【課題】解像限界の良いポジ型レジストを使用してネガ型の所望のパターンを形成し、ポジ型レジストと同程度の解像限界を得ることにある。
【解決手段】透光性基板３００上に成膜された遮光性膜２００上に、所望パターンのスペース部に第一被覆膜パターン１００を形成した後、その上面を第二被覆膜１１０で被覆する。引き続き、第二被覆膜を研磨によって第一被覆膜パターンを露出させて剥離した後、第二被覆膜をハードマスクとして遮光膜をエッチングして所望パターンを形成するフォトマスクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクブランクに形成される光学膜の面内での特性の均一性を高める技術を提供すること。
【解決手段】透明基板１０の主面上に光学膜２０が形成されたフォトマスクブランクは、サセプタ３０上に載置されている。この基板１０の主面に形成された光学膜２０の周縁部は、遮光部６０によって、閃光ランプ４０からの閃光照射から遮蔽されている。遮光部６０は、基板１０の面取り部１１から入射した閃光が基板１０の裏面で反射して、この反射光が光学膜２０に過剰な光エネルギを与えてしまうという不都合を回避する。 （もっと読む）

【課題】被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行う。
【解決手段】被加工体をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを設定し、膜パターンのライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓのそれぞれと、サイドエッチング幅αとに基づき、レジストパターンのライン幅Ｒ_Ｌとスペース幅Ｒ_Ｓとを設定し、決定したライン幅Ｒ_Ｌとスペース幅Ｒ_Ｓをもつレジストパターンに基づき、露光の際の露光条件、及び転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌとスペース幅Ｍ_Ｓを決定し、かつ、転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌは決定したライン幅Ｒ_Ｌと異なり、転写用パターンのスペース幅Ｍ_Ｓは決定したスペース幅Ｒ_Ｓと異なる。 （もっと読む）

【課題】補助パターンを有するＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、補助パターンの欠けや基板表面からの剥離、あるいは補助パターンの倒れを防止し、マスク製作が比較的容易で高精度のパターン転写が可能となる反射型マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され前記反射層へのエッチング損傷を防止するバッファ層と、前記バッファ層上に形成され前記ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用反射型マスクであって、前記ＥＵＶ露光用反射型マスクのマスクパターンが、ウェハ上に転写される主パターンと、前記主パターンの近傍に設けられ投影光学系の解像限界以下の大きさの補助パターンとからなり、前記補助パターンがバッファ層で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高価な高精細の電子線描画機を設計欠陥の深さの種類の数に応じて複数回使用することを要せずに、同一の基板に、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥を、寸法精度や位置精度を向上させて形成することができる擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 数種の異なる深さの凹状の設計欠陥のパターン全てを、基板上に形成したハードマスクに一括してパターン形成し、その後、前記ハードマスクパターンをマスキングしながら順次基板をエッチング加工することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、設計欠陥の深さ、若しくは高さの種類の数に応じて複数回のパターン形成とエッチングの工程を行うという複雑な工程を必要とせずに、同一の基板に、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥と数種の異なる高さの凸状の設計欠陥を形成することができる擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ポジ型レジストの工程とネガ型レジストの工程を交互に１回ずつ用いて、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥と数種の異なる高さの凸状の設計欠陥のパターン全てを、基板上に形成したハードマスクに一括してパターン形成し、その後、前記ハードマスクパターンをマスキングしながら順次基板をエッチング加工することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 半透光部と透光部との境界部分におけるレジストパターン形状をより正確に制御する。
【解決手段】 遮光部は、半透光膜、位相シフト調整膜、及び遮光膜が透明基板上に積層されてなり、半透光部は、半透光膜、及び位相シフト調整膜が透明基板上に積層されてなり、透光部は、透明基板が露出してなり、ｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長の光が半透光部を透過するときの位相シフト量が前記透光部に対して６０度以下となるように、半透光膜と位相シフト調整膜との材質及び厚さが設定されている。 （もっと読む）

【課題】半透光部と透光部で形成される転写パターンを用いて、被加工体に微細なパターン形状を形成する場合に、マークパターンの読み取り不良を抑制できるフォトマスク及びその製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、転写パターン部のパターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクであって、転写パターン部を透明基板上に成膜された半透光膜をパターニングすることにより形成された透光部と半透光部で設け、透明基板の前記転写パターン部と異なる領域に遮光膜で形成されるマークパターン形成部を設ける。 （もっと読む）

