マスクブランクおよびマスクブランクの製造方法
【課題】マスクブランクのレジスト膜の感度を適切に評価する。
【解決手段】基板１２上面に転写パターンを形成するための薄膜１４を成膜し、薄膜１４の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜１６を塗布したレジスト膜付マスクブランク１０であって、レジスト膜１６は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、薄膜１４の転写パターンを形成するための領域以外の領域に塗布されているレジスト膜１６に対し、複数箇所で紫外線光を露光して紫外線光に対する反射率を変化させている。
【解決手段】基板１２上面に転写パターンを形成するための薄膜１４を成膜し、薄膜１４の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜１６を塗布したレジスト膜付マスクブランク１０であって、レジスト膜１６は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、薄膜１４の転写パターンを形成するための領域以外の領域に塗布されているレジスト膜１６に対し、複数箇所で紫外線光を露光して紫外線光に対する反射率を変化させている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクブランクおよびマスクブランクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、化学増幅型レジストのレジスト膜が塗布されたマスクブランク（ＣＡＲマスクブランク）は、先端マスク加工に必要不可欠になっている。また、先端マスク加工時に要求される加工精度は、年々厳しくなっている。
【０００３】
ここで、先端マスク加工においては、化学増幅型レジストの感度（ＣＡＲ感度）がマスクの加工精度を決める重要なファクターとなる。また、数ｎｍオーダーで精度が管理される先端マスク加工においては、化学増幅型レジストの感度に対して、高い感度安定性（ＭＴＴ：Ｍｅａｎ Ｔｏ Ｔａｒｇｅｔ）と面内均一性（ＣＤＵ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が求められる。尚、化学増幅型レジストの特性については、例えば非特許文献１に詳しく記載されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような状況の下、本願の発明者は、化学増幅型レジストのレジスト膜が塗布されたマスクブランクについて、マスクブランクの出荷前にレジスト膜の感度を定量化して評価することを検討した。また、この評価により、マスクブランクのレジスト膜の感度保証を行うことを検討した。
【０００５】
レジスト膜の感度を定量化する方法としては、例えばレジスト膜のパターニング後の線幅（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）精度や残膜感度を評価する方法が考えられる。しかし、これらの方法で得られる結果は、プロセス条件に依存するため、プロセス条件が異なるとレジスト膜の感度に対して相関を取ることが困難になる。また、これらの方法は、ＥＢ露光、露光後ベーク処理（ＰＥＢ）、現像等のプロセスを要するため、破壊検査となる。また測定終了までに、例えば最低１日以上等の長い時間がかかる。そのため、従来、より適切な方法でレジスト膜の感度を定量評価することが求められていた。そこで、本発明は、上記の課題を解決できるマスクブランクおよびマスクブランクの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
尚、レジスト膜の性能を評価する方法としては、例えば、露光処理を施すことなく行う方法も知られている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、この方法においても、現像処理等は必要であり、上記と同様の問題が生じる。
【非特許文献１】最新レジスト材料ハンドブック、情報機構、ＩＳＢＮ ４−９０１６７７−４５−４
【特許文献１】特開２００５−３２６５８１号公報
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願の発明者は、高精度、かつ、出荷前の保証検査として有効な新しい感度評価手法について、鋭意研究を行った。そして、レジスト膜に対する紫外線光の露光により生じる紫外線光に対する反射率の変化を測定することで、レジスト膜の感度を評価し得ることを見出した。上記の課題を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
【０００８】
（構成１）基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクであって、レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、薄膜の転写パターンを形成するための領域以外の領域に塗布されているレジスト膜に対し、複数箇所で紫外線光を露光して紫外線光に対する反射率を変化させている。
【０００９】
このように構成すれば、例えば、紫外線光を露光した箇所の反射率を測定することにより、レジスト膜の感度の定量化が可能となる。また、これにより、例えば、レジスト膜の感度を適切に評価できる。
【００１０】
また、この場合、現像等のプロセスを行うことなくレジスト膜の感度を評価できるため、プロセス条件と独立に、レジスト膜の感度を評価できる。更には、ＥＢ露光、現像等のプロセスを行う場合と比べ、反射率の測定は、短時間で行うことができる。そのため、評価に要する時間を大幅に短縮できる。従って、このように構成すれば、例えば、マスクブランクの出荷前にレジスト膜の感度を適切に評価できる。また、これにより、例えば、レジスト膜の感度保証を適切に行うことが可能になる。
【００１１】
また、この構成において、レジスト膜の反射率は、電子ビーム（ＥＢ）露光ではなく、紫外線光の露光により変化させている。そのため、このように構成すれば、例えば電子ビーム露光により反射率を変化させる場合と比べ、レジスト膜における露光箇所の反射率を高いスループットで変化させることができる。また、これにより、例えばレジスト膜の感度の評価を製造される全てのマスクブランクに対する枚葉検査により行う場合にも、十分なスループットで評価を行うことが可能となる。
【００１２】
（構成２）レジスト膜は、深紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなる。このように構成すれば、例えば、紫外線光を照射した箇所の反射率をより適切に変化させることができる。また、これにより、レジスト膜の感度の評価をより適切に行うことができる。
