【課題】配線層間に絶縁物が堆積しない配線の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、第１絶縁体層１４と、第１絶縁体層１４上に間隔を空けて配置された複数の配線層１８ａ、１８ｂと、配線層１８ａ、１８ｂの側面上に形成された水素を吸蔵及び放出する水素吸蔵層１９ｂ、１９ｃ、１９ｄ、１９ｅと、複数の配線層１８ａ、１８ｂ上に、配線層間の溝２０ｂ上を跨ぐように形成された第２絶縁体層２３と、を備えた配線を備える。 （もっと読む）

【課題】基体上に成膜特性（反射率、及び密着性）に優れた膜状のアルミニウム体を形成することができるアルミニウム体を備えた基体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、プラズマ処理された基体上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体及び有機溶媒を含有するアルミニウム体形成用組成物を塗布して、上記基体上に上記組成物からなる塗布層を形成させる塗布工程と、上記塗布層に加熱および光照射の少なくともいずれか一方を行うことにより、膜状のアルミニウム体を形成させるアルミニウム膜形成工程と、を含むアルミニウム体を備えた基体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。 （もっと読む）

【課題】配線加工時のエッチングレートの極端な上昇を抑え、プロセスを安定化させる。
【解決手段】炭化珪素基板１上に形成された炭化珪素層２０の上に、ソース電極８、ゲート電極９、層間絶縁膜１０、層間絶縁膜１０上に形成されたソース電極上部配線１１およびゲート電極上部配線１２とが形成され、ソース電極上部配線１１とゲート電極上部配線１２の下には、これらの上部配線を構成する金属が炭化珪素層２０に拡散することを抑制するためのバリアメタル１６が形成されている。層間絶縁膜１０には、炭化珪素層２０上に形成されたソース電極８およびゲート電極９に到達するようにコンタクトホール１３、１５が形成されており、バリアメタル１６はコンタクトホール内の電極と上部配線との界面、層間絶縁膜１０の側壁と上部配線との界面、および側壁の上端部近傍と上部配線との界面にのみ形成されている。 （もっと読む）

