【課題】反射型マスクのパターンに損傷を及ぼす危険性を解消し、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板と、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層で形成された吸収体パターンと、を少なくとも備えた反射型マスクであって、吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、ＥＵＶ光を遮光するための遮光領域が設けられ、前記遮光領域が反射層と吸収層とを備え、前記遮光領域の反射層が、転写パターン領域の反射層と同一平面上になく、基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上にあり、遮光領域に入射したＥＵＶ光の反射光を、転写パターン領域に入射したＥＵＶ光の反射光とは異なる方向に反射させる反射層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板からの後方散乱により、リソグラフィ後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのずれを軽減する。
【解決手段】描画パターンデザインを複数の単位区画に区切り、前記単位区画ごとの描画密度を取得して描画密度に基づく描画補正値を求め、前記単位区画内の密度別に区画されたパターン分布を取得してパターン分布に基づく描画補正値を求め、描画密度に基づく描画補正値とパターン分布に基づく描画補正値とを合わせた最適な露光補正値を求める。 （もっと読む）

【課題】アウトオブバンド光の影響を軽減した遮光枠を有する、製造しやすい反射型マスクの製造方法および反射型マスクを提供する。
【解決手段】吸収層や多層反射層をすべて掘り込み除去して基板表面を露呈させた遮光枠を形成するとともに、裏面導電膜の遮光枠領域の部分も除去することによって、基板を透過したアウトオブバンド光が反射型マスクの表面に戻らないようにして、チップ外周部が重なる領域についての多重露光を軽減することを可能にした。更に、この吸収層や多層反射層、導電膜などをレーザー光を用いて一括して除去することにより、精度が良く、スループットを高く製造することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】マップデータを高速かつ高精度に表示することが可能なマスク製造用装置を提供する。
【解決手段】マスク製造用装置は、メッシュ値を有する複数のメッシュからなるマップデータを取得するマップデータ取得部（２２１）と、マップデータを表示するための表示画面を有する表示部（２０４）と、表示画面のピクセルサイズよりも大きい擬似ピクセルサイズを設定する設定部（２２２）と、表示画面上のピクセルを擬似ピクセルにグループ化するグループ化部（２２３）と、表示画面上におけるメッシュのメッシュサイズが、擬似ピクセルサイズのα倍（αは正の定数）よりも小さい場合に、各擬似ピクセル内のメッシュのメッシュ値の平均値を算出する平均値算出部（２２４）と、擬似ピクセル内の各ピクセルを、平均値に対応する表示色で表示することにより、表示画面上にマップデータを表示する表示処理部（２２５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１１上に遮光膜１２、多層反射膜１３、保護膜１４、吸収膜１５ａ、裏面導電膜１６が形成された反射型マスクブランクス１０を準備する。吸収膜１５ａを選択的に除去することで回路パターンＡが形成され、回路パターンＡを除く回路パターンＡの周囲の部分に、吸収膜１５ａ，１５ｂと保護膜１４と多層反射膜１３とを選択的に除去した枠状の領域Ｂが形成される。したがって、枠状の領域Ｂに遮光膜１２が設けられることになる。 （もっと読む）

【課題】密なパターン領域を持つフォトマスクであっても、現像ローディングによる寸法変動を精度良く補正できる現像ローディング補正方法およびパターン描画装置を提供する。
【解決手段】本発明の現像ローディング補正方法は、フォトマスク面内の回路パターン密度分布に加え、パターン面積密度と寸法変動量の関係式あるいはその基準テーブルを用いて照射エネルギー量を調整することと、照射エネルギー補正量と適正近接効果補正係数の関係式あるいはその基準テーブルを用いて近接効果補正係数を調整することで、現像ローディングによるパターン疎密の寸法差を精度良く補正することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】パターン疎密差に伴う現像ローディングに起因するフォトマスクの寸法差を容易に低減する。
【解決手段】開口部パターン５の反転パターンにおいて開口部を広げる方向にリサイズした非開口部パターン７を形成し、開口部パターン５については、開口部４部分のレジスト膜３を除去するに十分な露光量でレジスト膜３への描画を行う。非開口部パターン７については、開口部パターン５の密なパターン領域である密部Ｐａと開口部パターン５の疎なパターン領域である疎部Ｐｂとのレジスト溶解量が同等程度となるように密部Ｐａ及び疎部Ｐｂの描画面積密度に基づき設定した非開口部パターン７の露光量でレジスト膜３への描画を行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明はウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法を提供する。
【解決手段】 露光装備でウェーハを露光させるために使うマスクに対する情報を露光装備から算出して、該当のマスクを利用して各ウェーハを露光させるうちに適用された光エネルギー値を算出して、算出された光エネルギー値をデータサーバーに貯藏して、半導体パッケージ内の多数の露光装備から進行されるすべてのウェーハの露光工程に対して同じデータを取合して多数の露光装備によって使われる多数のマスクそれぞれに対して露光エネルギーに対する露出情報を蓄積管理するので、結晶成長、混濁のようなマスク汚染の直接的な原因である露光エネルギーに対するマスクの露出程度を直接的に算出してマスク欠陷を予測して、それによる対策を立てることで半導体収率下落を防止して半導体生産の収率を進めることができる。 （もっと読む）

