【課題】主表面に設けられる凹凸パターンが微細であったとしても、所定の幅を有する凹部を設計通り形成するモールドの製造方法及びレジスト処理方法を提供する。
【解決手段】凹凸からなるレジストパターンを処理するレジスト処理方法において、前記レジストパターンにおける凹部の開口部の幅が所定の幅より小さく形成されたレジストパターンを削ることにより前記レジストパターンの凹部の幅を拡大させるレジストパターン凹部幅拡大工程を有し、前記凹部幅拡大工程は、前記レジストパターンにおける凹部の開口部の幅を、前記所定の幅と実質的に同一の幅へと拡大する第１工程と、前記レジストパターンにおける凹部の主表面の部分を実質的に厚さ方向に向けて削ることによって、前記レジストパターンの凹部の幅を前記開口部の幅と実質的に同一とする第２工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、金属に対する防食性に優れ、さらには長時間の継続使用も可能なフォトリソグラフィ用剥離液、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ用剥離液は、（Ａ）フッ化水素酸、（Ｂ）一般式（ｂ−１）で表される塩基性化合物、及び（Ｃ）水を含有する。式中、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂは、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基等を示し、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂの少なくとも１つは水素原子である。Ｒ^１ｂからＲ^４ｂのうちいずれか１つとＲ^５ｂとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Ｙ^１ｂ及びＹ^２ｂは炭素数１〜３のアルキレン基を示し、ｎは０〜５の整数を示す。ｎが２以上のとき、複数のＲ^５ｂ同士及び複数のＹ^１ｂ同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^５ｂ同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。
（もっと読む）

【課題】現在の露光光源の露光限界（解像限界）を超えるパターンサイズのパターンを被加工面に形成することができるパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】第１のレジストパターンを形成する第１のレジストパターン形成工程と、前記第１のレジストパターンの表面を覆うように、被覆材料による被覆層を形成する被覆層形成工程と、第２のレジストパターンを形成する第２のレジストパターン形成工程とを含むパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンの耐熱性を向上させる、レジストパターンの表面処理方法およびそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】現像済みフォトレジストパターン表面に酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を施し、前記フォトレジストパターン表面にオキサゾリン骨格などを含む架橋性基を含有するポリマーを含む被覆層形成用組成物を接触させることを含んでなる、現像済みフォトレジストパターンの処理方法。 （もっと読む）

【課題】自動現像機の現像浴や水洗浴等に堆積物の蓄積による汚れが少なく、長時間連続的に製版処理した場合においても、析出物の発生が抑制され、容易に洗浄が可能であり、且つ、得られた再生水は再利用が可能である製版処理廃液のリサイクル方法を提供する。
【解決手段】感光性平版印刷版の製版処理廃液を、蒸発濃縮装置中で加熱し、発生した水蒸気と製版処理廃液中に含まれる溶解成分とに分離し、分離された水蒸気を凝縮して再生水とする現像処理システムであって、沸点が１００℃〜３００℃の範囲である有機溶剤を５質量％〜３０質量％の範囲で含む現像補充液を、現像浴に補充し、且つ、発生する製版処理廃液を容量基準で、１／２．５〜１／５（＝濃縮後の製版処理廃液／濃縮前の製版処理廃液）の範囲に濃縮し、再生水を現像補充液の希釈水またはリンス水の少なくとも一方に使用する製版処理廃液のリサイクル方法。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜を用いる多層レジストプロセスにおいて、金属含有膜からの金属溶出を抑制することができるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）被加工基板の上側に金属含有膜を形成する工程、（２）上記金属含有膜上に保護膜を形成する工程、（３）レジスト組成物を用い、上記保護膜上にレジスト膜を形成する工程、（４）フォトマスクを介した露光光の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、（５）上記露光されたレジスト膜の現像により、レジストパターンを形成する工程、及び（６）上記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、被加工基板にパターンを形成する工程を有するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】耐刷性に優れ、且つ、非画像部の汚れ性が良好な平版印刷版を作製しうる平版印刷版原版、その製造方法、該製造方法により得られた平版印刷版を提供する。
【解決手段】支持体上に、下記一般式（Ｉ−１）で表される繰り返し単位及び一般式（Ｉ−２）で表される繰り返し単位を含むポリマーを含有する中間層と、ポジ型画像形成層と、を順次備えるポジ型平版印刷版原版である。式中、Ｒ^１、Ｒ^２は水素原子、メチル基、又はエチル基を表す。Ｌ^１は単結合、又は−ＣＯＯ−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）ｎ−を表し、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に、炭素数１〜３のアルキル基を表す。Ｌ^２は、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、及び炭素数１〜５のアルキレン基から選ばれる連結基、並びに、これらが２以上結合してなる連結基を表し、Ｌ^３はアルキレン基、又は−ＣＨ_２ＣＨＯＨＣＨ_２−を表す。
（もっと読む）