【００１３】
（構成３）基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクの製造方法であって、レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、紫外線光をレジスト膜の表面に露光し、レジスト膜から反射される紫外線光の反射光量を測定する露光測定工程と、測定された反射光量からレジスト膜の感度を評価する感度評価工程とを有する。
【００１４】
このようにすれば、例えば、レジスト膜の感度の評価を適切に行うことができる。また、構成１と同様の効果を得ることができる。レジスト膜の感度の評価は、製造される全てのマスクブランクに対する枚葉検査により行ってもよく、一部のマスクブランクに対する抜き取り検査により行ってもよい。
【００１５】
（構成４）露光測定工程は、薄膜の転写パターンを形成する領域以外の領域にあるレジスト膜の表面に対して紫外線光の露光および反射光量の測定を行う。
【００１６】
このようにすれば、例えば、転写パターンを形成する領域への影響を避けつつ、レジスト膜の感度を適切に評価できる。また、これにより、例えば枚葉検査を行う場合にも、マスクブランクの品質への影響を避けつつ、レジスト膜の感度を適切に評価できる。
【００１７】
（構成５）露光測定工程は、薄膜の転写パターンを形成する領域のレジスト膜表面全体を所定の間隔で複数箇所、紫外線光の露光および反射光量の測定を行い、感度評価工程は、転写パターンを形成する領域のレジスト膜の感度分布を評価する。露光測定工程および感度評価工程によるレジスト膜の感度の評価は、一部のマスクブランクに対する抜き取り検査により行うことが好ましい。
【００１８】
このようにすれば、例えば、転写パターンの形成に直接関係する領域について、レジスト感度を適切に評価できる。また、マスクブランクの主表面上におけるレジスト膜の感度の面内分布を適切に評価できる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、例えば、マスクブランクのレジスト膜の感度を適切に評価できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るレジスト膜付マスクブランク１０の一例を示す。図１（ａ）は、レジスト膜付マスクブランク１０の構成の一例を示す。レジスト膜付マスクブランク１０は、フォトリソグラフィ用のマスクの製造に使用されるマスクブランクであり、基板１２、薄膜１４、およびレジスト膜１６を備える。
【００２１】
基板１２は、例えばガラス基板等の透光性の基板である。薄膜１４は、マスクの製造工程において転写パターンを形成するための薄膜であり、基板１２の上面に成膜される。本例において、薄膜１４は、例えば遮光膜または半透光膜等である。薄膜１４は、複数種類の膜の積層膜であってもよい。
【００２２】
レジスト膜１６は、薄膜１４の上面に塗布された化学増幅型レジストのレジスト膜である。マスクの製造工程において、レジスト膜１６は、パターニングされ、例えば、薄膜１４の加工時のエッチングマスクとして使用される。レジスト膜１６のパターニングは、例えば、電子ビーム（ＥＢ）露光および現像等のプロセスにより行われる。
【００２３】
また、本例において、レジスト膜１６は、紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなる。この紫外線光は、例えば深紫外線（ＤＵＶ）光である。そして、薄膜１４において転写パターンを形成するための領域以外の領域上のレジスト膜１６に対し、複数箇所で、紫外線光を露光している。また、これにより、レジスト膜１６におけるこれらの複数箇所において、紫外線光に対する反射率を変化させている。
【００２４】
レジスト膜１６に使用する化学増幅型レジストは、例えばアセタール保護基を有するＰＨＳ（ポリヒドロキシスチレン）、ＰＡＧ（酸発生剤）、およびクエンチャを含むレジストである。このような組成は、例えばＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザ露光用の化学増幅型レジストと共通しており、深紫外線光（特に２４８ｎｍ付近）に対して反応する。
【００２５】
ここで、レジスト膜１６のパターニング時におけるパターン形成の原理は、電子ビームまたは深紫外線光の露光による照射エネルギーを受けてＰＡＧから発生する酸によるアセタール保護基の分解反応（脱保護反応）である。例えば、レジスト膜１６がポジレジストである場合、分解した保護基が水酸基に置き換わり、照射部分がアルカリ可溶性となる。そして、その後の現像によりこの部分が除去され、レジスト膜１６はパターニングされる。
【００２６】
アセタール保護基の分解反応の基本反応は、公知の反応と同一または同様である。また、少量の照射エネルギーで反応を促進するため、通常のプロセスでは、露光に引き続き、露光後ベーク処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）が行われる。
【００２７】
また、露光による発生酸濃度は、ＦＴＩＲ（フーリエ変換型赤外分光）による解析の結果、下記式で定義することができる。
［Ｈｐａｇ］＝１−ＥＸＰ（−Ｃ＊Ｅ） （式１）
【００２８】
この式において、［Ｈｐａｇ］は規格化発生酸濃度、Ｃは酸発生反応定数（ｃｍ２／ｍＪ）、Ｅは露光エネルギー（ｍＪ／ｃｍ２）である。この式の詳細は、例えば、非特許文献１に記載されている。
【００２９】
図１（ｂ）は、紫外線光の照射によるレジスト膜１６の光学特性の変化の一例を示すグラフである。上記の組成の化学増幅型レジストにおいては、エネルギー照射によるＰＡＧ分解および脱保護反応により、光学特性が変化する。このグラフは、上記の組成の化学増幅型レジストである富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製の化学増幅型ポジレジスト（型番：ＦＥＰ１７１）をガラス基板上の塗布し、重水素ランプが発生する紫外線光（波長１９０〜４００ｎｍ）を照射した場合における、照射前後の透過率スペクトルの一例を示す。
【００３０】
尚、レジスト膜付マスクブランク１０においては、遮光層となる薄膜１４があるため、レジスト膜１６の透過率が変化しても、レジスト膜付マスクブランク１０全体での透過率は実質的に変化しない。しかし、レジスト膜１６の透過率が変化すると、その変化に応じて、反射率も変化する。そのため、反射率を測定することにより、例えばレジスト膜１６における酸の発生濃度を定量化し、レジスト膜１６の感度を評価することが可能となる。
【００３１】
