【課題】ＳＲＡＭを用いたアクティブマトリクス型表示装置では、ＳＲＡＭ回路を構成するトランジスタ数が多く、画素面積が小さい場合、画素の中に入りきらない、もしくは開口率が低下するという問題があった。リフレッシュが不要で消費電力の小さな表示装置を提供する。
【解決方法】本発明は、画素をスイッチング素子と、不揮発性メモリ素子で構成する。不揮発性メモリ素子は強誘電体素子を用い、保持を行うことによって、静止画を表示する場合フレーム毎に書き込みを行う必要をなくすことができる。また、強誘電体メモリは占有面積が小さいので開口率を著しく落とすことなく、メモリを内蔵することができる。 （もっと読む）

【課題】低電圧および広い周波数範囲で安定に駆動することができ、滑らかで連続的な光学位相差特性を有し良好な光学特性を持つ液晶光学デバイスを実現する。
【解決手段】透明な電極２１を有する第１の基板１１、透明な電極を有する第２の基板１２の問に収容された液晶分子を一方向に配向させた液晶層３１を備え、少なくとも一方の基板面における電極は所定の電圧に保持された複数のパターン電極群から形成され、前記液晶層の実効的な屈折率の分布を可変調整することで動作する液晶光学デバイスであって、複数の透明なパターン電極と前記液晶層の間に透明な絶縁層及び透明なインピーダンス層による二重層を配置する。 （もっと読む）

【課題】画像の表示を明るくするとともに、表示品位の良好な電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、一対の基板３２，５０と、一対の基板３２，５０間に挟持された電気光学層４６と、を有し、一方の基板３２に、トランジスター３８と、トランジスター３８に対応して設けられた反射電極４０ａと、隣り合う反射電極４０ａ間に、一対の基板３２，５０間のギャップを規定し、誘電体多層膜からなるスペーサー７２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の構成を簡単化して製造を容易にし、それにも関らず広視野角及び高コントラストの表示を実現できる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 液晶層を支持する基板１１上に設けられた信号線１４と、信号線１４に導電接続したスイッチング素子１３と、スイッチング素子１３に導電接続した島状の画素電極１５と、画素電極１５及びスイッチング素子１３を覆った誘電体膜１６と、誘電体膜１６上に設けられており画素電極１５に対向する帯状の共通電極１８とを有する電気光学装置である。スイッチング素子１３は、第１導電膜と絶縁膜と第２導電膜の積層構造を有するＴＦＤ素子である。共通電極１８はスリット２７を有して平行に並んだ複数の電極線状部２８を画素電極１５に対向する領域に有している。画素電極１５と共通電極１８はオン電圧印加時に基板に略平行な電界を形成し、電気光学装置はＦＦＳモードで動作する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルの検査結果情報を後の工程において効率的に活用するための仕組みを、低コストで実現する。
【解決手段】液晶パネル１は、少なくとも液晶パネル１の識別情報および検査結果情報を記憶している不揮発性メモリ２を備えている。不揮発性メモリ２は、情報を読み書き可能ないわゆるＲＡＭである。識別情報および検査結果情報は、パネル内部配線４および外部端子６を通じて、不揮発性メモリ２から電気的または光学的に読み出すことができる。また、必要に応じて、これらの情報を不揮発性メモリ２に書き込むこともできる。 （もっと読む）

【課題】水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線形素子、非線形素子の製造方法、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘを製造するにあたって、窒素含有タンタル膜によって下電極１３ｘを構成する一方、絶縁層１４ｘにおいて、少なくとも電気特性に大きな影響を及ぼす下電極１３ｘの上面部分については、窒素含有タンタル酸化膜のスパッタ膜１４ｙで構成し、下電極１３ｘの側面部には陽極酸化膜１４ｚを形成する。絶縁層１４ｘには水素を導入するが、スパッタ膜１４ｙは、表層部分も、その深い部分と同様、多量の窒素を含有しているので、十分な水素保持力を備えている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、コンタクトオープンの発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、中継配線Ｈａ６、蓄積容量７０、補助中継配線Ｈｂ６及び画素電極９ａをそれぞれ形成する工程を備える。蓄積容量７０を形成する工程は、下側電極３０１の上層側にスペーサ絶縁膜４９を積層する工程と、スペーサ絶縁膜４９にエッチングを施し、下側電極３０１が露出するように開口部５１０を形成すると共に中継配線Ｈａ６と補助中継配線Ｈｂ６とを接続するためのコンタクトホール８２０を形成すべき領域におけるスペーサ絶縁膜４９を除去する工程と、上側電極３０２を開口部５１０の縁におけるスペーサ絶縁膜４９上に乗り上げるように形成する工程とを含み、補助中継配線Ｈｂ６を形成する工程は、コンタクトホール８２０を、層間絶縁膜４２及び４１を貫通して開孔する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＧＬ塗布溶剤の制約を解消し、デュアルＣＧＬ構造を容易に作製することを可能とし、且つデュアルＣＧＬ構造における電気応答特性の非対称性を抑制し、表示特性や駆動能力を向上させることが可能な光スイッチング素子及びそれを用いた光書き込み型表示媒体を提供することである。
【解決手段】一対の電荷発生層と、該一対の電荷発生層に挟持された電荷輸送層と、を含んで構成される光スイッチング層を有する光スイッチング素子であって、該電荷輸送層が、特定構造の電荷輸送性高分子を含んでなる光スイッチング素子である。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを煩雑化させることなく、基板上の限られた領域に静電保護回路が作り込まれた電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＭＩＭ素子４１１は、蓄積容量７０を構成する下部電極７１と同層に形成された電極７１ａ、容量電極３００と同層に形成された電源線９３並びに電極７１ａ及び電源線９３によって挟持されており誘電体膜７５と同層に形成された絶縁膜７５ａを備えて構成されている。電極７１ａ及び電源線９３の夫々は、下部電極７１及び容量電極３００と同一の材料を用いて同一工程でよって形成されている。したがって、蓄積容量７０を形成する工程を利用して電極７１ａ、絶縁膜７５ａ及び電源線９３を形成できるため、液晶装置１の設計を大きく変更することなく、且つ液晶装置１の製造プロセスを煩雑化させることなくＭＩＭ素子４１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】 開口率をより高めることで明るい表示が得られるＦＦＳ方式の液晶装置を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶装置は、第１基板１０の液晶層５０側に画素電極１１（第１電極）と共通電極１７（第２電極）とが設けられ、画素電極１１と共通電極１７との間に生じる電界によって液晶層５０が駆動される液晶装置であって、画素電極１１と共通電極１７とが第４層間絶縁膜２７を介して対向配置され、第４層間絶縁膜２７として比誘電率が７．５より大きい、例えば酸化ハフニウム等の高誘電率材料が用いられている。 （もっと読む）

