【課題】高精細な薄膜パターンの形成を可能にする。
【解決手段】基板上に一定形状の薄膜パターンを形成するためのマスク１であって、可視光を透過する樹脂製のフィルム２と、前記基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部５を形成した板体で構成され、前記フィルム２を保持する保持部材３と、備え、前記フィルム２は、前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に対応して前記保持部材３の前記開口部５内に前記薄膜パターンと同形状の開口パターン４を備えている。 （もっと読む）

【課題】レーザ描画装置を用いて被描画基板上の感光性レジストに露光し、所望のパターンをレーザ描画するパターン描画方法において、レーザの消費電力を削減した省エネルギーのパターン描画方法及びパターン描画プログラムを提供する。
【解決手段】レーザ描画装置を用いて複数の被描画基板上の感光性レジストに順次露光し、所望のパターンをレーザ描画するパターン描画方法であって、前記被描画基板にレーザ描画をしていない待機中は、前記レーザ描画装置のレーザの励起電流値を、前記レーザの出力調整が可能な範囲内での許容最低値に下げて消費電力を低減させ、前記被描画基板にレーザ描画をするときに、前記レーザの励起電流値を所定の電流値に立ち上げてから所望のパターンをレーザ描画することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】半導体製造工程で生じる寸法変動をより正確に補正する方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、露光用マスクのパターン作成領域から仮想分割されたメッシュ状の複数のマス目領域のマス目領域毎に含まれるパターンの面積と、かかるパターンの外周の辺の長さの総和とを用いてＣＤ寸法誤差を補正する補正量を算出する工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、補正量が補正された寸法のパターンをレジスト膜が塗布された基板に露光する工程（Ｓ２０２）と、露光後に、レジスト膜を現像する工程（Ｓ２０４）と、現像後のレジストパターンを用いて、前記基板を加工する工程（Ｓ２０６〜Ｓ２１０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来における有機系レジストとクロムの遮蔽膜を用いるフォトマスクは、製造工程が煩雑で、かつ、クロム金属のエッチング後の廃液処理が必要なため、環境負荷が大きく、かつ、コストが高くなるといった問題があり、また、有機系レジストに姻族が添加されている遮蔽膜を用いるフォトマスクにあっては、耐久性や遮蔽性が劣るといった問題があった。
【解決手段】 レーザー光のエネルギーによって表面電位差が生じる表面電位が変位し易い金属原子Ｘと、酸化されても変化し難い金属原子Ｙとの組み合わせによる金属レジスト２の遮蔽膜で構成したフォトマスクである。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用マスクの評価を簡便且つ正確に行うことができ、また、精度劣化の原因を効率的に把握できる、パターン描画方法、パターン描画装置およびマスク製造方法を提供する。
【解決手段】環境要素となる、温度、磁場、気圧、振動、入力電圧、ビームドリフトおよびビーム電流密度の内少なくとも１つを測定しながら試料上にビームを照射して、パターンを描画する。このパターンには、主パターンと、主パターンの領域外に描画される第１の副パターンおよび第２の副パターンとがあり、第１の副パターンを描画する第１の描画工程の後に、主パターンを描画する第２の描画工程を行う。主パターンの描画工程では、環境要素の変化量によって主パターンの描画を停止し、第１の副パターンの近傍の所定位置に第２の副パターンを描画した後、主パターンの描画に戻る工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】隣接するストライプ状領域の重複領域の位置を所望の位置に容易に調整することができるフォトマスクの製造方法、この方法を用いて作製されたフォトマスク、およびフォトマスクの製造装置を提供する。
【解決手段】マスクブランクス１０上でＸ方向に延びかつＸ方向と交差するＹ方向における幅を有するとともにＹ方向に並ぶ複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２に順にパターンの描画が行われる。複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２のうち一部のストライプ状領域Ｓ１の幅ｗｓ１が他のストライプ状領域Ｓ２の幅ｗｓ２と異なるように、複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２の幅がそれぞれ設定される。設定された幅ｗｓ１，ｗｓ２を有する複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２に順に描画が行なわれることにより、隣接する複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２の境界部分にＸ方向に沿って延びる重複領域ＯＶが形成される。 （もっと読む）

【課題】パターンずれの少ない高精度な中間調フォトマスクを提供する。
【課題を解決するための手段】
透明基板１上のデバイスパターン部に、相対的に反射率が高く透過率が極めて低い遮光膜４の上に相対的に反射率が極めて低く透過率が高い半透過膜５が積層されている遮光部と、半透過膜５が透明基板上に直接堆積された半透過部と、遮光部又は半透過部の一部が除去され透明基板が露出した透光部７とを備える。一方、透明基板１上の非デバイスパターン部に設けられたアライメントマーク部に、遮光膜及び半透過膜がいずれも存在せず透明基板が露出した透光部と表面に反射防止膜が形成されていない遮光膜が最表面に露出した遮光部とによってアライメントマーク２が設けられる。 （もっと読む）

