電気光学装置の製造方法
【課題】素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。
【解決手段】素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板に電界効果型トランジスターが形成された電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置に用いる半導体ウエーハーを用いる際、エピタキシャル層の信頼性等を向上させる目的で、フッ素を含むガスによって自然酸化膜を除去する前処理が行われるとともに、半導体ウエーハーに付着したフッ素を除去する工程も行われる。一方、液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置に用いる素子基板には、電界効果型トランジスターが形成されることから、半導体装置と同様、基板にフッ素が付着していることは好ましくない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３２６４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、電気光学装置の素子基板の基板本体として、フッ素を除去した半導体ウエーハー、ガラス基板、石英基板等、フッ素による汚染が発生しないはずの基板を用いた場合でも、フッ素に起因する電界効果型トランジスターの特性異常が発生することがある。例えば、電界効果型トランジスターがｎチャネル型である場合、オフ時には０Ｖの電圧を印加するが、かかるオフ時におけるリーク電流（オフリーク電流）が増大する。かかる特性異常の原因は、例えば、シリコン酸化膜等のシリコン化合物からなる絶縁膜を形成する成膜室をＣＦ4、ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のフッ素系ガスによってクリーニングした後、素子基板上に絶縁膜を形成すると、クリーニングの際に成膜室の壁面等に残っていた微量のフッ素が絶縁膜中に混入し、電界効果型トランジスターを構成する能動層に侵入することにある。従って、フッ素に起因する特性異常の発生を防止するには、クリーニング後、多大な手間と長い時間とをかけて成膜室からフッ素を完全にパージする必要があるため、生産性が著しく低下するという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、少なくとも、電気光学装置用素子基板の基板本体の一方面側にシリコン化合物からなる第１絶縁膜を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、前記第１絶縁膜のフッ素含有量を減少させる第１絶縁膜フッ素含有量低減工程と、前記第１絶縁膜フッ素含有量低減工程後の前記第１絶縁膜の表面側に電界効果型トランジスターの半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層の表面側にゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、前記ゲート絶縁層の表面側にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記ゲート電極の表面側にシリコン化合物からなる第２絶縁膜を成膜する第２絶縁膜成膜工程と、を有していることを特徴とする。
【０００７】
本発明では、シリコン化合物からなる第１絶縁膜を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、電界効果型トランジスターの半導体層を形成する半導体層形成工程の前に、前記第１絶縁膜のフッ素含有量を減少させる第１絶縁膜フッ素含有量低減工程を行う。このため、第１絶縁膜にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素含有量は、第１絶縁膜フッ素含有量低減工程により低減する。従って、半導体層には、下層側（基板本体が位置する側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層を用いて電界効果型トランジスターを形成した際、電界効果型トランジスターには、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しにくい。
【０００８】
本発明において、前記フッ素含有量低減工程は、前記第１絶縁膜に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程である構成を採用することができる。かかる構成によれば、第１絶縁膜にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第１絶縁膜水素導入工程で導入された水素（原子状水素／活性水素）と結合し、フッ化水素として第１絶縁膜から放出される。従って、半導体層には、下層側（基板本体が位置する側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層を用いて電界効果型トランジスターを形成した際、電界効果型トランジスターには、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しにくい。
【０００９】
本発明において、前記第１絶縁膜水素導入工程では、例えば、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行う。
【００１０】
本発明において、前記第２絶縁膜成膜工程の後、前記第２絶縁膜に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行うことが好ましい。かかる構成によれば、第２絶縁膜にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第２絶縁膜水素導入工程で導入された水素（原子状水素／活性水素）と結合し、フッ化水素として第２絶縁膜から放出される。従って、半導体層には、上層側（基板本体が位置する側とは反対側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層を用いて画素トランジスターを形成した際、画素トランジスターには、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しにくい。また、第２絶縁膜水素導入工程で導入された水素は、半導体層のダングリングボンドを終端化するという効果も奏する。
【００１１】
この場合、前記第２絶縁膜水素導入工程では、例えば、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行う。
【００１２】
本発明では、前記第１絶縁膜水素導入工程および前記第２絶縁膜水素導入工程において、少なくとも、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理より水素の導入を行う場合、前記第２絶縁膜水素導入工程における前記加熱処理の温度は、前記第１絶縁膜水素導入工程における前記加熱処理の温度より低いことが好ましい。かかる構成によれば、第１絶縁膜水素導入工程を行った後、第２絶縁膜水素導入工程を行う前に、アルミニウム膜等の融点の低い金属膜により配線や電極を形成した後でも、第２絶縁膜水素導入工程として水素ガス含有雰囲気中での加熱処理を実施することができる。
【００１３】
本発明において、前記第１絶縁膜フッ素含有量低減工程は、前記第１絶縁膜に対する加熱処理であってもよい。かかる構成によれば、第１絶縁膜にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、加熱により第１絶縁膜から放出される。従って、半導体層には、下層側（基板本体が位置する側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層を用いて電界効果型トランジスターを形成した際、電界効果型トランジスターには、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しにくい。
【００１４】
本発明において、前記半導体層形成工程の後、前記半導体層に水素の導入を行う水素導入工程を行うことが好ましい。かかる構成によれば、半導体層のダングリングボンドを終端化させることができる。
【００１５】
この場合、前記水素導入工程は、前記第２絶縁膜成膜工程の後、前記第２絶縁膜に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程として行うことが好ましい。かかる前記第２絶縁膜水素導入工程では、例えば、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行う。かかる構成によれば、第２絶縁膜にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第２絶縁膜水素導入工程で導入された水素（原子状水素／活性水素）と結合し、フッ化水素として第２絶縁膜から放出される。従って、半導体層には、上層側（基板本体が位置する側とは反対側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層を用いて画素トランジスターを形成した際、画素トランジスターには、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しにくい。また、第２絶縁膜におけるフッ素含有量の低減と、半導体層のダングリングボンドの終端化とを同時に行うことができる。
【００１６】
本発明によれば、前記第１絶縁膜成膜工程は、フッ素含有ガスでクリーニングが行われる成膜室で実施される構成を採用することができる。
【００１７】
本発明において、前記シリコン化合物は、シリコン酸化物（ドープトシリケートガラスも含む。）である。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、液晶装置の製造方法として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の製造工程の要部を示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の製造工程の要部を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態５に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態６に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図１２】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下に説明する形態では、各種の電気光学装置の製造方法のうち、液晶装置に本発明を適用した場合を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００２１】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であるため、容量線等が延在している方向等、レイアウトについては模式的に示してある。
【００２２】
図１において、本形態の液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線８ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線８ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２３】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線８ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線８ａに順次供給する。
【００２４】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨る容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線６ｔに導通している。
【００２５】
（液晶パネル１００ｐの構成）
図２は、本発明を適用した液晶装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２６】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。
【００２７】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画像表示領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０において、画像表示領域１０ａの外側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２８】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、一方面１０ｓ側の画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２９】
また、素子基板１０の一方面１０ｓ側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図２（ｂ）参照）が形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００３０】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、額縁部分２９ａは、見切りとして機能する。ここで、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆと重なる領域等にブラックマトリクス部分２９ｂとしても形成されている。
【００３１】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面側（素子基板１０と対向する面側）の角部分に、基板間導通用電極２５ｔが形成されており、素子基板１０の一方面側（対向基板２０と対向する面側）には、対向基板２０の角部分（基板間導通用電極２５ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極８ｔが形成されている。基板間導通用電極８ｔは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線６ｔに導通しており、共通電位線６ｔは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極８ｔと基板間導通用電極２５ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極８ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５ｔを介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。
【００３２】
シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極８ｔ、２５ｔを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３３】
