【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂膜を有するTFTアレイ基板の製造工程において、ブラシ洗浄の際に異物が有機平坦化膜表面にキズを生じさせることがある。このようにキズが生じた有機平坦化膜上に、画素電極となる透明電極膜を成膜した場合、キズ上の透明電極膜も断線してしまい、画素電極に信号が伝わらず表示不良を引き起こすことがある。
【解決手段】 有機平坦化膜を塗布する工程と、中間調露光を用いて有機平坦化膜に凹凸を形成する工程と、凹凸が形成された有機平坦化膜表面をロールブラシを用いて洗浄する工程と、洗浄工程後に、有機平坦化膜上に画素電極を構成する透明導電膜を成膜する工程とを備えた薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高開口率を得るために形成する層間絶縁膜のパターニング性、歩留まりを向上させ、生産性に優れた薄膜トランジスタアレイを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜２上には、ゲート電極１１に重なる位置に、ドレイン電極１６と、ソース電極１７と、を隔てて設けてあり、ドレイン電極１６には、画素電極１５を接続し、ソース電極１７には、ソース配線１８を接続してある。また、ゲート絶縁膜２上には、ドレイン電極１６及びソース電極１７の双方に重なるように、半導体層３を設けてある。ゲート絶縁膜２上には、画素電極１５の一部を露出させた状態で、ソース電極１７、ソース配線１８、ドレイン電極１６、画素電極１５、半導体層３を封止する一層目封止層４を設け、一層目封止層４上には、ソース電極１７及びソース配線１８に重なる位置に、二層目封止層５を設けてある。 （もっと読む）

【課題】表示動作に必要な構成を利用して製造情報を書き込むことができ、アクティブマトリクス基板のセットへの組み込み工程後であっても、既に書き込まれた製造情報を容易に読み込むことが可能なアクティブマトリクス基板を提案する。
【解決手段】表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板１は、データ信号を書き込む画素２０Ａを選択するための複数のゲート配線２１と、複数のゲート配線２１のそれぞれに接続された複数のゲート端子Ｇ１〜Ｇｍと、一端がゲート端子Ｇ３と接続された切断可能体１０１を有し、切断可能体１０１の両端間が導通状態であるか切断状態であるかを１ビットの情報として記憶するＲＯＭ回路１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まり及び表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】 第１絶縁基板上において、複数の画素に亘って形成した共通電極と、各画素に形成した画素電極と、を備えた第１基板を用意し、第２絶縁基板の外面に形成した第１導電層と、前記第２絶縁基板の内面に形成した誘電体薄膜と、を備えた第２基板を用意し、前記第２基板の前記誘電体薄膜上に配向膜材料を成膜し、前記配向膜材料に配向処理を施し、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化かつ薄型化された表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、一方の面に配線を有し、配線に対向する位置に他方の面への貫通孔を有する表示基板と、表示基板の他方の面側に設けられ、貫通孔を介して配線と電気的に接続された配線基板とを備えている。配線基板は折り曲げられることなく、平面状のまま配線に接続される。配線基板の曲げの距離（曲率半径）が不要となり、狭額縁化かつ薄型化がなされる。 （もっと読む）

【課題】低コストで高い画像品質を実現する。
【解決手段】液晶パネル２には、赤ＣＦＲ、緑ＣＦＧ、青ＣＦＢの色レジスト層と遮光層（ブラックマトリクス）５０とが積層されている。各サブピクセル４Ｓは、遮光層５０で区画されており、このサブピクセル４Ｓは、３行２列で１画素４Ｐｉｘを形成している。赤ＣＦＲ、緑ＣＦＧ、青ＣＦＢの各色レジストは、サブピクセル４Ｓの行毎に塗り分けられており、個々の色レジストは、Ｘ軸方向にストライプ状の形状となっている。各サブピクセル４Ｓの列に設けられる３本のデータ線Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３は、１本が遮光層５０の下に配置され、それ以外の２本は遮光層５０の開口部を斜めに分断するように等間隔に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を実現する方法を提供することを課題とする。また、異なる層に形成された配線間の寄生容量を低減する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 第１の基板上に形成された薄膜デバイスと第２の基板とを接着して固定した後、第１の基板を取り除いて薄膜デバイスに配線等を形成する。その後、第２の基板も取り除き、可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を形成する。また、第１の基板を取り除いた後、配線を活性層のゲート電極が形成されていない側に形成することにより、寄生容量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 光リーク電流を低減し、画質を向上させる。
【解決手段】 本開示に係る液晶表示装置は、複数の層間絶縁膜３１０が積層されており、複数の層間絶縁膜３１０のうち、信号線２２及びトランジスタが設けられた非開口領域２５と、信号線２２及びトランジスタが設けられていない開口領域２３とを有する駆動素子基板１２と、液晶１６を介して駆動素子基板１２と対向するように設けられた対向基板１１と、を備え、駆動素子基板１２は、非開口領域２５と開口領域との間であって層間絶縁膜３１０に設けられ、層間絶縁膜３１０と屈折率が異なる絶縁部３１１と、絶縁部３１１と、対向基板１１との間に設けられた遮光膜３０５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。 （もっと読む）