図２は、レジスト膜１６の感度の評価に用いる感度評価装置１００の構成の一例を示す。感度評価装置１００は、レジスト膜付マスクブランク１０の製造工程における露光測定工程で使用される装置である。露光測定工程は、レジスト膜１６の塗布後に行われる工程であり、紫外線光をレジスト膜１６の表面に露光し、レジスト膜１６から反射される紫外線光の反射光量を測定する。また、レジスト膜付マスクブランク１０の製造工程において、露光測定工程の後には、感度評価工程が行われる。感度評価工程は、露光測定工程で測定された反射光量に基づき、レジスト膜１６の感度を評価する。
【００３２】
本例において、感度評価装置１００は、ステージ１０２、ＵＶ光源部１０４、ＵＶ光照射部１０６、受光部１０８、分光器１１０、ステージコントローラ１１２、および制御部１１４を備える。ステージ１０２は、レジスト膜付マスクブランク１０を上面に保持する台である。ＵＶ光源部１０４は、紫外線光を発生する光源である。ＵＶ光源部１０４は、深紫外線光を発生することが好ましい。本例において、ＵＶ光源部１０４は、重水素ランプであり、例えば制御部１１４の指示に応じて、１９０〜４００ｎｍの波長の紫外線光を発生する。
【００３３】
ＵＶ光照射部１０６および受光部１０８は、レジスト膜付マスクブランク１０におけるレジスト膜１６の表面と対向する光学系である。ＵＶ光照射部１０６は、例えば光ファイバによりＵＶ光源部１０４と接続されており、ＵＶ光源部１０４が発生する紫外線光をレジスト膜１６の表面へ照射する。受光部１０８は、レジスト膜１６からの反射光を受光する。
【００３４】
分光器１１０は、例えばファイバー分光器であり、光ファイバ等を介して受光部１０８が受光した反射光を受け取り、分光する。また、分光器１１０は、分光結果を、制御部１１４へ通知する。ステージコントローラ１１２は、ＵＶ光照射部１０６および受光部１０８に対して相対的にステージ１０２を動かすコントローラであり、例えば制御部１１４の指示に応じて、ステージ１０２を移動させる。これにより、ステージコントローラ１１２は、レジスト膜１６においてＵＶ光照射部１０６から紫外線光が照射される位置を変更する。
【００３５】
制御部１１４は、例えばＰＣ等の制御装置であり、感度評価装置１００の各部の動作を制御する。例えば、本例において、制御部１１４は、分光器１１０から受け取る分光結果に基づき、例えば、特定の波長における反射率をモニタする。また、露光測定工程後の感度評価工程において、制御部１１４は、このモニタ結果に基づき、紫外線光の照射量に対する反射率変化を算出する。更には、この結果に基づき、制御部１１４は、例えば、ＵＶ光照射部１０６からの紫外線光の照射により生じたレジスト膜１６における酸の発生濃度を定量化する。また、これにより、制御部１１４は、レジスト膜１６の感度を評価する。
【００３６】
本例によれば、例えば、レジスト膜１６の感度を適切に定量化できる。また、これにより、レジスト膜１６の感度を適切に評価できる。また、本例によれば、レジスト膜１６の感度の評価において、現像等のプロセスを行う必要がない。そのため、プロセス条件と独立に、レジスト膜１６の感度を適切に評価できる。また、評価時の露光を、電子ビーム（ＥＢ）露光ではなく、紫外線光の露光により行うことにより、高いスループットで感度の評価を行うことができる。
【００３７】
図３は、感度評価装置１００において紫外線光の露光を行う露光箇所の一例を示す。図３（ａ）は、露光箇所の第１の例を示す。本例において、露光測定工程は、薄膜１４（図１参照）の転写パターンを形成する領域以外の領域にあるレジスト膜１６の表面に対して紫外線光の露光および反射光量の測定を行う。この場合、感度評価装置１００は、例えば、図３（ａ）に示したように、レジスト膜付マスクブランク１０の主表面における周縁部に並ぶ複数の照射スポット２０２に対して紫外線光の露光を行い、照射した紫外線光に応じた反射光の測定を行う。また、感度評価工程において、感度評価装置１００は、反射光の測定結果に基づき、レジスト膜１６の感度分布を評価する。このようにすれば、例えば、転写パターンを形成する領域への影響を避けつつ、レジスト膜１６の感度を適切に評価できる。また、これにより、例えば、レジスト膜１６の感度の評価を枚葉検査で適切に行うことができる。
【００３８】
図３（ｂ）は、露光箇所の第２の例を示す。本例において、露光測定工程は、薄膜１４の転写パターンを形成する領域のレジスト膜１６表面全体を所定の問隔で複数箇所、紫外線光の露光および反射光量の測定を行う。この場合、感度評価装置１００は、例えば、図３（ｂ）に示したように、レジスト膜付マスクブランク１０の主表面の全体に縦横方向へ並ぶ複数の照射スポット２０２に対して紫外線光の露光を行い、照射した紫外線光に応じた反射光の測定を行う。
【００３９】
また、感度評価工程において、感度評価装置１００は、これらの照射スポット２０２に対応する反射光の測定結果に基づき、転写パターンを形成する領域のレジスト膜１６の感度分布を評価する。このようにすれば、例えば、転写パターンの形成に直接関係する領域について、レジスト膜１６を適切に評価できる。また、レジスト膜付マスクブランク１０の主表面におけるレジスト膜１６の感度の面内分布を適切に評価できる。尚、この方法によるレジスト膜１６の感度の評価は、一部のマスクブランクに対する抜き取り検査により行うことが好ましい。
【００４０】
続いて、実施例により、本発明を更に詳しく説明する。実施例１〜３に係るレジスト膜付マスクブランク１０として、以下の構成のマスクブランクを作製した。また、実施例１〜３に係るレジスト膜付マスクブランク１０に対し、紫外線光の照射と反射光の測定を行う評価を行った。
【００４１】
（実施例１）
合成石英ガラス基板を鏡面研磨し、所定の洗浄を施すことにより、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍの基板１２を得た。次に基板１２の上面にＣｒを主成分とする薄膜１４を１０００オングストロームの膜厚でＤＣマグネトロンスパッタ装置により成膜し、マスクブランクを得た。具体的には、Ｃｒターゲットを用い、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガス（Ａｒ：Ｎ＝８０：２０体積％）を装置内に導入し、ＣｒＮ膜を１５０オングストロームの膜厚で成膜し、同じターゲットで、アルゴン、メタンおよびヘリウムの混合ガス（Ａｒ：ＣＨ４：Ｈｅ＝３０：１０：６０体積％）を装置内に導入し、ＣｒＣ膜を６００オングストロームの膜厚で成膜し、最後に同じターゲットで、アルゴンガスと一酸化窒素ガスの混合ガス（Ａｒ：ＮＯ＝８０：２０体積％）を装置内に導入し、ＣｒＯＮ膜を２５０オングストロームの膜厚で成膜した。最後に、薄膜１４の表面にレジスト膜１６として、富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製の電子線描画用化学増幅型ポジレジスト（型番：ＦＥＰ１７１）を塗布してレジスト膜付マスクブランク１０を得た。レジスト膜１６の膜厚は３０００オングストロームとした。
