本発明は、電極パターン（４１；４２）に隣接するバルク層（４４）の第１サブ容積部に対して、前記電極パターン（４１；４２）によって発生される均一でない面内電界と前記第１サブ容積部内および／または前記電極パターン（４１；４２）上に塗布された配向膜（４３）内に含まれる分極状態にある液晶との間の線型結合、例えば強誘電結合および／またはフレクソエレクトリック結合によって駆動される液晶デバイスに関し、前記分極は、（ｉ）前記第１サブ容積部、前記配向膜（４３）の外部および、（ｉｉ）他方の基板の内側表面に隣接するバルク層の第２サブ容積部、または第２配向膜、もしくはその上に塗布された第２電極パターンの外部における、前記バルク層（４４）のいかなる起こり得る同様な液晶分極よりも強力となっている。
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【課題】従来の突起物や電極の開口部を形成することなく、高コントラストや高速応答に対応するマルチドメイン型垂直配向液晶ディスプレイを実現する。
【解決手段】液晶ディスプレイを構成する２枚の基板１、２のうち一方の基板２上の各画素内の少なくとも１箇所において、液晶に電圧が印加される際に、一定領域Ｓの液晶にかかる電位を他の領域の液晶にかかる電位と異ならしめることにより、少なくとも２方向以上の異なる電位傾斜を生じるための絶縁膜１１を設けることによって、マルチドメイン化を達成する。 （もっと読む）

【課題】チャネル長の長いトランジスタの高速駆動を実現するとともに、チャネル長の短いトランジスタにおける特性の変動を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置（１００）は、第１多結晶領域（Ｐ１）を有する第１半導体層（１１２）と、第１ゲート電極（１１４）とを含む第１トランジスタ（１１０）と、第２多結晶領域（Ｐ２）を有する第２半導体層（１２２）と、第２ゲート電極（１２４）とを含む第２トランジスタ（１２０）とを備える。第２チャネル領域（Ｃ２）のチャネル長は第１チャネル領域（Ｃ１）のチャネル長よりも短く、第２多結晶領域（Ｐ２）の平均結晶粒径は第１多結晶領域（Ｐ１）の平均結晶粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】互いに大きさが異なるサブ画素電極が連結された垂直配向型の液晶表示装置において、その連結に起因する液晶分子の配向乱れを抑制する。
【解決手段】画素電極９がマトリクス状に複数設けられたアクティブマトリクス基板２０を備えた垂直配向型の液晶表示装置５０であって、各画素電極９は、第１サブ画素電極９ａと、第１サブ画素電極９ａに連結部９を介して連結され、第１サブ画素電極９ａよりも大きい第２サブ画素電極９ｃとにより構成され、液晶分子１５は、液晶層４０の電圧印加時に、各サブ画素電極９ａ及び９ｃ毎にリベット１３を中心に放射状に配向するように構成され、連結部９ｅは、各サブ画素電極９ａ及び９ｃにおける液晶分子１５の放射状の配向方向にそれぞれ延びる第１枝部９ａ’及び第２枝部９ｃ’により構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴのオフ電流を抑制しながら製造コストの低減及び生産性の向上を図る。
【解決手段】基板１１上に、第１半導体膜１７及び第２半導体膜１８を形成する半導体膜形成工程と、第１半導体膜１７の全体と第２半導体膜１８の傾斜部１９との双方にｐ型不純物を注入する第１不純物注入工程と、第２半導体膜１８の全体にｐ型不純物を注入する第２不純物注入工程とを含むようにした。 （もっと読む）