【課題】ＰＡＧ（光酸発生物質）二重層を用い、残留物が無くＬＥＲも僅かな犠牲ポリマー層、及び犠牲ポリマー層の分解方法と、これを使用して改良されたエアキャビティー、又はエアギャップを作製するための方法を提供する。
【解決手段】ＰＡＧ二重層はその中に光酸発生物質を組込み、上部のＰＡＧ濃度は構造物の低部より高い。ＰＡＧが非存在の犠牲層１５が基板１０上に形成される。犠牲層が乾燥された後、ＰＡＧ単層２０が形成され、層１５と層２０はＰＡＧ二重層２５を形成する。次いで二重層２５の像様暴露（光線照射３５）遮蔽物３０を使用して行われる。暴露部分は熱分解法によって除去されて、基板上に残った非暴露部分４０を残す。次いで保護被覆層５０が構造体上に配置され、部分４５の分解及び保護被覆５０を通る分解生成物の浸透のために適当な温度に加熱した後、エアギャップ５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、基板の外周部にレジスト残渣が発生することを抑制可能な厚膜レジストの現像方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】回路素子層の上面に、厚膜レジストを形成する工程と、厚膜レジストを露光する工程と、露光後に、３０〜５０ｒｐｍの範囲内の一定の回転速度で炭化珪素基板を回転させながら、厚膜レジストの上方から現像液を供給することで、厚膜レジストの上面に現像液よりなるパドルを形成し、該パドルにより厚膜レジストを現像して、厚膜レジストに回路素子層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】形成された硬化膜の耐久性、耐溶剤性及び未硬化部の現像性のいずれにも優れたネガ型或いはポジ型の感光性組成物、及び、該感光性組成物を含む記録層を備えた、画像部の耐刷性及び耐溶剤性と、非画像部の現像性に優れた平版印刷版原版を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含むジオール成分とポリイソシアネート成分とを反応させて得られるポリウレタン、及び（Ｂ）感光性成分を含有する感光性組成物。一般式（Ｉ）中、Ａは単結合又は炭素原子、水素原子、及び酸素原子から選ばれた原子を含んで構成される２価の連結基を表し、Ｂは一価の有機基を表す。Ｒ^１〜Ｒ^５はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表す。ｍは０〜３の整数を表し、ｎは０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎが０となることはない。
（もっと読む）

【課題】現像ラチチュードに優れ、耐刷性の良好な平版印刷版を作製しうる平版印刷版原版、それにより得られた平版印刷版及びその製版方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、水不溶且つアルカリ可溶性樹脂を含む下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性又はアルカリ分散性のポリウレタン及び下記一般式（１）で表される複素環化合物を含む上層と、を順次備えてなり、下層及び上層の少なくとも一方に赤外線吸収剤を含有する赤外線感光性ポジ型平版印刷版原版である。一般式（１）中、ＡはＮ又はＣＲ^２を表し、ＢはＮ又はＣＲ^３を表す。Ｒ^１は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はアリル基を表す。Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はアリル基を表す。
（もっと読む）