【課題】 高濃度タングステンをウェットエッチングする工程を有する、高濃度タングステンの薄膜を備えた基板の製造方法、および該高濃度タングステンを第２素子電極に有する非線形抵抗素子を備えた電気光学装置の製造方法を提供すること。また、上記基板、上記電気光学装置、および上記電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置の製造方法が、基体上に第１素子電極５１を形成する工程と、第１素子電極５１に重ねて絶縁層５２を形成する工程と、絶縁層５２に重ねて、タングステンの濃度が６０原子％より高い金属の薄膜を形成する工程と、前記金属の薄膜を、燐酸および硝酸を含む水溶液でエッチングすることにより第２素子電極５３の形状にパターニングする工程とを含む。ここで前記水溶液は、燐酸濃度が２５％以上４０％以下、硝酸濃度が５％以上１５％以下、温度が５５℃以上６５℃以下の水溶液である。 （もっと読む）

【課題】 保持容量に用いる容量用酸化膜を薄くすることにより、素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型の電気光学装置１において、画素スイッチング素子としての非線形素子５、および保持容量９を構成するにあたって、タンタル膜からなる素子用下電極６１および容量用下電極６２を陽極酸化してなる素子用酸化膜７１および容量用酸化膜７２の上層に、ＩＴＯなどの金属酸化物層や、酸化物標準生成エンタルピーがクロムよりも高い金属層からなる素子用上電極８１ａ、８１ｂおよび容量用上電極８４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 反射表示と透過表示の双方で高品質の表示を得られ、かつ設計変更の自由度が高く、多様な機器への適用に容易に対応することができる横電界方式の液晶装置を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶装置１００は、液晶層５０を挟持して対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備え、１つのドット領域内に反射表示を行う反射表示領域Ｒと透過表示を行う透過表示領域Ｔとが設けられた半透過反射型の液晶装置であり、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側に、前記ドット領域内で前記液晶層に略基板平面方向の電界を印加する画素電極９と共通電極１９とが設けられ、前記反射表示領域Ｒに、反射部誘電体膜１７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 反射表示と透過表示の双方で高品質の表示を得ることができる横電界方式の半透過反射型液晶装置を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶装置１００は、液晶層５０を挟持して対向配置されたＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と対向基板（第２基板）２０とを備え、１つのドット領域で反射表示と透過表示とを行う半透過反射型の液晶装置であって、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側に、前記ドット領域内で液晶層５０に概略基板面方向の電界を印加する共通電極１９（第１電極）と画素電極９（第２電極）とが設けられており、前記対向基板２０に、透過軸と該透過軸に交差する反射軸とを有し、入射する光のうち前記反射軸に平行な偏光成分の光を反射し、前記透過軸に平行な偏光成分を透過する半透過反射型の反射偏光層２９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は低消費電力化が実現でき、電源を供給しなくても静止画表示を維持できる液晶表示装置及び表示機器を提供する。
【解決手段】
本発明は、内面側にＴＦＴ素子（スイッチング素子）５、該ＴＦＴ素子５に接続する画素電極３を形成してなる第１の基板１４と、内面側に表示電極１８を備えた第２の基板１５との間に、液晶層１２を封入して成る液晶表示装置である。そして、第１の基板１４上に、画素電極３と接続する第１の導体膜２２、表示電極１８に接続する第２の導体膜２及び第１の導体膜２２と第２の導体膜２との間に配置された強誘電体膜２１を形成した。 （もっと読む）

【課題】
薄膜トランジスタアレイ基板とその補修方法とを開示する。
【解決手段】
薄膜トランジスタアレイ基板は、各画素電極と、各キャパシタ電極と、各共通線とに開口部を備える。キャパシタ電極および共通線の開口部は、画素電極の開口部内に位置する。キャパシタ電極の開口部は、キャパシタ電極と共通線との部分エリアを露出させる。画素電極は、接続導電層を通して共通線に結合される。ＭＩＩストレージキャパシタＣｓｔは画素電極とキャパシタ電極とで形成される。ＭＩＩストレージキャパシタＣｓｔが機能しない場合、レーザ補修によりＭＩＩストレージキャパシタＣｓｔをＭＩＭストレージキャパシタＣｓｔに切り替えできる。 （もっと読む）