液晶装置及び電子機器
【課題】スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させることが困難である。
【解決手段】互いに対向する一対の基板と、前記一対の基板間に介在する液晶１９と、前記一対の基板のうちの一方の前記基板の液晶１９側に設けられたゲート線９３と、ゲート線９３の液晶１９側に設けられたゲート絶縁膜５５と、ゲート絶縁膜５５の液晶１９側にゲート線９３と交差して設けられたソース線９５と、を有し、ソース線９５には、ゲート線９３との交差部に対応してゲート線９３と重なる部位に切欠き部又は開口部９９が設けられており、ゲート絶縁膜５５は、前記切欠き部又は開口部９９に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【解決手段】互いに対向する一対の基板と、前記一対の基板間に介在する液晶１９と、前記一対の基板のうちの一方の前記基板の液晶１９側に設けられたゲート線９３と、ゲート線９３の液晶１９側に設けられたゲート絶縁膜５５と、ゲート絶縁膜５５の液晶１９側にゲート線９３と交差して設けられたソース線９５と、を有し、ソース線９５には、ゲート線９３との交差部に対応してゲート線９３と重なる部位に切欠き部又は開口部９９が設けられており、ゲート絶縁膜５５は、前記切欠き部又は開口部９９に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶の駆動方式として、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが知られている。ＯＣＢモードでは、初期的にスプレイ配向状態にある液晶をベンド配向状態に変化させた状態で、液晶の駆動を制御することによって表示が行われる。
ＯＣＢモードの液晶装置としては、従来、ゲート線とソース線とが重なる領域内でソース線に開口部を設けた構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１０７５３１号公報（第９頁、図１９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された液晶装置では、図２４（ａ）に示すように、ガラス基板６０１と、ゲート線（配線）６０３と、絶縁膜６０５と、ソース線（配線）６０７と、絶縁膜６０９と、配向膜６１１と、液晶６１３とを有する構成が採用され得る。ゲート線６０３は、ガラス基板６０１上に設けられている。ソース線６０７は、絶縁膜６０５を介してゲート線６０３に交差している。配向膜６１１には、ラビング処理などの配向処理が施されている。液晶６１３は、配向処理が施された配向膜６１１によって配向方向が規制されている。
【０００５】
そして、上記特許文献１に記載された液晶装置では、ゲート線６０３とソース線６０７とが重なる領域内でソース線６０７に開口部６１５が設けられている。このため、ゲート線６０３とソース線６０７との間に電位差が発生すると、図２４（ａ）中のＺ部の拡大図である図２４（ｂ）に示すように、開口部６１５を貫通する電界Ｅが発生する。この結果、電界Ｅ中に位置する液晶６１３の分子６１３ａが核となってスプレイ配向からベンド配向への変化が速やかに行われ得る。
【０００６】
ところで、上記特許文献１に記載された液晶装置は、ソース線６０７及び液晶６１３の間に、ソース線６０７を覆う絶縁膜６０９と、絶縁膜６０９を覆う配向膜６１１とを有している。このため、液晶６１３は、これらの絶縁膜６０９や配向膜６１１によって開口部６１５から遠ざかってしまう。電界Ｅの強度は、開口部６１５から遠ざかるほど弱くなる。従って、上記特許文献１に記載された液晶装置では、ゲート線６０３とソース線６０７との間の電界Ｅを有効に利用することが困難である。
【０００７】
つまり、従来の液晶装置では、スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させることが困難であるという未解決の課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００９】
［適用例１］互いに対向する一対の基板と、前記一対の基板間に介在する液晶と、前記一対の基板のうちの一方の前記基板の前記液晶側に設けられた第１配線と、前記第１配線の前記液晶側に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記液晶側に前記第１配線と交差して設けられた第２配線と、を有し、前記第２配線には、前記第１配線との交差部に対応して該第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられており、前記絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【００１０】
適用例１の液晶装置は、一対の基板と、液晶と、第１配線と、絶縁膜と、第２配線とを有している。一対の基板は、互いに対向している。液晶は、一対の基板間に介在している。第１配線は、一対の基板の一方の基板の液晶側に設けられている。絶縁膜は、第１配線の液晶側に設けられている。第２配線は、絶縁膜の液晶側に設けられており、第１配線に交差している。第２配線には、第１配線との交差部に対応して第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられている。そして、絶縁膜は、切欠き部又は開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されている。
【００１１】
適用例１の液晶装置では、切欠き部又は開口部に重なる絶縁膜の少なくとも一部が除去されているので、切欠き部又は開口部に重なる液晶の一部が、切欠き部内又は開口部内に近づきやすくなる。このため、第１配線と第２配線との間で切欠き部又は開口部に発生する電界に液晶を近づけやすくすることができる。この結果、液晶のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させやすくすることができる。
【００１２】
［適用例２］上記の液晶装置であって、前記第２配線の前記液晶側には第２絶縁膜が設けられており、前記第２絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【００１３】
適用例２の液晶装置は、第２配線の液晶側に第２絶縁膜が設けられている。第２絶縁膜は、切欠き部又は開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されている。
適用例２の液晶装置では、切欠き部又は開口部に重なる第２絶縁膜の少なくとも一部が除去されているので、切欠き部又は開口部に重なる液晶の一部が、切欠き部又は開口部内に近づきやすくなる。このため、第１配線と第２配線との間で切欠き部又は開口部に発生する電界に液晶を近づけやすくすることができる。この結果、液晶のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させやすくすることができる。
【００１４】
［適用例３］互いに対向する一対の基板と、前記一対の基板間に介在する液晶と、前記一対の基板のうちの一方の前記基板の前記液晶側に設けられた第１配線と、前記第１配線の前記液晶側に設けらた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記液晶側に前記第１配線と交差して設けられた第２配線と、前記第２配線の前記液晶側に設けられた第２絶縁膜と、を有し、前記第２配線には、前記第１配線との交差部に対応して該第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられており、前記第２絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【００１５】
適用例３の液晶装置は、一対の基板と、液晶と、第１配線と、絶縁膜と、第２配線と、第２絶縁膜とを有している。一対の基板は、互いに対向している。液晶は、一対の基板間に介在している。第１配線は、一対の基板の一方の基板の液晶側に設けられている。絶縁膜は、第１配線の液晶側に設けられている。第２配線は、絶縁膜の液晶側に設けられており、第１配線に交差している。第２絶縁膜は、第２配線の液晶側に設けられている。第２配線には、第１配線との交差部に対応して第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられている。そして、第２絶縁膜は、切欠き部又は開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されている。
【００１６】
適用例３の液晶装置では、切欠き部又は開口部に重なる第２絶縁膜の少なくとも一部が除去されているので、切欠き部又は開口部に重なる液晶の一部が、切欠き部又は開口部内に近づきやすくなる。このため、第１配線と第２配線との間で切欠き部又は開口部に発生する電界に液晶を近づけやすくすることができる。この結果、液晶のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させやすくすることができる。
【００１７】
［適用例４］上記の液晶装置であって、前記第２配線の各前記切欠き部又は前記開口部が設けられた部位には、前記第２配線の少なくともいずれか一方の側端部の辺から、該第２配線の幅方向に突出させて拡張した拡張部が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【００１８】
適用例４では、第２配線の各切欠き部又は開口部が設けられた部位に、第２配線の少なくともいずれか一方の側端部の辺から、第２配線の幅方向に突出させて拡張した拡張部が設けられているので、第２配線の電気抵抗を低減することができる。
【００１９】
［適用例５］上記の液晶装置を表示部として備えたことを特徴とする電子機器。
【００２０】
適用例５の電子機器は、表示部としての液晶装置が、一対の基板と、液晶と、第１配線と、絶縁膜と、第２配線とを有している。一対の基板は、互いに対向している。液晶は、一対の基板間に介在している。第１配線は、一対の基板の一方の基板の液晶側に設けられている。絶縁膜は、第１配線の液晶側に設けられている。第２配線は、絶縁膜の液晶側に設けられており、第１配線に交差している。第２配線には、第１配線との交差部に対応して第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられている。そして、絶縁膜は、切欠き部又は開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されている。
この液晶装置では、切欠き部又は開口部に重なる絶縁膜の少なくとも一部が除去されているので、切欠き部又は開口部に重なる液晶の一部が、切欠き部又は開口部内に近づきやすくなる。このため、第１配線と第２配線との間で切欠き部又は開口部に発生する電界に液晶を近づけやすくすることができる。この結果、液晶のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させやすくすることができる。
この液晶装置を表示部として備えた適用例５の電子機器では、液晶のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させやすくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
実施形態について、液晶装置の１つである表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示パネル３と、照明装置５とを有している。
【００２２】
ここで、表示パネル３には、複数の画素７が設定されている。複数の画素７は、表示領域８内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、照明装置５から表示パネル３に入射された光を、表示パネル３に設定されている複数の画素７から選択的に表示面９を介して表示パネル３の外に射出することで、表示面９に画像を表示することができる。なお、表示領域８とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素７が誇張され、且つ画素７の個数が減じられている。
【００２３】
表示パネル３は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、液晶パネル１１と、偏光板１３ａ及び１３ｂとを有している。
液晶パネル１１は、駆動素子基板１５と、対向基板１７と、液晶１９とを有している。
駆動素子基板１５には、表示面９側すなわち液晶１９側に、複数の画素７のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
【００２４】
対向基板１７は、駆動素子基板１５よりも表示面９側で駆動素子基板１５に対向し、且つ駆動素子基板１５との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板１７には、表示パネル３における表示面９の裏面に相当する面である底面２３側すなわち液晶１９側に、後述する対向電極などが設けられている。
【００２５】
液晶１９は、駆動素子基板１５及び対向基板１７の間に介在しており、表示パネル３の周縁よりも内側で表示領域８を囲むシール材２５によって、駆動素子基板１５及び対向基板１７の間に封止されている。液晶１９としては、ネマチック液晶が採用され得る。なお、本実施形態では、液晶１９の駆動モードとして、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが採用されている。
【００２６】
偏光板１３ａは、駆動素子基板１５よりも底面２３側に設けられている。偏光板１３ｂは、対向基板１７よりも表示面９側に設けられている。表示装置１では、偏光板１３ａ及び１３ｂは、偏光板１３ａにおける光の透過軸の方向と、偏光板１３ｂにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交する方向に設定されている。偏光板１３ａ及び１３ｂは、それぞれ、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。
【００２７】
なお、偏光板１３ａと駆動素子基板１５との間や、偏光板１３ｂと対向基板１７との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶１９を表示面９の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶１９の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
【００２８】
