離脱し易くなり、これにより、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】テトラエトキシシラン等のシラン系有機材料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスを形成した場合でも、シリケートガラスから半導体層へのフッ素の侵入を防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造方法において、ゲート電極３ｃの形成工程、低濃度不純物導入工程、および高濃度不純物導入工程を行った後、シランガス等のシラン系無機原料を用いたＣＶＤ法により第１絶縁膜４１１を形成する。次に、第１アニール工程において第１絶縁膜４１１をアニールした後、テトラエトキシシラン等のシラン系有機原料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスからなる第２絶縁膜４１２を形成する。 （もっと読む）