【課題】多様な回路を搭載可能で、表示速度に優れ、かつ製造コストが安価な透過型ＬＣＯＳ用の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、単結晶半導体基板１０１を用い、この半導体基板の裏面の、駆動電極１２０と素子分離領域１０２とが平面的に重なる部分に凹部１３０を有する。この凹部により、単結晶基板でありながら透光性を備えた半導体装置を構成することができる。また、素子を構成する半導体基板の膜厚に制限がないため、載置できる回路にも制約がなく、光変調物質の駆動電圧も高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】コントラスト特性に優れ、応答特性の速い、かつ、視野角特性の優れた液晶表示装置を得る。
【解決手段】画素電極２１とコモン電極２２によって１画素を４個の領域に区画する。画素電極２１とコモン電極２２間に電圧を印加しない状態では、液晶分子４０は垂直配向となっている。画素電極２１とコモン電極２２に電圧を印加すると、横電界によって液晶分子４０は傾くが、液晶分子４０の傾く方向を突起３０によって制御する。突起３０の形成によって、４個の領域における液晶分子４０の傾きの方向を全て異ならしめることが出来る。したがって、視野角特性のすぐれた液晶表示装置を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置がオン状態からオフ状態に変わるときの、液晶分子の応答速度を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板と対向基板の間に液晶材料と、前記基板上に複数の画素と、前記基板上に設けられ、前記液晶材料と接し、かつ、可動部を有する微小構造体とを有する液晶表示装置及びその作製方法に関する。前記微小構造体は、下部電極と、上部電極と、前記下部電極及び上部電極の間に空間部分とを有していてもよい。前記微小構造体は、前記基板上に前記下部電極を形成し、前記下部電極上に犠牲層を形成し、前記犠牲層上に上部電極を形成し、前記犠牲層をエッチングにより除去し、前記空間部分を形成することによって作製される。 （もっと読む）

【課題】高速動作と高開口率とを両立可能な電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、ｍ本の走査線と、ｎ本のデータ線と、走査線とデータ線との各交点に対応して設けられた複数のトランジスタ(100)と、各々が何れかのトランジスタと接続された複数の電気光学素子と、ｍ本の共通電位線(42)と、を備える。各トランジスタは、島状の半導体膜(16)と各トランジスタに個別に設けられたゲート電極膜(24)とを有する。各走査線は、複数のトランジスタのうち、第１方向に沿って並んだｎ個のトランジスタの各々のゲート電極膜と電気的に接続され、かつ絶縁膜(28)を挟んで当該ゲート電極膜の上層側に重畳して配置されたゲート補助配線膜(26)を含む。共通電位線(42)は、ゲート補助配線膜と重畳し、当該ゲート補助配線膜よりも上層側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】１つの画素を２つの副画素に分割する構造に光配向方法を適用する際、テクスチャー発生を減らして表示特性を改善することのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板上に形成され、ギャップ（ｇａｐ）を有して離隔される第１副画素電極及び第２副画素電極を含む画素電極と、前記第２基板上に形成される共通電極と、前記第１基板又は第２基板上に形成され、前記第１副画素電極と第２副画素電極との間のギャップと重畳する遮蔽部材と、前記画素電極と前記共通電極のうちの少なくとも１つの上に形成される配向膜と、前記第１基板と第２基板との間に介在する液晶層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率を犠牲にすることなく、各種の高性能化が可能なアクティブマトリクス型の表示装置を提供する。
【解決手段】画素アレイ部は、行列状に配された画素と、二行の画素に対して一本の割合で配された行状の走査線と、一列の画素に対して二本の割合で配された列状の信号線１，２とを有する。駆動部は、走査線に接続した走査回路と、信号線１，２に接続した信号回路とを含む。走査回路は、行状の走査線を順次走査して、一本の走査線に対して共通に接続した二行分の画素を同時に選択する。信号回路は、画素アレイ部の一列に属し且つ同時に選択された一対の画素ＰＩＸ１，ＰＩＸ２に対して当該列に割り当てられた一対の信号線１，２から夫々信号を書込んで表示を行う。一対の信号線１，２は、絶縁膜を介して少なくとも部分的に重なっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は薄膜トランジスタ液晶ディスプレイに関する。ゲート信号線と共有電極信号線との間を、TFTを通ってつながる構成を採用する。
【解決手段】１のフレームの信号走査の間、次の行をオンとする前に、該下の行に高圧信号を挿入する。常白モデルに一行のブラック画面を挿入することに相当する。該薄膜トランジスタ液晶ディスプレイがTFT LCD画素の各行をオンとする前に、高圧を先に印加することによって、ブラック画面を挿入してムーブ画像のストリーク現象を有効に減少できる。 （もっと読む）