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。
【００２９】
照明装置５は、表示パネル３の底面２３側に設けられており、導光板３１と、光源３３とを有している。導光板３１は、図２で見て表示パネル３の下側に設けられており、表示パネル３の底面２３に対向する光射出面３５ｂを有している。
光源３３は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や冷陰極管などが採用され、図２で見て導光板３１の側面３５ａの右方に設けられている。
【００３０】
光源３３からの光は、導光板３１の側面３５ａに入射される。導光板３１に入射された光は、導光板３１の中で反射を繰り返しながら光射出面３５ｂから射出される。光射出面３５ｂから射出された光は、表示パネル３の底面２３から、偏光板１３ａを介して表示パネル３に入射される。なお、導光板３１には、必要に応じて、光射出面３５ｂに拡散板が設けられ、底面３５ｃに反射板が設けられる。
【００３１】
表示パネル３に設定されている複数の画素７は、それぞれ、表示面９から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素７は、Ｒの光を射出する画素７ｒと、Ｇの光を射出する画素７ｇと、Ｂの光を射出する画素７ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素７という表記と、画素７ｒ、７ｇ及び７ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３２】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００３３】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素７が、１つの画素列４１を構成している。１つの画素列４１内の各画素７は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素７ｒがＹ方向に配列した画素列４１ｒと、複数の画素７ｇがＹ方向に配列した画素列４１ｇと、複数の画素７ｂがＹ方向に配列した画素列４１ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列４１という表記と、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３４】
ここで、液晶パネル１１の駆動素子基板１５及び対向基板１７のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
駆動素子基板１５は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図４に示すように、第１基板５１を有している。第１基板５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた第１面５３ａと、底面２３側に向けられた第２面５３ｂとを有している。
【００３５】
第１基板５１の第１面５３ａには、ゲート絶縁膜５５が設けられている。ゲート絶縁膜５５の表示面９側には、絶縁膜５７が設けられている。絶縁膜５７の表示面９側には、配向膜５９が設けられている。
また、駆動素子基板１５には、各画素７に対応して、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子６１と、画素電極６３とが、第１基板５１の第１面５３ａ側に設けられている。
【００３６】
第１基板５１の第１面５３ａと、各画素電極６３との間には、容量線６５が設けられている。容量線６５は、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素７間にわたって一連した状態で設けられている。容量線６５の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
ＴＦＴ素子６１は、ゲート電極７１と、半導体層７３と、ソース電極７５と、ドレイン電極７７とを有している。
【００３７】
ゲート電極７１は、第１基板５１の第１面５３ａに設けられており、ゲート絶縁膜５５によって表示面９側から覆われている。なお、ゲート電極７１の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。また、ゲート絶縁膜５５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
半導体層７３は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜５５を挟んでゲート電極７１に対向する位置に設けられている。
【００３８】
ソース電極７５は、ゲート絶縁膜５５の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。ドレイン電極７７は、ゲート絶縁膜５５の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。上記の構成を有するＴＦＴ素子６１は、半導体層７３がゲート電極７１と、ソース電極７５及びドレイン電極７７との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
そして、ＴＦＴ素子６１は、絶縁膜５７によって表示面９側から覆われている。なお、絶縁膜５７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
【００３９】
画素電極６３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の酸化導電膜や、Ｍｇ及びＡｇ等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成され、絶縁膜５７の表示面９側に設けられている。画素電極６３は、絶縁膜５７に設けられたコンタクトホール７９を介してドレイン電極７７につながっている。
配向膜５９は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁膜５７及び画素電極６３を表示面９側から覆っている。なお、配向膜５９には、配向処理が施されている。
【００４０】
対向基板１７は、第２基板８１を有している。第２基板８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた外向面８２ａと、底面２３側に向けられた対向面８２ｂとを有している。
第２基板８１の対向面８２ｂには、各画素７を区画する光吸収層８３が領域８４にわたって設けられている。表示装置１では、各画素７は、光吸収層８３によって囲まれた領域であると定義され得る。光吸収層８３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などで構成されており、平面視で格子状に設けられている。
【００４１】
また、第２基板８１の対向面８２ｂには、光吸収層８３によって囲まれた各領域、すなわち各画素７の領域を底面２３側から覆うカラーフィルタ８５が設けられている。
ここで、カラーフィルタ８５は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ８５は、画素７ｒ、画素７ｇ及び画素７ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素７ｒに対応するカラーフィルタ８５は、Ｒの光を透過させることができる。画素７ｇに対応するカラーフィルタ８５はＧの光を透過させ、画素７ｂに対応するカラーフィルタ８５はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ８５に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ８５ｒ、８５ｇ及び８５ｂという表記が用いられる。
【００４２】
光吸収層８３及びカラーフィルタ８５の底面２３側には、オーバーコート層８７が設けられている。オーバーコート層８７は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸収層８３及びカラーフィルタ８５を底面２３側から覆っている。
オーバーコート層８７の底面２３側には、対向電極８９が設けられている。対向電極８９は、例えばＩＴＯ等の酸化導電膜や、Ｍｇ及びＡｇ等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成されている。
【００４３】
対向電極８９は、マトリクスＭを構成する複数の画素７間にわたって一連した状態で設けられている。つまり、対向電極８９は、マトリクスＭを構成する複数の画素７に平面視で重なる領域に設けられており、複数の画素７間にわたって共通して機能する。なお、対向電極８９は、図示しない共通線につながっている。
対向電極８９の底面２３側には、配向膜９１が設けられている。配向膜９１は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、対向電極８９を底面２３側から覆っている。配向膜９１には、配向処理が施されている。
【００４４】
駆動素子基板１５及び対向基板１７の間に介在する液晶１９は、配向膜５９と配向膜９１との間に介在している。表示装置１では、図２に示すシール材２５は、図４に示す第１基板５１の第１面５３ａと、第２基板８１の対向面８２ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、液晶１９は、第１基板５１及び第２基板８１によって保持されている。なお、シール材２５は、配向膜５９及び配向膜９１の間に設けられていてもよい。この場合、液晶１９は、駆動素子基板１５及び対向基板１７に保持されているとみなされ得る。
【００４５】
ここで、各画素７におけるＴＦＴ素子６１及び画素電極６３の配置について説明する。
画素電極６３は、平面図である図５に示すように、画素７の領域にわたって設けられている。そして、画素電極６３の周縁部は、領域８４に重なっている。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、画素電極６３にハッチングが施されている。
【００４６】
ＴＦＴ素子６１は、図５で見て下側の領域８４内に設けられており、ドレイン電極７７が領域８４内から画素７の領域内に延長されている。Ｘ方向に隣り合う画素７間において、ゲート電極７１同士は、ゲート線９３によって接続されている。また、Ｙ方向に隣り合う画素７間において、ソース電極７５同士は、ソース線９５によって接続されている。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、ゲート線９３にハッチングが施されている。
【００４７】
ここで、ゲート電極７１は、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素７間にわたって一連したゲート線９３として設けられている。そして、画素７ごとにゲート線９３に対向する位置に半導体層７３が設けられている。各ゲート線９３において、平面視で半導体層７３に重なる領域がゲート電極７１であると定義され得る。
なお、図４におけるＴＦＴ素子６１、画素電極６３及び容量線６５の断面は、図５中のＦ−Ｆ線における断面に相当している。
【００４８】
表示装置１では、複数のゲート線９３と複数のソース線９５とが、図６に示すように、格子状に配線されている。複数のゲート線９３は、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、Ｘ方向に沿って延びている。複数のソース線９５は、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態で、Ｙ方向に沿って延びている。各画素７は、各ゲート線９３と各ソース線９５との交差に対応して設定されている。
Ｘ方向に沿って延びる各容量線６５は、Ｙ方向に間隔をあけた状態で各ゲート線９３に隣り合っている。そして、各画素電極６３と各容量線６５との間に補助容量９７が形成される。
【００４９】
また、表示装置１では、図５に示すように、各ソース線９５に複数の開口部９９が設けられている。各ソース線９５において各開口部９９は、ソース線９５と各ゲート線９３とが交差する部位に設けられている。各開口部９９は、ソース線９５と各ゲート線９３とが平面視で重なる領域に設けられている。なお、各開口部９９は、図５中のＨ部の拡大図である図７に示すように、Ｙ方向の幅Ｗ１がゲート線９３の幅Ｗ２以下に設定されている。また、Ｘ方向において、各開口部９９は、ソース線９５の輪郭を構成する第１辺１０１と第２辺１０３との間に位置している。第１辺１０１は、Ｙ方向に延びている。第２辺１０３は、図５に示すように、ソース電極７５がソース線９５から分岐する側の辺であり、第１辺１０１に対峙している。
【００５０】
表示装置１では、ゲート線９３とソース線９５との間に介在するゲート絶縁膜５５に、図７中のＪ−Ｊ線における断面図である図８（ａ）に示すように、開口部１０５が設けられている。表示装置１では、開口部１０５は、ソース線９５の開口部９９ごとに設けられている。各開口部１０５は、対応する各開口部９９の平面視での輪郭内に設けられている。これにより、ゲート線９３とソース線９５との短絡を抑制しやすくすることができるという効果の１つが得られる。
そして、各開口部１０５内には、絶縁膜５７が及んでいる。この結果、絶縁膜５７を覆う配向膜５９には、各開口部９９に平面視で重なる領域に、ゲート線９３に向かって凹となる凹部１０７が形成される。各凹部１０７内には、液晶１９が及ぶ。
【００５１】
ここで、表示装置１では、配向膜５９及び配向膜９１のそれぞれに、Ｘ方向に沿ってラビング処理を施すことによって、配向処理が施されている。このような配向処理が施された配向膜５９及び配向膜９１の間に介在する液晶１９は、初期的に、図９（ａ）に示すようなスプレイ配向状態となっている。そして、表示を行う際には、図９（ｂ）に示すようなベンド配向状態に変化させてから使用される。
【００５２】
スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化は、液晶１９を電界にさらすことによって実現され得る。ベンド配向状態では、液晶１９の分子１９ａが弓なりに並んでおり、その弓なり形状の曲がり度合いを変えることで透過率を変調することによって階調表示が行われる。
【００５３】
表示装置１では、ゲート線９３とソース線９５との間を所定の電位差にすることによって、前述した開口部９９に電界が発生する。
ゲート線９３とソース線９５との間に電位差が生じると、ゲート線９３とソース線９５との間には、電界の様子を模式的に示す断面図である図８（ｂ）に示すように、開口部９９を貫く電界Ｅが発生する。表示装置１では、例えば、５Ｖの矩形波の交流電圧をゲート線９３とソース線９５との間に印加することにより、開口部９９を貫く電界Ｅを発生させることができる。
