【課題】過剰なエッチングによる不良を減少させるための表示基板の製造方法を提供する。
【解決手段】互いに交差する信号ラインによって定義された複数の単位画素Ｐを有する表示領域ＤＡと表示領域ＤＡを取り囲む周辺領域ＰＡを含む基板１１０上にフォトレジスト膜を塗布する段階と、フォトレジスト膜をパターニングして、表示領域ＤＡで信号ラインとオーバーラップされる第１パターン部Ｐ１と、周辺領域ＰＡで信号ラインと重畳されない領域に形成された複数のダミー開口部ＤＯを含む第２パターン部Ｐ２とを形成する段階と、第１パターン部Ｐ１及び第２パターン部Ｐ２が形成された基板１１０上に透明電極層１１７ａ、１１７ｂを形成する段階と、ストリップ溶液で第１パターン部Ｐ１、第２パターン部Ｐ２、及び第１及び第２パターン部上に形成された透明電極層１１７ａ、１１７ｂを除去して、単位画素Ｐに対応する画素電極ＰＥ及びダミー開口部ＤＯに対応するダミー電極ＤＭを形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】蒸着温度が高い場合であってもリフトオフプロセスにおいて十分に剥離することのできるフォトレジストを用いた３Ｍａｓｋ方式の表示素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にアルカリ可溶性樹脂（Ａ）、感放射線性化合物（Ｂ）、酸化防止剤（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含むフォトレジストによりレジストパターンを形成する工程（ａ）と、前記工程（ａ）で得られたレジストパターンが形成された基板に対して金属を物理蒸着する工程（ｂ）と、前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に蒸着した金属を除去するリフトオフ工程（ｃ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクを使用して斜方蒸着層を形成する限り、ハードマスク起因の合わせずれや寸法誤差によるずれを解決することは困難である。特に、上下導通領域の構成要素である素子電極を覆うように蒸着粒子が回り込んだ場合、上下導通領域は蒸着粒子の付着により電気抵抗値が高くなり、液晶装置の表示にむらが発生するという課題がある。
【解決手段】素子電極１２２を覆うよう付着した斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去して斜方蒸着層１８ａを形成する。素子電極１２２を覆う斜方蒸着層前駆体１８ａ’の除去にはＣＭＰ法が好適な手段となる。自己整合的に位置合わせが行えるため、アライメントずれ等が発生せず、高い形状精度を持った状態で斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去でき、液晶装置の表示むらが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】画像の表示を明るくするとともに、表示品位の良好な電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、一対の基板３２，５０と、一対の基板３２，５０間に挟持された電気光学層４６と、を有し、一方の基板３２に、トランジスター３８と、トランジスター３８に対応して設けられた反射電極４０ａと、隣り合う反射電極４０ａ間に、一対の基板３２，５０間のギャップを規定し、誘電体多層膜からなるスペーサー７２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一定の力でマスクと基板の間に力を加えてパターン精度の高い真空成膜を可能にすることを目的としている。
【解決手段】基板１２とマスク１０を重ねて配置する。基板１２を、錘２６の重さによってマスク１０の方向に押圧して撓ませる。基板１２の撓んだ部分によって、マスク１０を押圧して撓ませる。撓んだ基板１２と撓んだマスク１０とを密着させて真空成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】工程を単純化することのできる水平電界薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、基板上に形成されたゲートライン１０２と、ゲートライン１０２とゲート絶縁膜とを介して交差され画素領域を定義するデータライン１０４と、ゲート電極とソース電極とドレイン電極１１２及びソース電極とドレイン電極との間にチャネルを定義する半導体層を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、基板上に形成された共通ライン１２０と、画素領域に形成された共通電極１２２及び画素領域に共通電極１２２と水平電界を形成するための画素電極１１８を含み、データライン１０４とソース電極及びドレイン電極が不透明導電パターン及び透明導電パターンを備え、画素電極１１８はドレイン電極の透明導電パターンが伸張され形成され、保護膜が透明導電パターンと境界を成し、透明導電パターンを除いた残りの領域に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板の低抵抗配線を具現する。
【解決手段】アレイ基板１００はベース基板１０１、ゲート配線ＧＬ、第１絶縁層１２０、第２絶縁層１６０、データ配線、及び画素電極ＰＥを含む。ゲート配線ＧＬはベース基板１０１に形成された第１シード層１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、第１シード層１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの上に形成された第１金属層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃからなる。第１絶縁層１２０はゲート配線ＧＬが形成されたベース基板１０１の上に形成され、第２絶縁層１６０はその上にゲート配線ＧＬと交差する方向に配線トレンチＨ３が形成される。データ配線ＤＬは配線トレンチＨ３の下に形成された第２シード層１４１ｄ及び配線トレンチ内に形成された第２金属層１４２ｄからなる。このように絶縁層を利用して一定の深さを有するホールを形成し、ホール内にめっき方式で金属層を形成することで、金属配線の厚さを厚く形成できる。 （もっと読む）

