【課題】半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターン形成方法はパターン対象層上に多数の第１感光膜パターンを形成しＳ１００、パターン対象層および多数の第１感光膜パターン上に境界膜を形成しＳ１１０、境界膜上に平坦化膜を形成しＳ１２０、平坦化膜上に多数の第２感光膜パターンを形成しＳ１３０、多数の第２感光膜パターンを利用して多数の平坦化膜パターンを形成しＳ１４０、多数の平坦化膜パターンおよび多数の第１感光膜パターンを利用して多数のパターン対象層パターンを形成するＳ１５０ことを含む。 （もっと読む）

【課題】平坦化構造のアッシングに対する耐性を高めつつ、レジスト層の露光精度についても可及的に高める。
【解決手段】基板１１上に形成した平坦化膜１５の表面に、バリア層１６を積層する工程と、バリア層１６の表面にレジスト層２０を形成する工程と、レジスト層２０を露光してレジスト層２０に開口部を形成することにより、マスクを形成する工程と、マスクの開口部を介して平坦化膜１５をエッチングする工程と、エッチングされた平坦化膜１５からマスクをアッシングにより除去する工程とを備え、バリア層１６は、下層反射防止膜により構成されている。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性と段差基板上での埋めこみ特性にも優れている、３層レジストプロセス用レジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる３層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物と、有機溶剤を含み、酸発生剤及び架橋剤を含有しないことを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化２６】
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【課題】レジストをエッチングマスクとして用いず、またリフトオフ法を用いることなくパターン形成が可能となるパターンの形成方法等を提供する。
【解決手段】パターンの形成方法であって、
母材上の薄膜の表面に、レジストによるパターンを形成する工程と、
レジストによるパターンの上に、反転層を形成する工程と、
反転層を前記レジストの表面が露出するまで除去した後に、レジストを除去することにより、レジストによるパターンと相補的な前記反転層による反転パターン形成する工程と、
反転層による反転パターンをマスクとして前記薄膜をエッチングし、該薄膜上に反転層を有する該薄膜によるハードマスク層を形成し、該ハードマスク層をマスクとして、または薄膜上の前記反転層を除去したハードマスク層をマスクとして、母材をエッチングする工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ポジ型のフォトレジスト適用下で、ランダム配置のホールパターンを、高裕度で形成することができるパターンの形成方法、電子デバイスの製造方法および電子デバイスを提供する。
【解決手段】被加工膜２上に、密集ホールパターンを有する第１のポジ型フォトレジスト３が形成される。複数のホールパターン３ａの各々を埋め込むように第１のフォトレジスト３上に第２のポジ型フォトレジスト４が形成される。第２のフォトレジスト４に高透過ハーフトーン位相シフトマスク３０の明暗反転像である暗点像が投影露光される。第２のフォトレジスト４の現像により、暗点像部に形成される第２のフォトレジスト４のドットパターンが複数のホールパターンのいずれかの内部に残される。第１、第２のフォトレジスト３、４をマスクとして、被加工膜２がパターニングされる。 （もっと読む）

【課題】デバイスの微細化におけるパターニング寸法精度の向上を図れるようにすること。
【解決手段】半導体ウエハＷにレジスト塗布処理，露光処理及び現像処理等のリソグラフィ処理を施して所定のパターンを形成するリソグラフィ工程と、上記現像処理後のパターンをマスクとするエッチング工程と、を繰り返し行うパターン形成方法において、１回目のエッチング処理後のウエハの表面に、該ウエハに形成されたエッチングパターン２の空間を残して犠牲膜４を皮膜し、その後、２回目以降のリソグラフィ工程及びエッチング工程を行ってパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】高い電磁波シールド性と高い透光性とを同時に有する透光性電磁波シールド膜、及びプリント基板として使用可能な導電膜を提供すること。
【解決手段】支持体上に設けられた、銀塩乳剤を含有する乳剤層を含む感光材料を露光し、現像処理することにより金属銀を形成した後、(カレンダー処理を行うなどの)平滑化処理をする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン含有フォトレジストの基層として用いるのに適切な低屈折率のポリマーを提供する。
【解決手段】 高いエッチング耐性及び改善された光学特性を示す新規な基層組成物が開示される。基層組成物は、ビニル又はアクリル・ポリマー、例えばメタクリル・ポリマーを含み、このポリマーは、少なくとも１つの置換又は非置換ナフタレン又はナフトール部分、又はこれら混合物を含む。本発明のポリマーの例は次式、
【化１】


で表されるポリマーを含み、式中、Ｒ_１の各々は独立に、有機部分又はハロゲンから選択され、各Ａは独立に、単結合又は有機部分であり、Ｒ_２は水素又はメチル基であり、Ｘ、Ｙ及びＺの各々は０から７までの整数であり、Ｙ＋Ｚは７又はそれ以下である。上述の有機部分は、直鎖又は分枝鎖アルキル、ハロゲン化直鎖又は分枝鎖アルキル、アリール、ハロゲン化アリール、環状アルキル、及びハロゲン化環状アルキル、及びこれらの組合せから成る群から選択される置換又は非置換炭化水素とすることができる。組成物は、三層リソグラフィ工程を含む多層リソグラフィ工程における平坦化基層として使用するのに適している。 （もっと読む）