【００５４】
この電界Ｅには、ゲート線９３から開口部９９を貫く縦方向の成分が含まれる。電界Ｅにさらされた液晶１９の分子１９ａのうちの分子１９ａ1は、図８（ｂ）に示すように、電界Ｅの縦方向の成分によって、立ち上がろうとする。
また、電界Ｅには、開口部９９を貫いてからソース線９５に至るまでに、Ｙ方向に沿った横方向の成分が含まれる。液晶１９の分子１９ａは、初期的に、ラビング処理の方向に沿って配向する。表示装置１では、ラビング処理の方向がＸ方向に沿っているので、分子１９ａは、初期的にＸ方向に沿って配向している。
【００５５】
初期的にＸ方向に沿って配向している分子１９ａのうちの分子１９ａ2は、図８（ｂ）に示すように、電界ＥのＹ方向に沿った横方向の成分によって、Ｙ方向に配向しようとする。つまり、分子１９ａ2は、電界ＥのＹ方向に沿った横方向の成分によって、回転しようとする。
ここで、液晶１９の分子１９ａは、スプレイ配向状態からベンド配向状態になるまでの間にツイスト配向状態を経る。ツイスト配向状態では、分子１９ａはラビング処理の方向とは平面視で交差する方向に配向する。つまり、液晶１９の分子１９ａは、スプレイ配向状態からスプレイ配向の方向とは平面視で交差する方向に回転すると、ツイスト配向状態となる。
【００５６】
表示装置１では、電界ＥのＹ方向に沿った横方向の成分によって、液晶１９の分子１９ａがツイスト配向状態になろうとする作用と、電界Ｅの縦方向の成分によって、分子１９ａが立ち上がろうとする作用とが働く。これらの作用によって、各開口部９９の近傍に、スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の核となる転移核が発生する。
そして、転移核が発生した状態で画素電極６３と対向電極８９との間に、例えば５Ｖの矩形波の交流電圧を印加することにより、画素電極６３と対向電極８９との間の広い範囲で液晶１９が駆動される。この結果、各開口部９９の近傍に発生した転移核を起点としてベンド配向状態の領域が広がり、液晶１９がベンド配向状態に変化する。
【００５７】
上記の構成を有する表示装置１では、液晶１９をベンド配向状態に維持して照明装置５から表示パネル３に光を照射した状態で、液晶１９の配向状態を画素７ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶１９の配向状態は、ＴＦＴ素子６１のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。また、液晶１９は、対向電極８９を所定の電位に保つことによってベンド配向状態に維持され得る。
【００５８】
各ゲート線９３には、図６に示すように、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎが供給される。各ソース線９５には、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが供給される。走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎは、図１０に示すように、それぞれ、１フレーム期間内に１回だけ、１フレーム期間よりも短い期間ｔ１にわたってＨｉレベルの選択電位に維持される。あるタイミングで選択電位となり得るのは、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎのうちの１つだけである。
【００５９】
ゲート線９３が選択電位となると、このゲート線９３につながるＴＦＴ素子６１がＯＮ状態となる。ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態となっている期間において、ソース線９５に供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが、ＴＦＴ素子６１を介して画素電極６３に印加される（図６）。画素電極６３に印加された所定のレベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍと、対向電極８９の電位とで定まる電圧が駆動電圧となる。
【００６０】
この駆動電圧は、液晶１９の容量及び補助容量９７により一定時間保持される。この駆動電圧により、画素電極６３と対向電極８９との間には、電界が形成される。そして、駆動電圧が印加された画素電極６３と対向電極８９との間に位置する液晶１９は、駆動電圧のレベルに応じて分子１９ａの配向状態が変化する。これにより、液晶１９に入射された光が変調されて階調表示が行われる。
【００６１】
図１１（ａ）は、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときの偏光状態を示す図であり、図１１（ｂ）は、ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態のときの偏光状態を示す図である。
表示装置１では、偏光板１３ａの透過軸１１１は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、平面視でＸ方向から反時計方向に４５度だけ傾いている。また、偏光板１３ｂの透過軸１１３は、平面視でＸ方向から時計方向に４５度だけ傾いている。
また、配向膜５９のラビング処理の方向（以下、ラビング方向と呼ぶ）１１５は、平面視でＸ方向に沿っている。配向膜９１のラビング方向１１７も、平面視でＸ方向に沿っている。
【００６２】
照明装置５から偏光板１３ａに入射された入射光は、偏光板１３ａの透過軸１１１の方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１１９として液晶１９に入射される。
ここで、液晶１９は、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときに、入射光に略１／２波長の位相差を付与するリタデーションに設定されている。
従って、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときに液晶１９に入射された直線偏光１１９は、図１１（ａ）に示すように、平面視で直線偏光１１９の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光１２１として偏光板１３ｂに向けて射出される。
偏光板１３ｂに向けて射出された直線偏光１２１は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１１３の方向に沿っているため、偏光板１３ｂを透過する。
【００６３】
他方で、ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態のときに、直線偏光１１９は、図１１（ｂ）に示すように、偏光状態が維持されたまま直線偏光１１９として偏光板１３ｂに向けて射出される。偏光板１３ｂに向けて射出された直線偏光１１９は、偏光軸の方向が偏光板１３ｂの透過軸１１３の方向に対して直交しているため、偏光板１３ｂによって吸収される。
【００６４】
表示装置１では、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときに表示面９から光が射出され、ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態のときに表示面９からの光の射出が遮断される所謂ノーマリホワイトの表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリホワイトに限定されず、ノーマリブラックも採用され得る。偏光板１３ａの透過軸１１１の方向と、偏光板１３ｂの透過軸１１３の方向とを互いに合わせれば、ノーマリブラックが達成され得る。
【００６５】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル１１の製造工程と、表示パネル３の製造工程と、表示装置１の製造工程とに大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、駆動素子基板１５の製造工程と、対向基板１７の製造工程とに大別される。
【００６６】
駆動素子基板１５の製造工程では、図１２（ａ）に示すように、まず、第１基板５１の第１面５３ａに、ゲート電極７１（ゲート線９３）と、容量線６５とを形成する。ゲート電極７１（ゲート線９３）及び容量線６５は、第１面５３ａに金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、ゲート電極７１（ゲート線９３）及び容量線６５を覆うゲート絶縁膜５５を形成する。ゲート絶縁膜５５は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。
【００６７】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５５上に、半導体層７３を形成してから、半導体層７３の一部に重なるソース電極７５とドレイン電極７７とを形成する。なお、ソース電極７５がつながるソース線９５は、ソース電極７５を形成するときに、ソース電極７５とともに形成される。ソース電極７５及びドレイン電極７７並びにソース線９５は、ゲート絶縁膜５５上に金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。このとき、ソース線９５には、図５に示す複数の開口部９９が設けられる。
【００６８】
次いで、各開口部９９内のゲート絶縁膜５５に、図８（ａ）に示す複数の開口部１０５を形成する。各開口部１０５は、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用して各開口部１０５内に相当するゲート絶縁膜５５を除去することによって形成され得る。
【００６９】
なお、表示装置１の製造方法では、ソース線９５を形成してからゲート絶縁膜５５に開口部１０５を形成する順序が採用されているが、ソース線９５及び開口部１０５の形成順序はこれに限定されない。開口部１０５を形成してからソース線９５を形成する順序も採用され得る。しかしながら、ゲート線９３とソース線９５との短絡を低く抑えるという観点から、ソース線９５を形成してからゲート絶縁膜５５に開口部１０５を形成する順序が好ましい。これは、開口部１０５内にソース線９５の材料が及んだ状態すなわちゲート線９３とソース線９５とが短絡した状態から、開口部１０５内のソース線９５の材料を除去してゲート線９３とソース線９５とを絶縁状態にすることが困難であるためである。
【００７０】
次いで、ソース電極７５及びドレイン電極７７並びにソース線９５を覆う絶縁膜５７を形成する。絶縁膜５７は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。また、絶縁膜５７は、例えば、スピンコート技術を活用することによって、アクリル系の樹脂などによっても形成され得る。
【００７１】
次いで、図１２（ｃ）に示すように、絶縁膜５７に、ドレイン電極７７に至るコンタクトホール７９を形成してから、絶縁膜５７上にコンタクトホール７９を覆う画素電極６３を形成する。コンタクトホール７９は、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用することによって形成され得る。画素電極６３は、絶縁膜５７上にＩＴＯやＭｇやＡｇなどの膜を形成してから、この膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【００７２】
次いで、図１２（ｄ）に示すように、絶縁膜５７上に、ポリイミドなどの樹脂で画素電極６３を覆う樹脂膜５９ａを形成する。樹脂膜５９ａは、例えば、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、樹脂膜５９ａにラビング処理を施すことにより、図４に示す配向膜５９が形成される。これにより、駆動素子基板１５が製造され得る。
【００７３】
対向基板１７の製造工程では、図１３（ａ）に示すように、まず、第２基板８１の対向面８２ｂに、光吸収層８３を、平面視で格子状に形成する。光吸収層８３は、対向面８２ｂに、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【００７４】
次いで、図１３（ｂ）に示すように、光吸収層８３によって囲まれる各画素７の領域内に、カラーフィルタ８５を形成する。カラーフィルタ８５は、Ｒ、Ｇ及びＢの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各画素７の領域内に配置することによって形成され得る。なお、各画素７の領域内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、光吸収層８３及びカラーフィルタ８５上にオーバーコート層８７を形成する。オーバーコート層８７は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
【００７５】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、オーバーコート層８７上に対向電極８９を形成する。対向電極８９は、例えばスパッタリング技術を活用して、オーバーコート層８７上にＩＴＯやＭｇやＡｇなどの膜を形成することにより形成され得る。
次いで、ポリイミドなどの樹脂で対向電極８９を覆う樹脂膜９１ａを形成する。樹脂膜９１ａは、例えば、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、樹脂膜９１ａにラビング処理を施すことにより、図４に示す配向膜９１が形成される。これにより、対向基板１７が製造され得る。
【００７６】
液晶パネル１１の製造工程では、まず、駆動素子基板１５と対向基板１７とを、駆動素子基板１５及び対向基板１７のいずれか一方に平面視で環状に設けられたシール材２５（図２）を介して接合する。このとき、シール材２５は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材２５の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶１９の注入口となる。
次いで、液晶１９を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶１９を封入する。これにより、図２に示す液晶パネル１１が製造され得る。
【００７７】
表示パネル３の製造工程では、図４に示す偏光板１３ａ及び１３ｂを液晶パネル１１に設ける。偏光板１３ａは第１基板５１の第２面５３ｂに設けられ、偏光板１３ｂは、第２基板８１の外向面８２ａに設けられる。これにより、表示パネル３が製造され得る。
