【課題】ナノインプリント用テンプレートの欠陥部を荷電ビームにより修正する欠陥修正方法であって、荷電ビームによる電荷の滞留を低減し、電荷滞留による修正箇所の位置ずれがなく所望の欠陥修正をすることが可能な欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】テンプレートの欠陥部を含む一主面上に導電性高分子を塗布して導電膜を形成する工程と、前記導電膜を形成したテンプレートを走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、欠陥検査装置の検査データをもとにして前記欠陥部を検出し、欠陥部の修正すべき領域を決定する工程と、修正すべき領域に荷電ビームを照射し、修正すべき領域の導電膜部分を除去し、欠陥部を露出させる工程と、露出させた欠陥部にアシストガスを吹き付けながら荷電ビームを照射し、欠陥部をエッチングして修正する工程と、導電膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置に関し、炭素系汚染の洗浄プロセスにおける欠陥修正材料の消失を防止する。
【解決手段】 減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、堆積膜形成により白欠陥が修正された反射型マスクであって、転写特性の良好な反射型マスク、およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収体とを有する反射型マスクであって、上記吸収体が、吸収層と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に形成され、上記吸収層よりも厚い堆積膜とを有し、上記堆積膜が非金属系材料を含有し、上記堆積膜の厚みが１２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であり、上記堆積膜の側面での上記堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、上記基板面に対して垂直な線とのなす角度が６度〜４０度の範囲内であることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタミネーションクリーニングを行っても転写特性を維持することが可能であり、白欠陥を良好に修正することが可能な反射型マスク、反射型マスクの製造方法、および反射型マスク欠陥修正装置を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記吸収層の膜厚不足に起因する白欠陥部に位置する上記多層膜の周期構造の規則性が乱された修正部を有し、上記白欠陥部に位置する上記吸収層が当初から設けられているものであることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ用マスクにおいて、効率よくかつ精度よくマスク欠陥の修正を行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】マスクブランクに対して位相欠陥検査を行い、マスクブランクに存在する位相欠陥の座標を特定した後、マスクブランクの表面に吸収体パターンを形成する。次いで、特定された座標で示される位相欠陥を含む領域の吸収体パターンを除去した後、吸収体パターンが除去された領域の光学像を計測し、その光学像に基づいて修正用の吸収体補償膜の形状を計算し、さらに、その吸収体補償膜の形状に基づいて、マスクブランクの表面の吸収体パターンが除去された領域に吸収体補償パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】難除去薄膜の問題を回避しつつ、露光後の酸化洗浄にも耐性を有する材料を用いてＥＵＶマスクの白欠陥を修正する方法を提供する。
【解決手段】反射層（１２）とその上に形成された吸収パターン（１１）と含んだＥＵＶマスクの白欠陥（１３）を修正する方法である。前記白欠陥に隣接する反射層に、酸素ラジカルにより除去可能な修正補助膜（１４）を形成する工程と、前記白欠陥にＳｉ含有材料または金属含有材料を埋め込んで、白欠陥修正膜（１５）を形成する工程と、前記修正補助膜を酸素ラジカルにより除去して、前記反射層を露出する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザを用いてハーフトーンマスクの欠陥を除去し、欠陥部領域に遮断膜を効率良く形成でき、遮断膜の膜厚を調節し、ペリクル膜が形成された後も欠陥の除去が可能な機能とともに、リアルタイムで透過率を調節してリペア工程を行うことができるようにし、リペア部位の透過率の均一性を保障できるリペア方法及びそのシステムに関する。
【解決手段】本発明のハーフトーンマスクリペア方法は、原料物質にレーザを照射して半透過層の欠陥部位に蒸着することにより、ハーフトーンマスクの半透過領域の欠陥部位をリペアする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクがダメージを受けることなく、精度よく、白欠陥の修正を可能とする、近接場光を用いたマスクパターンの白欠陥修正方法およびマスクパターンを提供する。