【００４２】
（実施例２）
実施例１と同様のプロセスで製造したマスクブランクを用い、薄膜１４の表面にレジスト膜１６として、富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製の他の電子線描画用化学増幅型ポジレジスト（型番：ＰＲＬ００９）を塗布してレジスト膜付マスクブランク１０を得た。また、レジスト膜１６の膜厚を２５００オングストロームとした。
【００４３】
（実施例３）
実施例１と同様のプロセスで製造したマスクブランクを用い、薄膜１４の表面にレジスト膜１６として、住友化学社製の他の電子線描画用化学増幅型ネガレジスト（型番：ＮＥＢ２２）を塗布してレジスト膜付マスクブランク１０を得た。また、レジスト膜１６の膜厚を３０００オングストロームとした。
【００４４】
（評価）
図２を用いて説明した感度評価装置１００と同様の装置により、紫外線光の照射と反射光の測定を行う評価を行った。ＵＶ光源部１０４としては、重水素ランプを用いた。また、照射スポット２０２に対し、１秒間隔で紫外線光の照射と反射率の測定を繰り返し、そのポイントにおける反射率の変化をモニタした。更に、解析ソフトウェア（製品名：ＩＧＯＲ）により、測定値である反射率Ｒ％について、Ｒ％＝Ａ＋Ｂ＊ＥＸＰ（−Ｃ’＊Ｔ）のフィッティングを行った。Ｔは、紫外線光の照射時間である。
【００４５】
このフィッティングの結果、実施例１においては、Ａ＝６．３０、Ｂ＝３．５９、Ｃ’＝０．１３となった。実施例２においては、Ａ＝９．０２、Ｂ＝−１．２６、Ｃ’＝０．０３となった。実施例３においては、Ａ＝１３．５１、Ｂ＝１．８７、Ｃ’＝０．２５となった。
【００４６】
図４は、各実施例における反射率の測定結果と、測定結果に対してフィッティングした曲線とを示すグラフである。グラフに示したように、測定結果と、フィッティングした曲線（理論式）とは、よく一致している。
【００４７】
ここで、フィッティングに用いられる定数Ａ、Ｂは、レジスト膜１６の下地膜となる薄膜１４や基板１２の影響で決まる反射率の成分（基板反射率）や、レジスト膜１６の膜厚に依存する定数である。定数Ａ、Ｂは、図１に関連して説明した式１のように、規格化することが可能であると考えられる。
【００４８】
また、フィッティングした曲線と測定値との一致度が高いことから、ＥＸＰ関数内で用いられる定数Ｃ’は、式１における酸発生定数に関連している定数であると考えられる。そのため、反射率の測定により定数Ｃ’を定量化することにより、レジスト膜１６における酸発生定数を定量的に評価できることとなる。
【００４９】
また、酸発生定数は、レジスト膜１６に固有の反応スピードを規定する数値である。そのため、酸発生定数を評価することにより、レジスト膜１６の感度を評価することが可能となる。以上のことから、紫外線光の照射および反射光の測定を行うことにより、レジスト膜１６の感度を適切に評価できることがわかる。
【００５０】
尚、定数Ｃ’の値については、マスクブランクの主表面上のレジスト膜１６について面内分布の測定を更に行った。この測定では、１３２ｍｍ各のレジスト膜付マスクブランク１０に対し、図３（ｂ）に示したのと同様の２５ポイントの照射スポット２０２について、Ｃ’の算出を行った。また、複数のロットのレジスト膜付マスクブランク１０に対し、同様の測定を行った。その結果、Ｃ’は、レジスト膜１６の膜厚分布やロットの違いに依存せず、同程度の値が得られることが確認できた。
【００５１】
また、各実施例において、複数のレジスト膜付マスクブランク１０に対し、定数Ｃ’の算出後、レジスト膜１６のパターニング後の線幅（ＣＤ）精度の測定を行った。その結果、定数Ｃ’とＣＤ精度との間には相関があり、定数Ｃ’の評価によりＣＤ精度の予測をし得ることを確認した。これにより、例えば、定数Ｃ’が所定の範囲内にあることを確認することにより、良好なＣＤ精度を得られるレジスト膜付マスクブランク１０を選別できることがわかる。
【００５２】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、例えばレジスト膜が塗布されたレジスト膜付マスクブランクに好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態に係るレジスト膜付マスクブランク１０の一例を示す図である。図１（ａ）は、レジスト膜付マスクブランク１０の構成の一例を示す。図１（ｂ）は、紫外線光の照射によるレジスト膜１６の光学特性の変化の一例を示すグラフである。
【図２】レジスト膜１６の感度の評価に用いる感度評価装置１００の構成の一例を示す図である。
【図３】感度評価装置１００において紫外線光の露光を行う露光箇所の一例を示す図である。図３（ａ）は、露光箇所の第１の例を示す。図３（ｂ）は、露光箇所の第２の例を示す。
【図４】各実施例における反射率の測定結果と、測定結果に対してフィッティングした曲線とを示すグラフである。
【符号の説明】
【００５５】
１０・・・レジスト膜付マスクブランク、１２・・・基板、１４・・・薄膜、１６・・・レジスト膜、１００・・・感度評価装置、１０２・・・ステージ、１０４・・・ＵＶ光源部、１０６・・・ＵＶ光照射部、１０８・・・受光部、１１０・・・分光器、１１２・・・ステージコントローラ、１１４・・・制御部、２０２・・・照射スポット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクブランクおよびマスクブランクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、化学増幅型レジストのレジスト膜が塗布されたマスクブランク（ＣＡＲマスクブランク）は、先端マスク加工に必要不可欠になっている。また、先端マスク加工時に要求される加工精度は、年々厳しくなっている。
【０００３】
ここで、先端マスク加工においては、化学増幅型レジストの感度（ＣＡＲ感度）がマスクの加工精度を決める重要なファクターとなる。また、数ｎｍオーダーで精度が管理される先端マスク加工においては、化学増幅型レジストの感度に対して、高い感度安定性（ＭＴＴ：Ｍｅａｎ Ｔｏ Ｔａｒｇｅｔ）と面内均一性（ＣＤＵ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が求められる。尚、化学増幅型レジストの特性については、例えば非特許文献１に詳しく記載されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような状況の下、本願の発明者は、化学増幅型レジストのレジスト膜が塗布されたマスクブランクについて、マスクブランクの出荷前にレジスト膜の感度を定量化して評価することを検討した。また、この評価により、マスクブランクのレジスト膜の感度保証を行うことを検討した。
【０００５】