なお、偏光板１３ａ及び１３ｂは、液晶パネル１１を製造する前に、第１基板５１及び第２基板８１に設けられ得る。
表示装置１の製造工程では、表示パネル３と照明装置５とを組み合わせることにより、表示装置１が製造され得る。
【００７８】
なお、表示装置１において、ゲート絶縁膜５５が絶縁膜に対応し、絶縁膜５７が第２絶縁膜に対応し、ゲート線９３が第１配線に対応し、ソース線９５が第２配線に対応し、Ｘ方向が第１方向に対応し、Ｙ方向が第２方向に対応している。
表示装置１では、各ソース線９５に複数の開口部９９が設けられている。各ソース線９５において各開口部９９は、平面視でソース線９５とゲート線９３とが重なる部位に設けられている。ゲート線９３とソース線９５との間に電圧を印加することにより、開口部９９を貫く電界Ｅを発生させることができる。この電界Ｅにより、各開口部９９の近傍に位置する液晶１９に、スプレイ配向状態からベンド配向状態への転移核を発生させやすくすることができる。
【００７９】
また、表示装置１では、開口部９９ごとに、ゲート絶縁膜５５に複数の開口部１０５が設けられている。各開口部１０５は、平面視で開口部９９に重なる領域に設けられている。ゲート絶縁膜５５に開口部１０５が設けられることによって、開口部９９に平面視で重なる領域にある液晶１９を開口部９９に近づけることができる。このため、開口部９９を貫通する電界Ｅを有効に利用することができる。この結果、スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させることができる。
【００８０】
また、表示装置１では、平面視でソース線９５とゲート線９３とが重なる部位に各開口部９９が設けられているので、ゲート線９３とソース線９５との間の寄生容量を低減することができる。これにより、表示装置１における表示品位の向上が図られる。
【００８１】
なお、表示装置１では、ボトムゲート型のＴＦＴ素子６１が採用されているが、ＴＦＴ素子６１はこれに限定されない。ＴＦＴ素子６１は、半導体層７３がゲート電極７１並びにソース電極７５及びドレイン電極７７よりも底面２３側に位置する所謂トップゲート型も採用され得る。
【００８２】
また、表示装置１では、配向膜５９及び配向膜９１のそれぞれに、Ｘ方向に沿ってラビング処理が施される場合を例に説明したが、ラビング方向はこれに限定されず、配向膜５９及び配向膜９１のラビング方向が互いに同じ方向であれば、任意の方向が採用され得る。
【００８３】
また、表示装置１では、ゲート絶縁膜５５に開口部１０５を設けた構成を例に説明したが、表示装置１の構成はこれに限定されない。表示装置１の構成としては、図１４（ａ）に示すように、絶縁膜５７に開口部１２５を設けた構成も採用され得る。開口部１２５は、開口部９９に平面視で重なる領域に設けられる。この開口部１２５は、開口部９９に平面視で重なる領域があれば、開口部９９の平面視での輪郭の外側に及んでいても、内側に収まっていてもよい。絶縁膜５７に開口部１２５を設けた構成においても、ゲート絶縁膜５５に開口部１０５を設けた構成と同様の効果が得られる。
【００８４】
さらに、表示装置１の構成としては、図１４（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５５に開口部１０５を設け、且つ絶縁膜５７に開口部１２５を設けた構成も採用され得る。図１４（ｂ）に示す構成では、平面視で開口部９９に重なる液晶１９の一部が開口部９９内に一層近づきやすくなる。このため、ゲート線９３とソース線９５との間で開口部９９を貫通する電界Ｅ（図８（ｂ）参照）に液晶１９を一層近づけやすくすることができる。この結果、液晶１９のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を一層向上させやすくすることができる。
【００８５】
また、表示装置１では、ソース線９５に開口部９９を設けた場合を例に説明したが、ソース線９５はこれに限定されず、開口部９９に替えて、図１５に示す切欠き部１２７を設けた構成も採用され得る。図１５に示す例では、切欠き部１２７は、第１辺１０１側から第２辺１０３側へ向かって、ソース線９５のＸ方向における幅方向に刻まれている。換言すれば、切欠き部１２７は、第２辺１０３側から第１辺１０１側へ向かって開口されている。なお、この例では、切欠き部１２７の開口が第１辺１０１側に設けられているが、開口の向きは第２辺１０３側であってもよい。
切欠き部１２７が採用された表示装置１においても、開口部９９が採用された表示装置１と同様の効果が得られる。
【００８６】
また、切欠き部１２７が採用された場合において、配向膜５９に対するラビング処理は、図１５中のＬ１の向きに、すなわち切欠き部１２７の開口側から奥側に向かって施されることが好ましい。
ここで、開口部９９が採用される場合、配向膜５９に形成される凹部１０７は、図７中のＫ−Ｋ線における断面図である図１６に示すように、２つの凸部１３１によって挟まれている。配向膜５９に凹部１０７があると、凹部１０７内にラビング処理などで配向処理を十分に施すことが困難となる場合がある。配向膜５９に配向処理が不十分な領域があると、液晶１９がこの領域を起点としてベンド配向状態からスプレイ配向状態に戻りやすくなってしまう。
【００８７】
他方で、切欠き部１２７が採用された構成では、図１５中のＮ−Ｎ線における断面図である図１７に示すように、２つの凸部１３１のうちの一方を低くすることができる。そして、配向膜５９に対するラビング処理をＬ１の向きに施せば、ラビング処理にかかるラビング布の毛先が、平面視で切欠き部１２７の内側に重なる領域の配向膜５９に接触しやすい。このため、切欠き部１２７の内側に重なる領域の配向膜５９に十分な配向処理を施しやすくすることができ、ベンド配向状態からスプレイ配向状態に戻りにくくすることができる。
なお、各切欠き部１２７は、開口が第１辺１０１側に設けられた構成に限られず、開口が第２辺１０３側に設けられた構成も採用され得る。この場合、ラビング処理の向きは、第２辺１０３から第１辺１０１へ向かう向きに設定される。
このような切欠き部１２７の効果は、ゲート絶縁膜５５及び絶縁膜５７のうちで絶縁膜５７だけに開口部１２５が設けられた構成（図１４（ａ））や、ゲート絶縁膜５５及び絶縁膜５７のそれぞれに開口部１０５及び開口部１２５のそれぞれが設けられた構成（図１４（ｂ））においても得られる。
【００８８】
また、表示装置１では、ソース線９５に複数の開口部９９を設けた場合を例に説明したが、ソース線９５の構成はこれに限定されない。例えばソース線９５は、図１８に示すように、第１辺１０１側及び第２辺１０３側に拡張部１３５を設けた構成も採用され得る。各拡張部１３５は、ゲート線９３に交差する第１辺１０１及び第２辺１０３のそれぞれにおいて開口部９９に対峙する各位置に設けられる。
また、切欠き部１２７が採用される場合では、拡張部１３５は、図１９に示すように、切欠き部１２７の開口側とは反対側（この場合には第２辺１０３側）に設けられ得る。この場合、拡張部１３５は、ゲート線９３に交差する第２辺１０３において切欠き部１２７に対峙する位置に設けられる。なお、切欠き部１２７の開口が第２辺１０３側に設けられている場合には、拡張部１３５は、開口側とは反対側の第１辺１０１側に設けられる。
各拡張部１３５が設けられたソース線９５は、開口部９９や切欠き部１２７をＸ方向に沿って切断したときの断面積が拡大されるので、電気抵抗の低減が図られる。なお、拡張部１３５のＹ方向における幅Ｗ３は、開口部９９や切欠き部１２７の幅Ｗ１よりも大きい値に設定されることが、電気抵抗の低減という観点から好ましい。
【００８９】
また、表示装置１では、ソース線９５がゲート線９３よりも表示面９側に位置し、且つソース線９５に開口部９９を設けた構成を例に説明したが、ソース線９５及びゲート線９３はこれに限定されない。ソース線９５及びゲート線９３は、平面図である図２０に示すように、ゲート線９３がソース線９５よりも表示面９側に位置し、且つゲート線９３に開口部９９を設けた構成も採用され得る。
【００９０】
この構成においても、開口部９９に替えて上述した切欠き部１２７が採用され得る。切欠き部１２７が採用された場合、配向膜５９に対するラビング処理は、Ｙ方向に沿って、且つ切欠き形状の開口側から奥側に向かって施されることが好ましい。
【００９１】
図２０に示す構成の場合、第１基板５１の第１面５３ａには、図２０中のＱ−Ｑ線における断面図である図２１に示すように、ソース線９５と、ソース線９５を覆う絶縁膜１４１とが設けられている。
ゲート線９３（ゲート電極７１）は、絶縁膜１４１上に設けられている。そして、ソース電極７５は、ゲート絶縁膜５５からソース線９５に至るコンタクトホール１４３を介してソース線９５につながっている。
【００９２】
絶縁膜１４１は、図２０中のＷ−Ｗ線における断面図である図２２に示すように、ゲート線９３の開口部９９に平面視で重なる領域に、開口部１４７が設けられる。そして、ゲート絶縁膜５５の開口部１０５や、絶縁膜５７の開口部１２５は、ゲート線９３の開口部９９に平面視で重なる領域に任意に設けられ得る。液晶１９のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させるという観点から、絶縁膜１４１の開口部１４７に加えて、開口部１０５及び開口部１２５の少なくとも一方を設けることが好ましい。
図２０に示す構成においても、ソース線９５に開口部９９を設けた構成と同様の効果が得られる。なお、図２０に示す構成では、絶縁膜１４１が絶縁膜に対応し、ゲート絶縁膜５５が第２絶縁膜に対応し、ソース線９５が第１配線に対応し、ゲート線９３が第２配線に対応し、Ｙ方向が第１方向に対応し、Ｘ方向が第２方向に対応する。
【００９３】
表示装置１では、ソース線９５やゲート線９３に切欠き部１２７が設けられる場合に、切欠き部１２７がＸ方向又はＹ方向に延びている（刻まれている）場合を例に説明したが、切欠き部１２７の方向はこれらに限定されず、Ｘ方向及びＹ方向の双方に平面視で交差する第３方向とすることができる。この場合、切欠き部１２７が延びる（刻まれる）方向に応じてラビング処理が施される向きが設定されればよい。
また、表示装置１では、Ｘ方向とＹ方向とが互いに直交する場合を例に説明したが、これに限定されず、Ｘ方向とＹ方向とが互いに交差していれば、Ｘ方向とＹ方向との間の角度は任意の角度に設定され得る。
【００９４】
上述した表示装置１は、例えば、図２３に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示装置１が適用された表示部５１０において、スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させることができる。
【００９５】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示パネル３や液晶パネル１１は、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図５】本実施形態におけるＴＦＴ素子及び画素電極の配置を説明する平面図。
【図６】本実施形態における駆動素子基板の等価回路図。
【図７】図５中のＨ部の拡大図。
【図８】図７中のＪ−Ｊ線における断面図。
【図９】本実施形態における液晶の配向状態を模式的に示す断面図。
【図１０】本実施形態における各ゲート線に供給される走査信号のタイミングチャート。
【図１１】本実施形態における表示装置の偏光状態を説明する図。
【図１２】本実施形態における駆動素子基板の製造工程を説明する図。
【図１３】本実施形態における対向基板の製造工程を説明する図。
【図１４】本実施形態における表示装置の他の構成例を説明する断面図。
【図１５】本実施形態におけるソース線の他の構成例を説明する平面図。
【図１６】図７中のＫ−Ｋ線における断面図。
【図１７】図１５中のＮ−Ｎ線における断面図。
【図１８】本実施形態におけるソース線の別の構成例を説明する平面図。
【図１９】本実施形態におけるソース線のさらに別の構成例を説明する平面図。
【図２０】本実施形態におけるゲート線及びソース線の他の構成例を説明する平面図。
【図２１】図２０中のＱ−Ｑ線における断面図。
【図２２】図２０中のＷ−Ｗ線における断面図。
【図２３】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【図２４】従来技術を説明する断面図。
【符号の説明】
【００９７】
１…表示装置、３…表示パネル、７…画素、８…表示領域、９…表示面、１１…液晶パネル、１５…駆動素子基板、１７…対向基板、１９…液晶、２３…底面、５１…第１基板、５３ａ…第１面、５３ｂ…第２面、５５…ゲート絶縁膜、５７…絶縁膜、５９…配向膜、５９ａ…樹脂膜、７１…ゲート電極、７５…ソース電極、８１…第２基板、８２ａ…外向面、８２ｂ…対向面、８９…対向電極、９１…配向膜、９３…ゲート線、９５…ソース線、９９…開口部、１０１…第１辺、１０３…第２辺、１０５…開口部、１２５…開口部、１２７…切欠き部、１３１…凸部、１３５…拡張部、１４１…絶縁膜、１４７…開口部、５００…電子機器、５１０…表示部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶の駆動方式として、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが知られている。ＯＣＢモードでは、初期的にスプレイ配向状態にある液晶をベンド配向状態に変化させた状態で、液晶の駆動を制御することによって表示が行われる。
ＯＣＢモードの液晶装置としては、従来、ゲート線とソース線とが重なる領域内でソース線に開口部を設けた構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１０７５３１号公報（第９頁、図１９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された液晶装置では、図２４（ａ）に示すように、ガラス基板６０１と、ゲート線（配線）６０３と、絶縁膜６０５と、ソース線（配線）６０７と、絶縁膜６０９と、配向膜６１１と、液晶６１３とを有する構成が採用され得る。ゲート線６０３は、ガラス基板６０１上に設けられている。ソース線６０７は、絶縁膜６０５を介してゲート線６０３に交差している。配向膜６１１には、ラビング処理などの配向処理が施されている。液晶６１３は、配向処理が施された配向膜６１１によって配向方向が規制されている。
【０００５】
そして、上記特許文献１に記載された液晶装置では、ゲート線６０３とソース線６０７とが重なる領域内でソース線６０７に開口部６１５が設けられている。このため、ゲート線６０３とソース線６０７との間に電位差が発生すると、図２４（ａ）中のＺ部の拡大図である図２４（ｂ）に示すように、開口部６１５を貫通する電界Ｅが発生する。この結果、電界Ｅ中に位置する液晶６１３の分子６１３ａが核となってスプレイ配向からベンド配向への変化が速やかに行われ得る。
