【課題】 高速応答可能な強誘電性液晶の電圧無印加状態における表示ムラを低減して信頼性に優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置される複数の画素電極６と、この画素電極６をそれぞれ駆動するスイッチング素子１０が形成されるシリコン回路基板２と、このシリコン回路基板２に対向する透明導電膜からなる対向電極１６が形成されるガラス基板３とを有し、シリコン回路基板２とガラス基板３の間に強誘電性液晶１７を封入し、画素電極６と強誘電性液晶１７との間に、電荷を蓄積するメモリ素子２０を具備し、このメモリ素子２０によって強誘電性液晶１７に所定の電圧が印加される構成とした。 （もっと読む）

【課題】液晶物質の駆動電圧を低く抑えることできて、大きな自発分極を有する液晶物質を使用できる液晶表示装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】対向する２枚の基板間に自発分極を有する強誘電性液晶物質を有し、一方の基板内面に液晶セル４４に対応した画素電極とそれに接続されたスイッチング用のＴＦＴ４１とが設けられ、画素電極に電荷を蓄積するためのコンデンサ４５が接続されている。液晶セル４４の個々の画素に対して表示を行うための第１の走査及び表示を消去するための第２の走査それぞれの走査時間を１０μｓ以下と設定し、コンデンサ４５の容量（Ｃ_S ）の液晶セル４４の容量（Ｃ_LC）に対する比を０．２≦Ｃ_S ／Ｃ_LC≦５と設定する。 （もっと読む）

【課題】ＣＧＬ塗布溶剤の制約を解消し、デュアルＣＧＬ構造を容易に作製することを可能とし、且つデュアルＣＧＬ構造における電気応答特性の非対称性を抑制し、表示特性や駆動能力を向上させることが可能な光スイッチング素子及びそれを用いた光書き込み型表示媒体を提供することである。
【解決手段】一対の電荷発生層と、該一対の電荷発生層に挟持された電荷輸送層と、を含んで構成される光スイッチング層を有する光スイッチング素子であって、該電荷輸送層が、特定構造の電荷輸送性高分子を含んでなる光スイッチング素子である。 （もっと読む）

【課題】交流駆動における表示特性や駆動能力、さらには繰り返し安定性を向上させることが可能な光スイッチング素子を用いた光書き込み型表示媒体を提供することである。
【解決手段】一対の基板の間に、少なくとも表示層と光スイッチング層とを含む光書き込み型表示媒体であって、前記光スイッチング層が、電荷発生層及び両極性電荷輸送層を積層してなる光書き込み型表示媒体である。 （もっと読む）

【課題】 フィールドシーケンシャル液晶表示素子のように、画素領域の液晶層厚さが狭い構造を形成する場合、従来の方法では基板間にあるシール材を良好に硬化形成することが困難であった。画素領域内に液晶層厚調整膜を設けると解決されるが、対向電極と遮光膜との積層構造が阻害され、対向電極の抵抗の増大による表示不良が発生する。これら全ての問題を解決する構造を提供する。
【解決手段】 画素領域内において前基板２３内面上には、遮光膜１９が設けられ、その遮光膜を覆うように液晶層厚調整膜３が設けられ、その上層にＩＴＯ膜４からなる対向電極が設けられており、ＩＴＯ膜４と遮光膜１９とは液晶層厚調整膜３に設けられたコンタクトホール７を介して接続される。 （もっと読む）

【課題】高い弾性率と機械的強度を有し、熱履歴による歪や接続不良を起こさないテープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材を使用することで、耐久性で高精度などの優れた特性を有する表示機器を提供する。
【解決手段】テープ基板上に複数の半導体チップが搭載されたテープキャリア型半導体パッケージを介して駆動信号を受ける直視型薄型表示素子を用いた表示機器であって、該テープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材が３００℃でのカール度１０％以下のポリイミドフィルム、中でもベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とする線膨張係数が２〜１５ｐｐｍ／℃のポリイミドフィルムである表示機器。 （もっと読む）

【課題】高い弾性率と機械的強度を有し、熱履歴による歪や接続不良を起こさないテープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材を使用することで、耐久性で高精度などの優れた特性を有する表示機器を提供する。
【解決手段】テープキャリア型半導体パッケージを介して駆動信号を受ける液晶表示素子、ＥＬ表示素子などの表示素子を用いた表示機器の、該テープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材が３００℃でのカール度１０％以下のフィルム、特にベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とする線膨張係数が２〜１５ｐｐｍ／℃のポリイミドフィルムである表示機器。 （もっと読む）

