【課題】半導体装置の信頼性を向上させるとともに、エッチング工程を短縮化することが可能な、多層レジスト膜のパターニング方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層レジスト膜のパターニング方法は、半導体基板上に下層レジスト膜１０４を形成する工程と、下層レジスト膜１０４の上に、シリコン含有上層レジスト膜を形成する工程と、該シリコン含有上層レジスト膜を所定の形状にパターニングする工程と、０．０７５ｍＴｏｒｒ以上、５０ｍＴｏｒｒ以下の圧力下において、Ｏ_２ガスとＡｒガスとを含むエッチングガスを用い、パターニングされたシリコン含有上層レジスト膜１０６をマスクとして下層レジスト膜１０４をドライエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング後に行うアッシングの速度が速く、このため、アッシング中にレジスト下層膜の直下の基板が変質するのを防ぐことのできるレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、水素を１０質量％以上、炭素を７０質量％以上含むモノマーに由来する繰り返し単位（Ａ）とヒドロキシ基又はエポキシ環を有する繰り返し単位（Ｂ）とを有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】クエンチング機能を有しつつ、組成物の経時安定性が良好であり、とりわけ、保管中の経時変化による感度異常（所定の感度よりの変化）を防止することのできる感光性樹脂組成物及び当該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】シロキサン系又はシルセスキオキサン系等のケイ素含有高分子化合物を主成分とする基材樹脂を用いたレジスト組成物において、窒素系化合物の代わりに、特定のスルホニウム化合物をクエンチャーとして用いる。 （もっと読む）

【課題】
エッチャントとして特定のガスを使用して、その添加量を厳密に制御することなく、膜の加工両端部を基板から離間するにつれて両端部間の距離が短くなるようなテーパー形状とし、当該テーパーの角度を所望の角度とすることが可能な膜のパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】
本発明に係る一の態様の膜のパターン形成方法は、基板上に膜４、５を形成し、膜４、５の上層に、第１マスキング層１０とその上層の第２マスキング層１１とを、当該第２マスキング層１１が第１マスキング層１０端から突出する庇部を有するようにパターン形成し、膜４、５の上層に第１マスキング層１０及び第２マスキング層１１のパターンが形成されている状態において、膜４、５をエッチングしてパターニングする。
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【課題】 被覆形成剤のリンス処理のような工程数の増加を招くことなく、レジストパターンの開口寸法をより小さくすることができ、更なる微細加工を実現する。
【解決手段】 パターン形成方法において、被処理基板１０上に下層有機膜１１と無機元素を含有する上層レジスト膜１２とを形成し、レジスト膜１２にパターンを露光した後に現像処理を施すことにより第１のレジストパターン２１を形成し、第１のレジストパターン２１が形成されたレジスト膜１２に対して被覆形成剤３１を供給することによって、レジスト膜１２の開口内に被覆膜３２を埋め込み形成し、被覆膜３２を熱収縮させることによって、レジスト膜１２の開口を狭めることにより第２のレジストパターン２２を形成し、酸素プラズマ処理により被覆膜３２を除去し、連続してレジスト膜１２をマスクに下層膜１１を選択的に除去することにより、被覆膜３２及び下層膜１１を一括加工する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング耐性が高く、他層とのミキシングや溶解を起こさず、また紫外光吸収により定在波効果を防ぐことのできる多層レジスト中間層形成用塗布液及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層レジスト中間層形成用塗布液は、Ｍを金属原子、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３を炭素数１〜８のアルキル基、ａはＭの価数、ｂ、ｃは整数でｂ＋ｃ＝金属原子Ｍの価数として、Ｍ（ＯＲ^１）_ａ、又は Ｒ^２_ｂＭ（ＯＲ^３）_ｃで表される金属アルコキシド誘導体を主成分とし、有機溶剤に溶解されている。ＭはＴｉであることが好ましい。この塗布液を基板に塗布後、１００℃〜２５０℃、不活性ガス雰囲気下にベークして固化させ、多層レジスト中間層とする。 （もっと読む）

【解決手段】 一般式（１）で示されるフェノール性水酸基を有していてもよい炭素数６〜１６のアリール基を有するフラーレン類を含有するフォトレジスト下層膜形成材料。
【化１】


