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Fターム[2H092NA28]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 目的 (17,448) | その他 (8,438) | 電極の低抵抗化 (551)

Fターム[2H092NA28]に分類される特許

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【課題】低抵抗の導電物質からなる信号線を用いることにより、良好な接触特性を備える接触構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】接触部形成方法は、基板上に第1配線を形成する段階と、第1配線を覆い、第1配線の一部分を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する段階と、コンタクトホールによって露出する第1配線の表面に接触層を形成する段階と、接触層を介して第1配線と接続される第2配線を形成する段階とを含み、第1配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成し、第2配線は、ITOまたはIZOで形成する。 (もっと読む)


接続抵抗を低くし腐蝕防止を図ることのできる端子構造及びこれに基づく電子装置を提供することを目的とする。基板8に支持される透明導電層10と、透明導電層10上に延在し透明導電層10よりも抵抗率の低い材質の金属層20とを有し、透明導電層10は、金属層20よりも耐酸化性が高く、周辺回路(50)と接続するための端子10Tを形成する、電子装置。金属層20は、透明導電層10の端子10T外の延在部10L上、及び/又は透明導電層10の端子10Tの領域内において透明導電層10を外部へ露出させるべき結合領域11の周辺又は近傍に延在し、透明導電層10の端子10Tの少なくとも一部及び金属層20全体を被覆し透明導電層10の端子10Tの領域内において結合領域11を除く領域に延在する電気的絶縁層30が設けられている。

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アクティブマトリックスディスプレイに、ディスプレイ基板の上、しかし表示領域(63)の外側で、ディスプレイの端に沿って延びる、導体ライン(62a,62b,62c)が設けられる。これらの導体ラインは、画素のアレイを定義する薄膜層に追加される、少なくとも1つの層(90)を備える。行ドライバ回路および/または列ドライバ回路は、表示領域(63)の外側で共通基板に設けられた、導体ラインに接続する部分(40,50)を有する。専用の処理を、導体ラインのために用いて、低抵抗のラインを形成することができる。これらは、行または列ドライバ回路の、共通基板への集積化または実装を助ける。
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本発明は、基板と、少なくとも一つのUV硬化性導電性層と、画像形成性層とを含んでなる、ディスプレイ・デバイスに関する。また本発明は、基板と、第1の透明導電性層と、光変調層と、第2の導電性層とを含んでなるディスプレイ・デバイスであって、前記第2の導電性層がUV硬化性である、ディスプレイ・デバイスに関する。
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【課題】 配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明はEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Cuを有する配線を設ける。また、該配線のCuを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板上の配線を単層構造にして、製造工程を簡略化することができる駆動回路及び液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は対向電極13を備えたCF基板及びTFTアレイ基板38を備えている。TFTアレイ基板38は直交するゲート配線18及びソース配線20と、対向電極38に接続されたトランスファー電極14を備えている。またVCOM電圧及びVEEG電圧を生成するDC/DC部6と、VEEG電圧をゲート配線18に供給するゲートドライバIC2と、VEEG電圧を入出力するLCD用入出力端子41、39を備えている。そしてゲートドライバIC2上にVCOM電圧を入出力するドライバIC用ダミー入出力端子42、44を備え、これらがダミースルー配線15により接続されている。 (もっと読む)


【課題】 共通電極配線の低抵抗化を図る。
【解決手段】 一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基板上の表示領域に形成される複数のアクティブ素子と、前記一方の基板上に行方向に形成され行方向のそれぞれのアクティブ素子に走査信号を印加する複数の走査信号線と、前記一方の基板上に列方向に配列されたドレイン信号線を介して映像信号が印加される画素電極と、前記一方の基板上に行方向に配列されている共通電極信号線とを有する液晶表示装置において、前記各共通電極信号線は、その両端部が共通電極配線によって接続されると共に、前記共通電極信号線の一端に接続された共通電極配線と他端に接続された共通電極配線で配線層数が異なる。 (もっと読む)


【課題】 電気光学パネルに対して電子部品を良好に電気的に接続することのできる電気光学ユニット、およびこの電気光学ユニットを用いた電子機器を提供することにある。
【解決手段】 携帯電話機に搭載した電気光学ユニット100において、液晶パネル400にはフレキシブル基板70が異方性導電膜によって実装され、液晶パネル400のITO膜からなる端子に対して、フレキシブル基板70の裏面側端子が電気的に接続されている。フレキシブル基板70において、スルーホールを経由して裏面側端子に電気的に接続する表面側端子72にはキャパシタ91がはんだにより実装されているとともに、表面側端子72には、回路基板との電気的な接続を行なうためのラバーコネクタのコネクタ電極が圧接している。 (もっと読む)


【課題】 短絡や断線を回避しながら、基板の接続配線の抵抗の均一化を図る。
【解決手段】 基板の各信号配線3と素子側端子8とを接続する接続配線7を、それぞれ所定の線幅を有する複数の接続部である第1の区間7a、第2の区間7bから構成し、該複数の接続部の膜厚を調整したり、第1の区間7aに積層配線19を設けて多層構造とすることにより、各接続配線7で全抵抗が略同じになるように構成する。これにより、接続配線7の最大線幅と最小線幅の差を約2倍程度に抑えることができるため、太い接続配線7における短絡や、細い接続配線7における断線を回避しながら、各接続配線7の抵抗の均一化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。)と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板1に形成した段差4をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層6(6A)からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層7を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のLCDなどの電気光学装置のトップゲート型MOSTFTに用いる。 (もっと読む)


【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ag層、及び保護層の3重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ag層は銀や銀合金からなり、保護層はIZO、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 (もっと読む)


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