【目的】過剰な照射量を短縮し、描画時間を短縮して装置のスループットを向上させることが可能な装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ状の複数の小領域の小領域毎に、複数の照射量計算式の中から１つを選択する選択部５６と、小領域毎に、選択された照射量計算式を用いて、当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部７０と、小領域毎に、演算された照射量で当該小領域内に所望のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】現像ローディング効果とエッチングローディング効果による寸法変動の両方を近接効果も補正しながら補正する。
【構成】描画装置１００は、それぞれ異なる近接効果密度の複数のパターン寸法マップデータを入力し、記憶する記憶装置１４２と、マップ位置毎に、照射量関数により得られる照射量で当該マップ位置を描画した際に、一部の近接効果密度ではパターン寸法の寸法誤差が補正され、残りの近接効果密度ではパターン寸法の寸法誤差に補正残りが生じる近接効果補正係数と基準照射量の組を選択する選択部１０と、マップ位置毎に、近接効果密度に依存した補正残りを補正する補正項を演算する補正項演算部１６と、マップ位置毎に、選択された組と補正項とを用いて照射量を演算する照射量演算部１８と、得られた照射量の電子ビームを用いて、基板上に所望のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】面内でレジスト残膜値の異なるレジスト段差構造を精度良く形成することができ、これによって精度の高いマスクパターンを形成できる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に半透光膜と遮光膜、及びそれぞれ異なる分光感度特性を有する第１レジスト層と第２レジスト層を含むレジスト膜が積層されたフォトマスクブランクを準備し、レジスト膜に対して所定の分光特性を持つ第１の露光光を用いて描画し、次いで第１の露光光とは異なる分光特性を持つ第２の露光光を用いて描画後、現像によって、面内でレジスト残膜値の異なる第１レジストパターンを形成し、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜及び半透光膜をエッチングし、第１レジストパターンを所定量減膜させることによって第２レジストパターンを形成し、第２レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】遮光部１と、透光部２と、グレートーン部３とを有するグレートーンマスクの製造方法であって、透明基板上に、少なくとも半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜が順次形成され、レジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、またグレートーン部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程と、現像処理を行い、遮光部とグレートーン部とで残膜値が異なるようなレジストパターンを形成する工程と、レジストが除去された領域に露出する遮光膜をエッチングする工程と、透光部を形成すべき部分上の半透光膜と、半透光部を形成すべき部分上の遮光膜を同時に除去する工程と、レジスト膜を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】マスクの種類が異なる場合であっても、それぞれのマスク内の面内線幅均一性を向上させる。
【解決手段】マスク基板の上面にレジストを塗布することにより構成されたマスクMを載置する可動ステージ10a2aが設けられた描画室10a2と、レジストにパターンを描画するための荷電粒子ビーム10a1bを照射する光学鏡筒10a1とを具備する荷電粒子ビーム描画装置10において、近接効果およびかぶりに基づいて光学鏡筒10a1からレジストへの荷電粒子ビーム10a1bの照射量を補正する荷電粒子ビーム照射量補正部10b1aと、レジストに蓄積される荷電粒子ビーム10a1bの蓄積エネルギーと、レジストに蓄積される荷電粒子ビーム10a1bの蓄積照射量との比である変換係数を、レジスト上のパターン密度と、レジスト上の位置とに基づいて変更する変換係数変更部10b1a2とを設けた。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク面内の回路パターン密度分布に加え、パターン面積密度と寸法変動量の関係式あるいは基準テーブルを用いて照射エネルギー量を調整することで、現像ローディングによるパターン疎密の寸法差を精度良く補正するパターン描画方法を提供する。
【解決手段】算出した各現像ローディング効果小区画における寸法変動量マップと、寸法変動量と照射エネルギー補正量との関係式あるいは基準テーブルから、各現像ローディング効果小区画の照射エネルギー補正量マップを作成するパターン描画方法。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの面内の位置によるパターン寸法の変動バラツキを補正し、さらに、描画を開始してから終了するまでの、真空中のＰＥＤによる寸法の変動を補正することを可能ならしめるフォトマスクのパターンの描画方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電子線によるフォトマスクのパターン描画において、描画開始からの経過時間にしたがって、電子ビーム描画装置のショットサイズに付加するオフセット値を漸次増加、もしくは減少させるオフセット補正を行い、ショットサイズを変更してパターン描画することを特徴とするフォトマスクのパターン描画方法である。 （もっと読む）

