【課題】レチクルを効率的かつ容易な手段によって冷却し、レチクルの温度上昇を抑制し、レチクル熱膨張変形による像性能低化を防止する。
【解決手段】レチクルの周辺部に複数の凹部または凸部で構成されていることを特徴とする放熱スリット部を構成する。転写パターンから遮光膜面積を求めるの計測工程と、この計測工程の結果から前記露光マスクが所定の露光光を受けたときの前記露光マスクの温度上昇と温度上昇による熱膨張変形を予測する第１の予測工程と、この第１の予測工程の結果から、前記露光マスクに所定の放熱スリット部を形成したときの温度上昇と前記温度上昇による熱膨張変形を予測する第２の予測工程と前記第１の予測工程と第２予測工程を比較し、前記放熱スリット部を形成された前記露光マスクが所望の熱膨張変形になっているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】ペリクルからの酸及びアンモニウムイオンの放出が少なく、かつ、ペリクル検出センサーによる検出性に優れるペリクルを提供すること。
【解決手段】アルマイト層を表面に有するアルミニウム製ペリクルフレーム、及び、前記ペリクルフレームに張設したペリクル膜を有し、前記アルマイト層の厚さが、４〜８μｍであることを特徴とするペリクル。前記アルマイト層は、黒色染料を含むアルマイト層であることが好ましい。また、本発明のペリクルは、リソグラフィー用ペリクルであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】２種類の半透光膜と遮光膜の任意の組み合わせが可能な多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクブランクの遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、第１レジストパターンを除去後、基板全面に第１半透光膜を形成し第２のレジストパターンを形成する工程と、少なくとも第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、第２レジストパターンを除去後、基板全面に第２半透光膜を形成し第３レジストパターンを形成する工程と、少なくとも第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有する、多階調フォトマスクの製造方法で、第１レジストパターン形成は遮光部にレジストパターンを残存させ、遮光部のレジストパターンの寸法を、遮光部と隣接する透光部及び第１半透光部との境界において所定のマージン領域分広く形成する。 （もっと読む）

【課題】遮光膜のドライエッチング加工時において、従来の遮光膜をもつフォトマスクブランクを用いた場合と比較して、形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造することが可能になる。
【解決手段】透明基板１上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、透明基板１上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜２と、遮光膜２上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜４と、エッチングマスク膜上に形成された反射防止膜３とを有するフォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の面内膜厚均一性の悪化を抑制する。
【解決手段】転写パターンとなる薄膜が形成された薄膜付き基板上にレジスト膜が形成されたマスクブランクスである。レジスト膜は、前記基板の周縁部におけるレジスト膜の不要部分が除去されている。また、レジスト膜は、転写パターンが形成される領域において、膜厚の最も厚い位置におけるレジスト膜の膜厚と、膜厚の最も薄い位置におけるレジスト膜の膜厚との差異が５０オングストローム以下である。 （もっと読む）

【課題】半透光膜によりなる半透光部に発生した欠陥が好適に修正された多階調フォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に遮光部、透光部及び半透光部が形成された転写パターンを有し、被転写体上のレジスト膜に２つ以上の異なるレジスト残膜値を有するレジストパターンを形成する多階調フォトマスクであって、遮光部は透明基板上に遮光膜が形成されてなり、透光部は透明基板が露出して形成され、半透光部は透明基板上に形成された半透光膜によりなる正常部と、透明基板上に形成された修正膜によりなる修正部とを有し、透光部と修正部のｉ線〜ｇ線の波長光に対する位相差が８０度以下である。 （もっと読む）

【課題】 装置の複雑化、および生産性の低下を防ぎつつ、高精度での露光を可能にするレチクルの製造方法を提供する。
【解決手段】
基準チャック１０１で保持した場合の基準マスクブランクス１０４の第１の面形状を計測し、露光装置のレチクルチャック１０２で保持した場合の基準マスクブランクス１１０の第２の面形状を計測し、基準チャック１０１で保持した場合の描画用マスクブランクス１０４の第３の面形状を計測する。第１の面形状と第２の面形状の差分値を算出し、差分値と第３の面形状に基づいて、レチクルチャック１０２で保持した場合の描画用マスクブランクス１０４の第４の面形状を算出し、第４の面形状に基づいて、描画用マスクブランクス１０４にパターンを描画する。 （もっと読む）

【課題】金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させ、フォトマスクの寿命を改善できるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に金属及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜し、次いで、該薄膜をパターニングして薄膜パターンを形成し、形成された薄膜パターンに対して波長２００ｎｍ以下の露光光が累積して照射された場合に、薄膜パターンの転写特性が所定以上変化しないように、上記薄膜パターンの主表面及び側壁を予め変質させる処理を施す。この処理は、たとえば酸素を含む雰囲気中での４５０℃〜９００℃の加熱処理をすることにより行う。 （もっと読む）

【課題】ｉ線〜ｇ線の波長帯域に亘る透過率変化量を抑制しながら所望の透過率に調整できるＦＰＤ用大型多階調フォトマスクブランク及びフォトマスク並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、露光光のｉ線〜ｇ線の波長帯域に対する透過率スペクトルが互いに異なる２以上の半透光膜の積層膜からなる半透光膜と、露光光を遮光する遮光膜をこの順で有し、前記半透光膜と前記遮光膜にそれぞれパターニングが施される。 （もっと読む）

