フォトリソグラフィー用２層コート基板製造のための多層リソグラフィー工程において使用するためのエッチング耐性の熱硬化性下層組成物であり、該組成物は（ａ）化学式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）の繰り返し単位を含むポリマー、（ｂ）少なくとも１つの架橋剤、（ｃ）少なくとも１つの熱酸発生剤、および（ｄ）少なくとも１つの溶剤の組成物である。
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【課題】作業性に優れ、かつパターン形状に優れたＦＰＤの構成要素（例えば、誘電体、隔壁、電極、抵抗体、蛍光体、カラーフィルター、ブラックマトリックス）を好適に形成することができるＦＰＤの製造方法を提供すること
【解決手段】式（１）で表される化合物（以下、「化合物（１）」ともいう）を含有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物、特に、二層、あるいは多層レジストに好適な感光性組成物、感光性組成物に好適な樹脂、および該樹脂の製造に好適な化合物、該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解して脱離する基を有する特定のシロキサン単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、および（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする感光性組成物、該樹脂、および該樹脂の製造に好適な化合物、および該組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセスにおけるレジストパターンの解像性を向上させる。
【解決手段】基板１０１の上に、架橋性基を有するシクロオレフィンを重合してなるポリマーと熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含むパターン形成用材料からなる下層膜１０２を形成して加熱する。次に、下層膜１０２の上にシリコンを含む中層膜１０３を形成し、その上にレジストからなる上層膜１０４を形成する。続いて、上層膜１０４に対して、露光光１０６をにより露光を行ない、露光が行なわれた上層膜１０４を現像することにより、上層膜１０４から第１パターン１０４ａを形成する。その後、第１パターン１０４ａをマスクとして中層膜１０３をエッチングすることにより、中層膜１０３から第２パターン１０３ａを形成し、さらに、第１パターン１０４ａと第２パターン１０３ａをマスクとして下層膜１０２から、形状に優れた第３パターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】下層レジストをエッチングする際、サイドエッチの発生しにくい下層レジスト材料を、エッチング前に非破壊で光学的に見分ける方法およびそのための装置、ならびにこの方法を使用する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜したレジスト膜の評価方法であって、
レジストのエッチング耐性と光学特性との相関データをあらかじめ取得するステップと、
前記レジスト膜の光学特性を評価するステップと、
レジスト膜の光学特性を評価する前記ステップで得た前記光学特性と前記相関データとに基づいて、前記レジスト膜のエッチング耐性を評価するステップと、
を含むことを特徴とするレジスト膜の評価方法。 （もっと読む）

レジスト下層膜加工用ハードマスク組成物が提供される。前記ハードマスク組成物は、オルガノシラン重合体および溶媒または溶媒の混合物を含み、前記オルガノシラン重合体は、酸触媒の存在下で、式１、２、および３で表される化合物の加水分解物の重縮合によって調製される：