【課題】移動度が高く、オン・オフ比が良好な絶縁ゲート型トランジスタを実現する。
【解決手段】活性層にＩｎ、Ｇａ、Ｚｎの内、少なくとも1つを含む酸化物を用いる場合において、昇温脱離分析（ＴＤＳ測定）により水分子として観測される脱離ガスを１．４個／ｎｍ^３未満とする。また、活性層はＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを含み構成された酸化物とすることが望ましい。さらに活性層はアモルファスとすることが望ましい。活性層がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎの内、少なくとも1つを含む酸化物である絶縁ゲート型トランジスタの製造方法において、活性層の成膜後の、昇温脱離分析により水分子として観測される脱離ガスを１．４個／ｎｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】排液処理などを伴うことなく高速で透明電極のパターニングを行うことを可能にする。
【解決手段】基体１上に紫外光吸収性の薄膜パターン２を形成し、該基体１および紫外光吸収性の薄膜パターン２上に透明電極層３を形成し、透明電極層３に紫外レーザ光８を照射する。紫外レーザ光８によって下地となる紫外光を吸収する薄膜パターン２を光分解または熱分解剥離させて透明電極ごと剥離することができ、効率的に所望のパターンを得ることができ、大面積の処理も高速で行うことができる。他の形態では、基体上に透明電極層を形成した後、該透明電極層上に紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、次いで、前記透明電極層へ紫外レーザ光の照射を行う。薄膜パターンと薄膜パターンが形成されている部分以外の透明電極層が除去されてパターニングがなされる。 （もっと読む）

【課題】エネルギー線の照射による有機半導体層の劣化を防止して素子特性を維持することが可能な有機半導体素子を提供する。
【解決手段】有機半導体層１１を用いて構成された有機半導体素子１ａにおいて、有機半導体層１１を覆う状態でエネルギー線を遮蔽する材料からなる遮蔽層１５が設けられていることを特徴とする。有機半導体層１１が形成された基板３および有機半導体層１１を覆う状態で基板３上に設けられた保護膜１３のうちの少なくとも一方が、遮蔽層として用いられている。この有機半導体層１１に対してゲート絶縁膜７を介してゲート電極５が積層され、ゲート絶縁膜７およびゲート電極５の少なくとも一方が遮蔽層として用いられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、液晶表示装置用アレイ基板にデータ配線と薄膜トランジスタを構成する時、アクティブ層がデータ配線の外側及びゲート電極の外側へと露出されないように構成することを特徴とする。また、前述した構成を含む液晶表示装置用アレイ基板を、３マスク工程によって製作する。従って、本発明による液晶表示装置は、前記アクティブ層に光による光電流が発生しないので、波状ノイズ及び薄膜トランジスタの漏洩電流の特性を最小化する長所があって、マスク工程の単純化により費用及び時間を節約することができる。 （もっと読む）

【課題】マスク数を減少させて製造工程を単純化して生産効率を向上させた液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素部ＴＦＴ領域が定義された絶縁基板を準備し、基板上に画素部ＴＦＴ領域を覆う活性層を形成し、活性層上に画素部ゲート電極を形成し、画素部ゲート電極両側の活性層に画素部ソース領域及び画素部ドレイン領域を形成し、画素部ドレイン領域を有する基板上に画素部ソース領域と画素部ドレイン領域を露出するそれぞれ第１及び第２コンタクトホールを含む保護膜を形成し、保護膜上に透明導電膜及び金属膜を順次形成し、金属膜及び透明導電膜を選択的にエッチングして第１コンタクトホールを覆って順次積層された画素部ソース電極パターン／画素部ソース電極、及び第２コンタクトホールを覆って順次積層された画素部ドレイン電極パターン／画素部ドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】透明基板上にブラックマトリックスを形成後、着色層を順次形成たカラーフィルタ層上に形成する透明導電膜の形成時に用いる格子部を有するスパッタ用メタルマスクにおいて、スパッタ用メタルマスクの格子部の形状を変更することでこの透明導電膜の電極の膜厚ダレのエリア幅をより狭くするスパッタ用メタルマスクを提供することである。
【解決手段】透明導電膜の非成膜エリアを設けるために用いる前記スパッタ用メタルマスクは、透明基板と接する側と反対の表面側の格子部が凸型、又は台形型の段差形状に形成してあり、透明基板と接する側が広くその反対の表面側が狭い傾斜であり、その凸型、又は台形型の傾斜角が３０〜６０度であり、透明基板と接する側に樹脂からなる層を設けたスパッタ用メタルマスク。 （もっと読む）

