【課題】半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターン形成方法はパターン対象層上に多数の第１感光膜パターンを形成しＳ１００、パターン対象層および多数の第１感光膜パターン上に境界膜を形成しＳ１１０、境界膜上に平坦化膜を形成しＳ１２０、平坦化膜上に多数の第２感光膜パターンを形成しＳ１３０、多数の第２感光膜パターンを利用して多数の平坦化膜パターンを形成しＳ１４０、多数の平坦化膜パターンおよび多数の第１感光膜パターンを利用して多数のパターン対象層パターンを形成するＳ１５０ことを含む。 （もっと読む）

【課題】反射防止効果が高く、耐酸素アッシング性に優れるシリコン含有膜を形成することができ、且つボトムに裾引きがないレジストパターンを安定して形成できるシリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン含有膜形成用組成物は、下式（１）で表される化合物由来の構造単位（ａ１）を含有するポリシロキサンと、有機溶媒と、を含有する。


〔式中、Ｒ^１は、ｂ価の置換されてもよい芳香族炭化水素基又は置換されてもよい複素環基を表し、Ｒ^２及びＲ^３は各々独立して１価の有機基を表す。ａは０〜１の数であり、ｂは２又は３である。Ｘ^１は、単結合、置換されてもよいメチレン基、炭素数２〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基又はフェニレン基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、ラクトンがフェノールにおけるＯＨ基の水素と置換された基と酸脱離基とを含むポリマーを有する化学増幅型レジスト材料からレジスト膜１０２を形成する。続いて、レジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。その後、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、アウトガスの発生を防ぎ、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、Ｓｉ含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、（Ａ）テトラアルコキシシラン由来の構造単位（ａ１）、及びヘキサアルコキシジシラン由来の構造単位（ａ２）を含有しており、前記構造単位（ａ１）の含有割合を１００モル％とした場合に、前記構造単位（ａ２）の含有割合が１０〜３０モル％であるポリシロキサンと、（Ｂ）有機溶媒と、を含有するものである。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ高テーパ角の微細凹凸形状を形成することができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】非感熱性の無機レジストを主成分とする感熱層を基材上に形成し、感熱性の無機レジストを主成分とする非感熱層を感熱層上に形成する。感熱層を露光、現像し、感熱層に所定のマスクパターンを形成する。マスクパターンを用いて非感熱層をエッチングすることにより、微細凹凸パターンを基材上に形成する。 （もっと読む）

【解決手段】スルホ基又はそのアミン塩で置換された炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基を有するノボラック樹脂を含有することを特徴とするフォトレジスト下層膜形成材料。
【効果】本発明のフォトレジスト下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、２００ｎｍ以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるＣＦ₄／ＣＨＦ₃系ガス及びＣｌ₂／ＢＣｌ₃系ガスエッチングの速度も通常のｍ−クレゾールノボラック樹脂よりも強固であり、高いエッチング耐性を有する。また、塩基性物質を吸着したポーラス低誘電率膜からの汚染に対する耐性（ポイゾニング耐性）に優れ、パターニング後のレジスト形状も良好である。 （もっと読む）

【課題】反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜３の形成方法であって、少なくとも、ビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板１上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像等に用いられる現像液に対して十分な耐性を有し、レジスト除去時の酸素アッシングに対して十分なマスク性（エッチング耐性）を有するシリコン含有膜を形成できる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、式（１）の化合物（ａ１）３０〜８０質量部、式（２）の化合物（ａ２）５〜６０質量部、並びに、式（３）の化合物（ａ３）及び式（４）の化合物（ａ４）のうちの少なくとも一方５〜５０質量部〔但し、化合物（ａ１）〜（ａ４）の合計を１００質量部とする。〕に由来するポリシロキサンと、溶媒と、を含有する。
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【課題】微細なパターンを形成するための半導体素子のパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】エッチング対象膜上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板が提供される段階と、前記フォトレジストパターンを含む前記半導体基板上に補助膜が形成される段階と、前記フォトレジストパターンの表面に形成された前記補助膜が変性されて第１補助パターンが形成される段階と、前記第１補助パターン及び前記補助膜を含む前記半導体基板上にフォトレジスト膜が形成される段階と、前記フォトレジスト膜の下部に形成された前記補助膜が変性されて第２補助パターンが形成され、前記補助膜が前記フォトレジストパターンの間のみに残留される段階と、前記フォトレジスト膜、前記第１及び第２補助パターンを除去して前記フォトレジストパターン及び前記補助膜を含むエッチングマスクパターンを形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来では達成できなかった高い顔料濃度のカラーフィルター基板を良好な積層塗布性、現像性、パターン形成性を維持しつつ作成し、さらには表示品位の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ブラックマトリックスがパターン加工された透明基板上に赤、緑、青色の３原色からなる着色層を複数配列したカラーフィルター基板において、少なくとも一色の画素が熱硬化性樹脂層の上に感光性樹脂層が積層されており、熱硬化性樹脂においてポリマー／モノマー比（重量比）が６０／４０以上８０／２０以下であり、感光性樹脂が透明ネガ型材料であることを特徴とする液晶表示装置用カラーフィルター基板。 （もっと読む）