レジスト膜の感度を定量化する方法としては、例えばレジスト膜のパターニング後の線幅（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）精度や残膜感度を評価する方法が考えられる。しかし、これらの方法で得られる結果は、プロセス条件に依存するため、プロセス条件が異なるとレジスト膜の感度に対して相関を取ることが困難になる。また、これらの方法は、ＥＢ露光、露光後ベーク処理（ＰＥＢ）、現像等のプロセスを要するため、破壊検査となる。また測定終了までに、例えば最低１日以上等の長い時間がかかる。そのため、従来、より適切な方法でレジスト膜の感度を定量評価することが求められていた。そこで、本発明は、上記の課題を解決できるマスクブランクおよびマスクブランクの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
尚、レジスト膜の性能を評価する方法としては、例えば、露光処理を施すことなく行う方法も知られている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、この方法においても、現像処理等は必要であり、上記と同様の問題が生じる。
【非特許文献１】最新レジスト材料ハンドブック、情報機構、ＩＳＢＮ ４−９０１６７７−４５−４
【特許文献１】特開２００５−３２６５８１号公報
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願の発明者は、高精度、かつ、出荷前の保証検査として有効な新しい感度評価手法について、鋭意研究を行った。そして、レジスト膜に対する紫外線光の露光により生じる紫外線光に対する反射率の変化を測定することで、レジスト膜の感度を評価し得ることを見出した。上記の課題を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
【０００８】
（構成１）基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクであって、レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、薄膜の転写パターンを形成するための領域以外の領域に塗布されているレジスト膜に対し、複数箇所で紫外線光を露光して紫外線光に対する反射率を変化させている。
【０００９】
このように構成すれば、例えば、紫外線光を露光した箇所の反射率を測定することにより、レジスト膜の感度の定量化が可能となる。また、これにより、例えば、レジスト膜の感度を適切に評価できる。
【００１０】
また、この場合、現像等のプロセスを行うことなくレジスト膜の感度を評価できるため、プロセス条件と独立に、レジスト膜の感度を評価できる。更には、ＥＢ露光、現像等のプロセスを行う場合と比べ、反射率の測定は、短時間で行うことができる。そのため、評価に要する時間を大幅に短縮できる。従って、このように構成すれば、例えば、マスクブランクの出荷前にレジスト膜の感度を適切に評価できる。また、これにより、例えば、レジスト膜の感度保証を適切に行うことが可能になる。
【００１１】
また、この構成において、レジスト膜の反射率は、電子ビーム（ＥＢ）露光ではなく、紫外線光の露光により変化させている。そのため、このように構成すれば、例えば電子ビーム露光により反射率を変化させる場合と比べ、レジスト膜における露光箇所の反射率を高いスループットで変化させることができる。また、これにより、例えばレジスト膜の感度の評価を製造される全てのマスクブランクに対する枚葉検査により行う場合にも、十分なスループットで評価を行うことが可能となる。
【００１２】
（構成２）レジスト膜は、深紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなる。このように構成すれば、例えば、紫外線光を照射した箇所の反射率をより適切に変化させることができる。また、これにより、レジスト膜の感度の評価をより適切に行うことができる。
【００１３】
（構成３）基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクの製造方法であって、レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、紫外線光をレジスト膜の表面に露光し、レジスト膜から反射される紫外線光の反射光量を測定する露光測定工程と、測定された反射光量からレジスト膜の感度を評価する感度評価工程とを有する。
【００１４】
このようにすれば、例えば、レジスト膜の感度の評価を適切に行うことができる。また、構成１と同様の効果を得ることができる。レジスト膜の感度の評価は、製造される全てのマスクブランクに対する枚葉検査により行ってもよく、一部のマスクブランクに対する抜き取り検査により行ってもよい。
【００１５】
（構成４）露光測定工程は、薄膜の転写パターンを形成する領域以外の領域にあるレジスト膜の表面に対して紫外線光の露光および反射光量の測定を行う。
【００１６】
このようにすれば、例えば、転写パターンを形成する領域への影響を避けつつ、レジスト膜の感度を適切に評価できる。また、これにより、例えば枚葉検査を行う場合にも、マスクブランクの品質への影響を避けつつ、レジスト膜の感度を適切に評価できる。
【００１７】
（構成５）露光測定工程は、薄膜の転写パターンを形成する領域のレジスト膜表面全体を所定の間隔で複数箇所、紫外線光の露光および反射光量の測定を行い、感度評価工程は、転写パターンを形成する領域のレジスト膜の感度分布を評価する。露光測定工程および感度評価工程によるレジスト膜の感度の評価は、一部のマスクブランクに対する抜き取り検査により行うことが好ましい。
【００１８】
このようにすれば、例えば、転写パターンの形成に直接関係する領域について、レジスト感度を適切に評価できる。また、マスクブランクの主表面上におけるレジスト膜の感度の面内分布を適切に評価できる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、例えば、マスクブランクのレジスト膜の感度を適切に評価できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るレジスト膜付マスクブランク１０の一例を示す。図１（ａ）は、レジスト膜付マスクブランク１０の構成の一例を示す。レジスト膜付マスクブランク１０は、フォトリソグラフィ用のマスクの製造に使用されるマスクブランクであり、基板１２、薄膜１４、およびレジスト膜１６を備える。
【００２１】
基板１２は、例えばガラス基板等の透光性の基板である。薄膜１４は、マスクの製造工程において転写パターンを形成するための薄膜であり、基板１２の上面に成膜される。本例において、薄膜１４は、例えば遮光膜または半透光膜等である。薄膜１４は、複数種類の膜の積層膜であってもよい。
