本出願は、目標レイアウト（５０４）の選択された評価点同士（５０５及び５０６）間での補正（５０１及び５０２）の内挿（５０３）に基づく方法論を記載する。補正点同士を接続することにより、この技術は、データ・ボリュームを低減し、且つマスク書き込み、検査及び修理プロセスを単純化する手段を提供する。同じ方法論は、非プリンティング・フィーチャを有するレイアウトに適用されることができ、そこにおいて、補正は、主フィーチャのイメージの品質に基づく。ベクトル走査マスク書き込みツールに対して、補正を内挿するセグメントは、角度に対して適切なセグメントに分解されることができる。
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【課題】 屈折率や歪みの均質性を容易に区御状させることができる合成石英ガラスの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 中空の合成炉１０と、合成炉１０内にケイ素化合物及び燃焼ガスを噴出させて火炎を形成するバーナ１１と、火炎中で生成したガラス微粒子が堆積されることにより凸面形状の堆積面１４ａを有する堆積中間体１４が成長するターゲット１２とを備え、堆積面１４ａの周縁部側の周囲に、火炎の広がりを規制する遮熱部材１３を設けた。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクにおいて、ＡｒＦエキシマレーザ光などの高エネルギーの露光光を照射した際に、硫酸アンモニウムの析出を抑制し、さらに、洗浄処理によるパターン寸法の変化を抑制する。
【解決手段】フォトマスクの製造過程において、透明基板３上に設けられた珪素原子と窒素原子を少なくとも含む材料からなる光半透過膜２の上面や側断面に対し、シリル化剤による接触処理およびそれに続く酸化処理を施して変質層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】液浸露光技術や偏光照明技術に好適に用いることができるマスクブランクスを提案する。
【解決手段】合成石英ガラス製基板と、当該基板の表面に積層された遮光膜とを備え、露光波長が２００ｎｍ以下の半導体製造技術または半導体デバイス製造技術に用いられるマスクブランクスであって、前記マスクブランクスの複屈折が、波長１９３ｎｍで基板厚み当たり１ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】アンモニウムイオンの生成を抑制し、かつ耐薬品性に優れたハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板１上に、露光波長に対し所定の透過率を有し、窒素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする光半透過膜２が形成されたハーフトーン型位相シフトマスクブランク１０であって、光半透過膜２の表層における酸素の含有量が３５原子％以上であり、且つ金属の含有量が５原子％以下である。光半透過膜２の表層における窒素の含有量は４５原子％以下である。表層の膜厚は１ｎｍ以上５ｎｍ以下である。この光半透過膜２をパターニングして光半透過部２ａが形成されたハーフトーン型位相シフトマスク２０が得られる。 （もっと読む）

【課題】ディープ・サブミクロン・レイアウトを最適化する方法および装置
【解決手段】集積回路（ＩＣ）設計の構成要素（例えばゲート）を、位相シフト処理を使用して識別および製造し、位相シフト処理を使用せずに製造した回路に比べて回路の密度および／または性能を改善することができる。一実施形態では、位相シフト処理を使用して製造される構成要素を含む第１のマスク（例えば位相シフトマスク）を製造する。第１のマスクを使用して作成した構造をさらに処理するための第２のマスク（例えばトリム・マスク）も生成する。これらのマスクはともに、集積回路レイアウトの、位相シフト処理で作成している構造（例えばゲート）とは異なる層中の領域（例えば拡散領域）に基づいて区画される。 （もっと読む）

パターン生成器は、電磁放射源及び光学システムを含むことができる。電磁放射源は、工作物上にパターンを作るために電磁放射を放出することができる。光学システムは、電磁放射源から放出された電磁放射のための光学経路を含むことができ、且つ電磁放射のアポダイゼーションが、作られたパターンに関する臨界寸法線形性を最適化するのに十分であるように構成されることができる。
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【課題】露光装置内に搬入されたレチクルとペリクルに囲まれた空間であるペリクル空間のパージ時間を短くでき、レチクルの搬入時間が短縮され生産性が向上する露光装置を提供する。
【解決手段】 ペリクル枠２５に各１つ以上設けられた供給口ａと排出口ｂにそれぞれ不活性ガスを供給および排出するための供給ノズル３３および排出ノズル３４を近接あるいは密接させて、これらの供給口と排出口を介してペリクル空間２０のパージを行うとともに、ペリクル膜の外側からペリクル空間と略同一の圧力を加える。 （もっと読む）