かかる構成の液晶装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３４】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３５】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３６】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明を適用した液晶装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、素子基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、各領域を以下の線
走査線８ａ＝太い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝一点鎖線
容量線５ｂ＝二点鎖線
ドレイン電極（容量電極層）４ａ＝細い実線
画素電極９ａ＝太くて短い破線
ゲート電極３ａ＝細くて長い破線
で表してある。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた縦横の画素間領域１０ｆと重なる領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線８ａが形成されている。より具体的には、画素間領域１０ｆのうち、第１方向Ｙに延在する第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って走査線８ａが延在し、第１方向Ｙと交差する第２方向Ｘに沿って延在する第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿ってデータ線６ａが延在している。データ線６ａおよび走査線８ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線８ａとが交差する領域に対応して、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０が形成されている。また、素子基板１０上には、走査線８ａと重なるように、図１を参照して説明した容量線５ｂ（容量電極層）が形成されている。
【００３８】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されており、対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３９】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる走査線８ａが形成されている。本形態において、走査線８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光性導電膜から構成されており、画素トランジスター３０に対する遮光膜としても機能している。本形態において、走査線８ａは、厚さが２００ｎｍ程度のタングステンシリサイドからなる。なお、基板本体１０ｗと走査線８ａとの間には、シリコン酸化膜等の絶縁膜が設けられることもある。
【００４０】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、走査線８ａの上層側には、シリコン化合物からなる絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、ＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート／テトラエトキシシラン）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により形成される。絶縁膜１２の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度である。本形態において、絶縁膜１２は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜１２１と、テトラエトキシシランを用いた減圧ＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜１２２との２層構造を有している。また、絶縁膜１２は、高密度プラズマ源を利用した高密度プラズマＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜１２１と、テトラエトキシシランを用いた減圧ＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜１２２との２層構造を有している場合もある。
【００４１】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ａとを備えている。また、画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ａとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ａに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域１ｂ1、１ｃ1を備え、低濃度領域１ｂ1、１ｃ1に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域１ｂ2、１ｃ2を備えている。
【００４２】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなり、半導体層１ａの両側において、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａを介して走査線８ａに導通している。本形態において、ゲート電極３ａは、膜厚が１００ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜３ａ1と、膜厚が１００ｎｍ程度のタングステンシリサイド膜３ａ2との２層構造を有している。
【００４３】
なお、半導体層１ａを長辺方向が走査線８ａの延在方向に向くように形成する一方、ゲート電極３ａを長辺方向がデータ線６ａの延在方向に向くように形成してもよい。また、本形態では、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に、走査線８ａを遮光膜により形成してある。但し、走査線をゲート絶縁層２の上層に形成し、その一部をゲート電極３ａとしてもよい。この場合、図３に示す走査線８ａは、遮光のみを目的として形成されることになる。
【００４４】
ゲート電極３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成されており、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。層間絶縁膜４１は、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜からなり、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により形成される。本形態において、層間絶縁膜４１は、高密度プラズマ源を利用した高密度プラズマＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜４１１と、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜４１２との２層構造を有している。なお、層間絶縁膜４１は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜のみからなる場合もある。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａは、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４５】
ドレイン電極４ａの上層側には透光性の誘電体層４２が形成されており、かかる誘電体層４２の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４２としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜と、膜厚が２００ｎｍ程度のＡｌ膜と、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４２を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４６】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４３が形成されており、かかる層間絶縁膜４３の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４３は、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜からなり、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により形成される。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜、膜厚が３５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜をこの順に積層してなる４層構造を有している。データ線６ａは、層間絶縁膜４３、誘電体層４２、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４３および誘電体層４２を貫通するコンタクトホール７ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４７】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜からなり、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により形成される。本形態において、層間絶縁膜４４は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜と、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のドープトシリケートガラス膜との２層構造からなる。画素電極９ａは、中継電極６ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール７ｄを介して中継電極６ｂに導通している。層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっており、かかる平坦面上に画素電極９ａが形成されている。
【００４８】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。配向膜１６と画素電極９ａとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の透光性の保護膜１７が形成され、かかる保護膜１７によって、画素電極９ａの間に形成された凹部が埋められている。かかる構成によれば、配向膜１６を平坦面に形成することができる。
【００４９】
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、遮光層２９、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。なお、配向膜２６と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜を形成することもある。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（液晶装置１００の製造方法）
図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。図５および図６は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す工程断面図である。なお、以下に説明する工程は、素子基板１０を多数取りできる大型基板の状態で行われるが、以下の説明では、サイズにかかわらず、素子基板１０として説明する。また、以下の説明では、画素トランジスター３０をｎチャネル型の電界効果型トランジスターとして形成する場合を例示する。
【００５２】
本形態の液晶装置１００の製造工程のうち、素子基板１０を形成する工程では、図４、図５および図６に示す各工程を行う。より具体的には、まず、図５（ａ）に示す走査線形成工程ＳＴ１１において、基板本体１０ｗの一方面側に走査線８ａを形成する。
【００５３】
次に、図５（ｂ）に示す第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２では、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により、シリコン酸化膜１２１およびシリコン酸化膜１２２を順次成膜し、シリコン酸化膜１２１、１２２からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を形成する。
【００５４】
絶縁膜１２（第１絶縁膜）の成膜は、枚葉式の成膜室で行われる。かかる成膜室は、ＣＦ4、ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のフッ素系ガスによって定期的にクリーニングされ、その後、成膜室からフッ素を完全にパージした後、成膜が行われる。但し、成膜室の壁面等にフッ素が残留している可能性があり、その場合、絶縁膜１２にフッ素が侵入することになる。
【００５５】
そこで、本形態では、絶縁膜１２（第１絶縁膜）のフッ素含有量を減少させる第１絶縁膜フッ素含有量低減工程を行う。本形態では、第１絶縁膜フッ素含有量低減工程として、図５（ｃ）に示す第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３において、絶縁膜１２（第１絶縁膜）に水素を導入する。かかる水素の導入は、例えば、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により行う。本形態では、水素ガスと窒素ガスとの混合ガス、あるいは水素ガスと窒素ガスと他のガスとの混合ガス等を加熱室に流し、水素含有ガス中で温度が３００℃から１１００℃の条件、好ましくは、１０００℃から１１００℃の条件で素子基板１０を加熱する。その結果、絶縁膜１２にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３で導入された水素（原子状水素／活性水素）と結合し、フッ化水素として絶縁膜１２から放出される。なお、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理は減圧雰囲気中で行ってもよく、この場合、上記のガスの他、水素ガス単独雰囲気中で加熱処理を行ってもよい。
【００５６】
次に、図５（ｄ）に示す半導体層形成工程ＳＴ１４では、絶縁膜１２の表面側に島状のポリシリコン膜からなる半導体層１ａを形成する。かかる半導体層１ａを形成するにあたっては、まず、絶縁膜１２の表面に約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）によって、約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さのアモルファスシリコン膜を成膜する。次に、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは４〜６時間の熱処理を施すことにより、ポリシリコン膜を固相成長させる。固相成長させる方法としては、ＲＴＡを使ったアニール処理でもよいし、エキシマレーザ等を用いたレーザーアニールでもよい。その後、フォトリソグラフィー工程およびエッチング工程によりポリシリコン膜をパターニングして島状の半導体層１ａを形成する。