【課題】微細なホールパターンを低コストで確実に形成することが可能な方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、インプリント法を用いて、第１の方向に延伸する溝パターンを有するインプリント材料層１２ａを基板上に形成する工程と、溝パターンをポジ型のレジスト材料で埋める工程と、第１の方向に直交する第２の方向に延伸する透光パターンを有するマスクを介してレジスト材料を露光する工程と、透光パターンを介して露光されたレジスト材料の部分を除去することでホールパターン１５を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジスト膜を高精度で現像しつつ、当該レジスト膜にレジストパターンを適切に形成する。
【解決手段】現像処理装置３０は、ウェハＷを収容して処理する処理容器１１０と、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１４０と、ウェハＷ上に有機溶剤を含有する現像液を供給する現像液ノズル１６０と、ウェハＷ上にリンス液を供給するリンス液ノズル１６４と、処理容器１１０内に酢酸ブチルガスを供給する処理ガス供給部１２２と、処理容器１１０内に窒素ガスを供給するパージガス供給部１２６と、処理容器１１０内の酢酸ブチルガスの濃度を測定する濃度測定器１３０と、処理容器１１０内のガス濃度を所定の濃度に制御する濃度制御部１３１と、処理容器１１０から流出した酢酸ブチルガスを再度処理容器１１０内に供給して循環させるガス循環部１５１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、リソグラフィの解像限界以下の微細なラインパターンを本数の選択自由度を高めて形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数のラインパターン２３ａを形成する工程と、それぞれのラインパターン２３ａの側壁に側壁膜２６ａを形成し、複数のラインパターン２３ａおよび複数の側壁膜２６ａを含むパターン列５０を形成する工程と、隣り合う側壁膜２６ａ間およびパターン列５０の端の側壁膜２６ａの横の領域６０に、スペーサ膜２７ａ、２７ｂを形成する工程と、領域６０に形成されたスペーサ膜２７ｂをラインアンドスペースパターンに加工するとともに、側壁膜２６ａを除去し、ラインパターン２３ａおよびスペーサ膜２７ａ、２７ｂ１、２７ｂ２を残す工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】省エネルギーで効率的に廃液中の目的物質を分離濃縮することのできる濃縮方法および濃縮装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、目的物質を含有する廃液中から、上記廃液よりも高い濃度の上記目的物質を含有する液体を分離する、目的物質の濃縮方法であって、上記廃液を霧化する霧化工程と、上記霧化工程により上記廃液から生じた霧粒子を分級する分級工程とを含むことを特徴とする、目的物質の濃縮方法である。 （もっと読む）

【課題】レンズ形成の自由度を高めることが可能なマイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板の製造方法を用いて製造されたマイクロレンズ基板を備えた撮像装置、及びその撮像装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】マイクロレンズ１４が形成される領域５２２の周囲に反射膜１８を有する下地パターン１７を形成する工程と、下地パターン１７が形成された基板１２上にポジ型の感光性材料で感光層５２を形成する工程と、感光層５２のうちマイクロレンズ１４に対応する領域以外の領域を、感光層５２を挟んで基板１２とは反対側から露光する工程と、露光された感光性材料を現像する工程と、感光性材料の表面を加熱により曲面状に変形させることでマイクロレンズ１４を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上のＣｕ膜若しくはＣｕ合金膜をウェットエッチングすることによって配線等とする際に、Ｃｕ膜にダメージを与えないように剥離し、なおかつ、Ｃｕ膜の上に堆積させる層との間の接着力を低下させないフォトレジストの剥離液を用いた剥離液リサイクルシステムを提供する。
【解決手段】主剤と極性溶媒と水からなる混合液およびレジスト成分からなる剥離液を繰り返し使用し、剥離液中のレジスト濃度が所定の値に達したら、剥離液の一部を排出管から排出し、新たな剥離液の供給を受けるレジスト剥離装置と、廃液タンクと、廃液タンク中の剥離液を蒸留する蒸留再生装置と、前記分離液中の主剤と極性溶媒の組成比率を調べる成分検査装置と、分離液の主剤と極性溶媒および水の比率が予め決められた比率になるように不足分の主剤と極性溶媒および水を追加して、混合液を調製する調合装置と混合液を貯留する供給タンクを有する。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセスにおいて、中間層膜のシリコン（Ｓｉ）の含有率を高くした場合でも、上層のレジストパターンを形成した後の現像欠陥が発生せず、従って、歩留まりを向上できるようにする。
【解決手段】下層膜２の上にシリコンを含有する中間層膜３、４及び上層レジスト膜５を形成する。続いて、露光された上層レジスト膜５を現像して、上層レジスト膜から上層レジストパターン５ａを形成する。上層レジストパターンをマスクとして、中間層膜３、４をエッチングすることにより、中間層膜から中間層パターン３ａ、４ａを形成する。中間層パターンをマスクとして下層膜２をエッチングし、下層膜からエッチングパターン２ａを形成する。中間層膜３、４は、第１のシリコン含有率を有する下層中間層膜３と、該下層中間層膜の上に形成され、第１のシリコン含有率よりも低い第２のシリコン含有率を有する上層中間層膜４を含む。 （もっと読む）