【０００６】
ところで、上記特許文献１に記載された液晶装置は、ソース線６０７及び液晶６１３の間に、ソース線６０７を覆う絶縁膜６０９と、絶縁膜６０９を覆う配向膜６１１とを有している。このため、液晶６１３は、これらの絶縁膜６０９や配向膜６１１によって開口部６１５から遠ざかってしまう。電界Ｅの強度は、開口部６１５から遠ざかるほど弱くなる。従って、上記特許文献１に記載された液晶装置では、ゲート線６０３とソース線６０７との間の電界Ｅを有効に利用することが困難である。
【０００７】
つまり、従来の液晶装置では、スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させることが困難であるという未解決の課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００９】
［適用例１］互いに対向する一対の基板と、前記一対の基板間に介在する液晶と、前記一対の基板のうちの一方の前記基板の前記液晶側に設けられた第１配線と、前記第１配線の前記液晶側に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記液晶側に前記第１配線と交差して設けられた第２配線と、を有し、前記第２配線には、前記第１配線との交差部に対応して該第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられており、前記絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【００１０】
適用例１の液晶装置は、一対の基板と、液晶と、第１配線と、絶縁膜と、第２配線とを有している。一対の基板は、互いに対向している。液晶は、一対の基板間に介在している。第１配線は、一対の基板の一方の基板の液晶側に設けられている。絶縁膜は、第１配線の液晶側に設けられている。第２配線は、絶縁膜の液晶側に設けられており、第１配線に交差している。第２配線には、第１配線との交差部に対応して第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられている。そして、絶縁膜は、切欠き部又は開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されている。
【００１１】
適用例１の液晶装置では、切欠き部又は開口部に重なる絶縁膜の少なくとも一部が除去されているので、切欠き部又は開口部に重なる液晶の一部が、切欠き部内又は開口部内に近づきやすくなる。このため、第１配線と第２配線との間で切欠き部又は開口部に発生する電界に液晶を近づけやすくすることができる。この結果、液晶のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させやすくすることができる。
【００１２】
［適用例２］上記の液晶装置であって、前記第２配線の前記液晶側には第２絶縁膜が設けられており、前記第２絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【００１３】
適用例２の液晶装置は、第２配線の液晶側に第２絶縁膜が設けられている。第２絶縁膜は、切欠き部又は開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されている。
適用例２の液晶装置では、切欠き部又は開口部に重なる第２絶縁膜の少なくとも一部が除去されているので、切欠き部又は開口部に重なる液晶の一部が、切欠き部又は開口部内に近づきやすくなる。このため、第１配線と第２配線との間で切欠き部又は開口部に発生する電界に液晶を近づけやすくすることができる。この結果、液晶のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させやすくすることができる。
【００１４】
［適用例３］互いに対向する一対の基板と、前記一対の基板間に介在する液晶と、前記一対の基板のうちの一方の前記基板の前記液晶側に設けられた第１配線と、前記第１配線の前記液晶側に設けらた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記液晶側に前記第１配線と交差して設けられた第２配線と、前記第２配線の前記液晶側に設けられた第２絶縁膜と、を有し、前記第２配線には、前記第１配線との交差部に対応して該第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられており、前記第２絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【００１５】
適用例３の液晶装置は、一対の基板と、液晶と、第１配線と、絶縁膜と、第２配線と、第２絶縁膜とを有している。一対の基板は、互いに対向している。液晶は、一対の基板間に介在している。第１配線は、一対の基板の一方の基板の液晶側に設けられている。絶縁膜は、第１配線の液晶側に設けられている。第２配線は、絶縁膜の液晶側に設けられており、第１配線に交差している。第２絶縁膜は、第２配線の液晶側に設けられている。第２配線には、第１配線との交差部に対応して第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられている。そして、第２絶縁膜は、切欠き部又は開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されている。
【００１６】
適用例３の液晶装置では、切欠き部又は開口部に重なる第２絶縁膜の少なくとも一部が除去されているので、切欠き部又は開口部に重なる液晶の一部が、切欠き部又は開口部内に近づきやすくなる。このため、第１配線と第２配線との間で切欠き部又は開口部に発生する電界に液晶を近づけやすくすることができる。この結果、液晶のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させやすくすることができる。
【００１７】
［適用例４］上記の液晶装置であって、前記第２配線の各前記切欠き部又は前記開口部が設けられた部位には、前記第２配線の少なくともいずれか一方の側端部の辺から、該第２配線の幅方向に突出させて拡張した拡張部が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【００１８】
適用例４では、第２配線の各切欠き部又は開口部が設けられた部位に、第２配線の少なくともいずれか一方の側端部の辺から、第２配線の幅方向に突出させて拡張した拡張部が設けられているので、第２配線の電気抵抗を低減することができる。
【００１９】
［適用例５］上記の液晶装置を表示部として備えたことを特徴とする電子機器。
【００２０】
適用例５の電子機器は、表示部としての液晶装置が、一対の基板と、液晶と、第１配線と、絶縁膜と、第２配線とを有している。一対の基板は、互いに対向している。液晶は、一対の基板間に介在している。第１配線は、一対の基板の一方の基板の液晶側に設けられている。絶縁膜は、第１配線の液晶側に設けられている。第２配線は、絶縁膜の液晶側に設けられており、第１配線に交差している。第２配線には、第１配線との交差部に対応して第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられている。そして、絶縁膜は、切欠き部又は開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されている。
この液晶装置では、切欠き部又は開口部に重なる絶縁膜の少なくとも一部が除去されているので、切欠き部又は開口部に重なる液晶の一部が、切欠き部又は開口部内に近づきやすくなる。このため、第１配線と第２配線との間で切欠き部又は開口部に発生する電界に液晶を近づけやすくすることができる。この結果、液晶のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させやすくすることができる。
この液晶装置を表示部として備えた適用例５の電子機器では、液晶のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させやすくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
実施形態について、液晶装置の１つである表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示パネル３と、照明装置５とを有している。
【００２２】
ここで、表示パネル３には、複数の画素７が設定されている。複数の画素７は、表示領域８内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、照明装置５から表示パネル３に入射された光を、表示パネル３に設定されている複数の画素７から選択的に表示面９を介して表示パネル３の外に射出することで、表示面９に画像を表示することができる。なお、表示領域８とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素７が誇張され、且つ画素７の個数が減じられている。
【００２３】
表示パネル３は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、液晶パネル１１と、偏光板１３ａ及び１３ｂとを有している。
液晶パネル１１は、駆動素子基板１５と、対向基板１７と、液晶１９とを有している。
駆動素子基板１５には、表示面９側すなわち液晶１９側に、複数の画素７のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
【００２４】
対向基板１７は、駆動素子基板１５よりも表示面９側で駆動素子基板１５に対向し、且つ駆動素子基板１５との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板１７には、表示パネル３における表示面９の裏面に相当する面である底面２３側すなわち液晶１９側に、後述する対向電極などが設けられている。
【００２５】
液晶１９は、駆動素子基板１５及び対向基板１７の間に介在しており、表示パネル３の周縁よりも内側で表示領域８を囲むシール材２５によって、駆動素子基板１５及び対向基板１７の間に封止されている。液晶１９としては、ネマチック液晶が採用され得る。なお、本実施形態では、液晶１９の駆動モードとして、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが採用されている。
【００２６】
偏光板１３ａは、駆動素子基板１５よりも底面２３側に設けられている。偏光板１３ｂは、対向基板１７よりも表示面９側に設けられている。表示装置１では、偏光板１３ａ及び１３ｂは、偏光板１３ａにおける光の透過軸の方向と、偏光板１３ｂにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交する方向に設定されている。偏光板１３ａ及び１３ｂは、それぞれ、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。
【００２７】
なお、偏光板１３ａと駆動素子基板１５との間や、偏光板１３ｂと対向基板１７との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶１９を表示面９の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶１９の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
【００２８】
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。
【００２９】
照明装置５は、表示パネル３の底面２３側に設けられており、導光板３１と、光源３３とを有している。導光板３１は、図２で見て表示パネル３の下側に設けられており、表示パネル３の底面２３に対向する光射出面３５ｂを有している。
光源３３は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や冷陰極管などが採用され、図２で見て導光板３１の側面３５ａの右方に設けられている。
【００３０】
光源３３からの光は、導光板３１の側面３５ａに入射される。導光板３１に入射された光は、導光板３１の中で反射を繰り返しながら光射出面３５ｂから射出される。光射出面３５ｂから射出された光は、表示パネル３の底面２３から、偏光板１３ａを介して表示パネル３に入射される。なお、導光板３１には、必要に応じて、光射出面３５ｂに拡散板が設けられ、底面３５ｃに反射板が設けられる。
【００３１】
表示パネル３に設定されている複数の画素７は、それぞれ、表示面９から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素７は、Ｒの光を射出する画素７ｒと、Ｇの光を射出する画素７ｇと、Ｂの光を射出する画素７ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素７という表記と、画素７ｒ、７ｇ及び７ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３２】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００３３】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素７が、１つの画素列４１を構成している。１つの画素列４１内の各画素７は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素７ｒがＹ方向に配列した画素列４１ｒと、複数の画素７ｇがＹ方向に配列した画素列４１ｇと、複数の画素７ｂがＹ方向に配列した画素列４１ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列４１という表記と、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３４】
ここで、液晶パネル１１の駆動素子基板１５及び対向基板１７のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
駆動素子基板１５は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図４に示すように、第１基板５１を有している。第１基板５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた第１面５３ａと、底面２３側に向けられた第２面５３ｂとを有している。