【００２２】
レジスト膜１６は、薄膜１４の上面に塗布された化学増幅型レジストのレジスト膜である。マスクの製造工程において、レジスト膜１６は、パターニングされ、例えば、薄膜１４の加工時のエッチングマスクとして使用される。レジスト膜１６のパターニングは、例えば、電子ビーム（ＥＢ）露光および現像等のプロセスにより行われる。
【００２３】
また、本例において、レジスト膜１６は、紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなる。この紫外線光は、例えば深紫外線（ＤＵＶ）光である。そして、薄膜１４において転写パターンを形成するための領域以外の領域上のレジスト膜１６に対し、複数箇所で、紫外線光を露光している。また、これにより、レジスト膜１６におけるこれらの複数箇所において、紫外線光に対する反射率を変化させている。
【００２４】
レジスト膜１６に使用する化学増幅型レジストは、例えばアセタール保護基を有するＰＨＳ（ポリヒドロキシスチレン）、ＰＡＧ（酸発生剤）、およびクエンチャを含むレジストである。このような組成は、例えばＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザ露光用の化学増幅型レジストと共通しており、深紫外線光（特に２４８ｎｍ付近）に対して反応する。
【００２５】
ここで、レジスト膜１６のパターニング時におけるパターン形成の原理は、電子ビームまたは深紫外線光の露光による照射エネルギーを受けてＰＡＧから発生する酸によるアセタール保護基の分解反応（脱保護反応）である。例えば、レジスト膜１６がポジレジストである場合、分解した保護基が水酸基に置き換わり、照射部分がアルカリ可溶性となる。そして、その後の現像によりこの部分が除去され、レジスト膜１６はパターニングされる。
【００２６】
アセタール保護基の分解反応の基本反応は、公知の反応と同一または同様である。また、少量の照射エネルギーで反応を促進するため、通常のプロセスでは、露光に引き続き、露光後ベーク処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）が行われる。
【００２７】
また、露光による発生酸濃度は、ＦＴＩＲ（フーリエ変換型赤外分光）による解析の結果、下記式で定義することができる。
［Ｈｐａｇ］＝１−ＥＸＰ（−Ｃ＊Ｅ） （式１）
【００２８】
この式において、［Ｈｐａｇ］は規格化発生酸濃度、Ｃは酸発生反応定数（ｃｍ２／ｍＪ）、Ｅは露光エネルギー（ｍＪ／ｃｍ２）である。この式の詳細は、例えば、非特許文献１に記載されている。
【００２９】
図１（ｂ）は、紫外線光の照射によるレジスト膜１６の光学特性の変化の一例を示すグラフである。上記の組成の化学増幅型レジストにおいては、エネルギー照射によるＰＡＧ分解および脱保護反応により、光学特性が変化する。このグラフは、上記の組成の化学増幅型レジストである富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製の化学増幅型ポジレジスト（型番：ＦＥＰ１７１）をガラス基板上の塗布し、重水素ランプが発生する紫外線光（波長１９０〜４００ｎｍ）を照射した場合における、照射前後の透過率スペクトルの一例を示す。
【００３０】
尚、レジスト膜付マスクブランク１０においては、遮光層となる薄膜１４があるため、レジスト膜１６の透過率が変化しても、レジスト膜付マスクブランク１０全体での透過率は実質的に変化しない。しかし、レジスト膜１６の透過率が変化すると、その変化に応じて、反射率も変化する。そのため、反射率を測定することにより、例えばレジスト膜１６における酸の発生濃度を定量化し、レジスト膜１６の感度を評価することが可能となる。
【００３１】
図２は、レジスト膜１６の感度の評価に用いる感度評価装置１００の構成の一例を示す。感度評価装置１００は、レジスト膜付マスクブランク１０の製造工程における露光測定工程で使用される装置である。露光測定工程は、レジスト膜１６の塗布後に行われる工程であり、紫外線光をレジスト膜１６の表面に露光し、レジスト膜１６から反射される紫外線光の反射光量を測定する。また、レジスト膜付マスクブランク１０の製造工程において、露光測定工程の後には、感度評価工程が行われる。感度評価工程は、露光測定工程で測定された反射光量に基づき、レジスト膜１６の感度を評価する。
【００３２】
本例において、感度評価装置１００は、ステージ１０２、ＵＶ光源部１０４、ＵＶ光照射部１０６、受光部１０８、分光器１１０、ステージコントローラ１１２、および制御部１１４を備える。ステージ１０２は、レジスト膜付マスクブランク１０を上面に保持する台である。ＵＶ光源部１０４は、紫外線光を発生する光源である。ＵＶ光源部１０４は、深紫外線光を発生することが好ましい。本例において、ＵＶ光源部１０４は、重水素ランプであり、例えば制御部１１４の指示に応じて、１９０〜４００ｎｍの波長の紫外線光を発生する。
【００３３】
ＵＶ光照射部１０６および受光部１０８は、レジスト膜付マスクブランク１０におけるレジスト膜１６の表面と対向する光学系である。ＵＶ光照射部１０６は、例えば光ファイバによりＵＶ光源部１０４と接続されており、ＵＶ光源部１０４が発生する紫外線光をレジスト膜１６の表面へ照射する。受光部１０８は、レジスト膜１６からの反射光を受光する。
【００３４】
分光器１１０は、例えばファイバー分光器であり、光ファイバ等を介して受光部１０８が受光した反射光を受け取り、分光する。また、分光器１１０は、分光結果を、制御部１１４へ通知する。ステージコントローラ１１２は、ＵＶ光照射部１０６および受光部１０８に対して相対的にステージ１０２を動かすコントローラであり、例えば制御部１１４の指示に応じて、ステージ１０２を移動させる。これにより、ステージコントローラ１１２は、レジスト膜１６においてＵＶ光照射部１０６から紫外線光が照射される位置を変更する。
【００３５】
制御部１１４は、例えばＰＣ等の制御装置であり、感度評価装置１００の各部の動作を制御する。例えば、本例において、制御部１１４は、分光器１１０から受け取る分光結果に基づき、例えば、特定の波長における反射率をモニタする。また、露光測定工程後の感度評価工程において、制御部１１４は、このモニタ結果に基づき、紫外線光の照射量に対する反射率変化を算出する。更には、この結果に基づき、制御部１１４は、例えば、ＵＶ光照射部１０６からの紫外線光の照射により生じたレジスト膜１６における酸の発生濃度を定量化する。また、これにより、制御部１１４は、レジスト膜１６の感度を評価する。
【００３６】
本例によれば、例えば、レジスト膜１６の感度を適切に定量化できる。また、これにより、レジスト膜１６の感度を適切に評価できる。また、本例によれば、レジスト膜１６の感度の評価において、現像等のプロセスを行う必要がない。そのため、プロセス条件と独立に、レジスト膜１６の感度を適切に評価できる。また、評価時の露光を、電子ビーム（ＥＢ）露光ではなく、紫外線光の露光により行うことにより、高いスループットで感度の評価を行うことができる。
