【目的】斜入射反射光学系を用いた露光装置で生じるシャドーウィング効果の位置依存性誤差について補正可能な描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、斜入射反射光学系を用いてパターンが形成されたマスク基板に照明光を斜入射してマスク基板からの反射光を用いてマスク基板に形成されたパターンを被露光基板に転写する露光装置におけるシャドーウィング効果の位置依存誤差を補正する補正値が定義された補正テーブルを記憶する記憶装置１４２と、複数の図形について位置と形状とサイズが定義されたパターンデータを入力し、図形毎に、当該図形の位置に基づいて、補正テーブルから対応する補正値を取得する取得部１２と、図形毎に、補正値を用いて、当該図形をリサイズするリサイズ処理部１４と、荷電粒子ビームを用いて、パターン形成前のマスク基板にリサイズされた図形を描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングする際のパターン寸法が比較的大きい箇所と微細寸法箇所との掘り込み量の差であるＲＩＥラグを低減させることを目的とする。
【解決手段】順に、開口領域を形成した遮光膜を透明基板上に有する基板を準備する工程と、前記基板にポジ型レジストを塗布する工程と、レジスト塗布後、遮光膜の開口領域のうち位相シフタ形成領域をレジストから開口させる描画工程と、現像工程と、現像工程後、開口させた位相シフタ形成領域を、ドライエッチングにて透明基板を掘り込むエッチング工程と、残存したレジストを除去する工程とを備え、前記描画工程は、レジストが位相シフタ形成領域に重ならないように所定のマージンを持つように描画するものであり、前記所定のマージンは、前記ドライエッチングによる掘り込み量の位相シフタ形成領域の寸法による不均一を緩和するように、位相シフタ形成領域の寸法に応じて設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板からの後方散乱により、リソグラフィ後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのずれを軽減する。
【解決手段】描画パターンデザインを複数の単位区画に区切り、前記単位区画ごとの描画密度を取得して描画密度に基づく描画補正値を求め、前記単位区画内の密度別に区画されたパターン分布を取得してパターン分布に基づく描画補正値を求め、描画密度に基づく描画補正値とパターン分布に基づく描画補正値とを合わせた最適な露光補正値を求める。 （もっと読む）

【目的】高精度なフォトマスクを実現するフォトマスクの製造方法を提供する。
【構成】荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入し、化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射してフォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画し、フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置から搬出し、複数の領域毎に、描画開始からポストエクスポージャーベークの開始までの経過時間を算出し、複数の領域毎に算出される経過時間に基づき、複数の領域毎のポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定し、プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、複数の領域毎に決定されたプロセス条件でポストエクスポージャーベークを行い、化学増幅型レジストを現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【目的】半導体製造工程で生じる寸法変動をより正確に補正する方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、露光用マスクのパターン作成領域から仮想分割されたメッシュ状の複数のマス目領域のマス目領域毎に含まれるパターンの面積と、かかるパターンの外周の辺の長さの総和とを用いてＣＤ寸法誤差を補正する補正量を算出する工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、補正量が補正された寸法のパターンをレジスト膜が塗布された基板に露光する工程（Ｓ２０２）と、露光後に、レジスト膜を現像する工程（Ｓ２０４）と、現像後のレジストパターンを用いて、前記基板を加工する工程（Ｓ２０６〜Ｓ２１０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームの移動に起因する位置誤差の発生をできるだけ抑えてより正確な測定用パターンの描画を行うことで、精度良くセトリング条件の算出を行うことが可能な荷電粒子ビーム描画装置の評価方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】測定用パターン１１を描画する制御データを記憶部３１ｉに格納するステップと、制御データに基づき荷電粒子ビームＢを使用して測定用パターン１１を描画するとともに、新たに測定用パターン１１の描画が行われる位置まで今後測定用パターン１１の描画が行われる予定の領域ごとにデータ分解能と同程度の微小ショットを打ちつつ荷電粒子ビームＢを移動させるステップと、全ての測定用パターン描画後露光するステップと、露光後の測定用パターン１１を基に、その位置誤差を確認するステップと、確認された位置誤差に基づいて最適なセトリング条件を算出するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板とレジスト膜との密着性を向上させることで、形成された微細なレジストパターンの倒れやスライドを防止することのできるレジストパターン形成方法、並びにそれを用いたナノインプリント用モールド、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン形成方法は、基板上のエネルギー線反応性基を有するシラン化合物を含むシランカップリング層上にネガ型レジスト膜を形成し、レジスト膜にエネルギー線を照射して所定パターン形状の潜像を形成し、エネルギー線が照射されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するものであり、レジスト膜は、エネルギー線照射でエネルギー線反応性基と結合可能、かつ現像工程後に基板上に残存し得る程度に硬化可能な樹脂成分を含有するものであり、エネルギー線照射でエネルギー線反応性基と樹脂成分とを結合させ、シランカップリング層とレジスト膜とを密着させる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用マスクの評価を簡便且つ正確に行うことができ、また、精度劣化の原因を効率的に把握できる、パターン描画方法、パターン描画装置およびマスク製造方法を提供する。
【解決手段】環境要素となる、温度、磁場、気圧、振動、入力電圧、ビームドリフトおよびビーム電流密度の内少なくとも１つを測定しながら試料上にビームを照射して、パターンを描画する。このパターンには、主パターンと、主パターンの領域外に描画される第１の副パターンおよび第２の副パターンとがあり、第１の副パターンを描画する第１の描画工程の後に、主パターンを描画する第２の描画工程を行う。主パターンの描画工程では、環境要素の変化量によって主パターンの描画を停止し、第１の副パターンの近傍の所定位置に第２の副パターンを描画した後、主パターンの描画に戻る工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】マスク描画時間を短縮して、微細パターンを有する高品質のマスクを作製することができるマスクデータ生成方法及びこのマスクデータ生成方法によるマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】設計データに光近接効果補正処理を行って、フラクチャ数の多い描画データを作成する工程と、前記フラクチャ数の多い描画データの面積を保存しつつグリッドサイズを拡大し、前記フラクチャの頂点数を削減する処理を行ってマスク描画データを作成する工程と、前記グリッドサイズが拡大された前記マスク描画データによるマスク転写特性をシミュレーションにより評価する工程と、前記シミュレーションによる評価において、前記マスク転写特性が良好と判断された場合の前記グリッドサイズのマスク描画デ−タをマスク描画に適用する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マップデータを高速かつ高精度に表示することが可能なマスク製造用装置を提供する。
【解決手段】マスク製造用装置は、メッシュ値を有する複数のメッシュからなるマップデータを取得するマップデータ取得部（２２１）と、マップデータを表示するための表示画面を有する表示部（２０４）と、表示画面のピクセルサイズよりも大きい擬似ピクセルサイズを設定する設定部（２２２）と、表示画面上のピクセルを擬似ピクセルにグループ化するグループ化部（２２３）と、表示画面上におけるメッシュのメッシュサイズが、擬似ピクセルサイズのα倍（αは正の定数）よりも小さい場合に、各擬似ピクセル内のメッシュのメッシュ値の平均値を算出する平均値算出部（２２４）と、擬似ピクセル内の各ピクセルを、平均値に対応する表示色で表示することにより、表示画面上にマップデータを表示する表示処理部（２２５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】超微細な補助パターンを備えたＥＵＶマスクとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に高透過率・低反射層と低透過率・高反射層とを交互に積層して、ＥＵＶ光を反射する反射層１０２を形成する。次に、反射層１０２の上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１０５を形成する。次いで、吸収層１０５を、転写対象面に転写される主パターン１０７の形状に加工した後、主パターン１０７の近傍に、転写対象面に転写されない補助パターン１０８を形成する。補助パターン１０８を形成する工程では、反射層１０２に電子ビーム２０４を照射して、高透過率・低反射層と低透過率・高反射層の固溶体を形成する。 （もっと読む）

【課題】チャージアップを生じさせず、かつ、アライメントマークの欠けを生じさせないマスクブランクの製造方法及びマスクブランクを提供する。
【解決手段】電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであり、マスクブランクは、基板１上に、転写パターン形成用薄膜２と、転写パターン形成用薄膜２のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク膜３とがこの順に形成され、転写パターン形成用薄膜２は、電子線描画しパターニングする際にチャージアップしない程度に導電性を有する材料とし、基板の主表面から、基板の側面又は面取り面までに亘って形成され、エッチングマスク膜３は、基板の少なくとも側面に存在せず、転写パターン形成用薄膜２が露出するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子線レジスト組成物の高精度な感度管理をするための感度検査方法を用いた、高精度に管理されたレジスト組成物の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 