【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを備えたレジストマスク１７を層間絶縁膜４２の表面に形成した後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。次に、第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の反りを抑制し、且つ、その反りの経時変化を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に形成された多層配線層と、を有し、多層配線層は、配線と、配線を覆う層間絶縁膜と、をそれぞれ有する複数層の配線層を有する。少なくとも何れか１つの層間絶縁膜（例えば、層間絶縁膜２７、３０）は、第１絶縁膜４１と第２絶縁膜４２とを有する。第１絶縁膜４１は、基板を第１方向（例えば下に凸）に反らせる応力を基板に与える。第２絶縁膜４２は、第１絶縁膜４１よりも表層側に形成され、第１絶縁膜４１よりも吸湿性が低く、基板を第１方向に対する反対方向（例えば上に凸）に反らせる応力を基板に与える。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件の見直しを最小限に抑制しつつ電気的特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体構造１１の上面領域に形成された島状の絶縁膜２０と、絶縁膜２０の上面領域に配列された複数の凸状絶縁部２３と、これら凸状絶縁部２３と絶縁膜２０とを被覆する層間絶縁膜２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】電気的接続信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ３は、第１主面３０Ａと第２主面３０Ｂとの間を貫通する貫通孔３０Ｘを有する半導体基板３０と、半導体基板３０の第２主面３０Ｂを覆うように形成され、貫通孔３０Ｘと対向する位置に開口部３１Ｘが形成された絶縁層３１と、絶縁膜３３によって覆われた貫通孔３０Ｘ及び開口部３１Ｘに形成された貫通電極３２とを有する。絶縁層３１から露出される貫通電極３２の上端面は、当該半導体チップ３に他の半導体チップ４が積層される際のパッドになる。また、貫通電極３２の上端面は、絶縁層３１の半導体基板３０と接する面と反対側の面と面一になるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属膜の防食性が良好であり、エッチングレートおよび選択比が高く、効率的にエッチングを行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】被処理基板上に形成されたシリコンを含む膜のエッチングを行う際に用いられるエッチング液組成物であって、エッチング液組成物は、含ヒドロキシ基有機化合物、含カルボニル基有機化合物、無機酸、および無機酸塩からなる群から選択される少なくとも一つと、フッ化水素酸と、フッ化アンモニウムと、有機酸とを含む。 （もっと読む）

【課題】裏面コンタクト構造体及びその構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】表面及び対向する裏面を有する基板１００の表面上に第１誘電体層１０５を形成することと、第１誘電体層を貫通して前記基板の表面にまで延びる導電性の第１スタッド・コンタクト１４０Ｂを第１誘電体層内に形成することと、基板の裏面から基板を薄くして基板の新しい裏面を形成することと、基板の新しい裏面から前記第１誘電体層まで延びるトレンチ１６５を基板内に形成して第１スタッド・コンタクトの底面をトレンチ内に露出させることと、基板の新しい裏面、トレンチの側壁、第１誘電体層の露出面、及び第１スタッド・コンタクトの露出面の上に、トレンチを完全に充填するのに十分には厚くない共形導電層１７０、１７５を形成することと、を含む前記方法。 （もっと読む）

【課題】裏面照射（BSI）型イメージセンサチップのパッド構造を提供する。
【解決手段】前面及び背面を含む半導体基板、前記半導体基板の前記前面に配置される低k誘電体層、前記低k誘電体層に配置される非低k誘電体層、前記非低k誘電体層に配置される金属パッド、前記半導体基板の背面から延伸し、前記半導体基板、前記低k誘電体層、及び低k誘電体層を貫通し、前記金属パッドの表面を露出する開口、及び前記開口の側壁及び底部上に形成され、前記開口の底部は、前記金属パッドの前記露出された表面を部分的に覆う保護層を含む集積回路構造。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体基板１のｎＭＩＳ形成領域１Ａにｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎを、半導体基板１のｐＭＩＳ形成領域１Ｂにｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐを、それぞれ形成してから、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐを覆うように引張応力の窒化シリコン膜５を形成し、ｎＭＩＳ形成領域１ＡおよびｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５に紫外線照射処理を施す。その後、ｎＭＩＳ形成領域１Ａの窒化シリコン膜５を覆いかつｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５を露出するマスク層６ａを形成してから、ｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５をプラズマ処理することで、ｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５の引張応力を緩和させる。 （もっと読む）

【課題】膜剥がれの要因となる有機材料を用いることなく、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性を向上できるパワーデバイスを提供する。
【解決手段】バリア層４(ＡlＧaＮ)４上に形成された酸化シリコン(ＳiＯ２)からなる層間絶縁膜１０と、層間絶縁膜１０のソース電極５上に形成され、基板平面に対して略垂直な第１の側壁Ｗ１を有する第１コンタクトホール部１０aと、第１コンタクトホール部１０aの第１の側壁Ｗ１の上縁から上側に向かって徐々に広がるように層間絶縁膜１０に形成され、基板平面に対して傾斜した第２の側壁Ｗ２を有する第２コンタクトホール部１０bと、第１,第２コンタクトホール部１０a,１０b内および層間絶縁膜１０上に形成された配線層１２とを備える。上記配線層１２は、第１コンタクトホール部１０aにおいて第１の側壁Ｗ１の基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚い。 （もっと読む）

