本発明は、大型フォトマスク即ちレチクルなどのマスク、及び前記マスクのパターンをディスプレイ・パネル又は半導体ウェハなどのワークピースに印刷するウェハ・ステッパ又は投影型露光装置などの露光ステーションを使用したリソグラフィにおける幾何学誤差を予測及び／又は測定し、且つ、修正するための方法及びシステムに関する。ワークピース上にパターンを印刷する際のプロセスの変化を補償する方法には、前記ワークピース上に印刷された前記パターン内の二次元ＣＤプロファイルを決定するステップ、前記二次元ＣＤプロファイル内の変動を等化するための二次元補償ファイルを作成するステップ、及び前記二次元補償ファイルでワークピースをパターニングするステップが含まれている。
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仮想のウエハースとリソグラフのライブラリを使用することで、リソグラフのツールとプロセスのエミュレーションを生産するための技術が開示される。リソグラフ投影イメージ用マシンをエミュレートすることは、イメージマシン、イメージマシンで使用されるレチクル、および層固有のプロセスの特性を決定すること含む。そして、イメージマシン、レチクルおよび層固有のプロセスの特徴を用いて、仮想のウエハー上でエミュレーションを実行する。決定されたマシンの特徴は、露光源、レンズ異常、射出瞳、マシン、振動、校正オフセット、またはレジストを含む。決定されたレチクルの特徴は、明細書で述べたような歪み、臨界寸法、位相伝送エラー、マスククリップ、またはマスク位置を含む。また層固有のプロセスの特徴は、マシンモデル、マシン設定用識別子、およびフィールド露光順を含む。エミュレーション結果は、最適化器に入力でき、そして投影イメージ用マシンに関連する最適な運転条件が決定される。

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集積回路（「ＩＣ」）製造における超解像技術（「ＲＥＴ」）及びプリントプロセスのモデルを生成及び／又は適用するシステム及び方法を含むウェーハイメージモデリング及び予測システム（「ＷＩＭＡＰＳ」）を説明する。ＷＩＭＡＰＳは、ＲＥＴ及びウェーハプリントプロセスの予測において設計者が使用するために効率的なプロセスを提供し、ＲＥＴ及びプリントプロセスを回路設計に適用する前に、設計者が予測プリントシリコン外形をフィルタリングできるようにする。 （もっと読む）

集積回路にわたるフレア・インテンシティの変動を補償する方法と装置とに関する。集積回路の物理層に関するレイアウト記述またはその一部は、隣接タイルのような多数の領域に分割される。各領域におけるフレア・インテンシティの評価が決定される。計算されたフレア・インテンシティ値は、多数の領域に分割される。一実施形態において、レイアウト記述におけるデータ層は、計算されたフレア値の各領域に対して定義される。特定の範囲のフレア値を有するエリアに印刷される特徴は、対応する追加的なデータ層に関連する。追加的なデータ層の各々に関連する特徴は、集積回路において発生する異なるフレア値を補償するために選択または調整される解像度向上技術を用いて解析される。
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本発明は、画像システム（ＩＳ）における画像ぼけ部に関するパラメータを決定する方法であって、前記方法は、前記画像システム（ＩＳ）によって、テストパターン（ＭＴＰ）を有する目的物を照射し、それによって前記テストパターンの画像を形成する方法に関する。前記テストパターン（ＭＴＰ）は、前記画像システム（ＩＳ）の分解能よりも小さな寸法を有しており、これにより、照射器収差から独立してテストパターンの画像が形成される。テストパターン（ＭＴＰ）は孤立パターンであり、これにより、画像は光近接効果を有さない。画像は、画像システム及び／又はぼかされた画像を検出する検出器における確率変動によりぼかされる。画像ぼけ部に関するパラメータは、ぼかされた画像の形状に関するパラメータから決定される。本発明により、レジスト拡散及び／又は焦点雑音が特徴付けられてもよい。マスクを設計する方法において、レジストにおける拡散による画像ぼけ部に関するパラメータが考慮される。本発明によるコンピュータプログラムは、ぼかされた画像の形状に関するパラメータから画像ぼけ部に関するパラメータを決定するステップを実行し得る。