【課題】アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること
【解決手段】透光層２、半透光層３及び遮光層４がこの順で積層されたマスクブランクス１’上にフォトレジストＲを塗布し、露光することで第１のレジスト領域Ｒ１と、第２のレジスト領域Ｒ２と、第３のレジスト領域Ｒ３を形成し、第１のレジスト領域Ｒ１を現像液で除去することで、第１の遮光層領域４ａをエッチングするためのマスクを形成し、第１の遮光層領域４ａをエッチングし、半透光層領域３ａをエッチングし、第２のレジスト領域Ｒ２を現像液で除去することで、第２の遮光層領域４ｂをエッチングするためのマスクを第３のレジスト領域Ｒ３によって形成し、第２の遮光層領域４ｂをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を形成せずとも、リソグラフィー時における下地からのハレーションの影響を除去し、所期の寸法のパターンを形成することを可能として、微細化の要請に応じた信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】半導体装置の設計段階において、活性領域の第１のデータに対して、活性領域の少なくとも一部を露出する開口を有するレジストパターンの第２のデータを作成する際に、第２のデータの第１のデータと対向する部分について、予め作成された参照データを用いて、第１のデータとの対向辺の位置を補正する。 （もっと読む）

【課題】表面に変極点のないテーパ形状を形成する。
【解決手段】単位領域５２を、各々の面積が露光装置の分解能に対応する面積より小さい面積の縦４×横４の小領域５４に区画する。また、単位領域５２は、小領域５４の各々が光透過領域５６及び遮光領域５８のいずれかに定められたパターンを有し、各々光透過領域５６及び遮光領域５８の個数が階調に対応する個数に定められている。複数の単位領域５２が、テーパ形状を有する光学素子を製造するための基材の一端から他端に向かって配列された複数の細長領域２００〜２１６の各々に、階調が連続して変化するように配列されると共に、光透過領域５６及び遮光領域５８が隣接して交互に配列されたパターンを有する単位領域５２が配列された細長領域２０８を基準として、露光量が多い側の細長領域２００〜２０７の幅を露光量が少ない側の細長領域２０８〜２１６の幅より広くしたフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】低応力で且つ光学特性の面内均一性に優れた光学膜を提供すること。
【解決手段】本発明に係るサセプタは、主面を含む平面上で該主面を含む平面と端面を含む平面との交線から長さＤだけ内側まで面取りされている基板（厚みＬ）を載置する領域に、高反射率（Ｒ１）領域と低反射率（Ｒ２）領域が設けられている。低反射率領域（３０Ｌ）は、基板の最端部をサセプタ３０の主面上に垂直投影して得られる輪郭内の（Ｌ−Ｄ・ｔａｎθ）・ｔａｎθだけ内側の矩形ｃと（Ｄ＋Ｌ・ｔａｎθ）だけ内側の矩形ｄに挟まれた領域（３０Ｈ）を含む。高反射率領域（３０Ｈ）は、基板の最端部をサセプタ３０の主面上に垂直投影して得られる輪郭より｛Ｄ＋Ｌ・ｔａｎθ＋α（Ｌ・ｔａｎθ）｝（０＜α≦１）だけ内側の矩形ｅの内部領域を含み、外縁は上記（Ｄ＋Ｌ・ｔａｎθ）だけ内側の矩形ｄの内側にある。但し、θは面取り面が基板主面に対して成す角度である。 （もっと読む）

【解決手段】フォトマスク用基板に位相シフト膜を成膜し、更に、該位相シフト膜に高エネルギー線を照射する基板形状調整処理を行って得たフォトマスクブランク又はその製造中間体について、基板形状調整処理後のフォトマスクブランク又はその製造中間体の表面形状を測定し、更に、上記フォトマスクブランク又はその製造中間体から位相シフト膜を除去して、位相シフト膜が除去された処理基板の表面形状を測定し、上記各々の表面形状を比較することによって、上記基板形状調整処理した位相シフト膜の応力による位相シフト膜除去前後のそりの変化を評価するフォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法。
【効果】本発明によれば、基板の形状調整処理後の位相シフト膜が与える基板への応力を、より正確に評価することができる。 （もっと読む）