【課題】半導体部材同士が強固に接合された半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第２配線層９に接合させる第１配線層２を、第１層間絶縁膜３と、第１層間絶縁膜３内に埋め込まれ、一方の表面が第１層間絶縁膜３の表面と同一面上に位置した第１電極パッド４と、一方の表面が第１層間絶縁膜３の表面と同一面上に位置し、第１電極パッド４の周囲に配設された第１ダミー電極５と、によって構成する。また、第２配線層９は、第１層間絶縁膜３の第１電極パッド４の表面側に位置した第２層間絶縁膜６と、一方の表面が第２層間絶縁膜６の第１層間絶縁膜３側の表面と同一表面上に位置し、かつ第１電極パッド４に接合された第２電極パッド７と、一方の表面が第２層間絶縁膜６の第１層間絶縁膜側３の表面と同一面上に位置し、第２電極パッド７の周囲に配設され、第１ダミー電極５に接合された第２ダミー電極８と、により構成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００を製造するにあたって、層間絶縁膜４５上にコンタクトホール４５ａの底部４５ｅおよび内壁４５ｆに重なるコンタクト用導電膜９０をＩＴＯ膜により形成した後、コンタクトホール４５ａの内部を埋める埋め込み膜４８をシリコン酸化膜により形成し、その後、埋め込み膜４８に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜９０を露出させる。また、コンタクトホール４５ａの内部には埋め込み膜４８を残す。その際、埋め込み膜４８とコンタクト用導電膜９０とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜４８を選択的に除去してコンタクト用導電膜９０を露出させる。 （もっと読む）

【課題】公知のプロセスよりも高速であり、充てんされたビアにボイド、凹み又はキーホールを残さず、製造の費用効果が高い、改善された方法を提供する。
【解決手段】第１の表面２１４及び対向する第２の表面２１６を有する基板２１２を設け、基板の第１の表面に部分的にのみ前記基板の中に広がる少なくとも１つのブラインドビア２１８を形成する。酸化材料によって前記少なくとも１つのブラインドビアの表面をパッシベーションし、少なくとも一つのブラインドビアの酸化材料の表面に銅を含むシード材料２２８を、シード材料を前記少なくとも一つのブラインドビアの内部に閉じ込め、かつ、基板の前記第１の表面を露出させるように形成する。シード材料の上に導電性材料２３０を前記少なくとも一つのブラインドビアを充填するように無電解めっきし、少なくとも一つのブラインドビアの導電性材料を露出させるために基板の前記第２の表面に研磨平坦化を実施する。 （もっと読む）

【課題】チッピング検出用配線が他の部材で覆われている状態であっても、ダイシングによって電子部品を形成した後に、チッピング検出用配線の導通状態を検出するための電圧を印加できる基板を提供する。
【解決手段】電子部品４０は、互いに平行を成す一方の主面４１ａと他方の主面４１ｂが矩形状の基体４１を有する。基体４１の一方の主面４１ａには、第一チッピング検出用配線４２が配されている。また、基体４１の他方の主面４１ｂには、第二チッピング検出用配線４４が配されている。第一チッピング検出用配線４２は貫通配線４３ａを介して第二チッピング検出用配線４４に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。 （もっと読む）

【課題】デバイスの損傷を防ぎ、保護することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に配線層３が形成された第１の積層体１０と、第１の積層体１０の主面上にその主面を重ねて配設され、基板上１１に配線層１３が形成された第２の積層体２０と、第１の積層体１０または第２の積層体２０の少なくとも一方の基板上に形成された機能素子とによって構成された半導体装置１００に対して、第１の積層体１０及び第２の積層体２０の主面に垂直な方向から見て、機能素子２，１２の周囲に配設され、第１の積層体１０と第２の積層体２０の界面を貫通する貫通金属部材２９を設ける。また、この貫通金属部材２９は、第１の積層体１０と第２の積層体２０を接合した後に、第１の積層体１０と第２の積層体２０を貫通する貫通孔を設け、貫通孔内に金属を埋め込むことで形成できる。 （もっと読む）

【課題】高抵抗・高精度の抵抗素子からなる抵抗回路を提供する。
【解決手段】５００Å以下に薄膜化した薄膜材料からなる抵抗素子の上にシリコン窒化膜などの絶縁膜を形成する。この窒化膜により抵抗素子に対するコンタクトホールの突き抜けを防止する。 （もっと読む）