【課題】弾性定数等のパラメータを切りつめることなく、液晶の応答速度の改善を図ることのできる液晶表示装置を得る。
【解決手段】表示電極１０および対向電極２０からなる１組の電極を基板上に設け、表示電極および対向電極の間に横電界を発生させるＩＰＳ構造を有する液晶表示装置において、基板上の１組の電極の上に、絶縁層を介して新たな１組の電極を積層することを繰り返すことにより、１組の電極を３段以上積層し（１００、２００、３００）、かつ、それぞれの段により発生する横電界方向を異ならせることにより液晶の配向を２π周期でねじる電極構造を備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ液晶は、ＴＮ液晶などの液晶モードにくらべて応答速度が遅い。応答速度を速くすることができれば、高速ＴＶを実現することができる。応答速度が速いＩＰＳ方式の液晶表示装置を得る。
【解決手段】アレイ基板とカラーフィルター基板が対向して設けられ、両基板間に液晶が介在され、前記アレイ基板に共通電極及び画素電極が形成されたＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、前記アレイ基板上に形成され、第１の方向の横電界を発生させる第１の共通電極１及び第１の画素電極２と、前記アレイ基板上に形成され、前記第１の方向と異なる第２の方向の横電界を発生させる第２の共通電極３及び第２の画素電極４とを設け、前記第１及び第２の方向の横電界により前記液晶を駆動する。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置において、走査信号の遅延および映像信号の遅延による画質むらを低減する。
【解決手段】 複数本の走査信号線と、前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線と、保持容量線と、ＴＦＴと、前記ＴＦＴのソースに接続された画素電極と、前記画素電極に接続された前記画素電極とは異なる導電層とを有し、各画素に前記導電層と前記保持容量線とを一対の電極とする保持容量が形成されている表示装置であって、前記ＴＦＴのゲートが共通の走査信号線に接続している複数個の画素は、当該走査信号線の信号入力端からの距離が長い画素ほど保持容量の値が小さく、前記ＴＦＴのドレインまたはソースのうちの画素電極に接続していないほうが共通の映像信号線に接続している複数個の画素は、当該映像信号線の信号入力端からの距離が長い画素ほど保持容量の値が小さい表示装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタを含む画像表示システムを提供する。
【解決手段】低温ポリシリコン薄膜トランジスタを含む画像表示システムであって、
基板、前記基板を覆う活性層、前記活性層を覆うゲート絶縁層、第一延伸部分、第二延伸部分、及び前記第一、第二延伸部分の間に位置する第一中心部分を含み、且つ前記ゲート絶縁層を覆う誘電体層、及び前記誘電体層の第一中心部分を覆うゲート電極を含む画像表示システム。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度や電流オン・オフ比などのトランジスタ特性に優れ、且つ、界面特性に優れた、信頼性の高い薄膜トランジスタを再現性良く実現する。
【解決手段】酸化インジウムからなる活性層（チャネル層）１１を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、活性層として酸化インジウム膜を形成する工程と、形成された酸化インジウム膜に酸化雰囲気中で熱処理を加える工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。熱処理は１５０℃以上４５０℃以下の酸化雰囲気中で行われることが望ましい。熱処理を加える工程前の酸化インジウム膜がアモルファスであり、熱処理を加える工程後の酸化インジウム膜が結晶であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】低電圧で短時間に初期転移を行うことが可能なＯＣＢモードの液晶装置を提供する。
【解決手段】対向して配置された素子基板１０及び対向基板２０に挟持された液晶層５０と、複数の画素領域とを有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置において、前記素子基板１０に画素電極１５が形成され、前記第２基板には第１共通電極１２１と第２共通電極１２２とが形成されている構成とした。 （もっと読む）

【課題】 感光性の材料を含む液晶組成物を感光させるに際して液晶分子の配向
を調整し、液晶分子の配向をほぼ一定にすることができ、安定に駆動させること
のできる液晶表示装置の提供。
【解決手段】 感光性の材料を含む液晶組成物を感光させるに際して、液晶組成
物層に電圧を印加して液晶分子の配向を調整し、液晶分子の配向をほぼ一定にし
、あるいは液晶表示装置の構造を調整して液晶分子の配向を均一化し、または表
示欠陥を表示領域外に規制する。 （もっと読む）

【課題】高速駆動が可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】液晶表示装置は、液晶パネルと、駆動装置と、ヒータと、温度センサと、温度コントローラとを含んで構成されている。ヒータおよび温度センサは液晶パネルに設けられている。当該液晶表示装置は、温度コントローラがヒータを制御して温度センサの検出温度を所定範囲ＴＴ内に保持するための温度保持制御を実行しつつ駆動装置が液晶パネルを駆動する温度制御・オン・モードを実行可能に構成されている。ヒータは当該ヒータが設けられた基板の支持基板よりも液晶の側に配置されている。温度センサは当該温度センサが設けられた基板の支持基板よりも液晶の側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】低電圧で短時間に初期転移を行うことが可能なＯＣＢモードの液晶装置およびこれを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０（第１基板）の液晶層５０側の面上に液晶層５０の初期転移核を形成するための初期転移構造５５（第１初期転移構造）が設けられるとともに、対向基板２０（第２基板）の液晶層５０側の面上であって液晶層５０を介して初期転移構造５５と対向する位置に初期転移核を形成するための初期転移構造５６（第２初期転移構造）が設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

