【課題】位相シフトマスクを製造する際のアンダーカット形成時のウェットエッチング工程において、非シフタ透光部に生じるダメージを軽減する。
【解決手段】透明基板上に遮光膜と第１レジスト層が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし第１遮光膜パターンを形成する工程と、第１遮光膜パターンまたは第１レジストパターンをマスクとして遮光膜の下層をエッチングにより除去しシフタ透光部を形成する工程と、透明基板上全面に第２レジスト層を形成する工程と、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、非シフタ透光部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用マスクの評価を簡便且つ正確に行うことができ、また、精度劣化の原因を効率的に把握できる、パターン描画方法、パターン描画装置およびマスク製造方法を提供する。
【解決手段】環境要素となる、温度、磁場、気圧、振動、入力電圧、ビームドリフトおよびビーム電流密度の内少なくとも１つを測定しながら試料上にビームを照射して、パターンを描画する。このパターンには、主パターンと、主パターンの領域外に描画される第１の副パターンおよび第２の副パターンとがあり、第１の副パターンを描画する第１の描画工程の後に、主パターンを描画する第２の描画工程を行う。主パターンの描画工程では、環境要素の変化量によって主パターンの描画を停止し、第１の副パターンの近傍の所定位置に第２の副パターンを描画した後、主パターンの描画に戻る工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成するパターンの寸法を所望値に近づけること。
【解決手段】設計パターンに対し、第１ＯＰＣを行なうことにより、マスク描画に使用する第１グリッドに配置された第１パターンを生成する工程（Ｓ１２）と、前記第１パターンの幅を構成する両辺のうち片辺のみを前記第１パターンの幅方向に前記第１グリッド１個移動させることにより中間パターンを生成する工程（Ｓ１４）と、前記中間パターンを用い作製されたマスクを用い、半導体基板上に実体パターンを形成する工程（Ｓ１８）と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数の薄膜をそれぞれパターニングして成る転写用パターンを備えたフォトマスクにおいて、各薄膜に対してそれぞれ歪み補正を施しつつパターンを形成し、これらのパターンを正確に重ね合わせる。
【解決手段】 透明基板上に形成した第１の薄膜にフォトリソグラフィ工程を施して第１パターンを形成する第１パターニング工程と、透明基板上に形成した第２の薄膜にフォトリソグラフィ工程を施して第２パターンを形成する第２パターニング工程と、を有し、第１パターニング工程は第１描画工程を、第２パターニング工程は第２描画工程をそれぞれ含み、第１描画工程及び第２描画工程では、同一の歪み補正の施された補正座標系を用いて行う描画を含む。 （もっと読む）

【課題】
微少ミラーを２次元配列したミラーデバイスを用いたパターン描画装置において、感光剤の塗布された基体上への投影像をイメージセンサで観察・測定する際に、正確かつ精細に画像データを取得する。
【解決手段】
ミラーデバイス１０３で生成された画像パターンを感光剤の塗布された基体１０７上に投影し、この投影像を撮像光学系１０９とハーフミラー１０５と投影光学系１０６によってイメージセンサ１１０に結像させる。このとき、イメージセンサ１１０の撮像面に結像した微少ミラー像のピッチとイメージセンサ１１０の撮像画素ピッチとが整数比となるような撮像光学系１０９とする。 （もっと読む）

【課題】パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】遮光部１と、透光部２と、グレートーン部３とを有するグレートーンマスクの製造方法であって、透明基板上に、少なくとも半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜が順次形成され、レジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、またグレートーン部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程と、現像処理を行い、遮光部とグレートーン部とで残膜値が異なるようなレジストパターンを形成する工程と、レジストが除去された領域に露出する遮光膜をエッチングする工程と、透光部を形成すべき部分上の半透光膜と、半透光部を形成すべき部分上の遮光膜を同時に除去する工程と、レジスト膜を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること
【解決手段】透光層２、半透光層３及び遮光層４がこの順で積層されたマスクブランクス１’上にフォトレジストＲを塗布し、露光することで第１のレジスト領域Ｒ１と、第２のレジスト領域Ｒ２と、第３のレジスト領域Ｒ３を形成し、第１のレジスト領域Ｒ１を現像液で除去することで、第１の遮光層領域４ａをエッチングするためのマスクを形成し、第１の遮光層領域４ａをエッチングし、半透光層領域３ａをエッチングし、第２のレジスト領域Ｒ２を現像液で除去することで、第２の遮光層領域４ｂをエッチングするためのマスクを第３のレジスト領域Ｒ３によって形成し、第２の遮光層領域４ｂをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ベイヤ配列のカラーフィルタが配置された複数の受光素子を有するカラーＣＣＤカメラを用い、青色光又は赤色光を照明する場合であっても、試料のエッジ位置を精度良く検出することが可能な位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】カラーＣＣＤカメラの受光素子配列方向がマスクのエッジ位置検出対象である一辺に対して斜めになるようにカラーＣＣＤカメラを配置し、マスクのエッジ部を含む領域に青色光を照明した状態で、カラーＣＣＤカメラによりエッジ部近傍の画像を撮像し、この画像内の複数点における青色の濃淡値を求め、濃淡値の変化からエッジ部に対応する複数の座標を求め、これら複数の座標から回帰直線Ｌｒを求め、この回帰直線Ｌｒをエッジ位置とする。 （もっと読む）