レジスト組成物用材料と溶剤からなるレジスト組成物原体を調製し、該レジスト組成物原体を一部採取し、該採取したレジスト組成物原体を用いて試験用基板上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜にパターン照射を含むパターン形成処理を行ってレジストパターンを形成し、形成された該レジストパターンのサイズと前記パターン照射時の照射エネルギー量に基づいて前記レジスト組成物原体の感度を検定した後、該感度検定結果を基に前記レジスト組成物原体に加える追加材料の量を調整して前記レジスト組成物原体の感度調整を行う化学増幅型レジスト組成物の製造方法において、前記パターン照射を電子線ビーム照射により行うことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】チャージアップ現象を回避し、電子線描画後の感度変化を抑え、設計通りの寸法のパターン形成が可能であり、且つ、アルカリ現像性を有しながら、高感度、高解像力で、低ラインエッジラフネスの微細なレリーフパターンを得るレジスト帯電防止膜積層体の提供。
【解決手段】支持体上に、（Ｉ）フェノール性水酸基を１分子中に２個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される１種以上の置換基を有する分子量４００〜２５００のフェノール性化合物（Ａ）と、電子線を照射することによりフッ素原子が結合していないスルホン酸を発生する酸発生剤（Ｂ）、とを含有するネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物（Ａ）の含有量が７０重量％以上であるネガ型レジスト組成物からなるレジスト膜と、（ＩＩ）帯電防止膜とを少なくとも備える、レジスト帯電防止膜積層体。 （もっと読む）

【課題】所定のパターンの解像性、特にコーナー部の解像性を向上させ、電子ビームの描画ショット数を削減して描画効率を向上させたマスクパターン描画方法を提供する。
【解決手段】複数個の描画ショットで電子ビーム露光して所定のパターンを描画するマスクパターン描画方法であって、所定のパターンを、Ｘ方向に横長の矩形パターンとして描画する工程と、Ｙ方向に縦長の矩形パターンとして描画する工程とを有し、横長の矩形パターン描画と縦長の矩形パターン描画とが交差する描画交差部を重ね描画とし、前記描画交差部のＸ方向およびＹ方向に所定のパターンから突き出した矩形の描画領域を設けて描画し、突き出した矩形の描画領域を含む横長の矩形パターン描画の露光量と縦長の矩形パターン描画の露光量の和が、レジストを解像させる露光量であり、描画交差部で所定のパターンを解像させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体作製におけるパターン位置精度に関して、異なるレイヤー間の重ね合わせ精度を向上させたマスクパターンデータ生成方法を提供する。
【解決手段】設計データの所定のレイヤーが、重ね合わせする際の基準となる基準層であるか否かを選定する工程と、基準層であると選定したレイヤーにおいて、マスク描画の座標基準として基準格子を選択し、基準層であるレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、基準層であるレイヤーのマスクを作製する工程と、作製された基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置座標を第２の基準格子として設定する工程と、を有し、基準層でないと選定したレイヤーのマスク描画の座標基準として前記第２の基準格子を選択し、基準層でないレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを電子線描画するときに、描画パターン密度の変化の大きいところでのドリフトが生じ位置精度が悪化することに対応するフォトマスクの作製方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクを描画パターンの描画密度変化の所定値を予め定める工程と描画パターンの描画密度変化を求める工程と、求めた描画密度変化が予め定めた所定値より大きい場合には、描画密度変化が所定値以下になるように描画パターンを複数に分割する工程とを備えた作製方法により、ドリフトを抑制することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】評価用パターンに不足しているパターンの特定を容易化すること。
【解決手段】設計支援装置が、半導体層に関する複数の露光パラメータのうちの選択パラメータを指定量分変化させた変化後の選択パラメータと、選択パラメータを除く残余のパラメータと、による半導体層に関する設計パターンの露光シミュレーションを実行する。設計支援装置が、露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果が、複数の露光パラメータの決定基準である評価用パターンの露光シミュレーションでの許容範囲内（たとえば、ｘ［ｎｍ］〜ｙ［ｎｍ］以内）であるか否かを判断する。設計支援装置が、判断結果を出力する。 （もっと読む）

【課題】密なパターン領域を持つフォトマスクであっても、現像ローディングによる寸法変動を精度良く補正できる現像ローディング補正方法およびパターン描画装置を提供する。
【解決手段】本発明の現像ローディング補正方法は、フォトマスク面内の回路パターン密度分布に加え、パターン面積密度と寸法変動量の関係式あるいはその基準テーブルを用いて照射エネルギー量を調整することと、照射エネルギー補正量と適正近接効果補正係数の関係式あるいはその基準テーブルを用いて近接効果補正係数を調整することで、現像ローディングによるパターン疎密の寸法差を精度良く補正することが可能となる。 （もっと読む）