【課題】エッチング回数を３回として５階調を得ることができる５階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上にエッチング選択性のある第１半透光膜と遮光膜とをこの順に有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、第１レジストパターンを除去し、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、第２レジストパターンを除去し、基板全面に第１半透光膜とエッチング選択性のある第２半透光膜を形成する工程と、第２半透光膜上に第３レジストパターンを形成する工程と、第３レジストパターンをマスクとして第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有することにより、エッチング回数を３回として５階調を得る。 （もっと読む）

【課題】面内でレジスト残膜値の異なるレジスト段差構造を精度良く形成することができ、これによって精度の高いマスクパターンを形成できる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に半透光膜と遮光膜、及びそれぞれ異なる分光感度特性を有する第１レジスト層と第２レジスト層を含むレジスト膜が積層されたフォトマスクブランクを準備し、レジスト膜に対して所定の分光特性を持つ第１の露光光を用いて描画し、次いで第１の露光光とは異なる分光特性を持つ第２の露光光を用いて描画後、現像によって、面内でレジスト残膜値の異なる第１レジストパターンを形成し、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜及び半透光膜をエッチングし、第１レジストパターンを所定量減膜させることによって第２レジストパターンを形成し、第２レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 エッチング率が異なる多数の反射膜を効果的にパターニングして精度を向上させることができるレーザ反射型マスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 レーザビームの反射領域に所定の深さの反射膜埋め込み溝が形成されているベース基板の上部に、反射率差を有する反射膜を順次繰返して積層し、化学機械研磨工程や、レーザビームの照射またはエッチング液によるリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた部分を除いた残りの領域に積層された反射膜を除去し、溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成することにより、マスクの製造工程を容易にすると共に、正確なパターンを形成することができるレーザ反射型マスク及びその製造方法に関する。また、ベース基板の上部に犠牲膜を形成するステップと、ベース基板におけるレーザビームの反射領域と予定された領域に対するエッチング工程を通じて、犠牲膜及びベース基板をリセスして犠牲膜パターン及び所定の深さの反射膜埋め込み溝を形成するステップと、犠牲膜パターン及び反射膜埋め込み溝が形成されたベース基板の上部に、反射率の異なる第１の反射膜と第２の反射膜を、反射膜埋め込み溝が完全に埋め込まれるまで交互に繰返して積層するステップと、ベース基板の底面方向からベース基板にレーザビームを照射し、犠牲膜パターンと犠牲膜パターンの上部に積層された第１及び第２の反射膜を除去するレーザリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成するステップと、ベース基板の上部に残留する犠牲膜パターンを除去するステップと、を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低温成膜が可能で簡便なフィルムの転写により遮光性を容易に安価に得ることのできる遮光性転写フィルム及びその製造方法、それを用いた遮光性パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 仮支持体上に、可視光線透過率が１％未満の遮光性薄膜と、ネガ型感光性樹脂層または熱硬化性樹脂層を順次積層してなる遮光性転写フィルム。仮支持体上に、ポジ型感光性樹脂層と、可視光線透過率が１％未満の遮光性薄膜層と、ネガ型感光性樹脂層または熱硬化性樹脂層を順次積層してなる遮光性転写フィルム。 （もっと読む）

【課題】 低温成膜が可能で簡便なフィルムの転写により遮光性を容易に安価に得ることのできる遮光性転写フィルムを用いた遮光性パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 （１）被転写基板に接着層を形成する工程、（２）仮支持体上に、感光性樹脂層、及び可視光線透過率が１％未満の遮光性薄膜が順次積層してなる遮光性転写フィルムの、可視光線透過率が１％未満の遮光性薄膜面と前記（１）で形成された接着層面を貼り合わせ、遮光性転写フィルム積層基板を形成する工程、並びに（３）前記遮光性転写フィルム積層基板の感光性樹脂層の所定部を露光する工程と、を含む遮光性膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】製造工程が効率的であって異物等の付着の可能性を低減し、ユーザーのニーズに迅速に応じて提供できる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】半透光部と透光部は互いに所定の位相差を有する多階調フォトマスクの製造方法であって、透明基板上に少なくとも半透光膜と遮光膜がこの順に形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、少なくとも半透光膜と遮光膜とをそれぞれパターニングすることによって、透明基板表面又は透明基板の掘り込み面が露出した透光部、透明基板上に形成された半透光膜の膜厚の一部が除去された半透光部、半透光膜と遮光膜が積層した遮光部とを形成するパターニング工程を有し、半透光部における半透光膜の残存膜厚は所定の透過率が得られるものとされ、かつ半透光部における半透光膜の残存膜厚と、透光部の透明基板表面又は掘り込み面位置は、所定の位相差が得られるものとする。 （もっと読む）