【００５７】
次に、図５（ｅ）に示すゲート絶縁層形成工程ＳＴ１５では半導体層１ａの表面側に、厚さが約２０〜１５０ｎｍ、好ましくは約３０〜１００ｎｍのゲート絶縁層２を形成する。本形態では、半導体層１ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化して第１ゲート絶縁層２ａを形成した後、減圧ＣＶＤ法等により高温シリコン酸化膜（ＨＴＯ膜）からなる第２ゲート絶緑層２ｂを形成する。
【００５８】
次に、図５（ｆ）に示すように、コンタクトホール形成工程ＳＴ１６において、反応性イオンエッチングや反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａを形成した後、ゲート電極形成工程ＳＴ１７において、ゲート電極３ａを形成する。本形態では、ドープドシリコン膜およびタングステンシリサイド膜を順次成膜した後、パターニングし、ポリシリコン膜３ａ1とタングステンシリサイド膜３ａ2との２層構造を有するゲート電極３ａを形成する。なお、ゲート電極３ａを形成する前に、半導体層１ａのチャネル領域に対して、イオン注入等により不純物を注入するチャネルドープを行うこともある。
【００５９】
次に、図６（ａ）に示す不純物導入工程ＳＴ１８を行う。かかる不純物導入工程ＳＴ１８においては、半導体層１ａのうち、ゲート電極３ａと重なるチャネル予定領域（図３（ｂ）に示すチャネル領域１ｇの形成予定領域）に隣接する第１領域１ｄ1、１ｅ1（図３（ｂ）に示すソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃの形成予定領域）にリンイオン等のｎ型の不純物を少ないドーズ量で導入する（低濃度不純物導入工程）。その際の不純物のドーズ量は、例えば１×１０13／ｃｍ2である。かかる不純物導入工程においては、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を導入する。従って、第１領域１ｄ1、１ｅ1は、ゲート電極３ａに対して自己整合的に設定される。なお、不純物が導入されなかった領域がチャネル領域１ｇとなる。次に、ゲート電極３ａを広めに覆うマスク９０を形成し、この状態で、半導体層１ａのうち、チャネル予定領域から離間した第２領域１ｄ2、１ｅ2に対してリンイオン等のｎ型の不純物を多いドーズ量で導入する（高濃度不純物導入工程）。その際の不純物のドーズ量は、例えば１×１０15／ｃｍ2である。なお、低濃度不純物導入工程と高濃度不純物導入工程の順序は逆であってもよい。また、不純物を導入した後、イオン注入によって発生した半導体層１ａおよびゲート絶縁層２の結晶欠陥を修復させるために低温アニールを実施することもある。かかる低温アニールは、例えば、温度が６５０〜９５０℃でアニール時間が約３０〜９０分程度であり、不純物の拡散には不十分な温度であるが、半導体層１ａの格子欠陥の修復等には十分な条件である。
【００６０】
次に、図６（ｂ）に示す第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９では、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により、シリコン酸化膜４１１およびシリコン酸化膜４１２を順次成膜し、シリコン酸化膜４１１、４１２からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する。
【００６１】
層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）の成膜は、枚葉式の成膜室で行われる。かかる成膜室は、ＣＦ4、ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のフッ素系ガスによって定期的にクリーニングされ、その後、成膜室からフッ素を完全にパージした後、成膜が行われる。但し、成膜室の壁面等にフッ素が残留している可能性があり、その場合、層間絶縁膜４１にフッ素が侵入することになる。
【００６２】
そこで、本形態では、図６（ｃ）に示す第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において、層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）に水素を導入する。かかる水素の導入は、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により行う。本形態では、水素ガスと窒素ガスとの混合ガス、あるいは水素ガスと窒素ガスと他のガスとの混合ガス等を加熱室に流し、水素含有ガス中で、温度が３００℃から１１００℃の条件、好ましくは、１０００℃から１１００℃の条件で素子基板１０を加熱する。その結果、層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０で導入された水素（原子状水素／活性水素）と結合し、フッ化水素として層間絶縁膜４１から放出される。なお、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理は、減圧雰囲気中で行ってもよく、この場合、上記のガスの他、水素ガス単独雰囲気中で加熱処理を行ってもよい。
【００６３】
次に、図６（ｄ）に示す不純物拡散工程（活性化工程）ＳＴ２１では、半導体層１ａを加熱して不純物を半導体層１ａ内で拡散させる。その際、温度が９５０〜１１００℃、例えば１０００℃程度の高温で、５〜３０分程度加熱する。その結果、第１不純物導入工程で不純物が導入された領域（第１領域１ｄ1、１ｅ1）のうち、第２不純物導入工程で不純物が導入されなかった領域がソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃの低濃度領域１ｂ1、１ｃ1となる。また、第２不純物導入工程で不純物が導入された領域（第２領域１ｄ2、１ｅ2）がソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃの高濃度領域１ｂ2、１ｃ2となる。このようにしてｎチャネル型の電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０が形成される。また、アニール処理によって、層間絶縁膜４１の膜質を向上させることもできる。
【００６４】
なお、上記の工程によって、図１等に示すデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の電界効果型トランジスターからなる駆動回路用トランジスターが形成される。なお、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４のｐチャネル型の電界効果型トランジスター（駆動回路用トランジスター）も同様な方法により形成することができる。しかる後には、ドレイン電極４ａ等の形成工程ＳＴ２２において、周知の方法で、ドレイン電極４ａ、データ線６ａ、画素電極９ａ等を順次形成していく。
【００６５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３を行う。このため、絶縁膜１２にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３で導入された水素と結合し、フッ化水素として絶縁膜１２から放出される。従って、半導体層１ａには、下層側（基板本体１０ｗが位置する側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層１ａを用いて画素トランジスター３０を形成した際、画素トランジスター３０には、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しない。
【００６６】
また、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行う。このため、層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０で導入された水素と結合し、フッ化水素として層間絶縁膜４１から放出される。従って、半導体層１ａには、上層側（基板本体１０ｗが位置する側とは反対側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層１ａを用いて画素トランジスター３０を形成した際、画素トランジスター３０には、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しない。
【００６７】
また、本形態では、第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２において、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）に水素を導入する。このため、絶縁膜１２（第１絶縁膜）からポリシリコン膜からなる半導体層１ａに水素が供給されるので、半導体層１ａのダングリングボンドを終端化することができる。また、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）に水素を導入する。このため、層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）からポリシリコン膜からなる半導体層１ａに水素が供給されるので、半導体層１ａのダングリングボンドを終端化することができる。それ故、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０のオフ時のリーク電流を低減することができるという効果も奏する。
【００６８】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【００６９】
図７に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３（第１絶縁膜水素含有量低減工程）を行う。また、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行う。かかる第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において、水素含有ガス中で温度が１０００℃から１１００℃の条件で素子基板１０を加熱した場合、半導体層１ａに導入した不純物が半導体層１ａ内で拡散する。従って、本形態では、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を５〜３０分程度行い、不純物を拡散させる。このため、本形態では、不純物拡散工程を独立した工程として行わず、第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、ドレイン電極４ａ等を形成する工程ＳＴ２２を行う。それ故、本形態によれば、実施の形態１に比して工程数を減らすことができる。
【００７０】
［実施の形態３］
図８は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【００７１】
図８に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３（第１絶縁膜水素含有量低減工程）を行う。また、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行う。
【００７２】
かかる第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３および第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０として、実施の形態１、２では、水素含有ガス中での加熱処理を行ったが、本形態では、常圧条件下あるいは減圧条件下で水素プラズマ照射処理を行う。かかる処理によっても、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１に混入していたフッ素をフッ化水素として、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１から放出することができる。
【００７３】
［実施の形態４］
図９は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【００７４】
図９に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３（第１絶縁膜水素含有量低減工程）を行う。また、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行う。
【００７５】
かかる第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３および第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０として、実施の形態１、２、３では、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの一方の処理を行ったが、本形態のように、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理の双方を行ってもよい。
【００７６】
［実施の形態５］
図１０は、本発明の実施の形態５に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【００７７】
図１０に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３（第１絶縁膜水素含有量低減工程）を行う。また、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行う。また、本形態では、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３および第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において、少なくとも、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理を行う。
【００７８】
本形態では、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０における処理温度は、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３における処理温度より低い。より具体的には、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３における処理温度は、１０００℃から１１００℃であるのに対して、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０における処理温度は、３００℃から３５０℃である。従って、本形態によれば、ドレイン電極４ａ等の形成にアルミニウム膜等の比較的融点が低い金属膜を用いた場合でも、ドレイン電極４ａを形成するドレイン電極形成工程ＳＴ２６を行った後、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を実施することができる。本形態では、ドレイン電極形成工程ＳＴ２６および誘電体層形成工程ＳＴ２７を実施した後、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を実施し、その後、容量線５ｂ等を形成する工程ＳＴ２８を実施する。なお、ドレイン電極４ａを形成した後は、半導体層１ａがドレイン電極４ａで覆われることになるが、その場合でも、層間絶縁膜４１は広い面積で露出しているので、十分な量の水素を導入することができる。
