【課題】微細化された半導体マスクを製造する方法を提供する。
【解決手段】最初に、一連のラインを含む犠牲マスクを有する半導体スタックが提供される２０２。犠牲マスクの一連のラインの側壁に近接するスペーサラインを有するスペーサマスクが形成される２０４。スペーサマスクはまた、スペーサライン間に介挿ラインも有している。最後に、犠牲マスクを除去して、スペーサマスクのみとする。介挿ラインを有するスペーサマスクは、犠牲マスクの一連のラインの頻度を３倍にする。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる光透過率を有する半透過部が少なくとも二つ以上備わることで、一つのマスクで複数層をパターニングできる複数の半透過部を備えたハーフトーンマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１１０と、透明基板１１０上に形成され、照射される所定波長帯の光を透過させる光透過部１２１と、透明基板１１０上に形成され、照射される所定波長帯の光を遮断する光遮断部１２５と、透明基板１１０上に半透過物質が積層されて形成され、照射される所定波長帯の光を互いに異なる光透過率で透過させる少なくとも二つ以上の半透過部１３０とを含んで、複数の半透過部を備えたハーフトーンマスクを構成する。 （もっと読む）

【課題】スクリーニング精度を落とすことなく半導体集積回路の設計を簡略化する。
【解決手段】半導体集積回路設計データより半導体集積回路の物理レイアウトを生成する際の半導体集積回路の設計方法において、物理レイアウトを生成するためのセルを配置し配線するセル配置配線工程と、デザインルールチェック用のルールライブラリを参照して、物理レイアウトのセルを含む第２物理レイアウトの形状を検証するデザインルールチェック工程と、デザインルールを満たさない場合に、検証対象となった第２物理レイアウトのマスクデータ処理を行うマスクデータ処理工程と、マスクデータ処理工程でマスクデータ処理を行った第２物理レイアウトを用いて、マスクデータを作成するマスクデータ作成工程と、デザインルールを満たす場合に、第２物理レイアウトを用いて、物理レイアウトに対応するマスクデータを作成するマスクデータ作成工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード上の絶縁膜をエッチングするとき、エッチングの境界部分の傾斜を最大限小さくして、後続の工程マージンの向上に適切なイメージセンサの製造方法と、これに用いられるフォトマスクを提供する。
【解決手段】イメージセンサの製造方法は、ロジック回路領域とピクセル領域との基板上に絶縁膜を形成するステップと、ピクセル領域３１０とロジック回路領域３２０との境界部分３３０において、前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって、小さな厚さを有するフォトレジストパターンを形成するステップと、前記絶縁膜をエッチバックするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】露光用マスク等の製造において、微細パターンを高いパターン精度で形成することができるマスクブランクを提供する。
【解決手段】基板１１上にパターンを形成するための薄膜１２，１３を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン１４ａをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。そして、前記薄膜は、少なくとも上層部に酸素を６０原子％以上含有する保護層を有する。前記ドライエッチング処理は、例えば酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理である。 （もっと読む）

【課題】遮光パターンを高精度で加工できると共にフレア起因によるレジスト線幅変化を抑制できるフォトマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】このフォトマスクによれば、窓幅が小さい遮光パターンのストライプ部Ｓ１では、フレア光の影響が小さいから、透明基板１の凸部１１の側面１１Ａが窪んでいる寸法を大きくすることによって、斜め入射光の干渉による打ち消し合いを少なくする。一方、フレア光の影響が大きくなる窓幅の大きな遮光パターンのストライプ部Ｓ３では、凸部１３の側面１３Ａを窪ませていないことで、斜め入射光の干渉による打ち消し合いを多くしている。これにより、各遮光パターンのストライプ部Ｓ１の線幅を変えることなく、各遮光パターンにおけるレジスト解像に寄与するエネルギー量をバランスさせることができる。 （もっと読む）

【課題】 マスク・レイアウトを設計する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、形状のエッジの断片化の前に、光学近接効果補正（ＯＰＣ）又はマスク検証のためのシミュレーション位置の選択を行う。初期シミュレーション位置は、隣接する形状の影響に基づいて選択され、次いで断片化が初期シミュレーション位置に基づいて行われる。シミュレーション位置は、マスク形状の頂点の影響領域内での初期シミュレーションにより選択されることが望ましい。結果的なシミュレーションの極値点が識別され、そして極値点から形状のエッジへ投影した交点が初期シミュレーション位置を規定するのに使用される。このように選択された初期シミュレーション位置を保持するようにエッジの断片化が行われる。このような初期シミュレーション位置により、ＯＰＣエンジンは、最大の影響が生じる形状を更に効率的に補正することができる。 （もっと読む）