【課題】エッチング回数を３回として５階調を得ることができる５階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上にエッチング選択性のある第１半透光膜と遮光膜とをこの順に有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、第１レジストパターンを除去し、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、第２レジストパターンを除去し、基板全面に第１半透光膜とエッチング選択性のある第２半透光膜を形成する工程と、第２半透光膜上に第３レジストパターンを形成する工程と、第３レジストパターンをマスクとして第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有することにより、エッチング回数を３回として５階調を得る。 （もっと読む）

【課題】描画ブロックの描画位置を高精度に調整して描画パターンを下地パターンに一致させながら描画対象物に描画することができるパターン描画方法、描画データ生成方法、ならびにパターン描画装置を提供する。
【解決手段】描画ブロック９１の周囲が非描画領域であることを示すデータが付加された拡張ラスターデータ８１３を形成するとともに、下地パターンとの位置ズレを考慮しながら拡張ラスターデータ８１３から描画ブロック９１を抽出し、当該描画ブロック９１を描画している。これによって、描画パターン９２を下地パターンと高精度に重なり合わせながら基板Ｗに描画パターン９２を描画することが可能となっている。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高めて露光光の漏れを抑制し、露光光のシャドーイングの影響を低減し、かつ耐洗浄性に優れた遮光帯を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】被転写体への転写用パターンの形成領域を規定し、前記転写用パターンの形成領域以外へのＥＵＶ光の照射を防止するために、前記転写用パターン２１の周囲に所定幅の遮光帯１８が設けられており、前記遮光帯１８は、多層反射膜１２にレーザ光を照射して前記多層反射膜を破壊した層により構成され、前記基板１１上の前記多層反射膜１２と同一平面上にあり、前記ＥＵＶ光に対する前記遮光帯１８の反射率が前記多層反射膜１２の反射率よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半透光部の透過率を微調整でき、露光光に対する半透光部の透過率の波長依存性を選択できる。
【解決手段】遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、透明基板上に半透光膜及び遮光膜が積層されてなり、透光部は透明基板が露出してなり、半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜が露出してなり、半透光膜は、第１半透光層と第１半透光層上に積層された第２半透光層を備え、半透光部を構成する第２半透光層の膜厚が、遮光部を構成する第２半透光層の膜厚より小さくなるように減膜されている。 （もっと読む）

【課題】少ない半透光膜の膜数と少ない描画回数で製造できる５階調フォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上１４に、遮光部１２、透光部１１及び第1半透光部１３Ａと第２半透光部１３Ｂと第３半透光部１３Ｃからなるマスクパターンを有する５階調フォトマスクである。遮光部１１は少なくとも透明基板上１４に形成された遮光膜により形成され、透光部１１は露出した透明基板１４により形成され、第1半透光部１３Ａ、第２半透光部１３Ｂ及び第３半透光部１３Ｃは、透明基板上１４に形成された膜固有の露光光透過率の異なる第１半透光膜１６と第２半透光膜１７、及び第１半透光膜１６と第２半透光膜１７の積層膜のうちのそれぞれいずれかにより形成され、第1半透光部１３Ａ、第２半透光部１３Ｂ及び第３半透光部１３Ｃのうち２つは同一の実効透過率を有する線幅が異なるパターンである。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーのレーザー光で紫外線遮蔽性樹脂層を精密かつ正確に除去した部分に、ムラのない光透過性が得られ、かつ紫外線遮蔽性樹脂層に傷が付きにくく、しかも大型印刷版の作製において、位置決め作業が容易で、かつ版と密着させる際に空気を抱き込みにくく版材に全面が密着しやすいマスクフィルムを与えるマスクフィルム用部材を提供する。
【解決手段】紫外線透過性の基材フィルムと、その片面にレーザー光線の照射による除去可能な平均厚さ０.１〜３０μｍの紫外線遮蔽性樹脂層とを有するマスクフィルム用部材であって、前記紫外線遮蔽性樹脂層が、カーボンブラックの含有量が多い樹脂層（Ａ）と、カーボンブラックの含有量が少ない樹脂層（Ｂ）とを有する２層以上の積層構造体であり、かつ基材フィルム側に上記（Ａ）層が、印刷版側に上記（Ｂ）層が位置すると共に、特定の光学特性を有するマスクフィルム用部材である。 （もっと読む）

