【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１５を被覆するゲート絶縁層３７と、ゲート絶縁層３７上においてゲート電極１５と端部が重畳し、導電層４１と第２酸化物半導体層４０が積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９と、少なくともゲート電極１５と重畳しゲート絶縁層３７及び該第１配線層３８及び該第２配線層３９における導電層４１の側面部と第２酸化物半導体層４０の側面部及び上面部と接する第１酸化物半導体層３６とを有する非線形素子３０ａを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層３７上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークを低減し、非線形素子３０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つである。
【解決手段】酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極の間に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下のサイズの結晶粒を有し、チャネル形成領域となる酸化物半導体膜よりキャリア濃度が高い酸素欠乏酸化物半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、水分などの不純物を混入させずに良好な界面特性を提供することを課題の一つとする。電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層表面に酸素ラジカル処理を行うことを要旨とする。よってゲート絶縁層と半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と半導体層との界面に近づくにつれて増加する。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を少ない工程で作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、ｎ型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層とＩＧＺＯ半導体層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】高品位の表示性能を維持するマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】画素形成部１１及びスイッチング素子部１２を有する第１基板１０と、第２基板２０と、第１基板１０及び第２基板２０の間に設けられた光制御層３０とを有するマトリクス型表示装置６０Ａであって、第１基板１０の画素形成部１１には、ベース基板４上に形成された参照電極３と、参照電極３を覆うように形成された絶縁膜２と、絶縁膜２上に所定の面積Ａで形成され、スイッチング素子部に接続された画素電極１とが形成されており、第２基板２０には、画素電極１との対向する部分の面積が所定の面積Ｂとなるようにパターン形成された対向電極２１を有しており、対向電極２１の面積Ｂを画素電極１の面積Ａよりも小さくすること、好ましくはＢ／Ａを０．３／１以上１／１未満の範囲内にした。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高感度な光書き込み型表示媒体、及び該光書き込み型表示媒体を用いた光書き込み方法を提供する。
【解決手段】上部電荷発生層及び下部電荷発生層に挟持された電荷輸送層を含む光スイッチング素子と、メモリ性を有する表示層を含む表示素子とが積層されて構成され、前記上部電荷発生層が有する吸収波長域と、前記下部電荷発生層が有する吸収波長域とが異なることを特徴とする光書き込み型表示媒体、及び該光書き込み型表示媒体に対して、前記上部電荷発生層のみが吸収する波長の光、及び前記下部電荷発生層のみが吸収する波長の光それぞれを照射して、光書き込みを行うことを特徴とする光書き込み方法。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での保存による反射率の低下を抑制した表示媒体、及びそれを利用した書き込み装置を提供すること。
【解決手段】それぞれ電極１６及び電極１８を備えた基板１２及び基板１４間に、光導電層２４と、光選択透過層２２と、液晶層２０と、を積層させて、表示媒体１０を構成する。そして、着色層としての光選択透過層２２を、脱イオン処理を施した材料により構成させる。また、当該光選択透過層２２のイオン濃度を所定範囲にする。 （もっと読む）

【課題】単一方向から照射される光によって、表面及び裏面に画像を形成することができる記録媒体、画像書込装置及び画像書込プログラムを得る。
【解決手段】電子ペーパー２０を、電極５２Ａ，５２Ｂの間に光導電層５４及び表示層５６を積層し、光導電層５４側から画像書込用の光が照射され画像を表示する表側表示部４０と、電極７２Ａ，７２Ｂの間に光導電層７４及び表示層７６を積層し、光導電層７４と光導電層５４とが近接する向きに表側表示部４０と接合し、表示層７６側から画像書込用の光が照射され画像を表示する裏側表示部４２とで構成する。そして、光書き込み制御部３０の制御によって、スイッチ部２６で所定電圧の印加先を電極５２Ｂ、又は電極７２Ｂに切り替え、光画像入力部２２から画像書き込み用の光を照射させ、表側表示部４０と裏側表示部４２とに画像を表示させる。 （もっと読む）