【課題】 狭持に基づく基板の歪みを低減する基板ホルダーを提供する。
【解決手段】 ホルダー本体１の凹部に設けられたプレート５の三箇所に、それぞれ、バネ９ａ，９ｂ，９ｃの弾性力によりガラス乾板１０を押し上げる為のピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃとピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃが設けられている。ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各ピン支持部は筒状に成してあり、ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各筒状部と各ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃの下方側面それぞれとの間にオーリング６２ａ，６２ｂ，６２ｃが挿入されており、ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃがそれぞれピン支持体支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃ上で回転可能に成してある。 （もっと読む）

【課題】基板への帯電が抑制可能となっているか否かを描画前に確認できる基板カバーを提供する。
【解決手段】基板カバーは、マスク基板の周縁領域に対応した形状の導電部と、導電部に設けられ、接地可能な電極が導電部から露出する複数の電極部とを有する。電極部１０５ａは、導電部および他の電極部１０５ｂ、１０５ｃと絶縁されており、電極部１０５ａと他の電極部１０５ｂ、１０５ｃとの間に電圧を印加することにより、これらの電極がマスク基板に導通していることを検出できる。電極部は、基板カバー自体を支持する機能も有するため、導電部の荷重が略等分布となるように３箇所に配置されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクおよび光リソグラフィを用いて半導体装置を製造するための方法を開示する。
【解決手段】荷電粒子ビーム書込装置を用いて製造されたフォトマスク上の円形パターンを用いることにより、半導体ウェハ上の円形パターンが形成される。一実施例では、荷電粒子ビーム線量を変えることにより、さまざまなサイズの円形パターンが、単一の文字投影（ＣＰ）用文字を用いてフォトマスク上に形成されている。円形のＣＰ用文字をさまざまな放射線量で用いて、またはＶＳＢショットを用いて円形パターンを断片化するための方法および表面上に円形パターンを形成するための方法も開示され、複数のＶＳＢショットの結合は１セットの所望のパターンとは異なっている。グリフを作成するための方法も開示され、１つ以上の荷電粒子ビームショットから生じる放射線量マップが予め計算されている。 （もっと読む）

【課題】高精度の描画を可能とすること。
【解決手段】データ作成装置は、描画面積がしきい値面積より大きなパターンと、描画面積がしきい値面積以下のパターンとを分離してそれぞれレチクル描画データ１４ｂ，１４ｃを作成する。露光装置は、レチクル描画データ１４ｂ，１４ｃをそれぞれ用いて電子ビームによりレチクルにパターンを描画する。 （もっと読む）

【課題】アドレス・レゾリューションが改善されたパターン作成装置の提供。
【解決手段】本発明に係る装置は、ある種類の画素マップをパターン・フィーチャーの内部に、別の種類の画素マップをフィーチャーの外部に、中間画素マップを境界線上に作成するようにされる。境界線上の中間画素マップが、オン状態とオフ状態との間の中間変調状態を有する位相変調素子の画素を含み、加工品に投影される位相変調空間光変調装置の画素に比べて微細なアドレス・グリッドで境界線上の配置によって作成される。境界線の露光レベルが、オン状態とオフ状態との間の中間変調状態に設定する位相変調素子の能力を使って作られ、中間画素マップに一致する中間変調状態に設定された位相変調素子の微小領域素子から反射された光の複素振幅を一体化した光の複素振幅により、微細なアドレス・グリッド及び前記境界線の露光レベルが作成される。 （もっと読む）

