【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル１４２に現像液を供給する現像液供給装置１９０は、現像液貯槽２０１から現像液ノズル１４２へ現像液を供給するための現像液供給管２０２と、現像液供給管２０２に設けられ、現像液供給管２０２中の現像液に直流電圧を印加する電極２１２と、電極２１２に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット２１３と、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１６と、現像液供給管２０２に接続され、洗浄液供給源２１６から現像液供給管２０２に洗浄液を供給するための洗浄液供給管２１５と、現像液供給管２０２における電極２１３が設けられた位置を通過した洗浄液を、現像液供給管２０２から排出する廃液管２２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法において、設計パターンに基づいて電子線によりレジストパターンを形成するに際し、電子線描画による電荷およびエネルギーがレジストに蓄積するのを抑制し、各種パターン精度を向上させた反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】反射型マスクブランク表面に設計パターンに基づいて電子線によりレジストパターンを形成し、吸収体層をドライエッチングして吸収体層パターンを形成する反射型マスクの製造方法であって、前記吸収体層の上にハードマスク層を設け、設計パターンをパターン精度が必要とされる主要部と主要部以外の非主要部との２つに分け、前記レジストパターンを形成する工程を、前記主要部のレジストパターン形成工程と前記非主要部のレジストパターン形成工程との２回に分けて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明のマスクの製造方法によれば、プロセスマージンの広いばらつきの小さな加工用マスクを提供することが出来る。
【解決手段】
本発明のマスクの製造方法は、基板上に芯材パターンを形成する工程と、前記芯材パターンの上面及び側面を覆うように第１材料を含む第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜上に第２の材料を含む第２の膜を形成する工程と、前記芯材パターンの側面に前記第１の膜及び前記第２の膜を含む側壁層が形成され、かつ前記側壁層以外の前記第１の膜及び前記第２の膜が除去されるように、前記第１の膜及び前記第２の膜を異方性エッチングする工程と、前記側壁層の前記第１の膜を等方性エッチングする工程と、前記芯材パターンを除去する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおけるパターンの微細化を比較的容易に図る。
【解決手段】基板上にハードマスク層を有するマスクブランクスにおいて、前記ハードマスク層は、前記基板上に設けられ、導電性を有し且つウェットエッチング自在な層Ａと、前記層Ａの上に設けられ、実質的には酸素を含まないドライエッチングの対象となる層であり且つ前記層Ａに対してエッチングを行う際に前記層Ａのマスクとなる層Ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ブランクスにおけるレジスト膜のアミン性化合物の吸着によるパターン寸法精度の低下を抑えることが可能なフォトマスクの製造方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】基板上に化学増幅型レジスト膜を形成し、第１のプリベーク処理を行った後、大気露出させることなく、或いは化学増幅型レジスト膜に吸着されたアミン系化合物を実質的に全て脱着した状態で、荷電粒子ビームにより描画を行う。 （もっと読む）

【課題】面内でレジスト残膜値の異なるレジスト段差構造を精度良く形成することができ、これによって精度の高いマスクパターンを形成できる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に半透光膜と遮光膜、及びそれぞれ異なる分光感度特性を有する第１レジスト層と第２レジスト層を含むレジスト膜が積層されたフォトマスクブランクを準備し、レジスト膜に対して所定の分光特性を持つ第１の露光光を用いて描画し、次いで第１の露光光とは異なる分光特性を持つ第２の露光光を用いて描画後、現像によって、面内でレジスト残膜値の異なる第１レジストパターンを形成し、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜及び半透光膜をエッチングし、第１レジストパターンを所定量減膜させることによって第２レジストパターンを形成し、第２レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】メンブレンの微小なホールの領域が梁によって阻害されない、また露光時の蓄熱に起因したメンブレンの熱たわみや位置ずれ等の発生を抑止あるいは解消することのできる荷電粒子線露光用マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パターニングされたメンブレン領域を有する上側ウエハと、パターニングされたメンブレン領域を有する下側ウエハと、上側ウエハと下側ウエハとが接合された２層構造であることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。 （もっと読む）