【課題】より画質及び信頼性の高い表示装置、また大画面を有する大型な表示装置であっても、低コストで生産性よく提供することを目的とする。
【解決手段】表示装置の表示素子に用いる電極層として導電性高分子を含む電極層を用い、該導電性高分子を含む電極層に含まれるイオン性不純物の濃度を低減（好ましくは１００ｐｐｍ以下）とする。イオン性不純物はイオン化し、可動イオンになりやすく、表示素子に用いられる液晶層や電界発光層を劣化させる。従って、このようなイオン性不純物を軽減した導電性高分子を含む電極層を具備することによって、表示装置の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示ムラの少ない強誘電性液晶を用いた液晶表示素子を短時間で作製することが可能な、強誘電性液晶用基板および強誘電性液晶用ＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された共通電極と、上記共通電極上にストライプ状に形成された複数のスペーサー部と、を有する強誘電性液晶用基板であって、上記スペーサー部に強誘電性液晶が流通可能な切り欠き部が形成されていることを特徴とする強誘電性液晶用基板を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】光書き込み型の画像表示媒体に対してむらの少ない画像を記録する。
【解決手段】メモリー性を有する表示層７、照射光により電気抵抗が変化する光導電体層１０、透明電極５、６を備えた表示媒体１に画像を記録する光記録装置２は、所定方向に沿った順番で分割電極５Ａ〜５Ｃの何れかを選択する切替部２８、リセット光を選択された分割電極に相当する領域に照射するリセット光源３２Ａ、画像光を選択された分割電極に照射する画像用光源３２Ｂ、表示媒体１を移動させる駆動部２４、選択された分割電極にリセット用電圧を印加する高圧パルス発生部２６Ａ、リセット用電圧と逆極性の画像書き込み用電圧を印加する高圧パルス発生部２６Ｂ、リセット用電圧を印加し且つリセット光を前記領域に照射し、その後画像書き込み用電圧を印加し且つ画像光を前記領域に照射するように、各高圧パルス発生部及び各光源を制御する制御部３０、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界印加徐冷法により強誘電性液晶を配向させて液晶表示素子を作製する場合に、製造コストを大幅に削減することが可能な多面付けＴＦＴ基板、および液晶表示素子の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に複数のＴＦＴ基板領域が配置され、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子に用いられる多面付けＴＦＴ基板であって、ゲート線およびソース線が絶縁されていることを特徴とする多面付けＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成するものである。 （もっと読む）

システムは、個々にアドレス可能な多数のセグメントに理論上分割された変調層を含む光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）を操作するように構成された駆動装置を含む。パルス発生器が１又は複数の電圧パターンを生じるように構成され、光学パターン発生器が１又は複数の光学パターンを生じるように構成されている。前記ＯＡＳＬＭのセグメント毎に、前記駆動装置は、さらに、予め決められた書き込み動作数にわたって、前記１又は複数の光学パターンに関連した予め決められた光量を書き込むように構成されている。前記駆動装置は、前記変調層のネット電荷が零となるように、前記１又は複数の電圧パターンに関連したリセットパルスを適用するように構成されている。 （もっと読む）

空間光変調器システムは、光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）と、該ＯＡＳＬＭ上に光を送るために配置された電気アドレス型空間光変調器（ＥＡＳＬＭ）とを含む。第１のコントローラは、陽像及び陰像の両方で前記ＥＡＳＬＭをアドレス指定するように構成されている。第２のコントローラは、第１の双極性電圧パルスを前記陽像の受け取りに関連した前記ＯＡＳＬＭに印加し、また第２の双極性電圧パルスを前記陰像の受け取りに関連した前記ＯＡＳＬＭに印加するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストが安価な表示媒体および表示システムを提供すること。
【解決手段】光導電体１８は、データ電極２０および画素電極２２よりも透光基板１２側に配設されているので、データ電極２０および画素電極２２を透明材料で構成しなくても、透光基板１２側からの光は、光導電体１８に照射される。したがって、データ電極２０および画素電極２２の材料選択の自由度が高く、これらのデータ電極２０および画素電極２２を、安価な材料で構成することができるので、表示媒体１０の製造コストが安価となるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】液晶に配向異常が生じた場合であっても、液晶の配向状態を修復可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】液晶表示装置は、液晶パネルと、ヒータと、温度センサと、温度コントローラとを含んで構成されている。ヒータおよび温度センサは液晶パネルに設けられている。温度コントローラは、温度センサによる検出温度が所定温度Ｔ以上に上昇するようにヒータを制御する。所定温度Ｔは液晶が相転移を起こす温度に対応し、例えば相転移を起こして等方相になる温度に対応する。ヒータは当該ヒータが設けられた基板の支持基板よりも液晶側に配置されている。温度センサは当該温度センサが設けられた基板の支持基板よりも液晶側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単安定性を示す強誘電性液晶を用いた液晶表示素子において、強誘電性液晶の自発分極の向きを制御することが可能な液晶表示素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、光異性化型材料を含有する光配向膜である第１配向膜を有する第１配向処理基板と、光二量化型材料を含有する光配向膜、またはラビング膜である第２配向膜を有する第２配向処理基板と、第１配向処理基板および第２配向処理基板間に形成され、強誘電性液晶を含有する液晶層とを有する液晶表示素子であって、上記強誘電性液晶が、単安定性を示し、かつ、上記第２配向膜処理基板の第２電極層が負極となるように電圧を印加したときに、分子方向が基板面に対して平行にチルト角の約２倍変化するものであることを特徴とする液晶表示素子を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】層間密着の良好な光導電スイッチング素子を提供すること。
【解決手段】電極層１２より上に積層される下部電荷発生層１４、電荷輸送層１６、上部電荷発生１８、の少なくとも一層を、その層の直下に位置する層を膨潤または溶解する溶媒を含有する溶媒を用いて塗設するに当たり、電荷輸送層１６が例えばベンジジン系化合物を主成分とする電荷輸送材と、ポリカーボネート樹脂を主成分とする結着剤を含み、且つ、塗設時の溶媒が例えばトルエンを主溶媒とし、下部電荷発生層１４を膨潤または溶解する溶媒として例えば塩化メチレンを含有する溶媒を用いて、光導電スイッチング素子を製造する。 （もっと読む）