【課題】半導体ウェーハ上に保護障壁構造をパターニングするために用いられる構造を備え、マスク中の領域が絶縁されたリソグラフィマスクを提供する。
【解決手段】導体で構成されており、溝を有する第１層と、領域、セクション及びそのセクションを囲む溝状透明構造を含む第２層とを具備し、前記第１層と第２層とが、前記第２層における電気的ポテンシャルの差を減少させるように形成されており、前記溝状透明構造が、前記セクションと前記領域とを分離するものであり、前記第１層と第２層の材料が、前記セクションと前記領域との間に電気的ポテンシャルの差が生じないように選択した。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光装置の静電チャック吸着時に平坦度の低下を抑制することのできる反射型マスクブランクを提供することにある。
【解決手段】ＥＵＶ光を反射するＥＵＶ反射層１３と、ＥＵＶ反射層１３の上に形成されたＥＵＶ吸収層１４と、ＥＵＶ反射層１３を介してＥＵＶ吸収層１４を支持する基板１２とを備えた反射型マスクブランクは、ＥＵＶ反射層１３と反対側の基板１２の裏面に第１導電膜１０を有しているとともに、第１導電膜１０と電気的に導通しない第２導電膜１１を基板１２の各側面に有している。そして、第１導電膜１０は静電チャックの裏面側静電吸着と静電吸着し、第２導電膜１１は静電チャックの側面側静電吸着と静電吸着する。 （もっと読む）

【課題】反射型マスクの裏面に形成された導電膜と、マスク固定用の静電チャックとの接合の結果、発生する異物や接合面の劣化を防止できる反射型マスクおよび露光装置を提供する。
【解決手段】ＥＵＶマスク１２は、基材上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜及び吸収膜を形成し、基材の裏面に導電膜及び保護被膜を均一に塗布したもので、ＥＵＶ露光装置のマスクステージ１３に吸着させる。ＥＵＶマスク１２と露光装置内の静電チャックが、炭素原子を基本骨格とする保護被膜を介して接触することで、ＥＵＶマスク裏面の導電膜と静電チャック双方の表面劣化、異物の発生、固着を防ぐ。同時に、静電チャック側に残留した異物は装置内で洗浄用光源１７からエネルギー線１８を照射することで除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、フレア補正されたＥＵＶリソグラフィ用のマスクを用いることにより、所望する電気的特性を有し、微細でかつ寸法精度の高い集積回路を実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲートマスクパターンとフレア補正用ダミーマスクパターンとを有する転写用ゲート層マスクパターンが形成されたマスクを用いて、半導体基板１の主面に形成された導電体膜上にレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクとして導電体材料をエッチングすることにより、ゲート電極５およびダミーパターン６を形成するが、ダミーパターン６は、アイソレーション２上のみに配置し、アイソレーション２により画された活性領域上には形成しない。 （もっと読む）

【課題】裏面導電膜からの真空紫外領域の反射光を抑制することができるＥＵＶマスクブランクス用の導電膜付基板の提供。
【解決手段】ガラス基板上に導電膜が形成された、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であって、前記ガラス基板と前記導電膜との間に中間膜を有し、前記中間膜は、波長１９０ｎｍ〜４００ｎｍに対して、屈折率（ｎ）が１．４７から３．００の範囲で、消衰係数（ｋ）が０から１．０の範囲であり、前記中間膜および前記導電膜の合計膜厚が５０〜２００ｎｍであることを特徴とする導電膜付基板。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成されている膜と、裏面に形成されている膜との導通を消失させることにより、反射層や吸収層を作成する際における層表面や層中へのパーティクルの付着を防止でき、結果的に欠点を減少させることが可能な反射層付き基板およびＥＵＶマスクブランクの提供。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される反射層付き基板であって、前記反射層が形成されている面とは反対の面に、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層を有し、かつ前記反射層と前記チャック層とは導通がないことを特徴とする反射層付き基板。 （もっと読む）