【課題】周辺回路領域のパターン形成能力によってメモリセルアレイ領域中のパターンの微細化が律速されない半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、メモリセルアレイ領域１と、メモリセルアレイ領域の周辺に設けられた周辺回路領域と、メモリセルアレイ領域と周辺回路領域との間に設けられた所定幅を有する境界領域とを備え、メモリセルアレイ領域は、複数の不揮発性半導体メモリセルを含むセル領域と、セル領域内からその外側の領域に延在して設けられた複数の直線状配線と、境界領域で複数の直線状配線よりも下層に設けられ、複数の直線状配線と電気的に接続され、かつ配線幅が直線状配線の幅より太い複数の下層配線とを備え、周辺回路領域は、複数の下層配線を介して、複数の直線状配線に電気的に接続された複数のパターンを備え、境界領域は、複数の直線状配線、複数の直線状配線と同層の配線が設けられていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロキシミティ露光により、細かいパターンを形成することが可能なプロキシミティ露光用フォトマスク、およびそのプロキシミティ露光用フォトマスクを用いたカラーフィルタの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板１、前記透明基板１上に形成された略正多角形または略円形の遮光部２、および前記透明基板１上の前記遮光部２の外側に前記遮光部２と間隙をあけて形成された前記遮光部２と同心の補助遮光部３を有することを特徴とするプロキシミティ露光用フォトマスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

本開示は、露光波長において放射に対して透明である、または放射を透過する基板２１０に塗布された放射感応性層中に潜像を形成することに関する。特に、それは、いわゆる裏面リソグラフィに関し、そこでは、透明基板１１０の第１の面を通して電磁放射を投射し、透明基板の第１の面とは反対側の第２の面を覆う放射感応性層２１４を露光するために、露光システムの最終レンズ１０１が配置される。潜像（画像又はその反転画像）に対応する放射不透層を形成する、さらに処理するための５つの代替の実施例が説明される。これらの方法及びそれに対応するデバイスは、マスク（時にはレチクルと呼ばれる）を生成し、半導体デバイス中に潜像を生成し、マスクを使用して半導体デバイスのフィーチャを形成するために有用である。
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【課題】拡大の投影倍率を有する安価な投影光学系を搭載した走査型露光装置を提供する。
【解決手段】走査方向の前方側に配置された第1投影光学系ＰＬ２と、走査方向の後方側に配置された第２投影光学系ＰＬ１とを用いて、第１投影光学系及び第２投影光学系と第１物体Ｍ及び第２物体Ｐとの走査方向に関する位置関係を変化させつつ第１物体のパターンを第２物体上に転写露光する走査型露光装置において、第１投影光学系及び第２投影光学系は、それぞれ第１物体上における視野内の拡大像を第２物体上の像野内に形成し、第１投影光学系及び第２投影光学系の前記視野の中心同士の走査方向における間隔をＤｍとし、第１投影光学系及び第２投影光学系による像野の中心同士の前記走査方向における間隔をＤｐとし、第１投影光学系及び第２投影光学系のそれぞれの投影倍率をβとするとき、Ｄｐ＜Ｄｍ×｜β｜（但し、｜β｜＞1）を満たす。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ用反射型マスクなどに使用されるガラス基板のように極めて高い表面平滑性と表面精度が要求されるガラス基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】主表面が研磨されている、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板であって、前記主表面の凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であるマスクブランクス用ガラス基板。平均一次粒子径が６０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、ｐＨが０．５〜４の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ガラス基板をナップ層の圧縮率が１０％以上、圧縮弾性率が８５％以上である研磨パッドで研磨する。 （もっと読む）