【課題】高い弾性率と機械的強度を有し、熱履歴による歪や接続不良を起こさない小型表示機器におけるプリント配線板の絶縁基材に特定ポリイミドフィルムを使用することで、耐久性で高精度などの優れた特性を有する表示機器を提供する。
【解決手段】対角３インチ以下の表示素子と該素子を駆動する駆動回路とが同じプリント配線基板によって相互に接続されている小型表示機器において、該プリント配線基板の絶縁基材が３００℃でのカール度が１０％以下のポリイミドフィルム、特にベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とする線膨張係数が２〜１５ｐｐｍ／℃のポリイミドフィルムである表示機器。 （もっと読む）

【課題】書き込み光の光源の種類によらず各色画像間でクロストークを生じさせることがなく、より高いコントラストで外光を変調することが可能な光アドレス型空間光変調素子を提供することである。
【解決手段】外光を反射する液晶層と、入射光の強度に応じて抵抗値を変化させる光導電層とが少なくとも積層された光アドレス型光変調層が複数積層されてなり、前記各光導電層が相互に異なる吸収波長域を有し、前記液晶層が照射される相互に異なる波長域の外光を反射する光アドレス型空間光変調素子であって、前記入射光が照射される光導電層の少なくとも入射光側の位置に、該光導電層の吸収波長域及び他の光導電層の吸収波長域において相互に吸収が重なる波長域の入射光を遮る光学機能層を備える光アドレス型空間光変調素子である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、初期配向処理のための電圧を各画素に印加することができるノーマリーオフ特性ＴＦＴの強誘電液晶表示パネルを提供することを目的とする。
【解決手段】 液晶表示パネルは、走査ラインにドレイン端が結合される第１の薄膜トランジスタと、データラインにドレイン端が結合される第２の薄膜トランジスタと、走査ラインにゲート端が結合されデータラインにドレイン端が結合される第３の薄膜トランジスタと、第３の薄膜トランジスタのソース端に結合される画素電極と、液晶を挟んで画素電極に対向するコモン電極と、第１の薄膜トランジスタのソース端、第２の薄膜トランジスタのソース端、第１の薄膜トランジスタのゲート端及び第２の薄膜トランジスタのゲート端、及びコモン電極にそれぞれ結合され外部から電圧印加可能な外部端子を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】重合前にインクジェット印刷を用いて相分離を行い、単一基板の液晶ディスプレイを製造する方法を提供することである。
【解決手段】基板上に第一電極を設けるステップ、複数の画素領域を発生させるために、前記基板の上にパターン化された突起構造を形成するステップ、前記各画素領域に液晶層を充填するステップ、前記液晶層にモノマー層を充填するステップ、および前記モノマー層を高分子層に重合し、前記液晶層と相分離を行うステップを含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 光学的異方性が小さく実質的に光学的等方性であり、温度、湿度などの環境変化による光学性能の変化が小さく、液晶表示装置に好適な透明フィルムを提供すること。
【解決手段】機械方向の熱膨張係数（αＭＤ）または機械方向に垂直な方向の熱膨張係数（αＴＤ）の少なくとも一方の熱膨張係数が１．０×１０^−５〜１０×１０^−５／℃であり、かつ機械方向の熱膨張係数が機械方向に垂直な方向の熱膨張係数の０．４〜１．０倍であり、かつフィルムのレターデーション値が、下記式（i）０≦Ｒｅ_(５９０)≦２０及び（ii）｜Ｒｔｈ_(５９０)｜≦２５をみたすことを特徴とする透明フィルム。（Ｒｅ_（λ）、Ｒｔｈ_（λ）は、それぞれ波長λｎｍにおける面内および膜厚方向のレターデーション値）。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単で製造が容易であり、効率の良い光偏向が可能な光偏向素子を提供する。
【解決手段】光偏向素子１は、一対の透明な基板３と、スペーサー４と、複数本の透明なライン電極５と、誘電体層６と、キラルスメクチックＣ相を形成可能な液晶層７と、複数本のライン電極５群を電気的に直列に接続する抵抗膜８を有している。ライン電極５群と抵抗膜８は同一材料で形成されており、抵抗膜８の表面抵抗率をＲ_Ｒ、ライン電極５の表面抵抗率をＲ_Ｅとしたときに、Ｒ_Ｒ＞Ｒ_Ｅであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表示領域の周囲領域に駆動電極を設けないと、周囲領域における白表示あるいは黒表示とするかを制御することができず、見切り板の端から制御されていない周囲領域が見えてしまい、表示品質を損なう問題があった。
【解決手段】 第１の基板上において表示領域に対応する位置に配置された表示領域用走査電極 （Ｙ２〜Ｙｍ−１）と、第２の基板上において表示領域に対応する位置配置された表示領域用信号電極（Ｘ１〜Ｘｎ−１）と、表示領域用走査電極の外側であって、周囲領域に対応する位置に配置された周囲領域用走査電極（Ｙ１、Ｙｍ）と、表示領域用信号電極の外側であっ て、周囲領域に対応する位置に配置された周囲領域用信号電極（Ｘ１、Ｘｎ）とを設け、第１又は第２の基板の外側には、第１又は第２の基板の周囲を覆う見切り板７０が設けられ、見切り板７０における開口部７１の内周縁部の位置が、周囲領域上に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で表示品位および視野角が改善されたＩＰＳ型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】
第１偏光膜と、第１と第２位相差領域と、液晶セルと、第２偏光膜とがこの順序で配置され、第１位相差領域の面内レターデーション（Ｒｅ）が70ｎｍ〜330ｎｍ、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を用いてＮｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋0.5で定義されるＮｚ値が0を超え0.4未満であり、第２位相差領域のＲｅが50ｎｍ以下で光学軸が面内に含まれずＲｔｈが10ｎｍ〜140ｎｍであり、第１位相差領域の遅相軸が第１偏光膜の透過軸に直交かつ第１偏光膜の透過軸が黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に平行で、第1および第2偏光膜は液晶層に近い側の面に下記式（Ｉ）および（II）を満たすセルロースアシレートフィルムを有する。（Ｉ）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５（II）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５ （もっと読む）

