構造（Ｉ）のモノマーの重合により形成されたモノマー単位を有するポリマーとコポリマー（ここで、Ｒ¹はエチレン性不飽和の重合性基を含む部分構造であり、Ｒ²はＣ₁〜Ｃ₃のアルキレン基であり、Ｒ³は、Ｃ₁〜₁₀の線状若しくは環状アルキル基、Ｃ₆〜₁₀の芳香族若しくは置換芳香族基、Ｃ₁〜₈のアルコキシメチル基、又はＣ₁〜₈のアルコキシエチル基である）は、感光性組成物のバインダー樹脂として、また、半導体デバイスや材料の製造におけるフォトリソグラフィープロセスに有用である。
【化１】

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本発明は、（ａ）ポリマーバインダーと、（ｂ）光活性化合物と、（ｃ）溶解阻害剤と、を含む、１０〜１６５ｎｍで使用するのに好適なフォトレジスト組成物に関する。ここで、溶解阻害剤は、少なくとも（ｉ）２個の芳香族基と（ｉｉ）フッ素と（ｉｉｉ）非ブロック化されたときにｐＫａ＜１２を有するブロック化酸基とを含む。好ましい溶解阻害剤は、架橋炭素原子がフッ素化脂肪族基で置換されている、場合によりブロック化されたビスフェノール誘導体である。 （もっと読む）

感光性組成物を簡便に、かつ十分な感度および解像度を保ちながら現像する現像液と、それによるパターン形成方法を提供する。この現像液は、アミン−Ｎ−オキシド基、スルホン酸塩基、硫酸塩基、カルボン酸塩基、およびリン酸塩基からなる群から選ばれる親水性基を有する化合物を含んでなるものであり、特にケイ素を含有するポリマーを含む感光性組成物の現像に用いられるものである。本発明はそれを用いたパターン形成方法にも関するものである。 （もっと読む）

フォトパターン形成性塗布材料がこれまでに用いられなかった波長で半導体素子構造体の形成に用いられことを可能とするキャップ層。該フォトパターン形成性塗布材料を半導体基板へ層として塗布する。該キャップ層及びフォトレジスト層がそれぞれ該フォトパターン形成性層上に形成される。該キャップ層は放射線を吸収または反射し、そして該フォトパターン形成性層を該フォトレジスト層のパターン化に用いられた第1波長の放射線から保護する。該フォトパターン形成性塗布材料は第2波長の放射線に露光されると二酸化ケイ素系材料へ変換される。 （もっと読む）

電子装置を製造する方法であって、１９３ｎｍリソグラフィを用いて相互接続を構成する方法。低分子イオン中で解離するプラズマガスを使用する間、所望の線幅の変形が生じない。電子装置は、特には集積回路である。
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【課題】 シリル化プロセスを用いて微細なパターンの形成を可能とし、しかもシリル化部表面に形成されるＳｉＯ_x 層の除去を支障なく行うことのできる、半導体装置の製造方法が提供が望まれている。
【解決手段】 下地基板２０上の被パターニング層２３上にレジスト層２４を形成し、次にレジスト層２４の所定箇所を露光し、次いでこの露光工程後のレジスト層２４における未露光部分をシリル化する。続いて、露光した箇所のレジスト層２４をドライ現像によって除去し、シリル化された部分に対応した積層パターン３０を得る。次いで、積層パターン３０からその表層部に形成されたＳｉＯ_x層２９を除去してレジストパターン３２を形成する。その後、レジストパターン３２をマスクにして被パターニング層２３をエッチングする。 （もっと読む）