【００７９】
なお、実施の形態２のように、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３および第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において、水素プラズマ照射処理を行い、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理を行わない場合には、処理温度が低いので、本形態のように、ドレイン電極４ａ等の形成にアルミニウム膜等の比較的融点が低い金属膜を用いてドレイン電極４ａを形成した後、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を実施してもよい。
【００８０】
［実施の形態１〜５の変形例］
上記実施の形態１〜５では、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３および第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において同種の処理を採用したが、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３と第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において異なる方法で水素の導入を行ってもよい。例えば、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３では、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理を行い、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０では、水素プラズマ照射処理を行ってもよい。また、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３のみを行い、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行わない製造方法を採用してもよい。
【００８１】
［実施の形態６］
図１１は、本発明の実施の形態６に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【００８２】
上記実施の形態１〜５では、第１絶縁膜フッ素含有量低減工程として第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３を行ったが、図１１に示すように、本形態では、第１絶縁膜フッ素含有量低減工程として第１絶縁膜加熱工程ＳＴ１３ｓを行う。従って、本形態では、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２を１０００℃〜１１００の温度で加熱して絶縁膜１２（第１絶縁膜）のフッ素含有量を低減する第１絶縁膜加熱工程ＳＴ１３ｓ（第１絶縁膜水素含有量低減工程）を行う。かかる第１絶縁膜加熱工程ＳＴ１３ｓは、窒素ガス等の不活性雰囲気中であれば常圧で行ってもよいが、減圧雰囲気で行うことが好ましい。なお、第１絶縁膜加熱工程ＳＴ１３ｓは酸素を含有する雰囲気中で行ってもよい。いずれの場合も、絶縁膜１２からフッ素が放出される。
【００８３】
かかる構成の場合、実施の形態１〜５と違って、半導体層１ａのダングリングボンドを水素によって終端化することができない。そこで、本形態では、半導体層形成工程ＳＴ１４の後、半導体層１ａに水素の導入を行う水素導入工程を行い、半導体層のダングリングボンドを終端化させる。かかる水素導入工程は、半導体層１ａを形成した以降であれば、いずれのタイミングで行ってもよいが、本形態では、第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０として行う。従って、層間絶縁膜４１のフッ素含有量の低減と、半導体層１ａへの水素の導入とを同時に行うことができる。かかる第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０については、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理の何れを行ってもよいが、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理を利用すれば、不純物の拡散工程（活性化工程）を同時に行うことができるという利点がある。
【００８４】
なお、第１絶縁膜加熱工程ＳＴ１３ｓの後、半導体層形成工程ＳＴ１４の前に絶縁膜１２に水素の導入を行う水素導入工程を行ってもよい。かかる構成によれば、絶縁膜１２（第１絶縁膜）からポリシリコン膜からなる半導体層１ａに水素が供給されるので、半導体層１ａのダングリングボンドを終端化することができる。
【００８５】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、透過型の液晶装置に用いる素子基板に電界効果型トランジスターおよび絶縁膜を形成する例を説明したが、反射型の液晶装置に用いる素子基板に電界効果型トランジスターおよび絶縁膜を形成する際に本発明を適用してもよい。
【００８６】
上記実施の形態では、液晶装置用の素子基板に電界効果型トランジスターおよび絶縁膜を形成する例を説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置等、他の電気光学装置の素子基板に電界効果型トランジスターおよび絶縁膜を形成する際に本発明を適用してもよい。
【００８７】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図１２は、本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図１２（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００８８】
（投射型表示装置の第１例）
図１２（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００８９】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００９０】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２８及び偏光変換素子１２９が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２８は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２９は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００９１】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００９２】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００９３】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００９４】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００９５】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００９６】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００９７】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００９８】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００９９】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【０１００】
（投射型表示装置の第２例）
図１２（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【０１０１】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の液晶装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【０１０２】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の液晶装置１００に入射する。
【０１０３】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の液晶装置１００に入射する。
【０１０４】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の液晶装置１００に入射する。
【０１０５】
なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【０１０６】
このように構成した投射型表示装置１０００において、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶装置１００において変調される。その際、液晶装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光（Ｒ）を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光（Ｂ）を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）投射する。
【０１０７】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１０８】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１０９】
９ａ・・画素電極、１０・・素子基板（電気光学装置用基板／液晶装置用基板）、１０ａ・・画像表示領域、１２・・絶縁膜（第１絶縁膜）、２０・・対向基板、３０・・画素トランジスター（電界効果型トランジスター）、４１・・層間絶縁膜（第２絶縁膜）、５０・・液晶層、１００・・液晶装置（電気光学装置）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板に電界効果型トランジスターが形成された電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置に用いる半導体ウエーハーを用いる際、エピタキシャル層の信頼性等を向上させる目的で、フッ素を含むガスによって自然酸化膜を除去する前処理が行われるとともに、半導体ウエーハーに付着したフッ素を除去する工程も行われる。一方、液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置に用いる素子基板には、電界効果型トランジスターが形成されることから、半導体装置と同様、基板にフッ素が付着していることは好ましくない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３２６４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、電気光学装置の素子基板の基板本体として、フッ素を除去した半導体ウエーハー、ガラス基板、石英基板等、フッ素による汚染が発生しないはずの基板を用いた場合でも、フッ素に起因する電界効果型トランジスターの特性異常が発生することがある。例えば、電界効果型トランジスターがｎチャネル型である場合、オフ時には０Ｖの電圧を印加するが、かかるオフ時におけるリーク電流（オフリーク電流）が増大する。かかる特性異常の原因は、例えば、シリコン酸化膜等のシリコン化合物からなる絶縁膜を形成する成膜室をＣＦ4、ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のフッ素系ガスによってクリーニングした後、素子基板上に絶縁膜を形成すると、クリーニングの際に成膜室の壁面等に残っていた微量のフッ素が絶縁膜中に混入し、電界効果型トランジスターを構成する能動層に侵入することにある。従って、フッ素に起因する特性異常の発生を防止するには、クリーニング後、多大な手間と長い時間とをかけて成膜室からフッ素を完全にパージする必要があるため、生産性が著しく低下するという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、少なくとも、電気光学装置用素子基板の基板本体の一方面側にシリコン化合物からなる第１絶縁膜を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、前記第１絶縁膜のフッ素含有量を減少させる第１絶縁膜フッ素含有量低減工程と、前記第１絶縁膜フッ素含有量低減工程後の前記第１絶縁膜の表面側に電界効果型トランジスターの半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層の表面側にゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、前記ゲート絶縁層の表面側にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記ゲート電極の表面側にシリコン化合物からなる第２絶縁膜を成膜する第２絶縁膜成膜工程と、を有していることを特徴とする。
【０００７】
本発明では、シリコン化合物からなる第１絶縁膜を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、電界効果型トランジスターの半導体層を形成する半導体層形成工程の前に、前記第１絶縁膜のフッ素含有量を減少させる第１絶縁膜フッ素含有量低減工程を行う。このため、第１絶縁膜にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素含有量は、第１絶縁膜フッ素含有量低減工程により低減する。従って、半導体層には、下層側（基板本体が位置する側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層を用いて電界効果型トランジスターを形成した際、電界効果型トランジスターには、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しにくい。
【０００８】