【課題】パターン転写寸法精度の向上が図られたフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクの製造方法は、透明基板上に第１の膜と第２の膜を順に成膜する工程と、第１の膜で主パターン領域に主パターンを形成し、主パターン領域の周囲に、第１の膜と前記第２の膜を含む遮光領域を形成する工程と、透明基板を洗浄する第１の洗浄工程と、遮光領域の透過率を測定し、透過率が予め定められた基準値より小さいか否かを判定する第１の良否判定工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー露光用フォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクに関し、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の世代、特にｈｐ３２−２２ｎｍ世代に必要な遮光層の薄膜化（ひいては遮光膜、転写パターンの薄膜化）を目的とする。
【解決手段】透光性基板上に、モリブデンの含有量が２０原子％超、４０原子％以下であるモリブデンシリサイド金属からなり、層の厚さが４０ｎｍ未満である遮光層１２と、遮光層１２に接して形成され、酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むモリブデンシリサイド化合物からなる反射防止層１３と、遮光層１２の下に接して形成される低反射層１１とからなる遮光膜１０を備える
ことを特徴とするフォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】加工精度を犠牲にすることなく、加工プロセスを軽減できる位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】位相シフト部は、位相シフト部を設けていない部分の透光性基板を透過する露光光に対し、所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から掘り込んだ掘込部であり、前記透光性基板を掘り込む側の表面には、塩素系ガスで実質的にドライエッチングされ、フッ素系ガスで実質的にドライエッチングされない材料で形成され、前記掘込部をドライエッチングで形成するときに少なくとも前記掘込深さに到達するまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜１０と、該エッチングマスク膜の表面にタンタルを主成分とした材料で形成され、透光性基板の掘込部を形成するドライエッチング時に同時に除去可能な膜厚の遮光膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、且つ保存安定性に優れたフォトマスク材料、及び該フォトマスク材料を用いて作製された解像度の高いフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基材上に、（Ａ）遮光材料、（Ｂ）特定構造の増感色素、（Ｃ）ラジカル、酸または塩基を生成しうる開始剤化合物、及び（Ｄ）ラジカル、酸または塩基の少なくともいずれかによって反応する重合性化合物を含有する感光性層を有することを特徴とするフォトマスク材料、及び該フォトマスク材料を用いて作製されたフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク用途に適した、紫外光（特に、３６５ｎｍ付近のｉ線）の遮光性に優れ、解像度の高い画像を高精度で形成し得る遮光材料、及びその作製方法を提供することにある。
【解決手段】ガラス基板上に、露光光を吸収する銀微粒子と、バインダーと、を含む遮光膜を有し、該遮光膜において、直径Ｌが３ｎｍ以上３０ｎｍ以下である銀微粒子の頻度が９５％以上であることを特徴とする遮光材料、及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】露光機の露光波長特性によらず、フォトマスクを最適な状態で使用することが容易になり、安定して、正確に被加工層上にパターン形成すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板上に設けられた、露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光を一部透過させる半透過膜とにより、透光領域、遮光領域、及び半透光領域を持つ転写パターンを備えた多階調フォトマスクであって、前記半透過膜は、前記露光光の波長域において波長依存性を持つ透過率を有しており、かつ、前記半透光領域は、前記転写パターンの転写の際に用いる露光機の露光光学条件下において前記波長依存性が実質的に生じない透過率を示す寸法を持つ領域を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 階調マスクにおける、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、効率的に、且つ、均一に修正できる欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】 ハーフトーン膜パターン内の第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含み、且つ、該ハーフトーン膜パターン領域内に矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成し、該第２の欠陥部に対して、前記露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ハーフトーン膜パターン領域内において隙間を開けて並列にして配し、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを、透過率調整して、配設するもので、前記スリット状パターンの配設は、レーザＣＶＤにより、レーザ光をアパーチャを介して一括照射し、照射領域に前記ラインパターンを配設するものである。 （もっと読む）

本発明は、支持体を用意し、前記支持体の片側にマルチカラーマスクをコーティングし、支持体の反対側に可視光により硬化可能な層をコーティングし、光硬化可能な層をマスクを通して可視光に露光して光により硬化可能な層を露光部分において硬化させて硬化パターンを形成することを含む、積層透明構造体を形成する方法に関する。
（もっと読む）

【課題】グレートーンマスク作製時にＣＤ（線幅）変動を低減できるグレートーンマスクブランク及びグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】被転写体に対する露光光の照射量を部位によって選択的に低減し、被転写体上のフォトレジストに、残膜値の異なる部分を含む所望の転写パターンを形成するグレートーンマスクの製造に用いるためのグレートーンマスクブランクであって、透明基板上に半透光膜と遮光膜とをこの順に有し、該半透光膜と遮光膜にそれぞれ所定のパターニングを施して、遮光部、透光部、半透光部を形成し、グレートーンマスクとする。遮光膜は、膜厚方向に組成が変化しており、パターニングの際に用いる描画光に対する表面反射率が低減されており、半透光膜は、パターニングの際に用いる描画光に対する表面反射率が、面内において45％を越えないように調整されている。 （もっと読む）

【課題】パターン転写時の露光装置に高ＮＡの露光方法を利用した場合の焦点深度による影響に対応でき、デバイス上にハーフピッチ４５ｎｍ以下の高精度の微細パターンを形成するのに好適な遮光膜を備えたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し６原子％未満である。また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】微細な孤立コンタクトパターン及び密集コンタクトパターンの同時形成が可能なエンハンサマスクに大開口部からなるアクセサリパターン等を設けている場合にも、サイドローブの発生及びレジスト欠陥の発生を同時に防止できるようにする。
【解決手段】透明基板１１上に形成された半遮光部１２に、第１の寸法Ｓ１を有する第１の開口部１３Ａと、第１の寸法Ｓ１よりも大きい第２の寸法Ｓ２を有する第２の開口部１３Ｂとが形成されている。透明基板１１上における第１の開口部１３Ａの周辺には位相シフト部１４が形成されている。透明基板１１上における第２の開口部１３Ｂの周辺に遮光部１５が設けられている。 （もっと読む）