【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、該バッファ層の上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ブルー相を呈する液晶を用い、新規な構成を有する液晶表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】同一基板上に、複数の構造体（リブ、突起、凸部とも呼ぶ）を形成し、その上に画素電極とその画素電極に対応する電極（固定電位の共通電極）を形成する。画素電極に傾斜をつけ、その画素電極に対応する電極にも傾斜をつけることにより、ブルー相を呈する液晶層に電界をかける構造とする。隣り合う構造体の間隔を狭くすることにより、液晶層に強い電界を印加することができ、液晶を駆動させるための消費電力を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＴＦＴ素子などによる段差が存在する領域において光漏れを低減することができる液晶表示素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、第１基板、上記第１基板上に形成され、複数のＴＦＴ素子および上記ＴＦＴ素子に接続された画素電極を有するＴＦＴ電極層、上記ＴＦＴ電極層上に形成された反応性液晶用配向膜、および上記反応性液晶用配向膜上に形成され、反応性液晶を固定化してなる固定化液晶層を有するＴＦＴ基板と、第２基板、および上記第２基板上に形成された共通電極とを有する共通電極基板と、上記ＴＦＴ基板の上記固定化液晶層および上記共通電極基板の上記共通電極の間に形成された駆動液晶層とを有することを特徴とする液晶表示素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】画像表示における視野角を改善し、液晶の配向乱れによる画質劣化を抑制する半透過型の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁面上に絶縁膜を有する第１の領域と、絶縁面上に前記絶縁膜を有さない第２の領域とを有し、第１の領域において、絶縁膜上に第１の導電膜を有し、第２の領域において、絶縁面上に第２の導電膜を有し、第１の導電膜は、光を反射する機能を有し、第２の導電膜は、光を透過する機能を有し、第１の導電膜上に、及び、第２の導電膜上に、液晶層を有し、第１の領域において、絶縁膜は、第１の凸部と第２の凸部とを有し、絶縁膜の端部から第１の導電膜の端部までの距離が、絶縁膜の端部から第２の導電膜の第１の端部までの距離よりも長い領域を有し、第１の凸部と第２の凸部との間の凹部の底の位置から第１の凸部の頂上の位置までの高さが、絶縁面から凹部の底の位置までの高さよりも低い領域を有する液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのチャネルが形成される領域を含む半導体層と、ソース電極層及びドレイン電極層のコンタクト抵抗（接触抵抗）が小さい薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。また、配線の電気抵抗が小さい薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。また、ソース電極層及びドレイン電極層の端部に生じる段差の少なくとも一部を覆う半導体層をキャリアが滞りなく移動できる構造を有する薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを形成するにあたって、第１電極層上に第１配線層を設け、第２電極層上に第２配線層を設け、第１電極層が第１配線層の端部から延在し、第２電極層が第２配線層の端部から延在し、第１電極層の側面及び上面と第２電極層の側面及び上面に半導体層が電気的に接続するように設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成領域にＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなる配線層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記ＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層との間にソース領域又はドレイン領域を設ける。ソース領域又はドレイン領域、及び画素領域は同一層のＳｉＯｘを含まないＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】塗布工程におけるはじき等の塗膜欠陥や使用時における膜はがれ等の欠陥が発生しにくく、電気特性も良好な光書き込み型表示媒体を提供する。
【解決手段】一対の電荷発生層である第１電荷発生層及び第２電荷発生層並びにこれらに挟まれた電荷輸送層を含む光導電層と、記憶性を有する表示層とを積層する。電荷輸送層は第１電荷発生層に第１層形成用塗布液を塗布して形成され、第２電荷発生層は電荷輸送層に第２層形成用塗布液を塗布して形成される。第１電荷発生層に含まれる第１結着樹脂は２種類以上の単量体が共重合して成る樹脂であり、第１層形成用塗布液に含まれる溶媒に難溶である。電荷輸送層に含まれる第２結着樹脂は第２層形成用塗布液に含まれる溶媒に難溶である。第１結着樹脂と共通する種類の単量体が共重合して成る、第１層形成用塗布液に含まれる溶媒に可溶な樹脂である第３結着樹脂は第２結着樹脂に対して少ない質量割合で添加される。 （もっと読む）

【課題】配線や電極等による段差に起因する配向処理むらを抑制し、配向不良の発生を低減でき、充電時間を短くできるＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】基材２と、基材上に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層４と、オーバーコート層６と、ソース線と、画素電極８と、基材２上に形成されゲート線に接続されたゲート電極１３、ＴＦＴ用ゲート絶縁層１４、ＴＦＴ用ゲート絶縁層上に形成された半導体層１５、ＴＦＴ用ゲート絶縁層および半導体層の上に上記オーバーコート層と連続して形成されたＴＦＴ用オーバーコート層１６、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、ソース線に接続され、半導体層にソース電極用コンタクトホールｈ１を介して接続されたソース電極１７、および、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、画素電極に接続され、半導体層に透明電極用コンタクトホールｈ２を介して接続された透明電極１８を有するＴＦＴ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】光反射部と光吸収部とが固定されている場合に比して、スクリーン、プロジェクタ、照明の相互位置が変わった場合でも、明るい場所において、投影された画像のコントラストを高く表示するスクリーン装置、画像投影システム、及び画像投影方法を提供する。