【課題】マンガン含有材料を利用して、低誘電率膜への銅の拡散を防止する。
【解決手段】成膜装置１００では、制御部７０の制御に基づき、処理容器１内を真空にして、ヒーター６によりウエハＷを加熱しつつ、シャワーヘッド１１のガス吐出孔１３ａ，１３ｂからウエハＷへ向けて低誘電率材料とマンガン含有材料とを含む成膜ガスを供給する。高周波電源２３からシャワーヘッド１１に高周波電力を供給することにより、成膜ガスを解離させ、処理容器１内に成膜ガスのプラズマを生成させる。このプラズマによって、ウエハＷの表面にＭｎを含有するＳｉＣＯＨ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】開口不良や形状の精度に優れたコンタクトホールを有する半導体素子の提供。
【解決手段】基板４と、基板４上に第１配線パターン２と、基板４の第１配線パターン２を有する側の面に層間絶縁膜６，８と、層間絶縁膜６，８上に第２配線パターンと、を有し、且つ層間絶縁膜６，８に第１配線パターン２および第２配線パターンを連結するためのコンタクトホールＣＨを備え、基板４の単位面積あたりにおいて第１配線パターン２が存在する比率（密度）が、より高い領域と、より低い領域とを有し、前記比率がより低い領域におけるコンタクトホールＣＨの開口面積が、より高い領域におけるコンタクトホールＣＨの開口面積よりも小さい半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極間を埋め込む膜に吸湿性の高い膜を用いた半導体装置において、金属配線の信頼性劣化を防ぐ。
【解決手段】半導体装置５０は、基板１上に形成された複数のゲート電極２と、複数のゲート電極２上を含む基板上を覆う第１の層間絶縁膜５と、第１の層間絶縁膜５上を覆う第２の層間絶縁膜６と、第１の層間絶縁膜５及び第２の層間絶縁膜６を貫通し、それぞれ基板１上の所定箇所又は複数のゲート電極２のいずれか一つに達する複数のコンタクトプラグ７と、第２の層間絶縁膜６上に形成され、コンタクトプラグ７に接続された金属配線９を含む配線形成層８とを備える。第１の層間絶縁膜５は、少なくとも一つのゲート電極２上方に第１の凹部５ａを有すると共に、複数のゲート電極２及び基板１に接する下部膜３と、第１の凹部５ａ以外の部分において下部膜３上に配置された上部膜４とを有し、第１の凹部５ａ内に、第２の層間絶縁膜６が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】電界メッキ法やＣＭＰ法を使わないことで製造コストを落として配線を形成する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上にマスクを形成する工程と、選択的にエッチングして絶縁膜に開口部を形成する工程と、マスク上および開口部に第１導電膜を形成する工程と、液滴吐出法により開口部の第１導電膜上に導電材料を含む液滴を滴下する工程と、レーザー光を選択的に照射して導電材料を加熱して第２導電層を形成する工程と、マスク上および第２導電層上に第３導電膜を形成する工程と、マスクを除去すると同時にマスク上に形成された第１導電膜および第３導電膜を除去し、第１導電層および第３導電層を形成する工程とを有する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ作業効率の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１０の上に回路パターンを形成し、回路パターンが形成されたシリコン基板１１０の上に層間絶縁膜１４０を形成する。層間絶縁膜１４０に対して第１の加速電圧でイオン注入を行い第１イオン層３１０を形成する。続いて第１の加速電圧より高い第２の加速電圧でイオン注入を行い第２イオン層３２０を形成する。その後、層間絶縁膜１４０を、第２イオン層３２０の波形上端部３２０Ｐｕが表出するまで研磨する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、取り扱いが容易で、且つ酸化的熱分解が起こり易いジアルキルアミノ基を有する気相成長シリコン原料を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、ジアルキルアミノ基を有する気相成長用シリコン原料によって解決される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のグローバル段差をより低減する。
【解決手段】メタル配線１１、２１、３１と層間絶縁膜１２、２２、３２とが積層され、各層の層間絶縁膜を形成する毎に研磨して平坦化される多層配線６０を積層方向からみて複数の領域５２に分割し、領域毎に、各領域の面積に対する各領域内のメタル配線の占有面積の割合を、メタル配線についてそれぞれ求め、求めた割合を、領域毎に、メタル配線について積算した積算割合をそれぞれ求め、複数の領域の積算割合を用いて、予め求めておいた積算割合の相対値と層間絶縁膜３２の上面の相対位置との関係より、複数の領域間の層間絶縁膜３２の上面の相対位置関係を求め、層間絶縁膜３２の上面が所定の値より低い位置にある領域５１１では、ダミー配線１３，２３，３３を設け、層間絶縁膜３２の上面が所定の値以上の位置にある領域５１３ではメタル配線にダミー配線を設けない。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン・ゲート電極作成のためのエッチング処理時に、クランプによって覆われていたポリサイド層上の層間絶縁膜の膜剥がれが起こりにくい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１０上に、ポリシリコン膜２２０及びタングステン・シリサイド膜２１０をこの順に積層してポリサイド・ゲート電極２３０を形成する。ポリサイド・ゲート電極２３０を含む半導体基板１１０上に、Ｂ濃度が高濃度の下層ＢＰＳＧ膜１４０を第１の成膜速度ｖ１で形成する。下層ＢＰＳＧ膜１４０の上に、Ｂ濃度が下層ＢＰＳＧ膜１４０より低い低濃度の上層ＢＰＳＧ膜１２０を第２の成膜速度ｖ２で形成する。第２の成膜速度は前記第１の成膜速度未満である。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での絶縁膜の腐食を抑制して、絶縁不良を回避した半導体装置及びその製造方法を提供することことを課題とする。
【解決手段】半導体基板１１上にエピタキシャル成長により第１絶縁膜１２が積層形成され、この第１絶縁膜１２上には、耐熱性の電極１３が選択的に形成され、この電極１３の上部には、シリカガラスを主成分とする層間絶縁膜１４が形成され、この層間絶縁膜１４の表面には絶縁バリア膜１５が形成され、この絶縁バリア膜１５の上には、Ａｌの配線１６が形成され、絶縁バリア膜１５は、絶縁性の窒化物、炭化物、窒化炭化物の単層膜、多層膜、または混合膜で構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は多層配線構造を有する半導体装置の製造方法に関し、高い集積度が要求される場合に優れた歩留まりと高い信頼性とを確保することを目的とする。
【解決手段】トランジスタのソースドレイン領域の上層にシリコン酸化膜７を形成する。一端面がソースドレイン領域６に導通し、他端面がシリコン酸化膜７の表面に露出するように、シリコン酸化膜７の内部に導電性のパッド１０を設ける。シリコン酸化膜７およびパッド１０の上層にシリコン酸化膜１１を形成する。一端面がパッド１０に接触し、他端面が配線層１４と導通するようにシリコン酸化膜１１の内部にプラグとして機能する導電層を設ける。シリコン酸化膜７の表面と、パッド１０の他端面は平滑な同一平面を形成する。プラグとして機能する導電層は、パッド１０に比して小さく、かつ、パッド１０の中央部近傍に接触するように形成する。 （もっと読む）

