【課題】 本発明は、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止し、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 前記アライメントマークの底部に丸みをつけて、垂直な側壁部分と、丸みを有する底部とを有する凹型のアライメントマークとするにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】反射型マスクのパターンに損傷を及ぼす危険性を解消し、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板と、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層で形成された吸収体パターンと、を少なくとも備えた反射型マスクであって、吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、ＥＵＶ光を遮光するための遮光領域が設けられ、前記遮光領域が反射層と吸収層とを備え、前記遮光領域の反射層が、転写パターン領域の反射層と同一平面上になく、基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上にあり、遮光領域に入射したＥＵＶ光の反射光を、転写パターン領域に入射したＥＵＶ光の反射光とは異なる方向に反射させる反射層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タンタル系材料の吸収体膜と、クロム系材料のエッチングマスク膜とが積層した反射型マスクブランクを用いて、高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な吸収体膜を有する反射型マスクを作製することを可能とする反射型マスクブランクを提供する。
【解決手段】反射型マスクを作製するために用いられる反射型マスクブランク１００であり、基板１上に多層反射膜５と吸収体膜２とエッチングマスク膜３が順に積層した構造を有する反射型マスクブランクであって、エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、吸収体膜は、タンタルを含有する材料からなり、吸収体膜の基板側とは反対側の表層に高酸化層２２が形成されており、高酸化層は、Ｘ線電子分光分析を行ったときのＴａ４ｆのナロースペクトルが２３ｅＶよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする反射型マスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥（凹状欠陥、凸状欠陥）を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２１，１１が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤２０と下定盤１０との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側２０より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも１以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤２０側にセットして行う。 （もっと読む）

【課題】基板からの後方散乱により、リソグラフィ後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのずれを軽減する。
【解決手段】描画パターンデザインを複数の単位区画に区切り、前記単位区画ごとの描画密度を取得して描画密度に基づく描画補正値を求め、前記単位区画内の密度別に区画されたパターン分布を取得してパターン分布に基づく描画補正値を求め、描画密度に基づく描画補正値とパターン分布に基づく描画補正値とを合わせた最適な露光補正値を求める。 （もっと読む）

【課題】１ショット当たりのチップパターン数を増やすと共に、ステップ送りが複雑にならずにレチクルパターン同士が隙間なく互いに嵌まり込んで、高解像度領域を最大限有効に利用することができてスループットの向上を図る。
【解決手段】ステッパ装置１０の円形の有効露光領域２３内に複数のチップパターン２１からなるレチクルパターン２２を収めた露光用レチクル２において、４×４の１６個のチップパターン２１から４角のチップパターンを取った１２個のチップパターン２１を有するか、または別の見方で、２×２の４個のチップパターン２１からなるレチクルパターン２２の４辺の辺全部から上下に突き出たチップパターン２１が２個づつで、左右に突き出たチップパターン２１も２個づつである。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクおよびマスクブランク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を有する反射型マスクブランクの製造工程において、前記基板に遮光枠パターンを掘り込み、その段差分吸収層を厚く形成することにより
反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランクを作製することができる。この反射型マスクブランクに回路パタンーを形成することで、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクを作成することができる。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクに、回路パターンと、回路パターン形成領域外の遮光枠領域とを設けて、反射型マスクを構成する。遮光枠領域内の吸収膜と、保護膜と、多層反射膜とを除去して溝を形成し、この溝の内部に不要な波長の光を吸収する樹脂層を形成する。 （もっと読む）

【課題】
基板での露光ムラの発生を抑制することができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】
露光光源３からの露光光を遮る遮光部１１と前記露光光を透過させる透光部１２とを備え、一定方向Ａに搬送中の露光対象物２の露光に使用されるフォトマスク１であって、
前記透光部１２を介して露光される露光対象部分２１の、前記露光対象物２の搬送方向Ａと垂直な方向Ｂの全幅Ｗに渡って露光量Ｅが等しくなるように、前記透光部１２の各部の前記搬送方向Ａの長さｌが決定されたものである。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生が少なく、洗浄耐性の優れた遮光枠を有する反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】多層反射層０２を掘り込んだ遮光枠を有する反射型マスクにおいて、多層反射層の側面に、電解めっき法により側壁保護層を形成することで、パーティクルの発生を低減することができる。さらに本発明のマスクとすることで、マスク洗浄工程における多層反射層の劣化を抑制することが可能となり、高品質の反射型マスクを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有し、高い精度で転写パターンを形成できる反射型マスクブランク、その製造方法および反射型マスクを提供する。
【解決手段】回路パターン領域８５を形成する前段階で遮光枠２５を形成し、また遮光枠２５を形成するために多層反射層２１を除去しないから、回路パターン領域８５へのパーティクル付着を抑制でき、マスク欠陥品質の低下を抑えることが可能である。また、遮光枠２５を形成するために多層反射層２１を除去しないため、多層反射層２１が数層残ってしまう懸念が無く、多層反射層２１から発生する反射光の強度を抑制し、遮光性の高い遮光枠２５を形成することができる。これらのことから、反射型マスク１０１、２０１、３０１、４０１を用いることで、高い精度で転写パターンを形成できる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィプロセス条件を決定するための良好な方法およびシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィプロセスのためのリソグラフィプロセス条件を決定する方法およびシステムが記載される。入力を取得した後、非矩形状サブ分解能アシスト特徴部を許容する条件下で、照明光源特よびマスク設計について第１の最適化を行う。続いて、矩形状サブ分解能アシスト特徴部だけが許容される１つ又はそれ以上の追加の最適化において、マスク設計が最適化される。これにより良好なリソグラフィプロセスが得られるとともに、マスク設計の複雑性を制限する。 （もっと読む）