【課題】低ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造単位。
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【課題】例えばＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第１の発明は、基板とホトレジスト層との間に下層膜を形成するための下地材であって、オキソシクロアルキル基を２つ以上有する化合物（ａ）と、フェノール類（ｆ）との重縮合反応によって得られる樹脂（Ａ１）を含有することを特徴とする下地材。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などの製造工程における微細加工に用いられる反射防止膜材料として有効なレジスト下層膜形成材料及びこれを用い、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を用いた液浸リソグラフィーに好適なレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも下記一般式（１）で示される質量平均分子量が１，０００〜１００，０００の範囲で波長１９３ｎｍにおける消光係数（屈折率の虚数値；ｋ値）が０．１０〜０．３８の高分子化合物と、ブレンドフェノール低核体およびフェノールフラーレンから選ばれる波長１９３ｎｍにおける消光係数（屈折率の虚数値；ｋ値）が０．４〜１．１の範囲の化合物１種以上とをブレンドしてなることを特徴とするレジスト下層膜材料。
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【課題】半導体装置製造において、リソグラフィ寸法より小さい加工寸法を得る。
【解決手段】多層レジストの加工方法は、基板１上に、下層４、中間層５及び上層レジスト６を順次形成する工程（ａ）と、リソグラフィ技術により、上層レジスト６をパターニングして第１の寸法を有する上層開口１６を設ける工程（ｂ）と、上層レジスト６をマスクとして中間層５をドライエッチングすることにより、上層開口１６の下方に、第２の寸法を有する中間層開口１５を形成する工程（ｃ）と、中間層５をマスクとして下層４をドライエッチングすることにより、中間層開口１５の下方に、第３の寸法を有する下層開口１４を形成する工程（ｄ）とを備える。工程（ｃ）において、第２の寸法が上部よりも下部において小さくなる形状に中間層開口１５を形成することにより、工程（ｄ）において、第３の寸法を第１の寸法よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】基板上の被処理膜に所定の微細なパターンを効率よく形成する。
【解決手段】ウェハＷ上に被処理膜Ｆ、反射防止膜Ｂ、レジスト膜Ｒを下から順に形成する（図５（ａ））。レジスト膜Ｒと反射防止膜ＢにパターンＲ１、Ｂ１をそれぞれ形成する（図５（ｂ））。パターンＲ１をマスクとして被処理膜Ｆをエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ１を形成する（図５（ｃ））。パターンＢ１の側壁部を溶解して、反射防止膜ＢにパターンＢ２を形成する（図５（ｄ））。パターンＢ２を覆うように犠牲膜Ｇを形成する（図５（ｅ））。パターンＲ１、Ｂ２をそれぞれ除去する（図５（ｆ））。犠牲膜ＧをマスクとしてパターンＦ１をエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ２を形成する（図５（ｇ））。犠牲膜Ｇを除去する（図５（ｈ））。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性と段差基板上での埋めこみ特性にも優れている、３層レジストプロセス用レジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる３層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物と、有機溶剤を含み、酸発生剤及び架橋剤を含有しないことを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化２６】
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フォトリソグラフィ２層塗布基板を形成する、多層リソグラフィプロセスで使用するためのエッチング耐性熱硬化性下層組成物であって、該組成物は、（ａ）構造式（Ｉ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、構造式（ＩＩ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、任意に構造式（ＩＩＩ）の少なくとも一つの繰り返し単位と、から構成される、但し、構造式（Ｉ）、構造式（ＩＩ）及び構造式（ＩＩＩ）のいずれも酸感応性基を含有しない、少なくとも一つのシクロオレフィンポリマーと、（ｂ）アミノ又はフェノール架橋剤からなる群から選択される少なくとも一つの架橋剤と、（ｃ）少なくとも一つの熱酸発生剤（ＴＡＧ）と、（ｄ）少なくとも一つの溶媒と、（ｅ）任意に、少なくとも一つの界面活性剤と、を有する。
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【課題】低ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造単位を、分子内に２つ以上含む感光性化合物、感光性化合物を有機溶剤に溶解させてなる感光性組成物及び感光性組成物を用いる。
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【課題】ドライエッチング処理時の支持体ダメージの発生を抑制可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法において、ドライエッチング処理を、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を形成する第１のエッチング工程と、窒素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を除去し支持体露出部を形成する第２のエッチング工程とで行う。 （もっと読む）