本発明において、前記フッ素含有量低減工程は、前記第１絶縁膜に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程である構成を採用することができる。かかる構成によれば、第１絶縁膜にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第１絶縁膜水素導入工程で導入された水素（原子状水素／活性水素）と結合し、フッ化水素として第１絶縁膜から放出される。従って、半導体層には、下層側（基板本体が位置する側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層を用いて電界効果型トランジスターを形成した際、電界効果型トランジスターには、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しにくい。
【０００９】
本発明において、前記第１絶縁膜水素導入工程では、例えば、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行う。
【００１０】
本発明において、前記第２絶縁膜成膜工程の後、前記第２絶縁膜に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行うことが好ましい。かかる構成によれば、第２絶縁膜にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第２絶縁膜水素導入工程で導入された水素（原子状水素／活性水素）と結合し、フッ化水素として第２絶縁膜から放出される。従って、半導体層には、上層側（基板本体が位置する側とは反対側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層を用いて画素トランジスターを形成した際、画素トランジスターには、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しにくい。また、第２絶縁膜水素導入工程で導入された水素は、半導体層のダングリングボンドを終端化するという効果も奏する。
【００１１】
この場合、前記第２絶縁膜水素導入工程では、例えば、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行う。
【００１２】
本発明では、前記第１絶縁膜水素導入工程および前記第２絶縁膜水素導入工程において、少なくとも、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理より水素の導入を行う場合、前記第２絶縁膜水素導入工程における前記加熱処理の温度は、前記第１絶縁膜水素導入工程における前記加熱処理の温度より低いことが好ましい。かかる構成によれば、第１絶縁膜水素導入工程を行った後、第２絶縁膜水素導入工程を行う前に、アルミニウム膜等の融点の低い金属膜により配線や電極を形成した後でも、第２絶縁膜水素導入工程として水素ガス含有雰囲気中での加熱処理を実施することができる。
【００１３】
本発明において、前記第１絶縁膜フッ素含有量低減工程は、前記第１絶縁膜に対する加熱処理であってもよい。かかる構成によれば、第１絶縁膜にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、加熱により第１絶縁膜から放出される。従って、半導体層には、下層側（基板本体が位置する側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層を用いて電界効果型トランジスターを形成した際、電界効果型トランジスターには、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しにくい。
【００１４】
本発明において、前記半導体層形成工程の後、前記半導体層に水素の導入を行う水素導入工程を行うことが好ましい。かかる構成によれば、半導体層のダングリングボンドを終端化させることができる。
【００１５】
この場合、前記水素導入工程は、前記第２絶縁膜成膜工程の後、前記第２絶縁膜に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程として行うことが好ましい。かかる前記第２絶縁膜水素導入工程では、例えば、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行う。かかる構成によれば、第２絶縁膜にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第２絶縁膜水素導入工程で導入された水素（原子状水素／活性水素）と結合し、フッ化水素として第２絶縁膜から放出される。従って、半導体層には、上層側（基板本体が位置する側とは反対側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層を用いて画素トランジスターを形成した際、画素トランジスターには、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しにくい。また、第２絶縁膜におけるフッ素含有量の低減と、半導体層のダングリングボンドの終端化とを同時に行うことができる。
【００１６】
本発明によれば、前記第１絶縁膜成膜工程は、フッ素含有ガスでクリーニングが行われる成膜室で実施される構成を採用することができる。
【００１７】
本発明において、前記シリコン化合物は、シリコン酸化物（ドープトシリケートガラスも含む。）である。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、液晶装置の製造方法として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の製造工程の要部を示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の製造工程の要部を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態５に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態６に係る液晶装置の製造工程の要部を示す説明図である。
【図１２】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下に説明する形態では、各種の電気光学装置の製造方法のうち、液晶装置に本発明を適用した場合を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００２１】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であるため、容量線等が延在している方向等、レイアウトについては模式的に示してある。
【００２２】
図１において、本形態の液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線８ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線８ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２３】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線８ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線８ａに順次供給する。
【００２４】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨る容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線６ｔに導通している。
【００２５】
（液晶パネル１００ｐの構成）
図２は、本発明を適用した液晶装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２６】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。
【００２７】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画像表示領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０において、画像表示領域１０ａの外側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２８】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、一方面１０ｓ側の画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２９】
また、素子基板１０の一方面１０ｓ側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図２（ｂ）参照）が形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００３０】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、額縁部分２９ａは、見切りとして機能する。ここで、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆと重なる領域等にブラックマトリクス部分２９ｂとしても形成されている。
【００３１】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面側（素子基板１０と対向する面側）の角部分に、基板間導通用電極２５ｔが形成されており、素子基板１０の一方面側（対向基板２０と対向する面側）には、対向基板２０の角部分（基板間導通用電極２５ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極８ｔが形成されている。基板間導通用電極８ｔは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線６ｔに導通しており、共通電位線６ｔは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極８ｔと基板間導通用電極２５ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極８ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５ｔを介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。
【００３２】
シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極８ｔ、２５ｔを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３３】
かかる構成の液晶装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３４】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３５】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３６】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明を適用した液晶装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、素子基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、各領域を以下の線
走査線８ａ＝太い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝一点鎖線
容量線５ｂ＝二点鎖線
ドレイン電極（容量電極層）４ａ＝細い実線
画素電極９ａ＝太くて短い破線
ゲート電極３ａ＝細くて長い破線
で表してある。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた縦横の画素間領域１０ｆと重なる領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線８ａが形成されている。より具体的には、画素間領域１０ｆのうち、第１方向Ｙに延在する第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って走査線８ａが延在し、第１方向Ｙと交差する第２方向Ｘに沿って延在する第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿ってデータ線６ａが延在している。データ線６ａおよび走査線８ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線８ａとが交差する領域に対応して、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０が形成されている。また、素子基板１０上には、走査線８ａと重なるように、図１を参照して説明した容量線５ｂ（容量電極層）が形成されている。
【００３８】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されており、対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３９】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる走査線８ａが形成されている。本形態において、走査線８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光性導電膜から構成されており、画素トランジスター３０に対する遮光膜としても機能している。本形態において、走査線８ａは、厚さが２００ｎｍ程度のタングステンシリサイドからなる。なお、基板本体１０ｗと走査線８ａとの間には、シリコン酸化膜等の絶縁膜が設けられることもある。
【００４０】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、走査線８ａの上層側には、シリコン化合物からなる絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、ＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート／テトラエトキシシラン）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により形成される。絶縁膜１２の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度である。本形態において、絶縁膜１２は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜１２１と、テトラエトキシシランを用いた減圧ＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜１２２との２層構造を有している。また、絶縁膜１２は、高密度プラズマ源を利用した高密度プラズマＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜１２１と、テトラエトキシシランを用いた減圧ＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜１２２との２層構造を有している場合もある。