【課題】ガラス基材の変形又は破損を抑制でき、膜強度が高く且つガラス基材との密着性に優れた遮光層を形成できるフォトマスクの製造方法の提供。
【解決手段】透明ガラス基材上に、遮光材料、重合開始剤、エチレン性不飽和化合物、及びバインダーポリマーを含む感光性層と、酸素遮断性層と、を順次備えるフォトマスブランクスを画像露光する露光工程と、透明基材上の未露光領域を現像液を用いて除去して、透明ガラス基材上に画像様の遮光層を形成する現像工程と、遮光層を３μｍ〜７μｍに極大波長を有する赤外線を放射する赤外線ヒーターで加熱する加熱工程と、を有するフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単なフォトマスク基板の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスク基板の作製方法は、透明基板１００の第１面１１０に第１面遮光層１１１を設ける工程と、前記第１面遮光層１１１に所定の第１面開口パターン１１２を形成する工程と、前記透明基板１００の第２面１２０に第２遮光層１２１を設ける工程と、前記第２遮光層１２１に所定の第２面開口パターン１２２を形成する工程と、前記第２面開口パターン１２２で前記透明基板１００が露出している部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

金属製グレイスケール光マスクは、透明基材上に堆積された金属薄膜の層と、レーザー描画法により、金属薄膜の表面に形成された透明度の異なるパターンを有している。パターンは、連続的であり、配列またはランダムなパターンの一種である。グレイスケールは、３．０〜０．０５ＯＤの範囲内である。金属薄膜の膜厚は５〜１００ｎｍである。金属製グレイスケール光マスクの製造方法は、通常の半導体の洗浄処理により、選別された透明基材を洗浄し、透明基材の上に金属薄膜を堆積させ、次いでレーザー描画法により、金属薄膜の表面に透明度の異なるパターンを形成することを含んでいる。パターンは、連続的であり、配列またはランダムなパターンの一種である。グレイスケールマスクは安価であり、帯電防止性能に優れており、解像度が光学上の回折限界を上回ることができる。また、製造方法が単純である。微細な光学要素および微細な電気機械システムの大量生産に対する幅広い応用範囲を有している。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク上のパターンの寸法を増大させるように再生することができるフォトマスクのパターン再生方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク１０の基板１上にクロム又はモリブデンシリサイドを用いて形成されたパターン２を再生するためのフォトマスクのパターン再生方法は、パターン２にフッ化アルゴンレーザ３を露光する露光工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸の大きい遮光性レリーフ層を有するフォトマスクに適用する場合であっても、表面平滑性に優れた透明保護膜を形成しうるフォトマスク用ハードコート組成物、該組成物を用いてなるハードコート層を有するフォトマスクを提供すること。
【解決手段】重合性化合物（Ａ）と、フッ素含有化合物及び／又はシリコン含有化合物（Ｂ）と、重合開始剤（Ｃ）と、を含有し、フッ素含有化合物及び／又はシリコン含有化合物（Ｂ）の含有量が組成物の総量に対して０．１質量％〜３．０質量％である、紫外線硬化型或いは熱硬化型のフォトマスク用ハードコート組成物、並びに、パターニングしてなる遮光性レリーフ層上に、前記フォトマスク用ハードコート組成物を塗設してなるハードコート層と、を有するフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】遮光材料を大量に含有する場合であっても露光により高感度で硬化し、且つ保存安定性及びセーフライト適性に優れたフォトマスクブランクス、及び、該フォトマスクブランクスを用いて作製された、高解像度で画像形成が可能であり、画像エッジ部の直線性の高いフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される増感色素と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含む感光性組成物層を有するフォトマスクブランクス。一般式（Ｉ）中、Ｘは、窒素原子又は−Ｃ（Ｒ^６）−を表し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８は、それぞれ独立して、水素原子又は一価の置換基を表す。但し、Ｒ^１〜Ｒ^８のうち隣接する２つ、Ｒ^８とＲ^５、Ｒ^７とＲ^６のうちの１又は２以上の組み合せで結合して環を形成していてもよい。
（もっと読む）

【課題】高感度であり且つセーフライト性、保存安定性に優れたフォトマスクブランクス、及び、該フォトマスクブランクスを用いて作製された、解像度が高く、画像エッジ部の直線性に優れたフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、（Ａ）分子内に下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する増感色素と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含む感光性組成物層を備えるフォトマスクブランクス。一般式（Ｉ）中、Ｒ^１はアルキル基を示し、Ｒ^２は水素原子又は１価の置換基を示す。
（もっと読む）