【００３７】
図３は、感度評価装置１００において紫外線光の露光を行う露光箇所の一例を示す。図３（ａ）は、露光箇所の第１の例を示す。本例において、露光測定工程は、薄膜１４（図１参照）の転写パターンを形成する領域以外の領域にあるレジスト膜１６の表面に対して紫外線光の露光および反射光量の測定を行う。この場合、感度評価装置１００は、例えば、図３（ａ）に示したように、レジスト膜付マスクブランク１０の主表面における周縁部に並ぶ複数の照射スポット２０２に対して紫外線光の露光を行い、照射した紫外線光に応じた反射光の測定を行う。また、感度評価工程において、感度評価装置１００は、反射光の測定結果に基づき、レジスト膜１６の感度分布を評価する。このようにすれば、例えば、転写パターンを形成する領域への影響を避けつつ、レジスト膜１６の感度を適切に評価できる。また、これにより、例えば、レジスト膜１６の感度の評価を枚葉検査で適切に行うことができる。
【００３８】
図３（ｂ）は、露光箇所の第２の例を示す。本例において、露光測定工程は、薄膜１４の転写パターンを形成する領域のレジスト膜１６表面全体を所定の問隔で複数箇所、紫外線光の露光および反射光量の測定を行う。この場合、感度評価装置１００は、例えば、図３（ｂ）に示したように、レジスト膜付マスクブランク１０の主表面の全体に縦横方向へ並ぶ複数の照射スポット２０２に対して紫外線光の露光を行い、照射した紫外線光に応じた反射光の測定を行う。
【００３９】
また、感度評価工程において、感度評価装置１００は、これらの照射スポット２０２に対応する反射光の測定結果に基づき、転写パターンを形成する領域のレジスト膜１６の感度分布を評価する。このようにすれば、例えば、転写パターンの形成に直接関係する領域について、レジスト膜１６を適切に評価できる。また、レジスト膜付マスクブランク１０の主表面におけるレジスト膜１６の感度の面内分布を適切に評価できる。尚、この方法によるレジスト膜１６の感度の評価は、一部のマスクブランクに対する抜き取り検査により行うことが好ましい。
【００４０】
続いて、実施例により、本発明を更に詳しく説明する。実施例１〜３に係るレジスト膜付マスクブランク１０として、以下の構成のマスクブランクを作製した。また、実施例１〜３に係るレジスト膜付マスクブランク１０に対し、紫外線光の照射と反射光の測定を行う評価を行った。
【００４１】
（実施例１）
合成石英ガラス基板を鏡面研磨し、所定の洗浄を施すことにより、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍの基板１２を得た。次に基板１２の上面にＣｒを主成分とする薄膜１４を１０００オングストロームの膜厚でＤＣマグネトロンスパッタ装置により成膜し、マスクブランクを得た。具体的には、Ｃｒターゲットを用い、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガス（Ａｒ：Ｎ＝８０：２０体積％）を装置内に導入し、ＣｒＮ膜を１５０オングストロームの膜厚で成膜し、同じターゲットで、アルゴン、メタンおよびヘリウムの混合ガス（Ａｒ：ＣＨ４：Ｈｅ＝３０：１０：６０体積％）を装置内に導入し、ＣｒＣ膜を６００オングストロームの膜厚で成膜し、最後に同じターゲットで、アルゴンガスと一酸化窒素ガスの混合ガス（Ａｒ：ＮＯ＝８０：２０体積％）を装置内に導入し、ＣｒＯＮ膜を２５０オングストロームの膜厚で成膜した。最後に、薄膜１４の表面にレジスト膜１６として、富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製の電子線描画用化学増幅型ポジレジスト（型番：ＦＥＰ１７１）を塗布してレジスト膜付マスクブランク１０を得た。レジスト膜１６の膜厚は３０００オングストロームとした。
【００４２】
（実施例２）
実施例１と同様のプロセスで製造したマスクブランクを用い、薄膜１４の表面にレジスト膜１６として、富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製の他の電子線描画用化学増幅型ポジレジスト（型番：ＰＲＬ００９）を塗布してレジスト膜付マスクブランク１０を得た。また、レジスト膜１６の膜厚を２５００オングストロームとした。
【００４３】
（実施例３）
実施例１と同様のプロセスで製造したマスクブランクを用い、薄膜１４の表面にレジスト膜１６として、住友化学社製の他の電子線描画用化学増幅型ネガレジスト（型番：ＮＥＢ２２）を塗布してレジスト膜付マスクブランク１０を得た。また、レジスト膜１６の膜厚を３０００オングストロームとした。
【００４４】
（評価）
図２を用いて説明した感度評価装置１００と同様の装置により、紫外線光の照射と反射光の測定を行う評価を行った。ＵＶ光源部１０４としては、重水素ランプを用いた。また、照射スポット２０２に対し、１秒間隔で紫外線光の照射と反射率の測定を繰り返し、そのポイントにおける反射率の変化をモニタした。更に、解析ソフトウェア（製品名：ＩＧＯＲ）により、測定値である反射率Ｒ％について、Ｒ％＝Ａ＋Ｂ＊ＥＸＰ（−Ｃ’＊Ｔ）のフィッティングを行った。Ｔは、紫外線光の照射時間である。
【００４５】
このフィッティングの結果、実施例１においては、Ａ＝６．３０、Ｂ＝３．５９、Ｃ’＝０．１３となった。実施例２においては、Ａ＝９．０２、Ｂ＝−１．２６、Ｃ’＝０．０３となった。実施例３においては、Ａ＝１３．５１、Ｂ＝１．８７、Ｃ’＝０．２５となった。
【００４６】
図４は、各実施例における反射率の測定結果と、測定結果に対してフィッティングした曲線とを示すグラフである。グラフに示したように、測定結果と、フィッティングした曲線（理論式）とは、よく一致している。
【００４７】
ここで、フィッティングに用いられる定数Ａ、Ｂは、レジスト膜１６の下地膜となる薄膜１４や基板１２の影響で決まる反射率の成分（基板反射率）や、レジスト膜１６の膜厚に依存する定数である。定数Ａ、Ｂは、図１に関連して説明した式１のように、規格化することが可能であると考えられる。
【００４８】
また、フィッティングした曲線と測定値との一致度が高いことから、ＥＸＰ関数内で用いられる定数Ｃ’は、式１における酸発生定数に関連している定数であると考えられる。そのため、反射率の測定により定数Ｃ’を定量化することにより、レジスト膜１６における酸発生定数を定量的に評価できることとなる。
【００４９】
また、酸発生定数は、レジスト膜１６に固有の反応スピードを規定する数値である。そのため、酸発生定数を評価することにより、レジスト膜１６の感度を評価することが可能となる。以上のことから、紫外線光の照射および反射光の測定を行うことにより、レジスト膜１６の感度を適切に評価できることがわかる。