【課題】半透光部の透過率を微調整でき、露光光に対する半透光部の透過率の波長依存性を選択できる。
【解決手段】遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、透明基板上に半透光膜及び遮光膜が積層されてなり、透光部は透明基板が露出してなり、半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜が露出してなり、半透光膜は、第１半透光層と第１半透光層上に積層された第２半透光層を備え、半透光部を構成する第２半透光層の膜厚が、遮光部を構成する第２半透光層の膜厚より小さくなるように減膜されている。 （もっと読む）

【課題】低応力で且つ光学特性の面内均一性に優れた光学膜を提供すること。
【解決手段】本発明に係るサセプタは、主面を含む平面上で該主面を含む平面と端面を含む平面との交線から長さＤだけ内側まで面取りされている基板（厚みＬ）を載置する領域に、高反射率（Ｒ１）領域と低反射率（Ｒ２）領域が設けられている。低反射率領域（３０Ｌ）は、基板の最端部をサセプタ３０の主面上に垂直投影して得られる輪郭内の（Ｌ−Ｄ・ｔａｎθ）・ｔａｎθだけ内側の矩形ｃと（Ｄ＋Ｌ・ｔａｎθ）だけ内側の矩形ｄに挟まれた領域（３０Ｈ）を含む。高反射率領域（３０Ｈ）は、基板の最端部をサセプタ３０の主面上に垂直投影して得られる輪郭より｛Ｄ＋Ｌ・ｔａｎθ＋α（Ｌ・ｔａｎθ）｝（０＜α≦１）だけ内側の矩形ｅの内部領域を含み、外縁は上記（Ｄ＋Ｌ・ｔａｎθ）だけ内側の矩形ｄの内側にある。但し、θは面取り面が基板主面に対して成す角度である。 （もっと読む）