【００３５】
第１基板５１の第１面５３ａには、ゲート絶縁膜５５が設けられている。ゲート絶縁膜５５の表示面９側には、絶縁膜５７が設けられている。絶縁膜５７の表示面９側には、配向膜５９が設けられている。
また、駆動素子基板１５には、各画素７に対応して、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子６１と、画素電極６３とが、第１基板５１の第１面５３ａ側に設けられている。
【００３６】
第１基板５１の第１面５３ａと、各画素電極６３との間には、容量線６５が設けられている。容量線６５は、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素７間にわたって一連した状態で設けられている。容量線６５の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
ＴＦＴ素子６１は、ゲート電極７１と、半導体層７３と、ソース電極７５と、ドレイン電極７７とを有している。
【００３７】
ゲート電極７１は、第１基板５１の第１面５３ａに設けられており、ゲート絶縁膜５５によって表示面９側から覆われている。なお、ゲート電極７１の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。また、ゲート絶縁膜５５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
半導体層７３は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜５５を挟んでゲート電極７１に対向する位置に設けられている。
【００３８】
ソース電極７５は、ゲート絶縁膜５５の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。ドレイン電極７７は、ゲート絶縁膜５５の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。上記の構成を有するＴＦＴ素子６１は、半導体層７３がゲート電極７１と、ソース電極７５及びドレイン電極７７との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
そして、ＴＦＴ素子６１は、絶縁膜５７によって表示面９側から覆われている。なお、絶縁膜５７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
【００３９】
画素電極６３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の酸化導電膜や、Ｍｇ及びＡｇ等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成され、絶縁膜５７の表示面９側に設けられている。画素電極６３は、絶縁膜５７に設けられたコンタクトホール７９を介してドレイン電極７７につながっている。
配向膜５９は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁膜５７及び画素電極６３を表示面９側から覆っている。なお、配向膜５９には、配向処理が施されている。
【００４０】
対向基板１７は、第２基板８１を有している。第２基板８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた外向面８２ａと、底面２３側に向けられた対向面８２ｂとを有している。
第２基板８１の対向面８２ｂには、各画素７を区画する光吸収層８３が領域８４にわたって設けられている。表示装置１では、各画素７は、光吸収層８３によって囲まれた領域であると定義され得る。光吸収層８３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などで構成されており、平面視で格子状に設けられている。
【００４１】
また、第２基板８１の対向面８２ｂには、光吸収層８３によって囲まれた各領域、すなわち各画素７の領域を底面２３側から覆うカラーフィルタ８５が設けられている。
ここで、カラーフィルタ８５は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ８５は、画素７ｒ、画素７ｇ及び画素７ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素７ｒに対応するカラーフィルタ８５は、Ｒの光を透過させることができる。画素７ｇに対応するカラーフィルタ８５はＧの光を透過させ、画素７ｂに対応するカラーフィルタ８５はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ８５に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ８５ｒ、８５ｇ及び８５ｂという表記が用いられる。
【００４２】
光吸収層８３及びカラーフィルタ８５の底面２３側には、オーバーコート層８７が設けられている。オーバーコート層８７は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸収層８３及びカラーフィルタ８５を底面２３側から覆っている。
オーバーコート層８７の底面２３側には、対向電極８９が設けられている。対向電極８９は、例えばＩＴＯ等の酸化導電膜や、Ｍｇ及びＡｇ等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成されている。
【００４３】
対向電極８９は、マトリクスＭを構成する複数の画素７間にわたって一連した状態で設けられている。つまり、対向電極８９は、マトリクスＭを構成する複数の画素７に平面視で重なる領域に設けられており、複数の画素７間にわたって共通して機能する。なお、対向電極８９は、図示しない共通線につながっている。
対向電極８９の底面２３側には、配向膜９１が設けられている。配向膜９１は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、対向電極８９を底面２３側から覆っている。配向膜９１には、配向処理が施されている。
【００４４】
駆動素子基板１５及び対向基板１７の間に介在する液晶１９は、配向膜５９と配向膜９１との間に介在している。表示装置１では、図２に示すシール材２５は、図４に示す第１基板５１の第１面５３ａと、第２基板８１の対向面８２ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、液晶１９は、第１基板５１及び第２基板８１によって保持されている。なお、シール材２５は、配向膜５９及び配向膜９１の間に設けられていてもよい。この場合、液晶１９は、駆動素子基板１５及び対向基板１７に保持されているとみなされ得る。
【００４５】
ここで、各画素７におけるＴＦＴ素子６１及び画素電極６３の配置について説明する。
画素電極６３は、平面図である図５に示すように、画素７の領域にわたって設けられている。そして、画素電極６３の周縁部は、領域８４に重なっている。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、画素電極６３にハッチングが施されている。
【００４６】
ＴＦＴ素子６１は、図５で見て下側の領域８４内に設けられており、ドレイン電極７７が領域８４内から画素７の領域内に延長されている。Ｘ方向に隣り合う画素７間において、ゲート電極７１同士は、ゲート線９３によって接続されている。また、Ｙ方向に隣り合う画素７間において、ソース電極７５同士は、ソース線９５によって接続されている。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、ゲート線９３にハッチングが施されている。
【００４７】
ここで、ゲート電極７１は、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素７間にわたって一連したゲート線９３として設けられている。そして、画素７ごとにゲート線９３に対向する位置に半導体層７３が設けられている。各ゲート線９３において、平面視で半導体層７３に重なる領域がゲート電極７１であると定義され得る。
なお、図４におけるＴＦＴ素子６１、画素電極６３及び容量線６５の断面は、図５中のＦ−Ｆ線における断面に相当している。
【００４８】
表示装置１では、複数のゲート線９３と複数のソース線９５とが、図６に示すように、格子状に配線されている。複数のゲート線９３は、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、Ｘ方向に沿って延びている。複数のソース線９５は、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態で、Ｙ方向に沿って延びている。各画素７は、各ゲート線９３と各ソース線９５との交差に対応して設定されている。
Ｘ方向に沿って延びる各容量線６５は、Ｙ方向に間隔をあけた状態で各ゲート線９３に隣り合っている。そして、各画素電極６３と各容量線６５との間に補助容量９７が形成される。
【００４９】
また、表示装置１では、図５に示すように、各ソース線９５に複数の開口部９９が設けられている。各ソース線９５において各開口部９９は、ソース線９５と各ゲート線９３とが交差する部位に設けられている。各開口部９９は、ソース線９５と各ゲート線９３とが平面視で重なる領域に設けられている。なお、各開口部９９は、図５中のＨ部の拡大図である図７に示すように、Ｙ方向の幅Ｗ１がゲート線９３の幅Ｗ２以下に設定されている。また、Ｘ方向において、各開口部９９は、ソース線９５の輪郭を構成する第１辺１０１と第２辺１０３との間に位置している。第１辺１０１は、Ｙ方向に延びている。第２辺１０３は、図５に示すように、ソース電極７５がソース線９５から分岐する側の辺であり、第１辺１０１に対峙している。
【００５０】
表示装置１では、ゲート線９３とソース線９５との間に介在するゲート絶縁膜５５に、図７中のＪ−Ｊ線における断面図である図８（ａ）に示すように、開口部１０５が設けられている。表示装置１では、開口部１０５は、ソース線９５の開口部９９ごとに設けられている。各開口部１０５は、対応する各開口部９９の平面視での輪郭内に設けられている。これにより、ゲート線９３とソース線９５との短絡を抑制しやすくすることができるという効果の１つが得られる。
そして、各開口部１０５内には、絶縁膜５７が及んでいる。この結果、絶縁膜５７を覆う配向膜５９には、各開口部９９に平面視で重なる領域に、ゲート線９３に向かって凹となる凹部１０７が形成される。各凹部１０７内には、液晶１９が及ぶ。
【００５１】
ここで、表示装置１では、配向膜５９及び配向膜９１のそれぞれに、Ｘ方向に沿ってラビング処理を施すことによって、配向処理が施されている。このような配向処理が施された配向膜５９及び配向膜９１の間に介在する液晶１９は、初期的に、図９（ａ）に示すようなスプレイ配向状態となっている。そして、表示を行う際には、図９（ｂ）に示すようなベンド配向状態に変化させてから使用される。
【００５２】
スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化は、液晶１９を電界にさらすことによって実現され得る。ベンド配向状態では、液晶１９の分子１９ａが弓なりに並んでおり、その弓なり形状の曲がり度合いを変えることで透過率を変調することによって階調表示が行われる。
【００５３】
表示装置１では、ゲート線９３とソース線９５との間を所定の電位差にすることによって、前述した開口部９９に電界が発生する。
ゲート線９３とソース線９５との間に電位差が生じると、ゲート線９３とソース線９５との間には、電界の様子を模式的に示す断面図である図８（ｂ）に示すように、開口部９９を貫く電界Ｅが発生する。表示装置１では、例えば、５Ｖの矩形波の交流電圧をゲート線９３とソース線９５との間に印加することにより、開口部９９を貫く電界Ｅを発生させることができる。
【００５４】
この電界Ｅには、ゲート線９３から開口部９９を貫く縦方向の成分が含まれる。電界Ｅにさらされた液晶１９の分子１９ａのうちの分子１９ａ1は、図８（ｂ）に示すように、電界Ｅの縦方向の成分によって、立ち上がろうとする。
また、電界Ｅには、開口部９９を貫いてからソース線９５に至るまでに、Ｙ方向に沿った横方向の成分が含まれる。液晶１９の分子１９ａは、初期的に、ラビング処理の方向に沿って配向する。表示装置１では、ラビング処理の方向がＸ方向に沿っているので、分子１９ａは、初期的にＸ方向に沿って配向している。
【００５５】
初期的にＸ方向に沿って配向している分子１９ａのうちの分子１９ａ2は、図８（ｂ）に示すように、電界ＥのＹ方向に沿った横方向の成分によって、Ｙ方向に配向しようとする。つまり、分子１９ａ2は、電界ＥのＹ方向に沿った横方向の成分によって、回転しようとする。
ここで、液晶１９の分子１９ａは、スプレイ配向状態からベンド配向状態になるまでの間にツイスト配向状態を経る。ツイスト配向状態では、分子１９ａはラビング処理の方向とは平面視で交差する方向に配向する。つまり、液晶１９の分子１９ａは、スプレイ配向状態からスプレイ配向の方向とは平面視で交差する方向に回転すると、ツイスト配向状態となる。
【００５６】
表示装置１では、電界ＥのＹ方向に沿った横方向の成分によって、液晶１９の分子１９ａがツイスト配向状態になろうとする作用と、電界Ｅの縦方向の成分によって、分子１９ａが立ち上がろうとする作用とが働く。これらの作用によって、各開口部９９の近傍に、スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の核となる転移核が発生する。
そして、転移核が発生した状態で画素電極６３と対向電極８９との間に、例えば５Ｖの矩形波の交流電圧を印加することにより、画素電極６３と対向電極８９との間の広い範囲で液晶１９が駆動される。この結果、各開口部９９の近傍に発生した転移核を起点としてベンド配向状態の領域が広がり、液晶１９がベンド配向状態に変化する。
【００５７】
上記の構成を有する表示装置１では、液晶１９をベンド配向状態に維持して照明装置５から表示パネル３に光を照射した状態で、液晶１９の配向状態を画素７ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶１９の配向状態は、ＴＦＴ素子６１のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。また、液晶１９は、対向電極８９を所定の電位に保つことによってベンド配向状態に維持され得る。
【００５８】