【００５０】
尚、定数Ｃ’の値については、マスクブランクの主表面上のレジスト膜１６について面内分布の測定を更に行った。この測定では、１３２ｍｍ各のレジスト膜付マスクブランク１０に対し、図３（ｂ）に示したのと同様の２５ポイントの照射スポット２０２について、Ｃ’の算出を行った。また、複数のロットのレジスト膜付マスクブランク１０に対し、同様の測定を行った。その結果、Ｃ’は、レジスト膜１６の膜厚分布やロットの違いに依存せず、同程度の値が得られることが確認できた。
【００５１】
また、各実施例において、複数のレジスト膜付マスクブランク１０に対し、定数Ｃ’の算出後、レジスト膜１６のパターニング後の線幅（ＣＤ）精度の測定を行った。その結果、定数Ｃ’とＣＤ精度との間には相関があり、定数Ｃ’の評価によりＣＤ精度の予測をし得ることを確認した。これにより、例えば、定数Ｃ’が所定の範囲内にあることを確認することにより、良好なＣＤ精度を得られるレジスト膜付マスクブランク１０を選別できることがわかる。
【００５２】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、例えばレジスト膜が塗布されたレジスト膜付マスクブランクに好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態に係るレジスト膜付マスクブランク１０の一例を示す図である。図１（ａ）は、レジスト膜付マスクブランク１０の構成の一例を示す。図１（ｂ）は、紫外線光の照射によるレジスト膜１６の光学特性の変化の一例を示すグラフである。
【図２】レジスト膜１６の感度の評価に用いる感度評価装置１００の構成の一例を示す図である。
【図３】感度評価装置１００において紫外線光の露光を行う露光箇所の一例を示す図である。図３（ａ）は、露光箇所の第１の例を示す。図３（ｂ）は、露光箇所の第２の例を示す。
【図４】各実施例における反射率の測定結果と、測定結果に対してフィッティングした曲線とを示すグラフである。
【符号の説明】
【００５５】
１０・・・レジスト膜付マスクブランク、１２・・・基板、１４・・・薄膜、１６・・・レジスト膜、１００・・・感度評価装置、１０２・・・ステージ、１０４・・・ＵＶ光源部、１０６・・・ＵＶ光照射部、１０８・・・受光部、１１０・・・分光器、１１２・・・ステージコントローラ、１１４・・・制御部、２０２・・・照射スポット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクであって、
前記レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、
前記薄膜の転写パターンを形成するための領域以外の領域に塗布されているレジスト膜に対し、複数箇所で紫外線光を露光して紫外線光に対する反射率を変化させていることを特徴とするマスクブランク。
【請求項２】
前記レジスト膜は、深紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク．
【請求項３】
基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、
紫外線光をレジスト膜の表面に露光し、レジスト膜から反射される紫外線光の反射光量を測定する露光測定工程と、
測定された前記反射光量からレジスト膜の感度を評価する感度評価工程と
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記露光測定工程は、前記薄膜の転写パターンを形成する領域以外の領域にあるレジスト膜の表面に対して紫外線光の露光および反射光量の測定を行うことを特徴とする請求項３記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
前記露光測定工程は、前記薄膜の転写パターンを形成する領域のレジスト膜表面全体を所定の間隔で複数箇所、紫外線光の露光および反射光量の測定を行い、
前記感度評価工程は、転写パターンを形成する領域のレジスト膜の感度分布を評価することを特徴とする請求項３記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項１】
基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクであって、
前記レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、
前記薄膜の転写パターンを形成するための領域以外の領域に塗布されているレジスト膜に対し、複数箇所で紫外線光を露光して紫外線光に対する反射率を変化させていることを特徴とするマスクブランク。
【請求項２】
前記レジスト膜は、深紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク．
【請求項３】
基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、
紫外線光をレジスト膜の表面に露光し、レジスト膜から反射される紫外線光の反射光量を測定する露光測定工程と、
測定された前記反射光量からレジスト膜の感度を評価する感度評価工程と
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記露光測定工程は、前記薄膜の転写パターンを形成する領域以外の領域にあるレジスト膜の表面に対して紫外線光の露光および反射光量の測定を行うことを特徴とする請求項３記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
前記露光測定工程は、前記薄膜の転写パターンを形成する領域のレジスト膜表面全体を所定の間隔で複数箇所、紫外線光の露光および反射光量の測定を行い、
前記感度評価工程は、転写パターンを形成する領域のレジスト膜の感度分布を評価することを特徴とする請求項３記載のマスクブランクの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００９−２７１４７３（Ｐ２００９−２７１４７３Ａ）
【公開日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１２４４５５（Ｐ２００８−１２４４５５）
【出願日】平成２０年５月１２日（２００８．５．１２）
【出願人】（０００１１３２６３）ＨＯＹＡ株式会社 (3,820)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月１２日（２００８．５．１２）
【出願人】（０００１１３２６３）ＨＯＹＡ株式会社 (3,820)
【Ｆターム（参考）】
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