【課題】エキシマレーザ露光装置などに設けて、短波長の露光光源を用いたリソグラフィ技術に使用するためのフォトマスクにおいて、硫酸アンモニウムなどの異物の発生を防止したフォトマスクおよび簡易で安価なその製造方法、さらに、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 透明基板の一方の主面側にマスクパターンを有するフォトマスク１００において、少なくとも前記マスクパターンを含む一方の主面側全面と前記一方の主面に相対する他方の主面側全面とが、露光光に対して透過率の高いイオン不透過性の薄膜１０４ａ、１０４ｂで覆われていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光装置の照明光の偏光状態の評価を、ユーザが独力で簡単に実施することを可能にした偏光評価マスク及び偏光評価方法を提供する。
【解決手段】露光装置の照明光１が照射される露光領域内に３個のマーク領域が形成され、このマーク領域内の遮光膜３００には、微小開口パターン４０と、２種類の光学素子５０、６０が配置されている。微小開口パターン４０は、１６個の微小開口部を、間隔Ｄ＝３．０ｍｍだけ離れて正方格子状４行×４列に配置している。光学素子５０は、透過偏光の方位角が４５°毎に異なる４つの薄型偏光子からなる。光学素子６０は、進相軸の方位角が４５°毎に異なる４つの１／４波長板からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カラーフィルタにおける同一機能部材を形成するのに有用な、階調マスクを用いたカラーフィルタの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に感光性樹脂からなる感光性樹脂層を形成する感光性樹脂層形成工程と、上記感光性樹脂層を、所定の透過率特性を有する半透明膜を備える階調マスクを用いて露光し、現像して、感光性樹脂からなる高さの調整された２種以上の同一機能部材を形成する同一機能部材形成工程とを有するカラーフィルタの製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【目的】装置内のクリーン度を向上させると共に静電チャックを使用する場合と同等な位置にパターンを描画する装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、自重の影響を排除した場合の基板裏面の３次元形状を計測する裏面形状計測工程（Ｓ１０２）と、基板裏面を平面に矯正した場合における位置ずれ量を演算する位置ずれ量演算工程（Ｓ１０８）と、位置ずれ量を補正するための近似式の第１の係数を演算する係数演算工程（Ｓ１１０）と、基板裏面を平面に矯正しない場合の近似式の第２の係数に第１の係数を加算する加算工程（Ｓ１１２）と、加算された結果得られた第３の係数の近似式によって補正した位置に描画する描画工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、静電チャックを用いなくとも静電チャックを用いた場合の位置に描画位置を補正することができる。 （もっと読む）

【課題】波長が２００ｎｍ以下の短波長光を露光光とするパターン転写の際に影響の大きな合成石英ガラス基板の内部欠陥を良好に検出でき、且つ検査用の光による上記ガラス基板の表面のダメージを防止できること。
【解決手段】波長が２００ｎｍ以下の短波長光(ＡｒＦエキシマレーザー光２５)を、レーザー照射装置２１の照射口２８から光ファイバーバンドル４１を経て合成石英ガラス基板４の端面２の面取り面４９へ導入し、当該ガラス基板の内部欠陥１６が発する上記短波長光よりも長い波長の光１５を受光して内部欠陥を検出し、内部欠陥のない上記ガラス基板からマスクブランク用ガラス基板を製造し、光ファイバーバンドルは、照射口２８から短波長光を入射する入射側端面４２が照射口の形状に対応し、短波長光を出射する出射側端面４３が面取り面４９の形状に対応してそれぞれ形成され、これらの入射側端面と出射側端面が略同一面積に設定されたものである。 （もっと読む）

【課題】平面部の露光の解像度が高く平面部および側面部を同時に露光する量産性に優れたパターン露光方法を提供すること。
【解決手段】被露光体の平面部および側面部にマスクパターンを投影するパターン露光において、透明な基板の一方の表面に遮光パターンを形成し他方の表面にマスクパターンを形成してなる露光マスクを用い、露光マスクを、マスクパターンを形成した側の表面が平面部に平行に対向するように配置し、遮光パターンを形成した側から光を照射して平面部および側面部に所定のパターンを投影する。 （もっと読む）

【課題】複数の特徴を含むパターンをプリントするためのマスクを作製する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、複数の特徴を表すデータを取得するステップと、基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面にクロム層を設けることで複数の特徴の少なくとも１つを形成するステップとを含み、前記メサが所定高さを持つ。 （もっと読む）

空間インパルス応答関数の特性を測定をする点回折干渉計であって、上記干渉計は、ソースビームを生成するソースと、光学系と、上記光学系の対物面内に配置された試験対象を含む光学素子とを含み、上記試験対象は、上記光学系を通過する測定ビームを上記ソースビームから生成するための回折点を含む。上記光学素子は、上記測定ビームと組み合わされて、上記光学系の像平面内に干渉パターンを生成する基準ビームも上記ソースビームから生成する。上記干渉パターンは、上記光学系の空間インパルス応答関数を表す。 （もっと読む）