各ゲート線９３には、図６に示すように、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎが供給される。各ソース線９５には、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが供給される。走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎは、図１０に示すように、それぞれ、１フレーム期間内に１回だけ、１フレーム期間よりも短い期間ｔ１にわたってＨｉレベルの選択電位に維持される。あるタイミングで選択電位となり得るのは、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎのうちの１つだけである。
【００５９】
ゲート線９３が選択電位となると、このゲート線９３につながるＴＦＴ素子６１がＯＮ状態となる。ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態となっている期間において、ソース線９５に供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが、ＴＦＴ素子６１を介して画素電極６３に印加される（図６）。画素電極６３に印加された所定のレベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍと、対向電極８９の電位とで定まる電圧が駆動電圧となる。
【００６０】
この駆動電圧は、液晶１９の容量及び補助容量９７により一定時間保持される。この駆動電圧により、画素電極６３と対向電極８９との間には、電界が形成される。そして、駆動電圧が印加された画素電極６３と対向電極８９との間に位置する液晶１９は、駆動電圧のレベルに応じて分子１９ａの配向状態が変化する。これにより、液晶１９に入射された光が変調されて階調表示が行われる。
【００６１】
図１１（ａ）は、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときの偏光状態を示す図であり、図１１（ｂ）は、ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態のときの偏光状態を示す図である。
表示装置１では、偏光板１３ａの透過軸１１１は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、平面視でＸ方向から反時計方向に４５度だけ傾いている。また、偏光板１３ｂの透過軸１１３は、平面視でＸ方向から時計方向に４５度だけ傾いている。
また、配向膜５９のラビング処理の方向（以下、ラビング方向と呼ぶ）１１５は、平面視でＸ方向に沿っている。配向膜９１のラビング方向１１７も、平面視でＸ方向に沿っている。
【００６２】
照明装置５から偏光板１３ａに入射された入射光は、偏光板１３ａの透過軸１１１の方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１１９として液晶１９に入射される。
ここで、液晶１９は、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときに、入射光に略１／２波長の位相差を付与するリタデーションに設定されている。
従って、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときに液晶１９に入射された直線偏光１１９は、図１１（ａ）に示すように、平面視で直線偏光１１９の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光１２１として偏光板１３ｂに向けて射出される。
偏光板１３ｂに向けて射出された直線偏光１２１は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１１３の方向に沿っているため、偏光板１３ｂを透過する。
【００６３】
他方で、ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態のときに、直線偏光１１９は、図１１（ｂ）に示すように、偏光状態が維持されたまま直線偏光１１９として偏光板１３ｂに向けて射出される。偏光板１３ｂに向けて射出された直線偏光１１９は、偏光軸の方向が偏光板１３ｂの透過軸１１３の方向に対して直交しているため、偏光板１３ｂによって吸収される。
【００６４】
表示装置１では、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときに表示面９から光が射出され、ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態のときに表示面９からの光の射出が遮断される所謂ノーマリホワイトの表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリホワイトに限定されず、ノーマリブラックも採用され得る。偏光板１３ａの透過軸１１１の方向と、偏光板１３ｂの透過軸１１３の方向とを互いに合わせれば、ノーマリブラックが達成され得る。
【００６５】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル１１の製造工程と、表示パネル３の製造工程と、表示装置１の製造工程とに大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、駆動素子基板１５の製造工程と、対向基板１７の製造工程とに大別される。
【００６６】
駆動素子基板１５の製造工程では、図１２（ａ）に示すように、まず、第１基板５１の第１面５３ａに、ゲート電極７１（ゲート線９３）と、容量線６５とを形成する。ゲート電極７１（ゲート線９３）及び容量線６５は、第１面５３ａに金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、ゲート電極７１（ゲート線９３）及び容量線６５を覆うゲート絶縁膜５５を形成する。ゲート絶縁膜５５は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。
【００６７】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５５上に、半導体層７３を形成してから、半導体層７３の一部に重なるソース電極７５とドレイン電極７７とを形成する。なお、ソース電極７５がつながるソース線９５は、ソース電極７５を形成するときに、ソース電極７５とともに形成される。ソース電極７５及びドレイン電極７７並びにソース線９５は、ゲート絶縁膜５５上に金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。このとき、ソース線９５には、図５に示す複数の開口部９９が設けられる。
【００６８】
次いで、各開口部９９内のゲート絶縁膜５５に、図８（ａ）に示す複数の開口部１０５を形成する。各開口部１０５は、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用して各開口部１０５内に相当するゲート絶縁膜５５を除去することによって形成され得る。
【００６９】
なお、表示装置１の製造方法では、ソース線９５を形成してからゲート絶縁膜５５に開口部１０５を形成する順序が採用されているが、ソース線９５及び開口部１０５の形成順序はこれに限定されない。開口部１０５を形成してからソース線９５を形成する順序も採用され得る。しかしながら、ゲート線９３とソース線９５との短絡を低く抑えるという観点から、ソース線９５を形成してからゲート絶縁膜５５に開口部１０５を形成する順序が好ましい。これは、開口部１０５内にソース線９５の材料が及んだ状態すなわちゲート線９３とソース線９５とが短絡した状態から、開口部１０５内のソース線９５の材料を除去してゲート線９３とソース線９５とを絶縁状態にすることが困難であるためである。
【００７０】
次いで、ソース電極７５及びドレイン電極７７並びにソース線９５を覆う絶縁膜５７を形成する。絶縁膜５７は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。また、絶縁膜５７は、例えば、スピンコート技術を活用することによって、アクリル系の樹脂などによっても形成され得る。
【００７１】
次いで、図１２（ｃ）に示すように、絶縁膜５７に、ドレイン電極７７に至るコンタクトホール７９を形成してから、絶縁膜５７上にコンタクトホール７９を覆う画素電極６３を形成する。コンタクトホール７９は、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用することによって形成され得る。画素電極６３は、絶縁膜５７上にＩＴＯやＭｇやＡｇなどの膜を形成してから、この膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【００７２】
次いで、図１２（ｄ）に示すように、絶縁膜５７上に、ポリイミドなどの樹脂で画素電極６３を覆う樹脂膜５９ａを形成する。樹脂膜５９ａは、例えば、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、樹脂膜５９ａにラビング処理を施すことにより、図４に示す配向膜５９が形成される。これにより、駆動素子基板１５が製造され得る。
【００７３】
対向基板１７の製造工程では、図１３（ａ）に示すように、まず、第２基板８１の対向面８２ｂに、光吸収層８３を、平面視で格子状に形成する。光吸収層８３は、対向面８２ｂに、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【００７４】
次いで、図１３（ｂ）に示すように、光吸収層８３によって囲まれる各画素７の領域内に、カラーフィルタ８５を形成する。カラーフィルタ８５は、Ｒ、Ｇ及びＢの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各画素７の領域内に配置することによって形成され得る。なお、各画素７の領域内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、光吸収層８３及びカラーフィルタ８５上にオーバーコート層８７を形成する。オーバーコート層８７は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
【００７５】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、オーバーコート層８７上に対向電極８９を形成する。対向電極８９は、例えばスパッタリング技術を活用して、オーバーコート層８７上にＩＴＯやＭｇやＡｇなどの膜を形成することにより形成され得る。
次いで、ポリイミドなどの樹脂で対向電極８９を覆う樹脂膜９１ａを形成する。樹脂膜９１ａは、例えば、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、樹脂膜９１ａにラビング処理を施すことにより、図４に示す配向膜９１が形成される。これにより、対向基板１７が製造され得る。
【００７６】
液晶パネル１１の製造工程では、まず、駆動素子基板１５と対向基板１７とを、駆動素子基板１５及び対向基板１７のいずれか一方に平面視で環状に設けられたシール材２５（図２）を介して接合する。このとき、シール材２５は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材２５の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶１９の注入口となる。
次いで、液晶１９を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶１９を封入する。これにより、図２に示す液晶パネル１１が製造され得る。
【００７７】
表示パネル３の製造工程では、図４に示す偏光板１３ａ及び１３ｂを液晶パネル１１に設ける。偏光板１３ａは第１基板５１の第２面５３ｂに設けられ、偏光板１３ｂは、第２基板８１の外向面８２ａに設けられる。これにより、表示パネル３が製造され得る。
なお、偏光板１３ａ及び１３ｂは、液晶パネル１１を製造する前に、第１基板５１及び第２基板８１に設けられ得る。
表示装置１の製造工程では、表示パネル３と照明装置５とを組み合わせることにより、表示装置１が製造され得る。
【００７８】
なお、表示装置１において、ゲート絶縁膜５５が絶縁膜に対応し、絶縁膜５７が第２絶縁膜に対応し、ゲート線９３が第１配線に対応し、ソース線９５が第２配線に対応し、Ｘ方向が第１方向に対応し、Ｙ方向が第２方向に対応している。
表示装置１では、各ソース線９５に複数の開口部９９が設けられている。各ソース線９５において各開口部９９は、平面視でソース線９５とゲート線９３とが重なる部位に設けられている。ゲート線９３とソース線９５との間に電圧を印加することにより、開口部９９を貫く電界Ｅを発生させることができる。この電界Ｅにより、各開口部９９の近傍に位置する液晶１９に、スプレイ配向状態からベンド配向状態への転移核を発生させやすくすることができる。
【００７９】
また、表示装置１では、開口部９９ごとに、ゲート絶縁膜５５に複数の開口部１０５が設けられている。各開口部１０５は、平面視で開口部９９に重なる領域に設けられている。ゲート絶縁膜５５に開口部１０５が設けられることによって、開口部９９に平面視で重なる領域にある液晶１９を開口部９９に近づけることができる。このため、開口部９９を貫通する電界Ｅを有効に利用することができる。この結果、スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させることができる。
【００８０】
また、表示装置１では、平面視でソース線９５とゲート線９３とが重なる部位に各開口部９９が設けられているので、ゲート線９３とソース線９５との間の寄生容量を低減することができる。これにより、表示装置１における表示品位の向上が図られる。
【００８１】
なお、表示装置１では、ボトムゲート型のＴＦＴ素子６１が採用されているが、ＴＦＴ素子６１はこれに限定されない。ＴＦＴ素子６１は、半導体層７３がゲート電極７１並びにソース電極７５及びドレイン電極７７よりも底面２３側に位置する所謂トップゲート型も採用され得る。
【００８２】
また、表示装置１では、配向膜５９及び配向膜９１のそれぞれに、Ｘ方向に沿ってラビング処理が施される場合を例に説明したが、ラビング方向はこれに限定されず、配向膜５９及び配向膜９１のラビング方向が互いに同じ方向であれば、任意の方向が採用され得る。
【００８３】
また、表示装置１では、ゲート絶縁膜５５に開口部１０５を設けた構成を例に説明したが、表示装置１の構成はこれに限定されない。表示装置１の構成としては、図１４（ａ）に示すように、絶縁膜５７に開口部１２５を設けた構成も採用され得る。開口部１２５は、開口部９９に平面視で重なる領域に設けられる。この開口部１２５は、開口部９９に平面視で重なる領域があれば、開口部９９の平面視での輪郭の外側に及んでいても、内側に収まっていてもよい。絶縁膜５７に開口部１２５を設けた構成においても、ゲート絶縁膜５５に開口部１０５を設けた構成と同様の効果が得られる。