【解決手段】マスクパターンに発生した白欠陥３を修正する方法であって、処理室内に導入した原料ガスを、該白欠陥部３近傍に存在する近接場光５によって分解し、該白欠陥部に薄膜を形成することによって修正を行うことを特徴とするマスクパターンの白欠陥修正方法および該方法により得られるマスクパターン。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタミネーションクリーニングを行っても転写特性を維持することが可能であり、白欠陥を良好に修正することが可能な反射型マスクおよびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記多層膜上に上記吸収層が形成されている吸収領域と、上記多層膜上に上記吸収層が形成されていない反射領域と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に位置する上記多層膜が除去された白欠陥修正領域とを有し、上記吸収領域および上記白欠陥修正領域が隣接するパターンを有することを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】白欠陥の補正が、やり直し可能なマスク修正方法を提供する。
【解決手段】実質的に光を遮光する第１領域と、実質的に光を透過する第２領域とを有するマスクの白欠陥を修正するマスク修正方法において、第２領域上であって白欠陥部の近傍に形成され、白欠陥部の近傍の透過率が、白欠陥部が存在しないときに得られる第１透過率になるように透過率を調整する補助パターンを求める工程と、補助パターンを形成し、白欠陥部の近傍の第２透過率を求める工程と、第１透過率と第２透過率とを比較し、比較結果が基準値を満たすか否かを判定する工程と、比較結果が基準値を満たさない場合、比較結果が基準値を満たすように、比較結果に応じて補助パターンを修正または変更する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタミネーションクリーニングによる堆積膜（白欠陥修正箇所）の体積縮小を抑制することが可能な反射型マスクおよびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収体とを有する反射型マスクであって、上記吸収体が、吸収層と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に形成された堆積膜とを有し、上記堆積膜が、集束イオンビームのイオン源となる金属を５原子百分率以上含有することを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスク上のハーフトーン領域の白欠陥部分の修正に適用した場合に、欠陥修正部分の透過率を十分に均一化すること。
【解決手段】 レーザ発振器から射出されるレーザ光を、光軸前方に静止して設けられた開口を通過させたのち、対物レンズで集光することにより、反応ガス雰囲気中に置かれた試料表面に照射すると共に、前記開口へと入射されるレーザ光の光軸を前記開口に対して揺動させることにより、試料表面上における照射光強度を時間平均作用によって均一化するとき、前記開口へ入射されるレーザ光の径を前記開口の幅よりも十分に小さく設定すると共に、前記レーザ光の光軸を前記開口の幅よりも大きな振幅で揺動させる。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンが形成されたリソグラフィ原版についても、異物を除去することができるリソグラフィ原版の異物除去方法及びこの異物除去方法を用いたリソグラフィ原版の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクに付着した異物の除去方法であって、電子ビームが照射されることにより異物Ｐ又はフォトマスクの凹部１３の底面がエッチングされるようなエッチングガス雰囲気中において、異物Ｐに電子ビームを照射する。又は、電子ビームが照射されることにより固体材料が生成されるデポジションガス雰囲気中において、異物Ｐに電子ビームを照射して異物Ｐ上に固体材料を堆積させ、この固体材料に対してＡＦＭの探針により力を印加する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は投影露光用フォトマスクやナノインプリントモールドの欠陥修正方法、特に白欠陥、欠落欠陥の修正方法に関するもので、危険を伴わず、汎用的な部材の構成でフォトマスクの製造工程として実用出来るフォトマスク等の欠陥修正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
走査プローブ顕微鏡のプローブ先端に蒸着法により前駆体Ａの薄膜を形成する工程、前駆体Ａの薄膜を形成したプローブ先端を修正するフォトマスク等の欠陥部に接触させ前駆体Ａを転移させる工程、欠陥部に転移した前駆体Ａを、前駆体Ｂを含む雰囲気中で加熱し修正膜Ｃに転換する工程、で構成される。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクの修正工程において、修正半透光膜の形成時に生じ