【００４１】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ａとを備えている。また、画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ａとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ａに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域１ｂ1、１ｃ1を備え、低濃度領域１ｂ1、１ｃ1に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域１ｂ2、１ｃ2を備えている。
【００４２】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなり、半導体層１ａの両側において、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａを介して走査線８ａに導通している。本形態において、ゲート電極３ａは、膜厚が１００ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜３ａ1と、膜厚が１００ｎｍ程度のタングステンシリサイド膜３ａ2との２層構造を有している。
【００４３】
なお、半導体層１ａを長辺方向が走査線８ａの延在方向に向くように形成する一方、ゲート電極３ａを長辺方向がデータ線６ａの延在方向に向くように形成してもよい。また、本形態では、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に、走査線８ａを遮光膜により形成してある。但し、走査線をゲート絶縁層２の上層に形成し、その一部をゲート電極３ａとしてもよい。この場合、図３に示す走査線８ａは、遮光のみを目的として形成されることになる。
【００４４】
ゲート電極３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成されており、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。層間絶縁膜４１は、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜からなり、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により形成される。本形態において、層間絶縁膜４１は、高密度プラズマ源を利用した高密度プラズマＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜４１１と、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜４１２との２層構造を有している。なお、層間絶縁膜４１は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜のみからなる場合もある。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａは、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４５】
ドレイン電極４ａの上層側には透光性の誘電体層４２が形成されており、かかる誘電体層４２の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４２としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜と、膜厚が２００ｎｍ程度のＡｌ膜と、膜厚が１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４２を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４６】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４３が形成されており、かかる層間絶縁膜４３の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４３は、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜からなり、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により形成される。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜、膜厚が３５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜をこの順に積層してなる４層構造を有している。データ線６ａは、層間絶縁膜４３、誘電体層４２、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４３および誘電体層４２を貫通するコンタクトホール７ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４７】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜からなり、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により形成される。本形態において、層間絶縁膜４４は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜と、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のドープトシリケートガラス膜との２層構造からなる。画素電極９ａは、中継電極６ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール７ｄを介して中継電極６ｂに導通している。層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっており、かかる平坦面上に画素電極９ａが形成されている。
【００４８】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。配向膜１６と画素電極９ａとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の透光性の保護膜１７が形成され、かかる保護膜１７によって、画素電極９ａの間に形成された凹部が埋められている。かかる構成によれば、配向膜１６を平坦面に形成することができる。
【００４９】
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、遮光層２９、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。なお、配向膜２６と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜を形成することもある。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（液晶装置１００の製造方法）
図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。図５および図６は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す工程断面図である。なお、以下に説明する工程は、素子基板１０を多数取りできる大型基板の状態で行われるが、以下の説明では、サイズにかかわらず、素子基板１０として説明する。また、以下の説明では、画素トランジスター３０をｎチャネル型の電界効果型トランジスターとして形成する場合を例示する。
【００５２】
本形態の液晶装置１００の製造工程のうち、素子基板１０を形成する工程では、図４、図５および図６に示す各工程を行う。より具体的には、まず、図５（ａ）に示す走査線形成工程ＳＴ１１において、基板本体１０ｗの一方面側に走査線８ａを形成する。
【００５３】
次に、図５（ｂ）に示す第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２では、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により、シリコン酸化膜１２１およびシリコン酸化膜１２２を順次成膜し、シリコン酸化膜１２１、１２２からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を形成する。
【００５４】
絶縁膜１２（第１絶縁膜）の成膜は、枚葉式の成膜室で行われる。かかる成膜室は、ＣＦ4、ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のフッ素系ガスによって定期的にクリーニングされ、その後、成膜室からフッ素を完全にパージした後、成膜が行われる。但し、成膜室の壁面等にフッ素が残留している可能性があり、その場合、絶縁膜１２にフッ素が侵入することになる。
【００５５】
そこで、本形態では、絶縁膜１２（第１絶縁膜）のフッ素含有量を減少させる第１絶縁膜フッ素含有量低減工程を行う。本形態では、第１絶縁膜フッ素含有量低減工程として、図５（ｃ）に示す第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３において、絶縁膜１２（第１絶縁膜）に水素を導入する。かかる水素の導入は、例えば、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により行う。本形態では、水素ガスと窒素ガスとの混合ガス、あるいは水素ガスと窒素ガスと他のガスとの混合ガス等を加熱室に流し、水素含有ガス中で温度が３００℃から１１００℃の条件、好ましくは、１０００℃から１１００℃の条件で素子基板１０を加熱する。その結果、絶縁膜１２にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３で導入された水素（原子状水素／活性水素）と結合し、フッ化水素として絶縁膜１２から放出される。なお、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理は減圧雰囲気中で行ってもよく、この場合、上記のガスの他、水素ガス単独雰囲気中で加熱処理を行ってもよい。
【００５６】
次に、図５（ｄ）に示す半導体層形成工程ＳＴ１４では、絶縁膜１２の表面側に島状のポリシリコン膜からなる半導体層１ａを形成する。かかる半導体層１ａを形成するにあたっては、まず、絶縁膜１２の表面に約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）によって、約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さのアモルファスシリコン膜を成膜する。次に、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは４〜６時間の熱処理を施すことにより、ポリシリコン膜を固相成長させる。固相成長させる方法としては、ＲＴＡを使ったアニール処理でもよいし、エキシマレーザ等を用いたレーザーアニールでもよい。その後、フォトリソグラフィー工程およびエッチング工程によりポリシリコン膜をパターニングして島状の半導体層１ａを形成する。
【００５７】
次に、図５（ｅ）に示すゲート絶縁層形成工程ＳＴ１５では半導体層１ａの表面側に、厚さが約２０〜１５０ｎｍ、好ましくは約３０〜１００ｎｍのゲート絶縁層２を形成する。本形態では、半導体層１ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化して第１ゲート絶縁層２ａを形成した後、減圧ＣＶＤ法等により高温シリコン酸化膜（ＨＴＯ膜）からなる第２ゲート絶緑層２ｂを形成する。
【００５８】
次に、図５（ｆ）に示すように、コンタクトホール形成工程ＳＴ１６において、反応性イオンエッチングや反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａを形成した後、ゲート電極形成工程ＳＴ１７において、ゲート電極３ａを形成する。本形態では、ドープドシリコン膜およびタングステンシリサイド膜を順次成膜した後、パターニングし、ポリシリコン膜３ａ1とタングステンシリサイド膜３ａ2との２層構造を有するゲート電極３ａを形成する。なお、ゲート電極３ａを形成する前に、半導体層１ａのチャネル領域に対して、イオン注入等により不純物を注入するチャネルドープを行うこともある。
【００５９】
次に、図６（ａ）に示す不純物導入工程ＳＴ１８を行う。かかる不純物導入工程ＳＴ１８においては、半導体層１ａのうち、ゲート電極３ａと重なるチャネル予定領域（図３（ｂ）に示すチャネル領域１ｇの形成予定領域）に隣接する第１領域１ｄ1、１ｅ1（図３（ｂ）に示すソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃの形成予定領域）にリンイオン等のｎ型の不純物を少ないドーズ量で導入する（低濃度不純物導入工程）。その際の不純物のドーズ量は、例えば１×１０13／ｃｍ2である。かかる不純物導入工程においては、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を導入する。従って、第１領域１ｄ1、１ｅ1は、ゲート電極３ａに対して自己整合的に設定される。なお、不純物が導入されなかった領域がチャネル領域１ｇとなる。次に、ゲート電極３ａを広めに覆うマスク９０を形成し、この状態で、半導体層１ａのうち、チャネル予定領域から離間した第２領域１ｄ2、１ｅ2に対してリンイオン等のｎ型の不純物を多いドーズ量で導入する（高濃度不純物導入工程）。その際の不純物のドーズ量は、例えば１×１０15／ｃｍ2である。なお、低濃度不純物導入工程と高濃度不純物導入工程の順序は逆であってもよい。また、不純物を導入した後、イオン注入によって発生した半導体層１ａおよびゲート絶縁層２の結晶欠陥を修復させるために低温アニールを実施することもある。かかる低温アニールは、例えば、温度が６５０〜９５０℃でアニール時間が約３０〜９０分程度であり、不純物の拡散には不十分な温度であるが、半導体層１ａの格子欠陥の修復等には十分な条件である。
【００６０】
次に、図６（ｂ）に示す第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９では、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ等により、シリコン酸化膜４１１およびシリコン酸化膜４１２を順次成膜し、シリコン酸化膜４１１、４１２からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する。
【００６１】
層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）の成膜は、枚葉式の成膜室で行われる。かかる成膜室は、ＣＦ4、ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のフッ素系ガスによって定期的にクリーニングされ、その後、成膜室からフッ素を完全にパージした後、成膜が行われる。但し、成膜室の壁面等にフッ素が残留している可能性があり、その場合、層間絶縁膜４１にフッ素が侵入することになる。
【００６２】