【課題】 構成が簡単で、小型であり、光量損失、光学ノイズ、解像度低下が少なく、低コスト化を図ることができ、耐久性が高く安定して動作する光偏向素子、該素子を備えた光偏向装置及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】 透明な一対の基板２、３と、両基板の間隔を規制する複数のスペーサ４と、少なくとも一方の基板面に設けた無機材料から成る透明抵抗体層５と、両基板の間隔内でキラルスメクチックＣ相を形成可能な液晶層７と、キラルスメクチックＣ相の層法線方向が基板面に対して略垂直となるように液晶層７を配向させる配向膜６と、透明抵抗体層５の少なくとも二個所以上に接続した複数の電極８、９と、を備えた光偏向素子１とする。 （もっと読む）

【課題】回路性能に応じて適切な構造の薄膜トランジスタを配置し、保持容量の占有面積を小さくして高性能で画像の明るい半導体装置を提供する。
【解決手段】動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでＬＤＤ領域の形成位置を異ならせる。これにより高性能な半導体装置を実現する。また、遮光膜とその酸化物を用いて保持容量を形成することで保持容量の面積を最小限に抑え、明るい画像表示の可能な半導体装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 開口率を高めると共に、全画素への書き込み時間を短縮することができる液晶パネル及び液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 液晶パネルを構成するＴＦＴ基板１００において、ゲートバスライン１０１とデータバスライン１０２が互いに直交する方向に配線され、両バスラインの交差箇所の近傍にスイッチング素子（ＴＦＴ）１０７が設けられ、さらに、各画素毎に設けられた画素電極１０４との間で補助容量Ｃｓを形成するＣｓバスライン１０３が、データバスライン１０２と平行な方向に配線されている。ゲートバスライン１０１、データバスライン１０２及びＣｓバスライン１０３は、それぞれ同じ配線間隔で配線され、各Ｃｓバスライン１０３を境界として正方形状の画素領域が画定されている。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも1つの電気的変調型画像形成層を有してなる少なくとも1つの基板と、少なくとも1つのパターン化導電性層と、少なくとも1つの静電防止層とを含んで成るディスプレイに関する。 （もっと読む）