【課題】表面が清浄な状態となされたマスクブランクス、または、転写マスクを製造することができるマスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法を提供し、また、ＡｒＦエキシマレーザ光以上の量子エネルギを有する露光光を用いる場合において好適なマスクブランクス、または、転写マスクを製造することができるマスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法を提供する。さらに、化学増幅型レジスト膜が成膜されたマスクブランクスの好適な製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の薄膜２，３をスパッタリング法により成膜した後、この薄膜２，３の表面に電磁波を照射することによりこの薄膜２，３の表面に付着した有機物質を分解し、薄膜２，３の表面に純水を供給して湿式洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】膜の硬度および耐溶剤性が良好なフォトマスクブランクス、および、該フォトマスクブランクスを用いて作製された、画像エッジ部の直線性の高いフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、（ｉ）側鎖に、下記一般式（ａ１）で表される部分構造を有するバインダーポリマー、（ｉｉ）エチレン性不飽和結合を有する化合物、（ｉｉｉ）光重合開始剤、および（ｉｖ）遮光材料、を含む感光性組成物層を有するフォトマスクブランクス。
一般式（ａ１）中、Ｒ^ｌａ〜Ｒ^３ａはそれぞれ独立に、水素原子またはアルキル基等を表す。Ｘは酸素原子、硫黄原子、または−Ｎ（Ｒ^１２ａ）−を表し、Ｒ^１２ａは、水素原子または一価の有機基を表す。
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【課題】高感度で硬化し、且つ、保存安定性に優れたフォトマスクブランクス、及び、該フォトマスクブランクスを用いて作製された高解像度で画像形成可能であり、画像エッジ部の直線性の高いフォトマスクを提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、（Ａ）分子内に下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する増感色素と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含む感光性組成物層を有するフォトマスクブランクス。式（１）中、Ｙは隣接する窒素原子および炭素原子と共に含窒素ヘテロ環を形成する非金属原子団を表す。Ｘは一価の非金属原子団を表す。
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【課題】高感度で、解像度に優れたパターンを形成しうるフォトマスクブランクスを提供し、細線等の微細パターンを有するものであっても、遮光膜の膜強度とマスク洗浄の溶剤に対する溶剤耐性に優れたフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、（Ａ）バインダーポリマー、（Ｂ）分子内にビニルフェニル基を２個以上有する化合物、（Ｃ）重合開始剤、および（Ｄ）遮光材料、を含む感光性組成物層を備えるフォトマスクブランクス。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に１又は２以上の層で構成された膜が形成され、該膜の最表層がクロム系材料からなり、更に、該最表層上にドライエッチング用のエッチングマスク膜が設けられたフォトマスクブランクであって、上記エッチングマスク膜が、加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物、架橋促進剤化合物、及び有機溶剤を含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した膜厚１〜１０ｎｍの酸化ケイ素系材料膜であるフォトマスクブランク。
【効果】本発明のフォトマスクブランクのエッチングマスク膜は、塩素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性をもち、このエッチングマスク膜を用いてフォトマスクブランクを加工することにより、塩素系ドライエッチングであっても、薄いエッチングマスク膜で高精度の加工が可能である。 （もっと読む）

【課題】角部を有する開口部が形成されたパターニング層を有し、上記角部の解像性に優れたパターン形成体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、上記基板上に形成されたパターニング層２と、を有するパターン形成用積層体１０を用い（Ａ）上記パターニング層に、少なくとも一辺が直線である第１パターン形状の開口部を形成する第１パターニング工程と（Ｂ）、上記開口部が形成されたパターニング層に、少なくとも１辺が直線である第２パターン形状の開口部を形成する第２パターニング工程と（Ｃ）、を有するパターン形成体の製造方法であって、上記第２パターニング工程が、上記第１パターニング工程において上記パターニング層に形成された第１パターン形状の開口部における直線部位と、上記第２パターン形状における直線部位とが互いに交差するように、上記パターニング層に第２パターン形状の開口部を形成する。 （もっと読む）