【課題】被加工物のパターン形成に対する作業効率を向上させること。
【解決手段】マスターマスクの表面に光非透過層、レジストを形成し、露光、現像およびエッチングを行うことで、ネガポジ反転パターンをマスターマスクの表面に形成する。そして、被加工物のパターンを形成する部分に、光非透過層、レジストを形成し、コネクタによって取替え可能なマスターマスクを用いて露光を行い、マスターマスクのパターンをレジストに転写し、レジストを現像し、レジストを現像した後に、エッチングにより、被加工物の面にマスクパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｆ_２レーザ露光用マスクに好適なペリクルに用いられるペリクル板を提供する。
【解決手段】ペリクルフレームと、前記ペリクルフレームの一方の開口部に接着したペリクル板とを備えたペリクルであって、前記ペリクル板に外力を印加し、ペリクル板の形状を所望の形状に変形させる外力印加手段を前記ペリクル板に備えることを特徴とするペリクル、または、前記ペリクル板に備えられた外力印加手段により前記ペリクル板に外力を印加し、ペリクル板の形状を所望の形状に変形させることを特徴とするペリクル板の形状補正方法。 （もっと読む）

【課題】高平行度、高平滑度を備えたガラス板の製造方法とＦ_２レーザー露光用マスクに好適なペリクル板を備えたペリクルを提供する。
【解決手段】平均粒径が１０〜２００ｎｍの範囲の研磨剤と、圧縮率が１０％以下、圧縮弾性率が９０％以下の研磨布と、を用いてガラス板を研磨することによって、平行度が０．１μｍ／５０ｍｍ以下であって、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の合成石英ガラス板を製造し、上面と底面に開口部を有する枠体形状であるペリクルフレーム１の一方の開口部に当該合成石英ガラス板からなるペリクル膜２を接着する。 （もっと読む）

本発明は、例えば、コンタクトのアレイがアレイのロウ方向とカラム方向で異なるピッチであるような場合において、他と比べより円形形状のコンタクトを形成するのに用いることができる照射パターンツールを含む。交互の位相シフトは、小さいピッチ（密度が高い）方向において良好に画定されたコンタクトを提供することができる。コンタクト開口の円形形状をより確実にするために、リムシフターが大きいピッチ方向に付加される。本発明の更なる特徴は、隣接したリムの間にサイドローブ抑制パターンが設けられることである。本発明はまた、照射パターンツールの形成方法を含む。
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【課題】ペリクル、および該ペリクルを用いた露光処理方法を提供する。
【解決手段】ペリクル膜が枠体に接着されてなる露光処理用のペリクルであって、ペリクル膜が式ＣＸ^１Ｘ^２＝ＣＸ^３（ＣＦ_２）_ｎＯＣＸ^４＝ＣＦ_２の環化重合により形成されたモノマー単位を必須とする含フッ素重合体からなるペリクル（ただし、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、およびＸ^４は、それぞれ独立に、水素原子またはフッ素原子を示し、少なくとも１つは水素原子である。ｎは１または２を示す。）。該ペリクルを用いる露光処理方法。 （もっと読む）

リソグラフィのためのシステムおよび技術である。ある側面において、本方法は、ゼロ回折次数の放射線強度および位相を放射線の１波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャを含む装置で変調することにより、マイクロエレクトロニクス装置を生成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像度、寸法制御性等の諸性能に優れたアルカリ水溶液を用いて現像するポジ型パタン形成材料およびそれを遮光膜として機能させる露光用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】放射線照射により酸を生じる化合物およびカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を有するバインダ樹脂、１分子中に少なくとも２個以上のビニルエーテル基を有する化合物、および窒素含有樹脂結合剤を酸触媒付加反応させて得られる組成物を少なくとも含むパタン形成材料を用いる。 （もっと読む）