【課題】 駆動電圧が低く、かつ、高応答性能を有する表示素子を実現する。
【解決手段】 表示素子１００は、電界印加手段として、櫛歯状電極４と、平板状電極５とを備え、櫛歯状電極４の各電極間に生じる基板面内方向電界、および櫛歯状電極４と平板状電極５との間に生じる基板法線方向電界が、等方相を呈している誘電性物質層１内のネガ型液晶材料Ａを配向させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＶＡ型の液晶表示装置においてパネル表面を押した際に、波紋状の配向乱れが生じ、表示が回復するのに時間がかかるという問題を解決する。
【解決手段】ＭＶＡ型の液晶表示装置の画素電極はサブ画素電極３ａを連ねた形状とし、対向基板側の共通電極に配向規制物として十字型のスリット２を設けた。そして、表示領域に発生する液晶分子６の配向の特異点の位置と整合するように、ＴＦＴ基板の信号線５上に柱状スペーサ４を設けた。この十字型のスリット２と柱状スペーサ４を設けたことによって、パネル表面を押した際に、表示領域では十字型のスリット２の中心に発生した＋１の特異点を基点に液晶分子６の配向の再配列がなされ、信号線５上では柱状スペーサ４の近傍に発生した＋１の特異点を基点に液晶分子６の配向の再配列が速やかになされる。 （もっと読む）

本発明は、面内切り替え式液晶表示装置に関する。ディスプレイの切り替え特性を向上させるため、および表示画像のコントラストを改善するため、ディスプレイ内の基板上の各画素領域は、抵抗材料ストリップによって取り囲まれる。抵抗材料ストリップの異なる位置に接続された、少なくとも3つの接続端子に、駆動信号を印加することにより、画素領域全体にわたって均一な電場であって、切り替え処理の間に、動的に変化する電場が得られ、切り替え処理の間、画素内の液晶分子には、最大のトルクが付与される。
（もっと読む）

【課題】液晶表示素子の視野角の拡大と着色現象の防止とを図ると共に、応答速度及び開口率の向上を図る。
【解決手段】画素３は、一対の基板の間で基板に実質的に平行な方向に電界を発生させる画素電極３１及び対向電極３２と、画素電極３１及び対向電極３２により区分される２つの領域Ｓ１，Ｓ２とを備えている。２つの領域Ｓ１，Ｓ２で発生する電界の方向は、隣接する領域Ｓ１，Ｓ２同士で互いに逆方向となるように構成されている。そして、液晶層は、基板の法線方向から見たときの屈折率異方性を示す遅相軸が、電界が発生していないときに、電界が発生する方向に対して垂直である一方、電界が発生するときに、基板の法線方向を軸として回転し且つ回転方向が隣接する領域Ｓ１，Ｓ２において互いに逆方向となるように構成されている。
（もっと読む）

各表示素子について、２つの信号線（Ｓ１）および信号線（Ｓ２）を設ける。そして、素子容量（Ｃｐ）を構成する一方の電極（４）をスイッチング素子（ＴＦＴ１）を介して信号線（Ｓ１）に接続し、他方の電極（５）をスイッチング素子（ＴＦＴ２）を介して信号線（Ｓ２）に接続する。また、スイッチング素子（ＴＦＴ１）および（ＴＦＴ２）のゲート電極を、共通の走査線（Ｇ）に接続する。これにより、耐圧が限られたＴＦＴを用いる場合でも、素子容量に印加する駆動電圧を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＯＣＢ液晶表示装置の黒表示時の青味を解消する。
【解決手段】 対向電極Ｅｃｏｍを配置した対向基板１３０および各色用画素電極Ｄｐｉｘを配置したアレイ基板１２０間に、ベンド配列される液晶層１４０を挟持し、前記基板の一方に赤、緑、青のフィルタ層ＣＦ（Ｒ）、ＣＦ（Ｇ）、ＣＦ（Ｂ）を備える液晶表示セル１１０において、各色用画素電極ｄｐｉｘＲ、ｄｐｉｘＧ、ｄｐｉｘＢと対向電極Ｅｃｏｍとのそれぞれの間隙距離ｄＢ，ｄＧ，ｄＲを異ならせ、 ｄＢ＜ｄＲ，ｄＢ＜ｄＧであり、かつ │ｄＢ−ｄＲ│≦０．４μｍ │ｄＢ−ｄＧ│≦０．４μｍにする。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置に関し、簡単な構成により中間調における応答速度を含む全階調における応答速度を改善するとともに、視野角特性を改善する。
【解決手段】 一対の電極の内の少なくとも一方の電極はストライプ形状を有するとともに、前記一対の基板１，２の内の少なくとも一方の基板２（１）上に、前記ストライプ形状の走査方向とは異なる方向に走査する構造物５（６）を有し、電圧無印加時に液晶分子１０は少なくとも一方の基板１面において略垂直配向であり、且つ、前記ストライプ状電極３の走査方向とは異なる方位角方向にプレチルト角を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。）と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成した段差４をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層６（６Ａ）からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 （もっと読む）