【課題】成膜時のガラス基板側面への膜材料の付着を抑制することができ、かつ、製造時の欠陥を抑制することができるＥＵＶマスクブランクスの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０の側面全周を覆うように前記ガラス基板の側方に配置される側面保護板２０、および、前記ガラス基板の成膜面１１の外縁部を覆うように前記ガラス基板の上方に配置される遮蔽板３０を用いて、前記ガラス基板上に前記反射層および前記吸収層を少なくともこの順にスパッタリングして形成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクを製造する際のＥＵＶマスク裏面の汚染を防止する基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＥＵＶマスクの形成に用いられる基板１００として、一方の主面に導電性膜Ｍが形成されるとともに他方の主面に反射膜１およびレジストＲ１が塗布されたマスク基板を、レジストＲ１側から露光する露光ステップと、導電性膜Ｍの表面にＵＶ光を照射することによって導電性膜Ｍの表面を親水化処理する親水化ステップと、導電性膜Ｍの表面が親水化処理されたマスク基板に対しレジストＲ１，Ｒ２を現像処理する現像ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】反射型露光用マスクブランクに形成された反射型露光用マスクを用いたＥＵＶＬにおいて、歩留まりを向上させる。
【解決手段】ＥＵＶＬ用の反射型露光用マスクＭＳＫ１は、マスク基板ＳＵＢ１上に順に形成された、低反射率導体膜ＬＥ１、多層反射膜ＭＬ１、および、吸収体ＡＢ１を有する。この低反射率導体膜ＬＥ１は、ＥＵＶ光に対する反射率が、多層反射膜ＭＬ１および吸収体ＡＢ１よりも低い。また、吸収体ＡＢ１は、マスク基板ＳＵＢ１のパターン領域ＲＰ１において、吸収体パターンＰＡ１を形成している。更に、多層反射膜ＭＬ１は、パターン領域ＲＰ１の外周を囲む部分を溝状に除去することで形成された遮光帯ＳＤ１を有している。この溝状の遮光帯ＳＤ１の底部では、低反射率導体膜ＬＥ１が露出されている。 （もっと読む）

【課題】 多階調フォトマスクの半透光膜が減膜して透過率が変化する際における局所的な減膜量の変化を抑制し、光透過率の面内均一性を向上させる。
【解決手段】 導電性を有する導電性膜、半透光膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、フォトマスクブランク上に形成した第１レジストパターンをマスクとして、少なくとも遮光膜をエッチングする第１エッチング工程と、第１レジストパターンを除去したのち、第１エッチング工程の行われたフォトマスクブランク上に第２レジストパターンを形成し、第２レジストパターン及び遮光膜をマスクとして半透光膜をエッチングする第２エッチング工程と、第２レジストパターンを除去したのち、露出した半透光膜を所定量減膜する減膜工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】寸法制御性を向上させることが可能な光反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１１と、基板の上面に形成された光反射層１２と、光反射層上に形成され、所望のパターンを有する光吸収層１３と、基板の下面に形成された導電層１４と、基板の側面に形成され、光吸収層と導電層とを電気的に接続する導電部１４ａとを備え、導電部は、光吸収層のパターンに応じて配置されている。 （もっと読む）

【課題】 転写パターンの形状によらず遮光膜の面内におけるエッチングレートを均一化させ、多階調フォトマスクの品質を向上させ、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】 遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、導電性を有するエッチングバランサ膜、半透光膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、半透光部は、エッチングバランサ膜及び半透光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、透光部は、透明基板が露出してなる。 （もっと読む）