そこで、本形態では、図６（ｃ）に示す第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において、層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）に水素を導入する。かかる水素の導入は、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により行う。本形態では、水素ガスと窒素ガスとの混合ガス、あるいは水素ガスと窒素ガスと他のガスとの混合ガス等を加熱室に流し、水素含有ガス中で、温度が３００℃から１１００℃の条件、好ましくは、１０００℃から１１００℃の条件で素子基板１０を加熱する。その結果、層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０で導入された水素（原子状水素／活性水素）と結合し、フッ化水素として層間絶縁膜４１から放出される。なお、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理は、減圧雰囲気中で行ってもよく、この場合、上記のガスの他、水素ガス単独雰囲気中で加熱処理を行ってもよい。
【００６３】
次に、図６（ｄ）に示す不純物拡散工程（活性化工程）ＳＴ２１では、半導体層１ａを加熱して不純物を半導体層１ａ内で拡散させる。その際、温度が９５０〜１１００℃、例えば１０００℃程度の高温で、５〜３０分程度加熱する。その結果、第１不純物導入工程で不純物が導入された領域（第１領域１ｄ1、１ｅ1）のうち、第２不純物導入工程で不純物が導入されなかった領域がソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃの低濃度領域１ｂ1、１ｃ1となる。また、第２不純物導入工程で不純物が導入された領域（第２領域１ｄ2、１ｅ2）がソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃの高濃度領域１ｂ2、１ｃ2となる。このようにしてｎチャネル型の電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０が形成される。また、アニール処理によって、層間絶縁膜４１の膜質を向上させることもできる。
【００６４】
なお、上記の工程によって、図１等に示すデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の電界効果型トランジスターからなる駆動回路用トランジスターが形成される。なお、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４のｐチャネル型の電界効果型トランジスター（駆動回路用トランジスター）も同様な方法により形成することができる。しかる後には、ドレイン電極４ａ等の形成工程ＳＴ２２において、周知の方法で、ドレイン電極４ａ、データ線６ａ、画素電極９ａ等を順次形成していく。
【００６５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３を行う。このため、絶縁膜１２にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３で導入された水素と結合し、フッ化水素として絶縁膜１２から放出される。従って、半導体層１ａには、下層側（基板本体１０ｗが位置する側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層１ａを用いて画素トランジスター３０を形成した際、画素トランジスター３０には、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しない。
【００６６】
また、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行う。このため、層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０で導入された水素と結合し、フッ化水素として層間絶縁膜４１から放出される。従って、半導体層１ａには、上層側（基板本体１０ｗが位置する側とは反対側）からフッ素が侵入しないので、かかる半導体層１ａを用いて画素トランジスター３０を形成した際、画素トランジスター３０には、フッ素に起因するオフリーク電流の増大等の不具合が発生しない。
【００６７】
また、本形態では、第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２において、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）に水素を導入する。このため、絶縁膜１２（第１絶縁膜）からポリシリコン膜からなる半導体層１ａに水素が供給されるので、半導体層１ａのダングリングボンドを終端化することができる。また、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）に水素を導入する。このため、層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）からポリシリコン膜からなる半導体層１ａに水素が供給されるので、半導体層１ａのダングリングボンドを終端化することができる。それ故、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０のオフ時のリーク電流を低減することができるという効果も奏する。
【００６８】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【００６９】
図７に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３（第１絶縁膜水素含有量低減工程）を行う。また、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行う。かかる第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において、水素含有ガス中で温度が１０００℃から１１００℃の条件で素子基板１０を加熱した場合、半導体層１ａに導入した不純物が半導体層１ａ内で拡散する。従って、本形態では、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を５〜３０分程度行い、不純物を拡散させる。このため、本形態では、不純物拡散工程を独立した工程として行わず、第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、ドレイン電極４ａ等を形成する工程ＳＴ２２を行う。それ故、本形態によれば、実施の形態１に比して工程数を減らすことができる。
【００７０】
［実施の形態３］
図８は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【００７１】
図８に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３（第１絶縁膜水素含有量低減工程）を行う。また、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行う。
【００７２】
かかる第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３および第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０として、実施の形態１、２では、水素含有ガス中での加熱処理を行ったが、本形態では、常圧条件下あるいは減圧条件下で水素プラズマ照射処理を行う。かかる処理によっても、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１に混入していたフッ素をフッ化水素として、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１から放出することができる。
【００７３】
［実施の形態４］
図９は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【００７４】
図９に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３（第１絶縁膜水素含有量低減工程）を行う。また、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行う。
【００７５】
かかる第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３および第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０として、実施の形態１、２、３では、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの一方の処理を行ったが、本形態のように、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理の双方を行ってもよい。
【００７６】
［実施の形態５］
図１０は、本発明の実施の形態５に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【００７７】
図１０に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３（第１絶縁膜水素含有量低減工程）を行う。また、本形態では、シリコン酸化膜（シリコン化合物）からなる層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）を形成する第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行う。また、本形態では、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３および第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において、少なくとも、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理を行う。
【００７８】
本形態では、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０における処理温度は、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３における処理温度より低い。より具体的には、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３における処理温度は、１０００℃から１１００℃であるのに対して、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０における処理温度は、３００℃から３５０℃である。従って、本形態によれば、ドレイン電極４ａ等の形成にアルミニウム膜等の比較的融点が低い金属膜を用いた場合でも、ドレイン電極４ａを形成するドレイン電極形成工程ＳＴ２６を行った後、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を実施することができる。本形態では、ドレイン電極形成工程ＳＴ２６および誘電体層形成工程ＳＴ２７を実施した後、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を実施し、その後、容量線５ｂ等を形成する工程ＳＴ２８を実施する。なお、ドレイン電極４ａを形成した後は、半導体層１ａがドレイン電極４ａで覆われることになるが、その場合でも、層間絶縁膜４１は広い面積で露出しているので、十分な量の水素を導入することができる。
【００７９】
なお、実施の形態２のように、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３および第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において、水素プラズマ照射処理を行い、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理を行わない場合には、処理温度が低いので、本形態のように、ドレイン電極４ａ等の形成にアルミニウム膜等の比較的融点が低い金属膜を用いてドレイン電極４ａを形成した後、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を実施してもよい。
【００８０】
［実施の形態１〜５の変形例］
上記実施の形態１〜５では、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３および第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において同種の処理を採用したが、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３と第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０において異なる方法で水素の導入を行ってもよい。例えば、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３では、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理を行い、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０では、水素プラズマ照射処理を行ってもよい。また、第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３のみを行い、第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０を行わない製造方法を採用してもよい。
【００８１】
［実施の形態６］
図１１は、本発明の実施の形態６に係る液晶装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【００８２】
上記実施の形態１〜５では、第１絶縁膜フッ素含有量低減工程として第１絶縁膜水素導入工程ＳＴ１３を行ったが、図１１に示すように、本形態では、第１絶縁膜フッ素含有量低減工程として第１絶縁膜加熱工程ＳＴ１３ｓを行う。従って、本形態では、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１２（第１絶縁膜）を成膜する第１絶縁膜成膜工程ＳＴ１２の後、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程ＳＴ１４を行う前に、絶縁膜１２を１０００℃〜１１００の温度で加熱して絶縁膜１２（第１絶縁膜）のフッ素含有量を低減する第１絶縁膜加熱工程ＳＴ１３ｓ（第１絶縁膜水素含有量低減工程）を行う。かかる第１絶縁膜加熱工程ＳＴ１３ｓは、窒素ガス等の不活性雰囲気中であれば常圧で行ってもよいが、減圧雰囲気で行うことが好ましい。なお、第１絶縁膜加熱工程ＳＴ１３ｓは酸素を含有する雰囲気中で行ってもよい。いずれの場合も、絶縁膜１２からフッ素が放出される。
【００８３】
