【解決手段】透明基板と、遷移金属、ケイ素、窒素及び酸素を含有する材料からなるハーフトーン位相シフト膜パターンとを有し、ハーフトーン位相シフト膜パターンの組成が、遷移金属とケイ素との原子比（Ｍｅｔ／Ｓｉ）が０．１８以上０．２５以下、窒素含有率が２５原子％以上５０原子％以下、かつ酸素含有率が５原子％以上２０原子％以下であり、累積１０ｋＪ／ｃｍ²以上のＡｒＦエキシマレーザー光が照射されたハーフトーン位相シフトマスクを用い、ＡｒＦエキシマレーザー光を光源として、光パターンを照射する。
【効果】従来と比べて、光パターンの大幅なパターン寸法変動劣化なしに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を長時間実施することができる。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリント用テンプレートの欠陥部を荷電ビームにより修正する欠陥修正方法であって、荷電ビームによる電荷の滞留を低減し、電荷滞留による修正箇所の位置ずれがなく所望の欠陥修正をすることが可能な欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】テンプレートの欠陥部を含む一主面上に導電性高分子を塗布して導電膜を形成する工程と、前記導電膜を形成したテンプレートを走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、欠陥検査装置の検査データをもとにして前記欠陥部を検出し、欠陥部の修正すべき領域を決定する工程と、修正すべき領域に荷電ビームを照射し、修正すべき領域の導電膜部分を除去し、欠陥部を露出させる工程と、露出させた欠陥部にアシストガスを吹き付けながら荷電ビームを照射し、欠陥部をエッチングして修正する工程と、導電膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ耐力が異なる欠陥を１台で修正可能なリペア装置、およびリペア方法を提供する。
【解決手段】本発明の位置決め装置は、載置ステージと、対象物を撮像する撮像部と、差画像データにより欠陥を抽出する第１欠陥抽出部と、レーザ照射範囲を設定するレーザ形状制御部と、レーザ光を照射する光源と、前記レーザ形状制御部が設定した照射範囲にレーザ光を照射する第１光学系と、差画像データと輝度情報により、欠陥を抽出する第２欠陥抽出部と、前記第２欠陥抽出部が抽出した欠陥の一部にスポット照射する第２光学系と、前記光源から照射されたレーザ光の光路を、前記第１光学系と前記第２光学系とに切り替える切替部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】波長が１３．５ｎｍ付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体集積回路装置の製造技術を提供する。
【解決手段】位相欠陥２１１が生じている開口パターン２０４の近傍の吸収層２０３に、開口パターン２０４よりも微細な開口径を有する補助パターン３０１を形成する。この補助パターン３０１は、ウエハ上のフォトレジスト膜に開口パターン２０４を転写する際の露光光量を調整するためのパターンである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、位相欠陥による転写パターンへの影響を正確に把握することが可能な反射型マスクの欠陥修正方法および製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層と、上記多層膜の位相欠陥とを有する反射型マスクの欠陥修正方法であって、上記位相欠陥をＥＵＶ光で観察し、光学像から、上記多層膜の厚み方向に対する上記位相欠陥の傾きを含む上記位相欠陥の情報を取得する観察工程と、上記位相欠陥の情報に基づいて、上記位相欠陥を修正する修正工程とを有することを特徴とする反射型マスクの欠陥修正方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン酸化物加工方法に関し、有害物質を用いることなく且つ加工屑を発生させることなく、シリコン酸化物の微細加工を可能にする。
【解決手段】 シリコン酸化物からなる被加工物上に水素と６個以上の炭素を含む有機化合物を供給しながら、エネルギビームを照射して、照射部位における前記シリコン酸化物をシリコン含有炭素化合物に変換し、前記変換したシリコン含有炭素化合物をハロゲンを含まない雰囲気中で化学反応により除去する。 （もっと読む）