【課題】障壁構造の内部または外部に配置されるパターンを製造する際に互いに絶縁された異なる領域の異なる荷電状態に起因して異なるレートでエッチングされる問題を解決する。
【解決手段】溝を含む第１の層３１と、領域を含む第２の層３２と、セクションと、前記セクションを囲う溝状透明構造を含んでおり、前記第１の層３１と第２の層３２とが、第２の層３２において生じる電気的ポテンシャルの差を減少させるように形成されているリソグラフィマスク。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単なフォトマスク基板の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスク基板の作製方法は、透明基板１００の第１面１１０に第１面遮光層１１１を設ける工程と、前記第１面遮光層１１１に所定の第１面開口パターン１１２を形成する工程と、前記透明基板１００の第２面１２０に第２遮光層１２１を設ける工程と、前記第２遮光層１２１に所定の第２面開口パターン１２２を形成する工程と、前記第２面開口パターン１２２で前記透明基板１００が露出している部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その厚みが均一であり、反射型マスクとされた際に露光装置の静電チャックへ装着した場合の平坦性が高く、高いパターン転写精度を実現することが可能な反射型マスクブランクスを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記中間層上に形成された吸収層と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクブランクスであって、上記反射型マスクブランクスの厚みが均一となるように、上記導電膜の膜厚分布が調整されていることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

静電気放電保護特徴を有するフォトリソグラフィレクチルを提供する。フォトリソグラフィレクチルは、溶融シリカ等の透明基材上のクロム構造等の金属構造から形成され得る。レクチル上の金属構造のうちのいくつかは、反復焼き付けリソグラフィツールでレクチルを使用する時に製作される、集積回路上のトランジスタおよび他の電子デバイスに対応する。これらの金属デバイス構造は、レクチルの取り扱い中の静電荷蓄積による損傷の影響を受けやすい場合がある。損傷を防止するために、ダミーリング構造が、デバイス構造の付近に形成される。ダミーリング構造は、静電気放電の場合において、損傷が、重要ではないレクチルの部分に限定されるように、デバイス構造よりも静電気放電に対して敏感に構築され得る。
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反射レチクルは、ＥＵＶ放射の吸収から生じるパターン歪みを実質的に減少または除去する一方、業界基準と一致するレチクルの厚さを維持する。反射レチクルは、超低膨張（ＵＬＥ）ガラス層およびＵＬＥガラスの熱伝導率より実質的に大きい熱伝導率を有するコーディエライトの基板を含む。アルミニウム層はＵＬＥガラスの第１表面上に配置され、かつＵＬＥガラスの第２表面は実質的に平坦および欠陥を有さないように研磨される。コーディエライト基板は、陽極結合を用いてアルミニウム層に直接結合されて反射レチクルを形成することができる。あるいは、中間ゼロデュア層の第１表面をアルミニウム層に結合し、第２アルミニウム層を用いてコーディエライト基板をゼロデュア層の第２表面に陽極結合し、それによって反射レチクルを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】遮光膜及び半透光膜が互いに接してエッチング液に晒された場合に生じることのある弊害を回避し得るマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、露光光の一部を透過する半透光膜と露光光を遮光する遮光膜を順不同で有し、前記半透光膜と前記遮光膜にそれぞれウエットエッチングによるパターニングが施されることにより、露光光を透過する透光部、露光光を一部透過する半透光部、露光光を遮光する遮光部が形成された多階調フォトマスクにおいて、
前記遮光膜及び前記半透光膜のうちの少なくとも一方の膜は非導電性材料からなる、又は、前記遮光膜及び前記半透光膜のうちの少なくとも一方の膜において少なくともこれらの膜が互いに接触する面を含む一定厚さの層は非導電性材料からなる、ことを特徴とする多階調フォトマスク。 （もっと読む）

【課題】導電膜による薄膜層の撓みの影響を抑制するステンシルマスクを製造するのに好適なステンシルマスク製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、支持層と、前記支持層上に設けたエッチングストッパ層と、前記エッチングストッパ層上に設けた薄膜層と、を備えた基板を用意する工程と、
前記基板の支持層を研磨する工程と、前記基板の薄膜層に貫通孔パターンを形成する工程と、前記支持層に開口部を設け、支持層とする工程と、前記基板の全面に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とするステンシルマスク製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アライメントマークを透過によって検出することが可能なＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成された吸収体と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクであって、上記吸収体のパターンが回路パターンとアライメントマークとを構成し、上記アライメントマークが配置されているアライメント領域では上記基板の他方の面が露出していることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）