かかる構成の場合、実施の形態１〜５と違って、半導体層１ａのダングリングボンドを水素によって終端化することができない。そこで、本形態では、半導体層形成工程ＳＴ１４の後、半導体層１ａに水素の導入を行う水素導入工程を行い、半導体層のダングリングボンドを終端化させる。かかる水素導入工程は、半導体層１ａを形成した以降であれば、いずれのタイミングで行ってもよいが、本形態では、第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１９の後、層間絶縁膜４１（第２絶縁膜）に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０として行う。従って、層間絶縁膜４１のフッ素含有量の低減と、半導体層１ａへの水素の導入とを同時に行うことができる。かかる第２絶縁膜水素導入工程ＳＴ２０については、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理の何れを行ってもよいが、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理を利用すれば、不純物の拡散工程（活性化工程）を同時に行うことができるという利点がある。
【００８４】
なお、第１絶縁膜加熱工程ＳＴ１３ｓの後、半導体層形成工程ＳＴ１４の前に絶縁膜１２に水素の導入を行う水素導入工程を行ってもよい。かかる構成によれば、絶縁膜１２（第１絶縁膜）からポリシリコン膜からなる半導体層１ａに水素が供給されるので、半導体層１ａのダングリングボンドを終端化することができる。
【００８５】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、透過型の液晶装置に用いる素子基板に電界効果型トランジスターおよび絶縁膜を形成する例を説明したが、反射型の液晶装置に用いる素子基板に電界効果型トランジスターおよび絶縁膜を形成する際に本発明を適用してもよい。
【００８６】
上記実施の形態では、液晶装置用の素子基板に電界効果型トランジスターおよび絶縁膜を形成する例を説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置等、他の電気光学装置の素子基板に電界効果型トランジスターおよび絶縁膜を形成する際に本発明を適用してもよい。
【００８７】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図１２は、本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図１２（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００８８】
（投射型表示装置の第１例）
図１２（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００８９】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００９０】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２８及び偏光変換素子１２９が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２８は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２９は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００９１】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００９２】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００９３】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００９４】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００９５】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００９６】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００９７】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００９８】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００９９】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【０１００】
（投射型表示装置の第２例）
図１２（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【０１０１】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の液晶装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【０１０２】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の液晶装置１００に入射する。
【０１０３】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の液晶装置１００に入射する。
【０１０４】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の液晶装置１００に入射する。
【０１０５】
なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【０１０６】
このように構成した投射型表示装置１０００において、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶装置１００において変調される。その際、液晶装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光（Ｒ）を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光（Ｂ）を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）投射する。
【０１０７】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１０８】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１０９】
９ａ・・画素電極、１０・・素子基板（電気光学装置用基板／液晶装置用基板）、１０ａ・・画像表示領域、１２・・絶縁膜（第１絶縁膜）、２０・・対向基板、３０・・画素トランジスター（電界効果型トランジスター）、４１・・層間絶縁膜（第２絶縁膜）、５０・・液晶層、１００・・液晶装置（電気光学装置）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
電気光学装置用素子基板の基板本体の一方面側にシリコン化合物からなる第１絶縁膜を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、
前記第１絶縁膜のフッ素含有量を減少させる第１絶縁膜フッ素含有量低減工程と、
前記第１絶縁膜フッ素含有量低減工程後の前記第１絶縁膜の表面側に電界効果型トランジスターの半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層の表面側にゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、
前記ゲート絶縁層の表面側にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
前記ゲート電極の表面側にシリコン化合物からなる第２絶縁膜を成膜する第２絶縁膜成膜工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記フッ素含有量低減工程は、前記第１絶縁膜に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１絶縁膜水素導入工程では、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行うことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２絶縁膜成膜工程の後、前記第２絶縁膜に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行うことを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２絶縁膜水素導入工程では、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行うことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１絶縁膜水素導入工程および前記第２絶縁膜水素導入工程では、少なくとも、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理より水素の導入を行い、
前記第２絶縁膜水素導入工程における前記加熱処理の温度は、前記第１絶縁膜水素導入工程における前記加熱処理の温度より低いことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁膜フッ素含有量低減工程は、前記第１絶縁膜に対する加熱処理であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体層形成工程の後、前記半導体層に水素の導入を行う水素導入工程を行うことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記水素導入工程は、前記第２絶縁膜成膜工程の後、前記第２絶縁膜に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程として行うことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２絶縁膜水素導入工程では、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行うことを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１絶縁膜成膜工程は、フッ素含有ガスでクリーニングが行われる成膜室で実施されることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記シリコン化合物は、シリコン酸化物であることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記電気光学装置は、液晶装置であることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
少なくとも、
電気光学装置用素子基板の基板本体の一方面側にシリコン化合物からなる第１絶縁膜を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、
前記第１絶縁膜のフッ素含有量を減少させる第１絶縁膜フッ素含有量低減工程と、
前記第１絶縁膜フッ素含有量低減工程後の前記第１絶縁膜の表面側に電界効果型トランジスターの半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層の表面側にゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、
前記ゲート絶縁層の表面側にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
前記ゲート電極の表面側にシリコン化合物からなる第２絶縁膜を成膜する第２絶縁膜成膜工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記フッ素含有量低減工程は、前記第１絶縁膜に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１絶縁膜水素導入工程では、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行うことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２絶縁膜成膜工程の後、前記第２絶縁膜に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行うことを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２絶縁膜水素導入工程では、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行うことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１絶縁膜水素導入工程および前記第２絶縁膜水素導入工程では、少なくとも、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理より水素の導入を行い、
前記第２絶縁膜水素導入工程における前記加熱処理の温度は、前記第１絶縁膜水素導入工程における前記加熱処理の温度より低いことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁膜フッ素含有量低減工程は、前記第１絶縁膜に対する加熱処理であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体層形成工程の後、前記半導体層に水素の導入を行う水素導入工程を行うことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記水素導入工程は、前記第２絶縁膜成膜工程の後、前記第２絶縁膜に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程として行うことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２絶縁膜水素導入工程では、水素ガス含有雰囲気中での加熱処理および水素プラズマの照射処理のうちの少なくとも一方の処理により水素の導入を行うことを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１絶縁膜成膜工程は、フッ素含有ガスでクリーニングが行われる成膜室で実施されることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記シリコン化合物は、シリコン酸化物であることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記電気光学装置は、液晶装置であることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−２０９４３８（Ｐ２０１２−２０９４３８Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７４３７３（Ｐ２０１１−７４３７３）
【出願日】平成２３年３月３０日（２０１１．３．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２５日（２０１２．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月３０日（２０１１．３．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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