【００８４】
さらに、表示装置１の構成としては、図１４（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５５に開口部１０５を設け、且つ絶縁膜５７に開口部１２５を設けた構成も採用され得る。図１４（ｂ）に示す構成では、平面視で開口部９９に重なる液晶１９の一部が開口部９９内に一層近づきやすくなる。このため、ゲート線９３とソース線９５との間で開口部９９を貫通する電界Ｅ（図８（ｂ）参照）に液晶１９を一層近づけやすくすることができる。この結果、液晶１９のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を一層向上させやすくすることができる。
【００８５】
また、表示装置１では、ソース線９５に開口部９９を設けた場合を例に説明したが、ソース線９５はこれに限定されず、開口部９９に替えて、図１５に示す切欠き部１２７を設けた構成も採用され得る。図１５に示す例では、切欠き部１２７は、第１辺１０１側から第２辺１０３側へ向かって、ソース線９５のＸ方向における幅方向に刻まれている。換言すれば、切欠き部１２７は、第２辺１０３側から第１辺１０１側へ向かって開口されている。なお、この例では、切欠き部１２７の開口が第１辺１０１側に設けられているが、開口の向きは第２辺１０３側であってもよい。
切欠き部１２７が採用された表示装置１においても、開口部９９が採用された表示装置１と同様の効果が得られる。
【００８６】
また、切欠き部１２７が採用された場合において、配向膜５９に対するラビング処理は、図１５中のＬ１の向きに、すなわち切欠き部１２７の開口側から奥側に向かって施されることが好ましい。
ここで、開口部９９が採用される場合、配向膜５９に形成される凹部１０７は、図７中のＫ−Ｋ線における断面図である図１６に示すように、２つの凸部１３１によって挟まれている。配向膜５９に凹部１０７があると、凹部１０７内にラビング処理などで配向処理を十分に施すことが困難となる場合がある。配向膜５９に配向処理が不十分な領域があると、液晶１９がこの領域を起点としてベンド配向状態からスプレイ配向状態に戻りやすくなってしまう。
【００８７】
他方で、切欠き部１２７が採用された構成では、図１５中のＮ−Ｎ線における断面図である図１７に示すように、２つの凸部１３１のうちの一方を低くすることができる。そして、配向膜５９に対するラビング処理をＬ１の向きに施せば、ラビング処理にかかるラビング布の毛先が、平面視で切欠き部１２７の内側に重なる領域の配向膜５９に接触しやすい。このため、切欠き部１２７の内側に重なる領域の配向膜５９に十分な配向処理を施しやすくすることができ、ベンド配向状態からスプレイ配向状態に戻りにくくすることができる。
なお、各切欠き部１２７は、開口が第１辺１０１側に設けられた構成に限られず、開口が第２辺１０３側に設けられた構成も採用され得る。この場合、ラビング処理の向きは、第２辺１０３から第１辺１０１へ向かう向きに設定される。
このような切欠き部１２７の効果は、ゲート絶縁膜５５及び絶縁膜５７のうちで絶縁膜５７だけに開口部１２５が設けられた構成（図１４（ａ））や、ゲート絶縁膜５５及び絶縁膜５７のそれぞれに開口部１０５及び開口部１２５のそれぞれが設けられた構成（図１４（ｂ））においても得られる。
【００８８】
また、表示装置１では、ソース線９５に複数の開口部９９を設けた場合を例に説明したが、ソース線９５の構成はこれに限定されない。例えばソース線９５は、図１８に示すように、第１辺１０１側及び第２辺１０３側に拡張部１３５を設けた構成も採用され得る。各拡張部１３５は、ゲート線９３に交差する第１辺１０１及び第２辺１０３のそれぞれにおいて開口部９９に対峙する各位置に設けられる。
また、切欠き部１２７が採用される場合では、拡張部１３５は、図１９に示すように、切欠き部１２７の開口側とは反対側（この場合には第２辺１０３側）に設けられ得る。この場合、拡張部１３５は、ゲート線９３に交差する第２辺１０３において切欠き部１２７に対峙する位置に設けられる。なお、切欠き部１２７の開口が第２辺１０３側に設けられている場合には、拡張部１３５は、開口側とは反対側の第１辺１０１側に設けられる。
各拡張部１３５が設けられたソース線９５は、開口部９９や切欠き部１２７をＸ方向に沿って切断したときの断面積が拡大されるので、電気抵抗の低減が図られる。なお、拡張部１３５のＹ方向における幅Ｗ３は、開口部９９や切欠き部１２７の幅Ｗ１よりも大きい値に設定されることが、電気抵抗の低減という観点から好ましい。
【００８９】
また、表示装置１では、ソース線９５がゲート線９３よりも表示面９側に位置し、且つソース線９５に開口部９９を設けた構成を例に説明したが、ソース線９５及びゲート線９３はこれに限定されない。ソース線９５及びゲート線９３は、平面図である図２０に示すように、ゲート線９３がソース線９５よりも表示面９側に位置し、且つゲート線９３に開口部９９を設けた構成も採用され得る。
【００９０】
この構成においても、開口部９９に替えて上述した切欠き部１２７が採用され得る。切欠き部１２７が採用された場合、配向膜５９に対するラビング処理は、Ｙ方向に沿って、且つ切欠き形状の開口側から奥側に向かって施されることが好ましい。
【００９１】
図２０に示す構成の場合、第１基板５１の第１面５３ａには、図２０中のＱ−Ｑ線における断面図である図２１に示すように、ソース線９５と、ソース線９５を覆う絶縁膜１４１とが設けられている。
ゲート線９３（ゲート電極７１）は、絶縁膜１４１上に設けられている。そして、ソース電極７５は、ゲート絶縁膜５５からソース線９５に至るコンタクトホール１４３を介してソース線９５につながっている。
【００９２】
絶縁膜１４１は、図２０中のＷ−Ｗ線における断面図である図２２に示すように、ゲート線９３の開口部９９に平面視で重なる領域に、開口部１４７が設けられる。そして、ゲート絶縁膜５５の開口部１０５や、絶縁膜５７の開口部１２５は、ゲート線９３の開口部９９に平面視で重なる領域に任意に設けられ得る。液晶１９のスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させるという観点から、絶縁膜１４１の開口部１４７に加えて、開口部１０５及び開口部１２５の少なくとも一方を設けることが好ましい。
図２０に示す構成においても、ソース線９５に開口部９９を設けた構成と同様の効果が得られる。なお、図２０に示す構成では、絶縁膜１４１が絶縁膜に対応し、ゲート絶縁膜５５が第２絶縁膜に対応し、ソース線９５が第１配線に対応し、ゲート線９３が第２配線に対応し、Ｙ方向が第１方向に対応し、Ｘ方向が第２方向に対応する。
【００９３】
表示装置１では、ソース線９５やゲート線９３に切欠き部１２７が設けられる場合に、切欠き部１２７がＸ方向又はＹ方向に延びている（刻まれている）場合を例に説明したが、切欠き部１２７の方向はこれらに限定されず、Ｘ方向及びＹ方向の双方に平面視で交差する第３方向とすることができる。この場合、切欠き部１２７が延びる（刻まれる）方向に応じてラビング処理が施される向きが設定されればよい。
また、表示装置１では、Ｘ方向とＹ方向とが互いに直交する場合を例に説明したが、これに限定されず、Ｘ方向とＹ方向とが互いに交差していれば、Ｘ方向とＹ方向との間の角度は任意の角度に設定され得る。
【００９４】
上述した表示装置１は、例えば、図２３に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示装置１が適用された表示部５１０において、スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の促進を向上させることができる。
【００９５】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示パネル３や液晶パネル１１は、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図５】本実施形態におけるＴＦＴ素子及び画素電極の配置を説明する平面図。
【図６】本実施形態における駆動素子基板の等価回路図。
【図７】図５中のＨ部の拡大図。
【図８】図７中のＪ−Ｊ線における断面図。
【図９】本実施形態における液晶の配向状態を模式的に示す断面図。
【図１０】本実施形態における各ゲート線に供給される走査信号のタイミングチャート。
【図１１】本実施形態における表示装置の偏光状態を説明する図。
【図１２】本実施形態における駆動素子基板の製造工程を説明する図。
【図１３】本実施形態における対向基板の製造工程を説明する図。
【図１４】本実施形態における表示装置の他の構成例を説明する断面図。
【図１５】本実施形態におけるソース線の他の構成例を説明する平面図。
【図１６】図７中のＫ−Ｋ線における断面図。
【図１７】図１５中のＮ−Ｎ線における断面図。
【図１８】本実施形態におけるソース線の別の構成例を説明する平面図。
【図１９】本実施形態におけるソース線のさらに別の構成例を説明する平面図。
【図２０】本実施形態におけるゲート線及びソース線の他の構成例を説明する平面図。
【図２１】図２０中のＱ−Ｑ線における断面図。
【図２２】図２０中のＷ−Ｗ線における断面図。
【図２３】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【図２４】従来技術を説明する断面図。
【符号の説明】
【００９７】
１…表示装置、３…表示パネル、７…画素、８…表示領域、９…表示面、１１…液晶パネル、１５…駆動素子基板、１７…対向基板、１９…液晶、２３…底面、５１…第１基板、５３ａ…第１面、５３ｂ…第２面、５５…ゲート絶縁膜、５７…絶縁膜、５９…配向膜、５９ａ…樹脂膜、７１…ゲート電極、７５…ソース電極、８１…第２基板、８２ａ…外向面、８２ｂ…対向面、８９…対向電極、９１…配向膜、９３…ゲート線、９５…ソース線、９９…開口部、１０１…第１辺、１０３…第２辺、１０５…開口部、１２５…開口部、１２７…切欠き部、１３１…凸部、１３５…拡張部、１４１…絶縁膜、１４７…開口部、５００…電子機器、５１０…表示部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の基板と、
前記一対の基板間に介在する液晶と、
前記一対の基板のうちの一方の前記基板の前記液晶側に設けられた第１配線と、
前記第１配線の前記液晶側に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記液晶側に前記第１配線と交差して設けられた第２配線と、を有し、
前記第２配線には、前記第１配線との交差部に対応して該第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられており、
前記絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第２配線の前記液晶側には第２絶縁膜が設けられており、
前記第２絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
互いに対向する一対の基板と、
前記一対の基板間に介在する液晶と、
前記一対の基板のうちの一方の前記基板の前記液晶側に設けられた第１配線と、
前記第１配線の前記液晶側に設けらた絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記液晶側に前記第１配線と交差して設けられた第２配線と、
前記第２配線の前記液晶側に設けられた第２絶縁膜と、を有し、
前記第２配線には、前記第１配線との交差部に対応して該第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられており、
前記第２絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
前記第２配線の各前記切欠き部又は前記開口部が設けられた部位には、前記第２配線の少なくともいずれか一方の側端部の辺から、該第２配線の幅方向に突出させて拡張した拡張部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
互いに対向する一対の基板と、
前記一対の基板間に介在する液晶と、
前記一対の基板のうちの一方の前記基板の前記液晶側に設けられた第１配線と、
前記第１配線の前記液晶側に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記液晶側に前記第１配線と交差して設けられた第２配線と、を有し、
前記第２配線には、前記第１配線との交差部に対応して該第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられており、
前記絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第２配線の前記液晶側には第２絶縁膜が設けられており、
前記第２絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
互いに対向する一対の基板と、
前記一対の基板間に介在する液晶と、
前記一対の基板のうちの一方の前記基板の前記液晶側に設けられた第１配線と、
前記第１配線の前記液晶側に設けらた絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記液晶側に前記第１配線と交差して設けられた第２配線と、
前記第２配線の前記液晶側に設けられた第２絶縁膜と、を有し、
前記第２配線には、前記第１配線との交差部に対応して該第１配線と重なる部位に切欠き部又は開口部が設けられており、
前記第２絶縁膜は、前記切欠き部又は前記開口部に重なる領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
前記第２配線の各前記切欠き部又は前記開口部が設けられた部位には、前記第２配線の少なくともいずれか一方の側端部の辺から、該第２配線の幅方向に突出させて拡張した拡張部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２００９−１３９７９０（Ｐ２００９−１３９７９０Ａ）
【公開日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３１７９８６（Ｐ２００７−３１７９８６）
【出願日】平成１９年１２月１０日（２００７．１２．１０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月１０日（２００７．１２．１０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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