（Ｒ¹は水素原子又はアルキル基、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶はアリール基で、エーテル基を有してもよく、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは０〜２の整数で、０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０の整数である。）
【効果】 本発明のフォトレジスト下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、２００ｎｍ以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるＣＦ₄／ＣＨＦ₃ガス及びＣｌ₂／ＢＣｌ₃系ガスエッチングの速度も通常のｍ−クレゾールノボラック樹脂よりも強固であり、高いエッチング耐性を有し、しかもパターニング後のレジスト形状も良好である。 （もっと読む）

酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含み、前記（Ａ）成分が、（ａ１）下記一般式（Ｉ）で表される構成単位、（ａ２）下記一般式（ＩＩ）で表される構成単位、および（ａ３）下記一般式（ＩＩＩ）で表される構成単位を有するシルセスキオキサン樹脂（Ａ１）、又は（ａ１）下記一般式（Ｉ）で表される構成単位、および（ａ２’）下記一般式（ＩＩ’）で表される構成単位を有するシルセスキオキサン樹脂（Ａ２）を含有してなるポジ型レジスト組成物。下記一般式において、Ｒ^１は炭素数１〜５の直鎖状または分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ^２は炭素数１〜５の直鎖状または分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ^３は酸解離性溶解抑制基を表し、Ｒ^６は炭素数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ^７は炭素数１〜５のアルキル基または水素原子を表し、Ｒ^８は炭素数５〜１５の脂環式炭化水素基を表す。

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【課題】 微細パターン形成する工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 被加工膜の上に、酸を含有する下層膜を形成する工程と、
前記下層膜の上にレジストを塗布する工程と、前記レジストに露光及び現像を行い、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、下層膜をエッチングすることにより、前記下層膜を貫通して前記被加工膜に至る開口を形成する工程と、前記開口の内壁に露出する前記下地層の側壁にパターンシュリンク材を塗布する工程と、熱処理により前記酸を前記パターンシュリンク材中に拡散させて架橋領域層を形成する工程と、前記架橋領域層が形成されない前記パターンシュリンク材を除去する工程と、前記架橋領域層と、前記レジストパターンと、前記下層膜と、をマスクとして、前記被加工膜をエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】光学像よりも微細なスペースあるいはホールパターンを形成することができるレジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成された被加工膜１０２上に第１レジスト膜１０３を形成する工程と、第１レジスト膜上に第２レジスト膜を形成しさらにレジストパターン１０５を形成する工程と、レジストパターン上に金属元素または半導体元素を含有するオーバーコート膜を形成する工程と、オーバーコート膜をレジストパターンとの界面から所定距離の部分を溶媒に対して不溶化する工程と、オーバーコート膜の溶媒に可溶な部分を溶媒で除去してオーバーコート膜パターン１０７を形成する工程と、オーバーコート膜パターンを第１レジスト膜に転写して下層レジスト膜パターンを形成する工程と、前記下層レジスト膜パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 被エッチング膜の微細パターンを形成する工程において、半導体基板上に堆積された被エッチング膜をより微細に高精度でパターニングする。
【解決手段】 半導体基板上に被エッチング膜を堆積する工程と、被エッチング膜上にＳｉＣ_wＨ_xＯ_yＮ_z（ｗ＞０、ｘ≧０、ｙ＞０、ｚ≧０）で表される有機無機ハイブリッド膜を堆積する工程と、有機無機ハイブリッド膜のパターンを形成する工程と、有機無機ハイブリッド膜の表面部を酸化層に変換する工程と、酸化層を選択的に除去して、有機無機ハイブリッド膜パターンを所定寸法にする工程と、所定寸法にされた有機無機ハイブリッド膜パターンをマスクとして被エッチング膜をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】レイヤにおいて微小形状をエッチングする方法が提供される。
【解決手段】レイヤ上にポリマー材料のアンダーレイヤが形成される。アンダーレイヤ上にトップイメージレイヤが形成される。トップイメージレイヤがパターン付けされた照射に曝露される。トップイメージレイヤにおいてパターンが現像される。パターンがトップイメージレイヤからアンダーレイヤへ還元性ドライエッチングで転写される。レイヤがアンダーレイヤを通してエッチングされ、トップイメージレイヤは完全に除去され、アンダーレイヤは、レイヤをエッチングするあいだ、パターンをアンダーレイヤからレイヤへ転写するためのパターンマスクとして用いられる。 （もっと読む）