ディスプレイ装置（５００）はロウ電圧を供給するように構成されたロウドライバ（５２０）を含み、ロウ電極（３２０）はロウドライバ（５２０）に接続されている。カラムドライバ（５３０）はカラム電極（３３０）にＮ個のカラム電圧を供給するように構成されている。更に、共通ドライバ（５７０）は共通電極（１７０）にＭ個の共通電圧を供給するように構成されている。ピクセル（ＣＤＥ）はカラム電極（３３０）と共通電極（１７０）の間に接続されている。制御装置（５１５）はＭ個の共通電圧レベルに対しＮ個のカラム電圧の印加のタイミングを制御してＮＭ個の前記ピクセル（Ｃ_ＤＥ）にかかる実効的電圧レベルを供給するように構成されている。
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【課題】例えば、動画像を表示する際に生じる残像及び尾引き等の表示上の不具合を低減する。
【解決手段】画素電極９ａ１−１の外形は略矩形であり、４つの縁部のうち画素電極９ａ２−１に面する第１縁部２９ａ１は、図中Ｘ方向に沿って延びており、その一部に凹部５０１が設けられている。画素電極９ａ２−１の外形は画素電極９ａ１−１と同様に略矩形であり、４つの縁部のうち画素電極９ａ１−１に面する第２縁部２９ａ２は、図中Ｘ方向に沿って延びており、その一部に凸部５０２が設けられている。凸部５０２は、凹部５０１によって規定された領域Ｒに重なるように第２縁部２９ａ２から第２縁部２９ａ１に向かって延びている。 （もっと読む）

【課題】ベンド転移を効率的に高速化させることが可能な液晶装置、プロジェクタ及び電子機器を提供すること。
【解決手段】補助電極３３が画素に平面視で重なるようにＴＦＴアレイ基板のほぼ全面に設けられており、光を透過可能な導電材料（例えばＩＴＯ）からなる補助電極３３からなるので、画素に平面視で重なるように設けても光を遮光することが無い。しかも、画素に平面視で重なるように設けることにより、画素電極と補助電極３３との間に最大の電位差となるように強電界Ｅを発生させることができ、液晶層５０内の液晶分子のうち垂直に電界Ｅが印加される液晶分子５１ａを中心としてベンド核の発生効率を高めることができる。これにより、ベンド転移を効率的に高速化させることができる。 （もっと読む）

【課題】初期転移操作をより確実に低電圧で高速に行うことができる液晶表示装置及びこれを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】複数の画素領域のそれぞれに対応して、素子基板１１及び対向基板１２の間隔を保持するスペーサ６１が少なくとも１つ配置され、スペーサ６１には、表面に沿って素子基板１１及び対向基板１２の一方から他方に向かうように、液晶層１３を構成する液晶分子１３Ａを配向させる配向処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】ベンド転移を高速に行うことができ、開口率を十分に確保することができる液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器及びプロジェクタを提供すること。
【解決手段】画素電極２４が設けられたＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板に、画素電極２４との間で液晶層に電界を印加可能な第１対向電極３７と、この第１対向電極３７との間で液晶層に横電界を印加可能に設けられた第２対向電極３８とを具備するので、画素電極２４の間の領域に別途配線を設けなくても、対向基板側の第１対向電極３７と第２対向電極３８との間で液晶層に横電界を印加することができる。これにより、ベンド転移を高速に行うことができ、開口率を十分に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶分子をベンド配向にしやすくすることができる液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器及びプロジェクタを提供すること。
【解決手段】液晶分子５１の一部が突起部３０の上面３０ａに設けられた凹部３０ｂに入り込み、凹部３０ｂの開口部近傍において液晶分子５１ａが基板面に対して垂直な方向を向く。この状態で液晶層５に電圧を印加することで初期転移操作を行うと、当該凹部３０ｂの開口部近傍における液晶分子５１ａを核として、当該液晶分子５１ａの周りにベンド配向が伝播することになる。したがって、突起部３０を設けない状態で初期転移操作の電圧を印加する場合に比べて、液晶分子５１全体をベンド配向にしやすくすることができる。 （もっと読む）