【課題】画素構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に走査線、データ線、および走査線とデータ線に電気的に接続した能動素子を形成する。基板上に誘電体層を形成し、それからパターンニングしたフォトレジスト層をその上に形成する。パターンニングしたフォトレジスト層は第一凹部と第一貫通孔を備え、前記第一貫通孔は誘電体層の一部を露出させる。パターンニングしたフォトレジスト層をエッチングマスクとして用いて、誘電体層の一部を除去し、パターンニングした誘電体層を形成する。パターンニングした誘電体層は第二凹部と第二貫通孔を備え、前記第二貫通孔は能動素子の一部を露出させる。パターンニングしたフォトレジスト層を除去し、パターンニングした誘電体層上に反射層を形成する。反射層は第二凹部を被覆し、能動素子と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】必要なマスクの数や工程数を更に減少させることで低コスト化や工程時間の更なる短縮を実現させる、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法は：ゲート線、データ線、及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する段階；薄膜トランジスタの上に絶縁膜を形成する段階；絶縁膜の上に第１導電膜を形成し、ドレイン電極と電気的に接続する段階；第１導電膜の上に第２導電膜を形成する段階；第２導電膜の上に、厚さの異なる二つの部分を含む感光膜を形成する段階；感光膜をマスクとして利用し、第１エッチング液で第２導電膜をエッチングする段階；感光膜と第２導電膜とをマスクとして利用し、第２エッチング液で第１導電膜をエッチングする段階；を含む。 （もっと読む）

【課題】 反射電極の形成の際、突起の角分布を一定に維持しながら、突起の大きさと間隔を縮少して一定の大きさの画素空間を占める突起の密度を増大させることにより、反射モードにおける反射率及び視野角を改善することができる液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 薄膜トランジスタ（４３、４７、４８、４９）及び保護膜５１が順に形成された基板４１を提供するステップと、保護膜５１の上に突起５５が形成される部位を露出させる複数の開口部を有するシャドウマスクを位置させるステップと、シャドウマスクを用い、基板にスパッタリングを行って、スパッタリングラジカルに開口部を通過させ、保護膜５１上に選択的に蒸着させて突起５５を形成するステップと、シャドウマスクを除去するステップと、突起５５を含む基板４１上に反射電極５９を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【解決課題】 薄膜トランジスタ基板の製造方法を開示する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、基板100上にトランジスタ薄膜パターン120を形成する段階、保護膜140を形成する段階、フォトレジスト層を形成する段階、画素領域150aを形成する段階、互いに分離された画素電極170及び導電膜160を形成する段階、ストリッピング組成物184を利用してフォトレジストパターン150をストリッピングして、フォトレジスト表面に形成された導電膜160を基板100から分離するストリッピング段階、及び貯蔵タンク186内で分離した導電膜を溶解させる段階を含む。本発明の製造方法によると、薄膜トランジスタ基板の製造時に製造工程の効率を向上させることができ、ストリッピング組成物を再利用することができる。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板の製造工程を単純化して製造単価を節減して、画素電極オープン不良を防止する。
【解決手段】複数の画素領域が定義された基板２１０と、画素領域の所定部分に一方向に構成された複数のゲート配線と、絶縁膜を介して交差するデータ配線と、ゲート配線とデータ配線との交差地点に位置して、ゲート配線から延長されたゲート電極、アクティブ層、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタでソース電極及びドレイン電極間のアクティブ層上に形成されたチャネル絶縁膜２４２と、画素領域でドレイン電極と接触して形成される画素電極２８１と、ゲート配線から延長されて一端に形成され、ゲート絶縁膜を介して透明電極パターンと接触するゲートパッド２７７と、データ配線から延長されて一端に形成され、アクティブ層パターン上に形成されたデータパッド２７８とを含む。 （もっと読む）