【課題】応答速度が速く、表示品質が高く、透過率の高い垂直配向液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１の基板と、対向する第２の基板と、第１および第２の基板の間に封入された液晶層と、第１、２の電極と、基板上に形成された第１、２の分子配向膜と、基板の外側の第１の偏光板と、クロスニコル状態で配設された第２の偏光板とよりなり、第１、第２の分子配向膜とは、第１の電極と第２の電極との間に駆動電圧が印加されていない非駆動状態において、液晶層中の液晶分子を実質的に垂直方向に配向させ、第１の電極は前隙間を隔てて周期的に繰り返し配列した構成を有し、電極パターンは連結部により相互に連結されており、第１の電極はさらに第２の方向に延在するカットアウトパターンを、第１の幅よりも実質的に大きい第２の幅で形成されており、液晶分子は前記駆動状態において、実質的に第１の方向にチルトする。 （もっと読む）

【課題】 ＬＣＤ装置の新しい電極構造を提供し、且つＬＣＤの性能、視野角、応答速度を向上させる。
【解決手段】 画素を有する液晶ディスプレイ装置であって、前記画素は、その間に液晶材料（３）を有する下基板（２）と上基板（１）を含み、前記画素は、前記下基板（２）と前記上基板（１）の間の電極構造も含み、前記電極構造は、電極（４；４（ｉ）、ｉ＝１、２、３、・・・、Ｉ）を含み、各電極は、多角形形状の電極面と、複数の電極端を有し、前記電極（４；４（ｉ））は、電極端が隣接の電極の電極端に面して配置された場合、前記電極端と前記隣接の電極の前記電極端は、前記全電極端に沿って実質的に一定の距離を定義する液晶ディスプレイ装置。 （もっと読む）

【課題】より高い移動度及びオン電流を得ることができる微結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】微結晶半導体膜のうち、成膜を開始した当初に形成される結晶性の劣った層ではなく、その後に形成される結晶性の高い層においてチャネル形成領域が形成されるように、結晶性の高い層のうちゲート絶縁膜に近い層に、一導電型を付与する不純物元素を含ませる。そして、不純物元素を含む層をチャネル形成領域として用いる。また、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物元素を含む一対の半導体膜と、チャネル形成領域として機能する不純物元素を含む層との間に、一導電型を付与する不純物元素を含まない、もしくは他の層に比べて一導電型を付与する不純物元素の濃度が著しく低い層を設ける。 （もっと読む）

【課題】液晶の表示品位と駆動ＩＣの低コスト化は互いに相反する側面を有するため、低コストの中耐圧ＩＣを用いる場合、液晶へ印加できる最大電圧が高くなるように最適化する必要がある。
【解決手段】データ線２０２の電位を画素電極に書き込むための第１のスイッチング素子と、データ線２０２に所望の電位を書き込むための第２のスイッチング素子と、を有してなるアクティブマトリクス装置であって、第１のスイッチング素子はｎチャネル型トランジスタであり且つ第２のスイッチング素子はｐチャネル型トランジスタであるか、又は、第１のスイッチング素子はｐチャネル型トランジスタであり且つ第２のスイッチング素子はｎチャネル型トランジスタであるかのいずれかである。 （もっと読む）