【課題】 パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置に関し、炭素系汚染の洗浄プロセスにおける欠陥修正材料の消失を防止する。
【解決手段】 減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子照射による欠陥修正技術を好適に適用できるとともに、電磁界（EMF: ElectroMagnetics Field）効果に起因するバイアスを小さくすることのできるマスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層構造からなり、前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、かつ窒素含有量が２１原子％以上であり、かつ屈折率ｎが１．９以下である材料からなり、前記上層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、屈折率ｎが２．１以下である材料からなり、前記上層の表層は、酸素を含有しており、窒素含有量が１４原子％以上であることを特徴とするマスクブランク１０。 （もっと読む）

【課題】ＥＢ欠陥修正を好適に適用でき、なお且つ遮光膜の薄膜化を可能とするマスクブランクを提供する。
【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板１上に遮光膜２を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とする下層と、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とする上層の少なくとも二層構造からなる。対象部分にフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射して行うエッチングにおける上層のエッチングレートに対する下層のエッチングレートの比が１．０以上５．０以下である。 （もっと読む）

【課題】高精細なパターンの欠陥部を簡単な構成で修正することが可能な低価格のパターン修正装置を提供する。
【解決手段】このパターン修正装置１は、レーザ光の照射形状を所定形状に整形するスリット３７と、スリット３７によって整形されたレーザ光を基板１２の表面に集光する対物レンズ２５と、スリット３７の位置を調整し、対物レンズ２５によって集光されたレーザ光の照射位置を欠陥部１３ａに移動させる駆動部３５，３６とを備える。したがって、ＸＹテーブル３によってレーザ光の照射位置を移動させていた従来に比べ、装置構成の簡単化、装置の低コスト化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＢ欠陥修正を好適に適用でき、なお且つ遮光膜の薄膜化を可能とするマスクブランクを提供する。
【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板１上に遮光膜２を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、遷移金属及びケイ素に更に酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする。この遮光膜は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けない状態におけるエッチングレートが０．３ｎｍ／ｓｅｃ以下である。 （もっと読む）

【課題】修正装置による修正が困難な微細パターンに生じた欠陥を精度良く修正することが可能な欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた余剰欠陥を、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法である。上記透光部にある余剰欠陥と、この余剰欠陥をもつ透光部に隣接する遮光部の遮光膜の一部を同時に除去する膜除去工程と、該膜除去工程において除去された遮光部における遮光膜の一部を含む領域に、遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する膜形成工程とを含み、該膜形成工程において行われる膜形成は、欠陥修正装置による一回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より大きい幅をもつ遮光部に対して行われる。 （もっと読む）

【課題】黒欠陥修正後、経時的な欠陥修正部のパターン形状の変化を抑制するフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】露光光を透過する基板３と、前記基板３上に、金属化合物を含有しパターン状に形成された遮光層２とを有する透過型フォトマスク１の製造方法であって、前記遮光層２上にレジスト層を形成し、前記レジスト層にパターン描画及び現像を行いレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンにより前記遮光層２をエッチングし、前記レジストパターンを除去することにより前記遮光層２のパターンを形成する工程と、前記遮光層２の黒欠陥部分をガスアシストエッチングした直後、前記ガスアシストエッチング部分に皮膜１１形成による表面処理を行う工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザを用いてハーフトーンマスクの欠陥を除去し、欠陥部領域に遮断膜を効率良く形成でき、遮断膜の膜厚を調節し、ペリクル膜が形成された後も欠陥の除去が可能な機能とともに、リアルタイムで透過率を調節してリペア工程を行うことができるようにし、リペア部位の透過率の均一性を保障できるリペア方法及びそのシステムに関する。
【解決手段】本発明のハーフトーンマスクリペア方法は、原料物質にレーザを照射して半透過層の欠陥部位に蒸着することにより、ハーフトーンマスクの半透過領域の欠陥部位をリペアする。 （もっと読む）