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本発明の一観点によれば、加工部材にパターンを露光するために、少なくとも第１の方向に所定の間隔を有する複数の露光ビームを用いることによって、電磁放射感応層により少なくとも部分的に被覆された加工部材にパターン付与する方法であって、前記所定の間隔が前記第１の方向における初期システム・ピッチに固定されており、前記方法が、第１の方向におけるパターン・ピッチを、システム・ピッチの整数倍となるようにスケーリングする動作と、パターンの寸法を維持するために、第１の方向における初期システム・ピッチを調整されたシステム・ピッチとなるように調整する動作と、露光ビームの所定の間隔を調整されたシステム・ピッチに調整する動作とを含む方法を含んでいる。本発明の他の観点は、詳細な説明、図面、及び特許請求の範囲に反映されている。
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我々はレチクル製造のために限界寸法バイアスを減少させてきた。レチクル基板の放射線阻止層へのパターン転写は、本質的に、パターンがフォトレジストから転写されるハードマスクの使用に左右される。ハードマスクへのパターン転写の間に生じるフォトレジストプルバックは最小にされる。更に、放射線阻止層の反射特性に適合する反射防止特性を持つハードマスク材料が、限界寸法サイズの減少とハードマスク自体におけるパターン特徴部の完全性の改善を可能にする。放射線阻止層上に残った反射防止ハードマスク層は、レクチルが半導体デバイス製造プロセスに用いられる場合に機能性を与える。
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レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法が提供される。１方法は、レチクル設計データがレチクル製造プロセスを使用してどのようにレチクル上にプリントされるかを示す第１シミュレートイメージを生成する段階を含む。また本方法は、第１シミュレートイメージを使用して第２シミュレートイメージを生成する段階を含む。第２シミュレートイメージは、レチクルがウェーハプリントプロセスの１つ又はそれ以上のパラメータの種々の値でどのようにウェーハ上にプリントされるかを示す。更に、第２シミュレートイメージを使用してレチクル設計データにおける欠陥を検出する段階を含む。別の方法は、種々の値の関数として第２シミュレートイメージの特性における変化率を求める段階に加えて上述の生成ステップを含む。この方法はまた、変化率に基づいてレチクル設計データにおける欠陥を検出する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】３次元形状を露光によって形成するための露光用マスクとして簡単な構成でしかも十分な階調数を得るようにすること。
【解決手段】本発明は、露光装置Ｓで用いられ露光用のマスクＭにおいて、露光装置Ｓから出射される光を遮断する遮光パターンと、この光を透過する透過パターンとの対から構成されるパターンブロックが複数連続して配置されているとともに、その連続するパターンブロックのピッチが一定で、しかも遮光パターンと透過パターンとの比率が徐々に変化するよう設けられている。 （もっと読む）