【課題】スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させることが困難である。
【解決手段】互いに対向する一対の基板と、前記一対の基板間に介在する液晶１９と、前記一対の基板のうちの一方の前記基板の液晶１９側に設けられたゲート線９３と、ゲート線９３の液晶１９側に設けられたゲート絶縁膜５５と、ゲート絶縁膜５５の液晶１９側にゲート線９３と交差して設けられたソース線９５と、を有し、ソース線９５には、ゲート線９３との交差部に対応してゲート線９３と重なる部位に切欠き部又は開口部９９が設けられており、ゲート絶縁膜５５は、前記切欠き部又は開口部９９に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大面積化を課題の一とする。または、大面積化に際して生じる問題点を解決することを課題の一とする。または、上記の半導体基板を用いた半導体装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の大面積化を図るために、ベース基板としてガラス基板等の絶縁表面を有する基板を用いる。そして、該ベース基板に大型の半導体基板を用いて単結晶半導体層を形成する。なお、ベース基板には複数の単結晶半導体層を設けることが好ましい。その後、単結晶半導体層を、パターニングにより複数の単結晶半導体領域に切り分ける。そして、表面の平坦性を向上し、欠陥を低減するために、単結晶半導体領域に対してレーザー光を照射する、又は加熱処理を施す。該単結晶半導体領域の周縁部は半導体素子として用いずに、中央部を半導体素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】 コントラスト、応答速度、及び視野角特性の優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明による液晶表示装置は、画素電極１３及び補助容量を形成させるためのＣＳ電極３５を有する第１基板１７と、共通電極１２を有する第２基板１６と、負の誘電率異方性を有する液晶とを備えた垂直配向型の液晶表示装置であって、第１基板１７または第２基板１６が、電圧印加時における液晶の配向を規制する配向規制構造を有し、配向規制構造が、画素電極１３または共通電極１２に形成されたスリット、あるいは画素電極１３または共通電極１２の上に形成された突起を含み、基板面に垂直な方向から見た場合、配向規制構造の少なくとも一部がＣＳ電極３５と重なっている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、液晶表示装置の開口率の向上と透過率の向上、高視野角、高速応答性
の実現にある。
【解決手段】
マトリクス状に配置された信号線と走査線の各交点部分に、薄膜トランジスタが配置さ
れたアレイ基板とカラーフィルタ基板とを有した表示装置であって、アレイ基板側の平坦
化膜に凸部及び凹部を有している液晶表示装置であり、高視野角及び高精細な液晶表示装
置を提供することが出来る。凸部及び凹部を有することにより、第1電極と第2電極の間に
印加する電界がより強力になり、液晶の配向が向上するため高輝度で表示がクリアな液晶
表示装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】視野角が広く、液晶分子の配向が安定しており、応答速度が速い液晶表示装置を得る。
【解決手段】前記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置では、上下板の開口部を設計規則を守りながらできる限り平行に形成する。具体的には、第１基板１０上に形成されており、第１開口パターンを有する画素電極１２と；第１基板１０と対向する絶縁第２基板２０の下面に形成されており、第２開口パターンを有する共通電極１３と；第１基板１０と第２基板２０との間に注入されている液晶物質と；を含む液晶表示装置において、第１開口パターン及び第２開口パターンは中央部が直線状に形成されていて互いに平行であり、第１開口パターンと第２開口パターンとは互いに交互に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、階調変化時の応答速度を低下させずに光透過率を向上させた液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】対向配置される対向基板とともに液晶を挟持するアレイ基板上に形成されたドレインバスライン６と、ドレインバスライン６に接続されたＴＦＴ１６と、ＴＦＴ１６に接続され、ドレインバスライン６に平行に連設されたストライプ状電極８及びスペース１０とを備え、ドレインバスライン６近傍のストライプ状電極８の電極幅がそれより内方の内方電極１２の幅より狭く形成された画素電極３とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】大きなカー係数を発現する光学的に等方性の液晶材料であり、また、応答速度が速く、低い駆動電圧で駆動することができる液晶材料を提供する。
【解決手段】弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１が１．２以上である液晶成分とキラル剤とを有する光学的等方性液晶組成物、および、当該液晶組成物と重合性モノマーとを含む混合物を重合して得られる、光学的に等方性の液晶相で駆動される素子に用いられる高分子／液晶複合材料、および、当該高分子／液晶複合材料を用いた液晶素子。 （もっと読む）

【課題】オーバードライブ処理を行わずに、液晶の応答速度を改善し得る電気光学装置及
び電子機器を提供すること。
【解決手段】各画素は、隣接する２以上のサブ画素を一組として構成され、各サブ画素は
、画素電極２１と、画素電極２１に対向して設けられた共通電極２２と、走査線Ｙから供
給される選択電圧に応じて、データ線Ｘと画素電極２１とを電気的に接続するスイッチン
グ素子２４と、を備え、スイッチング素子２４は、それぞれ異なる走査線Ｙに接続されて
いる。 （もっと読む）

【課題】装置の消費電力が大きくなるのを抑制することが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】この液晶表示装置１００は、液晶４６を含む画素４０を備え、画素４０は、複数のトランジスタ４１ａ〜４１ｃと、複数のトランジスタ４１ａ〜４１ｃに接続される信号記憶容量４２ａ〜４２ｃと、信号記憶容量４２ａ〜４２ｃに接続される複数のトランジスタ４３ａ〜４３ｃと、複数のトランジスタ４３ａ〜４３ｃのそれぞれに接続される信号記憶容量４４ａ〜４４ｃと、信号記憶容量４４ａ〜４４ｃに接続される複数のトランジスタ４５ａ〜４５ｃと、複数のトランジスタ４５ａ〜４５ｃに接続される表示画素容量４７とを含む。 （もっと読む）