うる透過率の異常部の発生を必要な範囲で防止する。
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多階調フォトマスク１０は、透明基板上に透光部と、遮光部と半透光
部とが設けられている。このうち、半透光部は半透光膜のパターン４ａにより形成され
る。この半透光膜は、相対的にエネルギー密度の異なる少なくとも２以上の条件でレ
ーザーザッピングが行われており、低エネルギー照射部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】繰り返し操作をすることなく、簡単な工程で、断線しているパターン（配線）の欠陥部に対して、均一な膜厚の修正層を形成し、修正部の電気抵抗をより低くすることが可能なパターン修正装置を提供する。
【解決手段】基材の一方の主表面上に低融点金属からなる金属膜を、パターン（配線）の欠陥部に密着させた状態でレーザ光を照射して、転写部材の金属膜と、配線を形成する金属膜との密着境界面でそれらの合金層を形成して固着させる。また、配線を形成する金属膜が欠落した部分においては、その表面に露出したガラスあるいはシリコンオキサイドとの界面反応で強固に固着させて、配線の欠陥部を修正することが可能な、パターン修正装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】繰り返し操作をすることなく、簡単な工程で、断線している配線の欠陥部に対して、均一な膜厚の修正層を形成し、修正部の電気抵抗をより低くすることが可能な転写部材を提供する。
【解決手段】基材の一方の主表面上に低融点金属からなる金属膜を形成させた転写部材を用いて、その転写部材の金属膜を、押圧部材を用いてパターンの欠陥部に密着させた状態で、レーザ光を照射して、転写部材の金属膜と、パターンを形成する金属膜との密着境界面でそれらの合金層を形成して固着させる。また、配線を構成する金属膜が欠落した欠陥部においては、その表面に露出したガラスあるいはシリコンオキサイドとの間で界面反応を起こして強固に固着させて、欠陥部を修復する。 （もっと読む）

【課題】半透光部の白欠陥を抑制できるフォトマスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に遮光部と透光部と半透光部とからなるマスクパターンを有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、該フォトマスクは、透明基板上に順に成膜した半透光膜と遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、該第１レジストパターンをマスクとして透光部領域の遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成する工程と、該遮光膜パターンをマスクとして半透光膜をエッチングする工程と、第２レジストパターンを形成する工程と、該第２レジストパターンをマスクとして半透光部領域の遮光膜をエッチングする工程により製造され、上記第１レジストパターンをマスクとして遮光膜パターンを形成する工程終了後に、欠陥検査を行い、少なくとも最終的に半透光部となる領域に生じた白欠陥部分に、半透光膜のエッチング環境に対しては耐性があり、かつ遮光膜のエッチング環境ではエッチング可能な素材の修正膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】確実に欠陥を修正することができる欠陥修正装置、欠陥修正方法、及びパターン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本欠陥修正装置は、レーザ光を対物レンズ４３を介して、試料の欠陥部分に照射する修正用光学系２０と、試料７０を観察するために、レーザ光と同一波長のレーザ光を対物レンズ４３を介して試料に照射して、照明する照明用光学系５０と、を備えた欠陥修正装置であって、照明用光学系５０が、レーザ光の空間分布を均一化する均一化部６５を有しているものである。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを有するフォトマスクを簡便にかつ効率良く補修できるインキ組成物を提供する。
【解決手段】金属コロイド粒子、この金属コロイド粒子の分散媒及び有機金属化合物を含むフォトマスク補修用インキ組成物において、前記金属コロイド粒子を、金属ナノ粒子（Ａ）とこの金属ナノ粒子（Ａ）を被覆する保護コロイド（Ｂ）とで構成し、かつ前記保護コロイド（Ｂ）が、アミン類（Ｂ１）とカルボン酸類（Ｂ２）とで構成する。前記金属ナノ粒子（Ａ）を構成する金属は銀単体であり、金属ナノ粒子（Ａ）の平均粒子径は１〜１０ｎｍであってもよい。このインキ組成物をフォトマスク欠陥部に滴下し、加熱して焼成処理すると、有効にフォトマスクの補修できる。 （もっと読む）