位相シフト・フォトマスク、およびウェハ上の構造の印刷性を向上させるための方法が開示される。その方法は、基板の上面に形成されたゼロ度ＰＳＷ、および基板の第１領域に形成された１８０度ＰＳＷを備えるフォトマスクを提供するステップを含む。リソグラフィ・プロセス中に基板の第２の領域全体にわたって、増加された強度の放射エネルギーの投影を促進させる直交ＰＳＷは、ゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷの間の第２の領域に形成される。
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本発明は、露光装置での使用を対象とするオブジェクトの表面にパターンを書き込むための方法であって、表面を備えた厚さＴのオブジェクトをパターン生成装置のステージの上に配置するステップと、表面を多数の測定ポイントに分割するステップであって、隣接する２つの測定ポイントが所定の最大距離を越えない距離Ｐで間を隔てられているステップと、各測定ポイントにおける表面の勾配を決定するステップと、各測定ポイントのｘ−ｙ平面における二次元局部オフセットｄを勾配及びオブジェクトの厚さＴの関数として計算するステップと、前記表面に書き込むパターンを、二次元局部オフセットｄを使用して修正するステップとを含む方法に関する。本発明はまた、パターン生成装置、オブジェクトの表面の物理特性を測定するための方法及び装置に関する。
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マスクパターンとして透過性基板１００上に設けられたパターン１２１は部分パターン１２１Ａ及び１２１Ｂを有する。部分パターン１２１Ａ及１２１Ｂはそれぞれ、透光部を基準として露光光を反対位相で透過させる位相シフター１０２と該位相シフター１０２を囲む遮光部１０１とからなるマスクエンハンサー構造を持つ。部分パターン１２１Ａは、透光部を挟んで所定の寸法以下の距離で他のパターン１２２及び１２３と近接している。部分パターン１２１Ａの位相シフター１０２Ａの幅は、部分パターン１２１Ｂの位相シフター１０２Ｂの幅よりも小さい。
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本発明は、限界寸法変化を低減し、レチクル、マスク又はウェハなどの基板にパターン形成し、ＣＤ均一性を改善する方法に関する。具体的には、本発明は、マルチ・パス描画方式のパスにおいて加える線量を、基板に施されるレジスト又は放射感応層の測定可能な特性値に調整することに関する。具体的な描画処理を説明する。本発明の態様は、特許請求の範囲、明細書及び図面に記載する。
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対応するフォトマスクのＣＤを補正することにより、ウェハのパターン線の臨界寸法（ＣＤ）の変動を補償するための方法。フォトマスクは、２つのほぼ対向する面、すなわち、第１の背面および第２の前面を有する透明基板を有し、前面上には吸収性コーティングが塗布され、パターン線のところのコーティングを除去することによりパターン線がすでに形成されている。この方法は、フォトマスクに関連するウェハ露光フィールドの領域を横切ってＣＤ変動を決定するステップと、所定の目標値より大きなＣＤ変動が決定されたウェハ露光フィールドの領域と相関する領域内のフォトマスクの基板内に遮光素子（ＳＥ）を供給するステップとを含み、それにより、遮光素子が、領域を通過する光を減衰してウェハ上のＣＤ変動を補償し、従って、改善されたＣＤ許容ウェハを供給する。 （もっと読む）

【課題】 ＰＣ用ＣＡＤソフトとプリンタを用いてグレイスケールマスクを作製する方法と、そのマスクと感光性ガラスとを用いて３次元微細加工を行う方法。
【解決手段】 インクジェットプリンター等を用いて、黒画素の粗密で表現された濃淡パターンとして透明シート等上に原画を印刷し、その原画を縮小投影光学系を用いて、原画の各画素の像がぼけて隣接する画素の像と平均化されて解像できない倍率で写真感材に複写することにより作製されたグレイスケールマスク２０を、露光量に応じてエッチング量が異なる感光性ガラス２１に接触させ、グレイスケールマスク２０を介して感光性ガラス２１が感度を有する光２３を照射し、その後、感光性ガラス２１を所定のエッチング溶液でエッチングすることにより感光性ガラス２１の表面に３次元微細加工を施す。 （もっと読む）

【課題】 レジスト型遮光膜マスクにおいては、現像のみでパタン短寸法が決定されるため寸法ばらつき、平均値の変動が小さくならないという課題があった。
【解決手段】 描画パタンに対して、寸法バイアスを入れる。このとき、寸法バイアス量は描画時のビーム照射量に対する寸法変化が最小となる照射量での寸法誤差分に設定する。又、予め遮光膜部分の短寸法を大きく形成し、酸素プラズマを使用したライトアッシングにより、所望の寸法を得る。これらの手段により、レジスト型遮光膜マスクにおいても低コストで歩留まり良く、所望の短寸法精度でマスク製作が可能となった。 （もっと読む）