【課題】パターン領域の周辺に吸収層を積層した遮光領域を設けた反射型マスクの製造において、マスク製造のスループットを低下させず、正常パターンや反射層に損傷を与えることなく、修正痕を残さずに欠陥修正を行い、高品質のマスクを製造することができる反射型マスクの製造方法およびそれに適したマスクブランクを提供する。
【解決手段】第１の吸収層上に第２の吸収層が積層された吸収層上にハードマスクを設け、パターン領域のハードマスク、第２の吸収層、第１の吸収層をエッチングしてパターン化した後、前記パターン領域の外観欠陥検査を行い、黒欠陥部がある場合には、前記反射層に損傷が生じない程度の厚さに前記黒欠陥部の下層の前記第１の吸収層の厚さを残して前期黒欠陥部を修正し、前記黒欠陥部の修正残りの前記第１の吸収層をエッチングして除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光用反射型マスクの製造において、スループットを低下させずに、正常パターンや反射層に損傷を与えず、修正痕を残さずに、微細パターンの修正を精度良く行ってマスクを製造することができる反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】ハードマスク層を備えた反射型マスクブランクを準備し、前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成し、前記ハードマスクパターンをマスクとして前記吸収層をエッチングして吸収層パターンを形成し、前記ハードマスクパターンおよび前記バッファ層をエッチングする工程を含む反射型マスクの製造方法であって、前記ハードマスクパターンを形成した後、前記吸収層のエッチングを２回に分けて行い、１回目の前記吸収層のエッチングを行った後、洗浄し、次に２回目の前記吸収層のエッチングを行って前記吸収層パターンを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料や形状、サイズ、付着状態等が様々な態様の異物欠陥に対して、安定で確実な欠陥修正を行えるフォトマスク用欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク上の異物欠陥を複数のプローブを用いて除去するフォトマスクの欠陥修正方法である。つまり、複数のプローブを用意し、そのうちの少なくとも２つのプローブをフォトマスク表面上にある異物に対して同時に接触させ、異物を少なくとも異なる３箇所で保持し、保持した前記異物をフォトマスク表面から遠ざけることにより、フォトマスク上の異物欠陥を除去して修正する。 （もっと読む）

【課題】ハーフトーン型位相シフトマスクの黒欠陥修正において、スループットを低下させずに、ガラス基板や他のハーフトーンパターンに損傷を与えず、修正痕を残さずに、微細パターンの修正を精度良く行うことができる位相シフトマスクの修正方法および修正された位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】ハーフトーン型位相シフトマスクを製造する工程において、ハーフトーン層に生じた位相シフトマスクの黒欠陥を修正する位相シフトマスクの修正方法であって、前記ハーフトーン層２１のエッチングをエッチング途中で一旦中断してハーフエッチング状態とし、前記ハーフエッチング状態で前記ハーフトーン層２１の黒欠陥７１の検査および修正をし、次に残りのハーフトーン層２１を前記透明基板１１面までエッチングしてハーフトーンパターン２２を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザー光やイオンビームを用いたフォトマスクの黒欠陥部の修正方法において生じる、ガラス基板ダメージ、ガリウムステイン、リバーベッド、透過率低下等の問題のない修正方法を提供する。
【解決手段】黒欠陥部３の下がガラス基板１であり、フォトマスク上にポジ型レジストを塗布してレジスト膜４を形成する工程と、該レジスト膜４を形成したフォトマスク基板を走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、前記黒欠陥部の二次電子像を取り込み修正すべき領域を決定する工程と、前記修正すべき領域にアシストガス７を吹きつけながら電子線８を照射し、修正すべき領域のレジスト部分を除去し黒欠陥部３を露出する工程と、該露出した黒欠陥部３をエッチング除去する工程と、前記レジスト膜４を除去する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によって流動しやすくなる条状の付着物を確実に、しかも基板の性能を損なわないように除去する。
【解決手段】照射部２３からレーザＬを基板９０上の条状付着物９１に照射する。移動機構５１ｙによって、レーザＬの照射スポットＳｐを条状付着物９１ｙの延びる方向に相対移動させる第１処理動作と、照射スポットＳｐを第１処理動作での移動軌跡と並行に相対移動させる第２処理動作とを交互に行ない、かつ、偏位機構５１ｘによって、第１処理動作では、照射スポットＳｐを条状付着物９１ｙの幅方向の一側に偏らせ、第２処理動作では、照射スポットＳｐを条状付着物９１の幅方向の他側に偏らせる。好ましくは、第１処理動作と第２処理動作の切り替えの度に、ずれ幅を前回の切り替え時のずれ幅より小さくする。 （もっと読む）