式中、Ｘは、少なくとも１つの置換または非置換の芳香環を含むＣ_６−Ｃ_３０の官能基であり、Ｒ^１はＣ_１−Ｃ_６のアルキル基である；


式中、Ｒ^２はＣ_１−Ｃ_６のアルキル基であり、Ｒ^３はＣ_１−Ｃ_１２のアルキル基である；


式中、Ｒ^４およびＲ^５はそれぞれ独立してＣ_１−Ｃ_６のアルキル基であり、Ｙは、芳香環、置換または非置換の、直鎖または分岐のＣ_１−Ｃ_２０のアルキレン基、骨格中に芳香環、複素環、ウレア基またはイソシアヌレート基を含むＣ_１−Ｃ_２０のアルキレン基、および少なくとも１つの多重結合を含むＣ_２−Ｃ_２０の炭化水素基からなる群から選択される連結基である。
本発明のハードマスク組成物は、優れた膜特性および良好な保存安定性を示し、その満足できるハードマスク特性によって材料層に良好なパターンを転写することを可能にする。加えて、本発明のハードマスク組成物は、後続のパターンのエッチングの際にＯ_２プラズマガスに対して改善されたエッチング耐性を有する。前記ハードマスク組成物は、高い親水性の薄膜の形成に使用することができ、したがって薄膜の上部の反射防止コーティングとの界面の相溶性の改善に効果的である。さらに、前記ハードマスク組成物を用いた半導体集積回路デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光に対して優れた反射防止効果を有し、またエッチング選択比が十分に高く、上層のフォトレジスト膜に形成するレジストパターン形状をほぼ垂直形状にできるフォトレジスト下層膜材料。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物と、式（２）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物とを添加してなるフォトレジスト下層膜材料。
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【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３５】
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【課題】多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用、三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板からのアミン性の汚染物質を中和する機能があり、これにより、上層レジストのレジストパターンの裾引きなどの悪影響を低減できるレジスト下層膜材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型フォトレジスト層の下層を形成するためのレジスト下層膜材料であって、架橋性のポリマーと、一般式 Ａ^-（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ （１） で示される１００℃以上の加熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含んでなるレジスト下層膜材料、及びこのレジスト下層膜材料を用いて形成されたレジスト下層膜を備えるレジスト下層膜基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィー用レジスト下層膜のためのレジスト下層膜形成組成物、該レジスト下層膜形成組成物を用いたリソグラフィー用レジスト下層膜の形成方法、及びフォトレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 表面エネルギーと架橋性官能基数とが異なる少なくとも２種類のポリマーを含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物。ポリマーが、高い表面エネルギーと少ない架橋性官能基数を有する第１のポリマーと、低い表面エネルギーと多くの架橋性官能基数を有する第２のポリマーを含む。更に架橋性化合物を含む。更に酸及び／又は酸発生剤を含む。最も低い表面エネルギーを有するポリマーと、最も高い表面エネルギーを有するポリマーとの表面エネルギー差が５ｍＮ／ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 微細なパターンを低コストで簡易に形成する。
【解決手段】 下地材１１の上に下層１２、中間層１３、および上層レジスト１４を順次に設け、上層レジストをパターニングして、上層レジストパターン１４ａを形成する。この上層レジストパターンをマスクとして中間層に反応性イオンエッチングが施され、中間層パターン１３ａが形成される。この中間層パターンをマスクとして下層がパターニングされ、下層パターン１２ａが形成される。下地材は、この下層パターンをマスクとしてパターニングされる。中間層はＳｉからなる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能である熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）無機酸及びスルホン酸誘導体から選ばれる化合物を酸触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物の反応混合物から上記酸触媒を実質的に除去する工程を経て得ることのできるケイ素含有化合物、（Ｂ）式（１）又は（２）の化合物、 Ｌ_aＨ_bＸ （１）（式中、ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、ＸはＯＨ、又は有機酸基であり、ａは１以上、ｂは０又は１以上で、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の価数である。） ＭＡ （２）（式中、Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、Ａは非求核性対向イオン。）（Ｃ）炭素数が１〜３０の有機酸、（Ｄ）有機溶剤、を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等に対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下層膜用組成物及び多層レジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】フォトレジスト層の下層膜に用いられる下層膜用組成物であって、置換基を有してもよいアダマンチル基を側鎖に有するアクリルモノマーから誘導される構成単位と、ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位とを含む共重合体を含む下層膜用組成物である。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)、(2)、(3)の化合物を含む加水分解性シランモノマー混合物の共加水分解・縮合により得たシリコーン樹脂、
(B)酸発生剤、
(C)含窒素有機化合物、
(D)有機溶剤
を含有するレジスト組成物。