【課題】大面積化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素の薄膜トランジスタを作製する。その薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。また、ソース配線と薄膜トランジスタをつなぐ配線と、画素電極と薄膜トランジスタをつなぐ配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】素子基板の端子に検査端子が当接した際に発生した異物が素子基板の一方面に付着することを確実に防止することのできる電気光学装置の製造方法、および電気光学装置用素子基板検査装置を提供する。
【解決手段】素子基板検査装置３００において素子基板１０の検査を行う際、気流吐出装置３５０の吹き出し口３５１から素子基板１０の一方面１０ｓに向けて斜め方向から気流Ｓを吹き付けるとともに、気流Ｓの下流側において、吸引装置３６０の吸引口３６１で気流を吸い込みながら、検査端子３２０を素子基板１０の端子１０２に当接させて検査を行う。従って、検査端子３２０と端子１０２とが当接した際に異物Ｐが発生しても、かかる異物Ｐは気流Ｓによって素子基板１０および検査端子３２０から離脱して、吸引装置３６０の吸引口３６１に気流Ｓとともに吸い込まれる。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する電子部品のリードと周辺基板のリードとの未圧着部分の鮮明な画像を得、双方のリード間の位置ずれを正確に測定できるようにする。
【解決手段】表示基板の周囲に接続された可撓性を有する電子部品のリードおよび周辺基板のリードを、電子部品および周辺基板の面に対して実質的に垂直方向から撮影する撮像部１３と、この撮像部１３の光軸Ｌに対する入射角が所定角度以下の光を、電子部品および周辺基板のリードに照射する照明部１４と、撮像部１３で撮像された電子部品のリードと周辺基板のリードとの接続部分に対応する画像データから、接続部分における電子部品のリードと周辺基板のリードとの位置ずれを検出する位置ずれ検査部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜及びその作製方法を提供する。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】厚さが７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微結晶半導体膜であり、微結晶半導体膜の表面から一部が突出する結晶粒を有し、当該結晶粒は配向面を有し、且つ１３ｎｍ以上の大きさの結晶子を有する微結晶半導体膜である。また、微結晶半導体膜の膜密度が２．２５ｇ／ｃｍ^３以上２．３５ｇ／ｃｍ^３以下、好ましくは２．３０ｇ／ｃｍ^３以上２．３３ｇ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】表示パネルと電子部品又は電子部品搭載基板との接続箇所を検査する際に、撮影した画像でそれぞれの面の様子が良好に判るようにする。
【解決手段】被検査対象となる表示パネルと電子部品又は電子部品搭載基板との接続部を、撮影部で撮影する。その撮影時に、撮影部のレンズの光軸と同じ方向から同軸落射で照明光を投射すると共に、レンズの光軸と所定の角度を持った方向から照明光を投射する。そして、同軸落射方式で照明した状態で撮影を行い、その撮影画像から接続部の表示パネル側の状態を判別する。また、所定の角度を持った方向から照明した状態で撮影を行い、その撮影画像から接続部の電子部品又は電子部品搭載基板側の状態を判別する。同軸落射による照明光と、所定の角度を持った照明光は、色を変えて同時に照射して、撮影でカラー画像を得て、色分離された画像からそれぞれの状態を判別するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】オフ電流が小さく、好ましくはオン電流及び移動度も高く、工程が簡略化された半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】チャネルエッチ型の薄膜トランジスタの作製に際して、ゲート絶縁層上に少なくとも半導体層を形成し、半導体層上に導電膜を形成し、導電膜上にエッチングマスクを形成し、基板を反応室内に搬入し、導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極層を形成し、反応室内に半導体エッチング用のガスを導入し、反応室内で半導体エッチング用のガスでエッチングを行い、基板を反応室から搬出し、その後エッチングマスクを除去する。すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マス
ク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶に
かかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペ
ーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電
極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽
効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の側面からの酸素の脱離を防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）が十分に少なく、ソースとドレインの間のリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に対して第１の加熱処理を施した後に該酸化物半導体膜を加工して酸化物半導体層を形成し、その直後に該酸化物半導体層の側壁を絶縁性酸化物で覆い、第２の加熱処理を施すことで、酸化物半導体層の側面が真空に曝されることを防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥（酸素欠損）を少なくして半導体装置を作製する。酸化物半導体層の側壁はサイドウォール絶縁層により覆われている。なお、該半導体装置はＴＧＢＣ（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ Ｂｏｔｔｏｍ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明はＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関し、アレイ基板はベース基板と、ベース基板上に形成され画素領域を限定するゲートライン及びデータラインを含み、前記画素領域内には画素電極、薄膜トランジスタと共通電極が形成される。また、導電性薄膜材料により製造されるブラックマトリクスを含み、前記ブラックマトリクスは前記共通電極と接続される。 （もっと読む）