【課題】柱状残渣の発生を抑制した半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板１２上に配線層１４を形成する工程と、基板１２および配線層１４を覆うように、第３絶縁膜２２、第２絶縁膜（ＳｉＮ膜）２４、および第１絶縁膜（ＰＳＧ膜）２６を順に積層した層間絶縁層２０を形成する工程と、第１絶縁膜２６上にマスクパターンを形成する工程、ウェットエッチング処理によって第１絶縁膜２６のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、少なくとも等方性ドライエッチングを含むエッチング処理によって第２絶縁膜２４のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、およびエッチング処理によって第３絶縁膜２２のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、を経て配線層１４表面が露出するよう層間絶縁層２０にコンタクトホール３０を形成する工程と、を有する半導体素子１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体界面のダングリングボンドを終端させて、リーク電流が少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングパッド４０が設けられる最上層の配線層３９の上に、フッ素を含んだ介在層４１としてＣＶＤ法によりよって形成されたフッ素含有酸化シリコン膜（ＳｉＯＦ）を設ける。この上にパッシベーション膜４２としてプラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜を設け、フッ素に対するバリアとする。この後熱処理を行い、フッ素をシリコン基板の表面に拡散させる。 （もっと読む）

【課題】パターンの高さおよび間隔に応じた最適な膜厚で層間絶縁膜を形成することにより、製造工程数を増加させることなく層間絶縁膜の平坦度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に形成された所定形状のパターン２におけるパターン間隔Ｓとパターン高さｈの縦横比Ｋ＝Ｓ／ｈに応じて、基板１上に形成すべき層間絶縁膜３の最適膜厚Ｔを算出し、パターン２を覆うように最適膜厚Ｔで層間絶縁膜３を基板１上に形成する層間絶縁膜形成工程と、基板１上の層間絶縁膜３を熱処理してリフロー平坦化する平坦化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】貫通孔(接続孔)内に形成された絶縁膜上に設けられる配線層と半導体基板との間の電気的絶縁性の不良の発生が低減された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の一方の面上に第１の絶縁層１２を介して位置する第１の配線層１３と、半導体基板の他方の面から第１の配線層に至る接続孔１９を形成する。接続孔の側面から他方の面に亘って半導体基板上に位置し、接続孔内で第１の配線層に接する第２の絶縁層１４を形成する。接続孔の側面上から他方の面上に亘って第２の絶縁層上に位置し、接続孔内で第１の配線層に接する第２の配線層１６を形成する。この形成において、第２の絶縁層を、膜質の異なる２種の絶縁膜１４ａ、１４ｂ又はそれ以上の絶縁膜の積層体から構成する。 （もっと読む）

【課題】コバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長方法によるコバルト膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】上記コバルト膜の形成方法は、基体上にコバルト膜を形成する方法であって、少なくとも（Ａ）一酸化炭素を含む気体の存在下でコバルトカルボニル錯体を昇華する工程と（Ｂ）基体上にコバルトカルボニル錯体の昇華物を供給してコバルトに変換する工程とを含むことを特徴とする方法である。 （もっと読む）

【課題】コバルト前駆体の保存安定性に優れ、長期保存後に化学気相成長法に供した場合であっても昇華残存物の少ないコバルト前駆体組成物及びコバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長法によるコバルト膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】上記組成物は、コバルトカルボニル錯体及び溶媒を含有する組成物であって、前記溶媒に溶存する一酸化炭素の濃度が０．００１〜１重量％であることを特徴とする。上記方法は、上記のコバルトカルボニル錯体組成物に由来するコバルトカルボニル錯体を昇華して基体上に供給し、該基体上で該コバルトカルボニル錯体をコバルトに変換することを特徴とする。 （もっと読む）