【解決手段】照明装置７０をオフにし、外光７２が照射されない状態で、プロジェクタ１２により、全白画面をスクリーン装置１４に投影する。スクリーン装置１４のスイッチ４９をオンにし、背面板３０の透明電極３４、４４に電圧を印加し、画像記録層３６のコレステリック液晶５８を変化させ、集光されたプロジェクタ光が照射される集光領域５３に応じた光反射部５２及び集光されたプロジェクタ光が照射されない非集光領域５１に応じた光吸収部５０を形成させる。光吸収部５０及び光反射部５２が形成された後、印加させた電圧を停止させ、照明装置７０をオンにし、プロジェクタ１２から画像を投影する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型表示装置等の半導体装置において、トランジスタの駆動能力を低下させることなく寄生容量の容量値を低減することを課題の一とする。または、寄生容量の容量値を低減した半導体装置を低コストに提供することを課題の一とする。
【解決手段】トランジスタのゲート電極と同一の材料層で形成される配線と、ソース電極またはドレイン電極と同一の材料層で形成される配線との間に、ゲート絶縁層以外の絶縁層を設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、当該酸化物半導体層中の任意の領域に導電率が異なる領域を形成する方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】水素を有する酸化物半導体層上に水素バリア層を選択的に設け、酸化処理を行うことにより酸化物半導体層の所定の領域から選択的に水素を脱離させて、酸化物半導体層に導電率が異なる領域を形成する。その後、酸化物半導体層に形成された導電率が異なる領域を用いて、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。画素電極層及び共通電極層は上方に形成される方を開口パターンを有する形状とし、下方に形成される方を平板状とする。 （もっと読む）

【課題】低温環境下における液晶の応答速度の低下を緩和するとともに、加熱用電極への印加電圧に起因するシャッタ用電極への電気的影響を低減することが可能な液晶シャッタおよびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶シャッタＸ１は、第１基板１０と、第２基板２０と、封止部材と、第１電極４０と、第２電極５０と、接地配線６０と、を備えている。第１基板１０は透光性を有する。第２基板２０は、透光性を有し、且つ、第１基板１０に対向配置される。封止部材は、第１基板１０と第２基板２０との間に液晶を封止するためのものである。第１電極４０は、第１基板１０上に位置する第１電極部４１と、第１基板１０あるいは第２基板２０上に位置する第２電極部４２とを有し、液晶ＬＣに電圧を印加するためのものである。第２電極５０は、第１基板１０上に位置し、液晶ＬＣに熱を供給するためのものである。接地配線６０は、第１電極４０の第１電極部４１と第２電極５０との間に位置している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備え、占有面積が小さい保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極を被覆するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上においてゲート電極と重畳する第１酸化物半導体層と、第１酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なる領域を覆うチャネル保護層と、第１酸化物半導体層上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層と第２酸化物半導体層が積層された第１配線層及び第２配線層とを有する非線形素子を用いて保護回路を構成する。非線形素子のゲート電極を走査線又は信号線と接続し、ゲート電極の電位を印加するための非線形素子の第１配線層又は第２配線層とゲート電極の接続を直接接続することで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積の縮小を図る。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有する表示装置において、画素部は、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタと、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタの配線に接続する画素電極と、を有し、スイッチ部またはバッファ部は、第１の絶縁層、半導体層、及び第２の絶縁層を挟む第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有する第２の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、論理回路部は、第３の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第４の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるインバータ回路を有し、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性とする。インバータ回路はＥＤＭＯＳ回路である。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用い、かつゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる酸化物半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）