【課題】ＤＭＤ（デジタルマイクロミラーデバイス）を用いず構成が複雑にならずに大面積露光が高速でかつ高精度に実施可能なマスクレス露光装置を提供する。
【解決手段】このマスクレス露光装置１０は、被露光物Ｓに露光する光を出力するために半導体発光素子からなる光源１１と光源からの光を被露光物へ導く光学系１２とにより被露光物上に多数の集光スポットを投影可能な露光ヘッド２０と、露光ヘッドと被露光物とを相対移動させる移動手段１３と、を備え、光源のオンオフにより各集光スポットのオンオフを制御するとともに移動手段による相対移動を制御することで被露光物上に任意のパターンを露光する。 （もっと読む）

【課題】ＤＭＤ（デジタルマイクロミラーデバイス）を用いず構成が複雑にならずに大面積露光が高速でかつ高精度に実施可能なマスクレス露光装置を提供する。
【解決手段】このマスクレス露光装置は、被露光物Ｓに露光する光を出力するための光源２１と、光路中に設けられた光スイッチング手段２３と、光源からの光を被露光物へ導く光学系１２と、により被露光物上に多数の集光スポットＳ２を投影可能な露光ヘッド２０と、露光ヘッドと被露光物とを相対移動させる移動手段と、を備え、各集光スポットのオンオフを光スイッチング手段により制御するとともに移動手段による相対移動を制御することで被露光物上に任意のパターンを露光する。 （もっと読む）

【目的】アライメントマークの位置が適正な位置かどうかを判定する装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のアライメントマーク判定装置は、描画装置１００に配置される被描画基板の位置合わせ基準となる複数のアライメントマークの座標データ群を入力し、座標データ群を用いて、所定の多項式の係数行列を作成する係数行列作成部１１２と、掃き出し法を用いて、係数行列の対角成分の絶対値の最小値を演算するピボット演算部１１４と、最小値が所定の閾値より大きいかどうかを判定する判定部１１６と、判定された結果を出力する出力部１２２と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、アライメントマークの位置が適正な位置かどうかを判定し、望ましくないアライメントマークを排除することができる。 （もっと読む）

【課題】械的強度と熱耐性を高め、なおかつ優れた加工精度を有するステンシルマスクおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第一薄膜層にステンシルパターンを形成する際に、同時にステンシルパターン配置領域の外周部に位置合わせ用パターンを形成する工程と、第一薄膜層に形成する位置合わせ用パターンが、第二薄膜層を貼り合せる領域より外周部領域であり、複数個の位置合わせ用パターンを用いて、第一薄膜層の表面に第二薄膜層を貼り合せる工程と、
第二薄膜層の表面にレジストを形成する工程と、位置合わせ用パターンを用いて位置決めをおこない、第一薄膜層のステンシルパターンデータを用いて、第一薄膜層のステンシルパターンの位置と同位置に、第一薄膜層のステンシルパターンと同一形状の開口パターンが重なるようにして、第二薄膜層のレジスト面上に重ね描画する工程と、を含むことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】パターン転写時の露光装置に高ＮＡの露光方法を利用した場合の焦点深度による影響に対応でき、デバイス上にハーフピッチ４５ｎｍ以下の高精度の微細パターンを形成するのに好適な遮光膜を備えたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し６原子％未満である。また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】十分なＦＣ補正が可能であってＣＤユニフォーミティやＣＤリニアリティに優れたマスク製造が可能でしかも導電性やクロム遮光膜に対してのエッチング選択比優れたハードマスクを備えたマスクブランク及びそのマスクブランクを用いて作製されたマスクを得る。
【解決手段】透明基板上にクロムを主成分とする材料の遮光膜が形成されたマスクブランクであって、電子線描画用レジストを用いたリソグラフィー法を利用して前記遮光膜に転写用パターンを形成してマスクを得るときに用いられるマスクブランクにおいて、前記遮光膜に転写用パターンを形成するエッチングを行う際にマスクとしての機能を担うために予め前記遮光膜上に設けられるマスク層であって、珪素を含む材料からなるマスク層が前記遮光膜上に形成され、前記マスク層上に少なくともクロムと窒素を含むクロム窒化系膜が形成されていることを特徴とするマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】電気的導通が不連続な被加工基板に対し、荷電粒子線を照射してパターン形成を行う場合、電界の発生を抑止しつつ、かつ、レジストの解像性を損なうことなく、微細なパターンを精度よく形成する手段を提供する。
【解決手段】被加工基板１０の裏面に当たる第２の面１０ｂに導電膜１２を形成し、当該導電膜１２と導通ピン１５を接触させることで、荷電粒子線１４の照射による蓄積電荷に対抗する電荷を導電膜１２に発生させ、電界による荷電粒子線の偏向を抑止する。 （もっと読む）