【課題】製造工程が効率的であって異物等の付着の可能性を低減し、ユーザーのニーズに迅速に応じて提供できる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】半透光部と透光部は互いに所定の位相差を有する多階調フォトマスクの製造方法であって、透明基板上に少なくとも半透光膜と遮光膜がこの順に形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、少なくとも半透光膜と遮光膜とをそれぞれパターニングすることによって、透明基板表面又は透明基板の掘り込み面が露出した透光部、透明基板上に形成された半透光膜の膜厚の一部が除去された半透光部、半透光膜と遮光膜が積層した遮光部とを形成するパターニング工程を有し、半透光部における半透光膜の残存膜厚は所定の透過率が得られるものとされ、かつ半透光部における半透光膜の残存膜厚と、透光部の透明基板表面又は掘り込み面位置は、所定の位相差が得られるものとする。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等のデバイスにレジストパターンを形成する際、レジスト層の表面の濡れ性を高め、現像の均一性を高める。
【解決手段】基板９１に感光性のレジストを塗布してレジスト層９３を形成する（レジスト塗布工程）。次に、レジスト層９３に部分的に光を照射する（露光工程）。次に、親液化用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間２３に通して吹出し、レジスト層９３に接触させる（大気圧リモートプラズマ親液化工程）。次に、レジスト層９３に現像液５を接触させる（現像工程）。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単なフォトマスク基板の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスク基板の作製方法は、透明基板１００の第１面１１０に第１面遮光層１１１を設ける工程と、前記第１面遮光層１１１に所定の第１面開口パターン１１２を形成する工程と、前記透明基板１００の第２面１２０に第２遮光層１２１を設ける工程と、前記第２遮光層１２１に所定の第２面開口パターン１２２を形成する工程と、前記第２面開口パターン１２２で前記透明基板１００が露出している部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光の際に裏面の傷の部位での乱反射を防止し、かつ、傷の部位でも転写波長に対して透明とすることができるフォトマスクの修正方法を提供すること。
【解決手段】本発明のフォトマスクの修正方法は、フォトマスク１の裏面に存在する傷１ａに、硬化後に７０％以上の光透過率及び１．４以上の屈折率を持つガラスとなる液体ガラス３を塗布する工程と、前記液体ガラス３を硬化する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステムを提供する。
【解決手段】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム装置が提供される。極紫外線フォトマスクの製造方法は、フォトマスク基板１０上に上部膜を形成した後、上部膜をパターニングして傾いた側壁を有する上部パターン４５を形成する段階を含む。上部膜をパターニングする段階は、上部膜の上部面に傾いた第１方向に平行に運動する荷電された粒子を使用して、上部膜を異方性エッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半透過膜の反射率特性によらず、描画機による位置合わせの際に、アライメントマークの検出を精度高く行うことができるフォトマスクブランクス、フォトマスクブランクスの製造方法、および上記フォトマスクブランクスを用いたフォトマスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成された半透過膜と、上記半透過膜上に形成された遮光膜とを有するフォトマスクブランクスであって、上記半透過膜が、少なくとも当該フォトマスクブランクスを用いて形成されるフォトマスクにて、露光に用いられる有効露光領域には形成され、かつ、上記有効露光領域の外周に位置し、露光に用いられない領域である非有効露光領域内で、アライメントマークが形成されるアライメントマーク形成部を含むアライメント領域には形成されていないことを特徴とするフォトマスクブランクスを提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上に発生した潮解性を有する汚染物質を簡便かつ確実に除去することができる洗浄方法、並びに装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る洗浄装置は、マスク基板１１上に汚染物質として発生した潮解性の汚染物質１５を除去する洗浄装置であって、汚染物質１５の周辺の相対湿度を、汚染物質の臨界湿度以上１００％未満に制御し、汚染物質を水滴化する冷却手段２３と、水滴化した汚染物質１５にレーザ光を照射する光源２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、位相シフト膜改質時およびマスク洗浄時に生じる位相シフト膜の光学特性変動を抑制することができ、かつ、位相シフト膜改質時に生じる、クロム系材料からなるパターン状の遮光膜の寸法変動および膜減りを抑制することができるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成され、パターン部を有する位相シフト膜とを備えたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法であって、上記パターン部を形成する処理を少なくとも行い、位相シフト膜改質前のハーフトーン型位相シフトマスクを準備するマスク準備工程と、上記位相シフト膜改質前のハーフトーン型位相シフトマスクを窒素雰囲気の処理室内に格納し、上記位相シフト膜に、放射エネルギー照射処理および加熱処理を行う位相シフト膜改質工程と、を有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【解決手段】基板上に、珪素と窒素と酸素とを含む光機能性膜を備えるフォトマスクブランクを製造する方法であって、露光光に対して透明な基板上に、珪素と窒素と酸素とを含み、該酸素の含有量が７ａｔ％以上である光機能性膜を、酸素含有ガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜し、スパッタ成膜後、得られた光機能性膜を、該光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理するフォトマスクブランクの製造方法。
【効果】本発明のフォトマスクブランクから得られるフォトマスクを用いることで、ステッパーやスキャナーで長期間使用していても、フォトマスクを構成する窒素を含有する膜から放出される成分に起因して生成するアンモニアを含む物質（例えば、硫酸アンモニウム等）に由来する欠陥の発生を少なくすることができ、フォトリソグラフィー法を用いた半導体回路製造時の歩留低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクのレジスト膜の感度を適切に評価する。
【解決手段】基板１２上面に転写パターンを形成するための薄膜１４を成膜し、薄膜１４の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜１６を塗布したレジスト膜付マスクブランク１０であって、レジスト膜１６は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、薄膜１４の転写パターンを形成するための領域以外の領域に塗布されているレジスト膜１６に対し、複数箇所で紫外線光を露光して紫外線光に対する反射率を変化させている。 （もっと読む）

【課題】解像度の高いフォトマスクが安定に得られ、且つ現像カス（スラッジ）の発生を長期間に亘って抑制できるフォトマスクの製造方法の提供。
【解決手段】透明基材上に、少なくとも遮光材料を含有し且つ近紫外光ないし可視光で画像形成が可能な感光性層を有するフォトマスク材料を、近紫外光ないし可視光で画像様露光した後、露光後のフォトマスク材料を、アニオン界面活性剤及びノニオン界面活性剤からなる群から選択される少なくとも１種の界面活性剤を全質量中に１質量％以上１０質量％以下含有するｐＨ８〜１３の現像液を用いて現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法 （もっと読む）