R⁵R⁶_qSiX_3-q (2)
R⁷R⁸_rSiX_3-r (3)
(R¹、R²、R³は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基で、少なくとも一つはフッ素原子を含む。R⁴は炭化水素基、R⁵は官能基として酸分解性保護基で保護されたカルボキシル基を持つ有機基、R⁶はR⁴と同定義、R⁷は官能基としてラクトン環を有する有機基、R⁸はR⁴と同定義。Xは水素原子、塩素原子、臭素原子又はアルコキシ基、pは0又は1、qは0又は1、rは0又は1。)
【効果】本発明のレジスト組成物は、従来の近接位炭素がフッ素化されたアルコールを極性基とする組成物と同等以上の解像性を示し、酸素反応性エッチングにおけるエッチング選択比の問題もなく、ArF露光の２層レジスト法に好適である。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)〜(3)の化合物を含む加水分解性シランモノマー混合物の共加水分解・縮合により得たシリコーン樹脂、
(B)酸発生剤、
(C)含窒素有機化合物、
(D)有機溶剤
を含有するレジスト組成物。


R³R⁴_qSiX_3-q (2)
R⁵R⁶_rSiX_3-r (3)
(R¹はフッ素原子、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基。R²は炭化水素基、R³は官能基として酸分解性保護基で保護されたカルボキシル基を持つ有機基、R⁴はR²と同定義、R⁵は官能基としてラクトン環を有する有機基、R⁶はR²と同定義。Xは水素原子、塩素原子、臭素原子又はアルコキシ基、pは0又は1、qは0又は1、rは0又は1。)
【効果】本発明のレジスト組成物は、従来の近接位炭素がフッ素化されたアルコールを極性基として使用したレジスト組成物に対し同等以上の解像性を示し、酸素反応性エッチングにおいて有機材料である下層膜との間でエッチング選択比がとれないという問題を解決でき、ArF露光における2層レジスト法に好適である。 （もっと読む）

【課題】 多孔質有機シロキサン膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置の製造方法において、フォトレジスト膜をマスクにして多孔質有機シロキサン膜をパタン加工した後、多孔質有機シロキサン膜を劣化させずに、かつ簡便にフォトレジスト膜を除去する。
【解決手段】 炭素量／シリコン量が０．３以上０．７以下で比誘電率が２．４以上２．６以下或いは炭素量／シリコン量が０．４以上０．６以下で比誘電率が２．２以上２．６以下の多孔質有機シロキサン膜を製膜し、その上方にパタンを有するフォトレジスト膜を成膜し、これをマスクとして多孔質有機シロキサン膜をドライエッチング加工し、しかる後にアミン系剥離液でフォトレジスト膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細パターンの食刻に用いられる有機系ハードマスク膜の上部に、有機系ハードマスク膜に対する食刻選択比に優れた無機系ハードマスク膜の形成のためのハードマスク用組成物、及びこれを利用して形成されるハードマスクを用いて半導体素子の被食刻層パターンを形成する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】無機系ハードマスク用組成物として、ポリ（ボロジフェニルシロキサン）、ポリビニルフェノール、架橋剤、熱酸発生剤及び有機溶媒を含むものを用いる。 （もっと読む）

【課題】解像限界を超えるパターン形成を可能にする半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターンの形成方法において、シリコンが含まれた感光膜を形成した後、酸素プラズマ工程を行なうことにより感光膜を除いたコーティング及び食刻工程を１回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用又は３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、ヒドロキシ基を有するビニルナフタレンとヒドロキシ基を有さない特定のオレフィン類の繰り返し単位とを共重合してなる重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させるとともに、エッチング工程を短縮化することが可能な、多層レジスト膜のパターニング方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層レジスト膜のパターニング方法は、半導体基板上に下層レジスト膜１０４を形成する工程と、下層レジスト膜１０４の上に、シリコン含有上層レジスト膜を形成する工程と、該シリコン含有上層レジスト膜を所定の形状にパターニングする工程と、０．０７５ｍＴｏｒｒ以上、５０ｍＴｏｒｒ以下の圧力下において、Ｏ_２ガスとＡｒガスとを含むエッチングガスを用い、パターニングされたシリコン含有上層レジスト膜１０６をマスクとして下層レジスト膜１０４をドライエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）