【課題】既存のフォトマスクの転写パターンを形成する層構造を変更することなく、位置合わせマークの転写による二重露光されて半導体装置の性能劣化、特に固体撮像装置などの撮像ムラが生ずるのを防止するフォトマスクを実現する。
【解決手段】フォトマスク１００を構成するマスク基板１０８を、半導体ウエハ１の隣接する複数のチップ領域１ａに対応し、１つのチップ領域１ａに対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域Ｒｐ１〜Ｒ４を含むパターン形成領域１１０と、マスク基板１０８のパターン形成領域１１０内に、隣接するチップ対応領域を分離するよう形成され、半導体ウエハ１のスクライブ領域Ｈｓ及びＶｓに対応するスクライブ対応領域１４０及び１５０とを有する構造とし、フォトマスクの位置合わせマーク１１０ａを、マスク基板１０８上の、パターン形成領域１１０の外側に、スクライブ対応領域１４０の延長線上に位置するよう配置した。 （もっと読む）

【課題】アウトオブバンド光の影響を軽減した遮光枠を有する、製造しやすい反射型マスクの製造方法および反射型マスクを提供する。
【解決手段】吸収層や多層反射層をすべて掘り込み除去して基板表面を露呈させた遮光枠を形成するとともに、裏面導電膜の遮光枠領域の部分も除去することによって、基板を透過したアウトオブバンド光が反射型マスクの表面に戻らないようにして、チップ外周部が重なる領域についての多重露光を軽減することを可能にした。更に、この吸収層や多層反射層、導電膜などをレーザー光を用いて一括して除去することにより、精度が良く、スループットを高く製造することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶリソグラフィ時のＥＵＶ露光マスクの表面での炭素系薄膜及び酸化物の生成を抑制することができる極紫外露光マスク用防塵装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】防塵装置５１には、極紫外露光マスク６１に対する防塵部材５２と、極紫外露光マスク６１と防塵部材５２との間の空間に、防塵部材５２側が極紫外露光マスク６１側よりも高電位となる電場を生じさせる電場生成手段５８と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光リソグラフィ用マスクの位相欠陥を簡便に救済する技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの製造に用いるマスクブランクの位相欠陥検査工程で位相欠陥が検出された場合、前記位相欠陥が凹欠陥か凸欠陥かを判定し、前記位相欠陥の凹凸に応じて、前記ＥＵＶリソグラフィ用マスクの前記位相欠陥を含む部位を局所的にデフォーカスさせて露光を行うことにより、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの位相欠陥を修正することなく、半導体ウエハへの回路パターンの異常転写を抑制する。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクに存在する位相欠陥とＥＵＶＬ用マスクを製造した後に残存する位相欠陥との両方を感度良く検出する方法を提供する。
【解決手段】マスクブランクを検査する場合は、中心遮蔽ＮＡ以内で大きい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射し、ＥＵＶＬ用マスクを検査する場合は、ＥＵＶ光を遮蔽する中心遮蔽部と、中心遮蔽部の直径よりも小さい幅を有し、ＥＵＶ光を遮断する線状遮蔽部とをその瞳面に有する暗視野結像光学系を用いて、線状遮蔽部の幅と同じ照明ＮＡまたは線状遮蔽部の幅よりも小さい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ（限界寸法）誤差を低減し、シュリンク処理の形状依存を補正できるパターン化フォトレジスト層を実現するコンピュータ読み取り可能な媒体を備えた装置を提供する。
【解決手段】媒体６１４は形状レイアウトを受信するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、形状レイアウトに対してシュリンク補正を適用するためのコンピュータ読み取り可能なコードとを備える。シュリンク補正を適用するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、パターン化層に形状を形成するための角切り欠き部を提供して、線の幅および長さ、形の修正などを調整する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックに吸着させた反射型露光マスクを取り外すのに必要な時間を短縮させる。
【解決手段】基板１１と、基板１１の第１の面側に形成された反射層１４及びマスクパターン１５と、基板１１の第２の面側に形成された導電膜１２と、導電膜１２上の一部の領域に形成された弾性変形体１３とを有する反射型露光マスクを提供する。弾性変形体１３は、非導電性物質で構成されている。そして、反射型マスク用静電チャックに電圧を印加し、反射型露光マスクを吸着させると、弾性変形体１３は圧縮し、電圧の印加をストップすると、元の形状に戻ろうとする。当該力により、反射型マスク用静電チャックからの反射型露光マスクの引き離しが促進される。 （もっと読む）