光ファイバースイッチ(10)は光ファイバー管(12)を具備してなる。トランスデューサー(16)が、この管(12)の上において支持されており、このトランスデューサー(16)は、ある形態の入力エネルギーを機械的エネルギーへと変換し、外的刺激の印加はトランスデューサー(16)の状態の変化を引き起こし、これは管(12)の状態の変化をもたらす。入力エネルギー印加機構(20)が、外的刺激を加えるために、トランスデューサー(16)の上に配置される。
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ＭＥＭＳは、基質材を使用しないでファイバーから作られる。装置は、ファイバーが基板のエッジに取り付けられる場所にのみ作ることが出来る（例えば、カンチレバー、ブリッジ）。動きは、弱い結合を有する複数のファイバー間の結合を調整することによって制御可能である（例えば、基礎部、先端、その中間）。駆動機構は、基礎部の加重（磁気、圧電、静電気）または先端の加重（磁気）を含む。光スキャナーを形成するために、ミラーがカンチレバーの自由端に形成される。 （もっと読む）

光クロスコネクトスイッチ。このスイッチにおいては、各々が通信ビームを搬送する入力光ファイバ群中のいずれかの光ファイバを、出力光ファイバ群中のいずれかの光ファイバへとクロスコネクトすることが出来る。入力光ファイバ群中の各ファイバが搬送する通信ビームには、アライメントビームが付加され、これと同軸にアライメントされることにより、各ファイバ用に通信―アライメントビームが画定されている。各通信―アライメントビームは閉じ込められた光経路中を送られて入力アレイ構造体中にある特定の出射孔へと向けられる。全ての通信―アライメントビームの出射孔は入力アレイを画定するパターンに配置されており、これにより通信―アライメントビームの各々は、入力アレイ構造体におけるその出射孔の位置によって識別することが出来る。通信―アライメントビームの各々は、第一のレンズマイクロレンズアレイ中の１つのマイクロレンズにより、クロスコネクションビームへと形成される。各クロスコネクションビームは、第一のミラーアレイ中の第一のミラー及び第二のミラーアレイ中の第二のミラーという２枚のミラーにより、第二のレンズアレイ中の１つのレンズへと向けられる。第二のレンズアレイ中のこのレンズは、通信ビームを出力アレイ構造体中の、望ましくは光ファイバである、閉じ込められた光経路の特定の入射孔へとフォーカスする。出力アレイ構造体中の閉じ込められた光経路の各々は、出力光ファイバ群中の１本の光ファイバに光学的に接続している。第二のレンズアレイの付近に配置された第一のデテクタアレイは、各アライメントビームの位置をモニタし、ミラーアレイの少なくとも一方におけるミラー制御用に位置情報をプロセッサへと供給する。
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ＭＥＭＳデバイス内の妨害を相殺するためのシステム及び方法。システム２００は、基板２０５と、複数の個々に移動可能なＭＥＭＳ素子２０３−１〜２０３−Ｎを含むことができるＭＥＭＳデバイス２０３、並びに制御アセンブリ２０７を含む。光学システム２００は、ＭＥＭＳデバイスのアレイを使用する何れかの光学装置の一部において利用することができ、及び／又は該光学装置の一部を形成することができる。制御アセンブリ２０７は、ＭＥＭＳ２０３における妨害を相殺する、より詳細にはスイッチング又は動作ミラーによって引き起こされるＭＥＭＳデバイス２０３の非スイッチング又は静止ミラーでの妨害を相殺するフィードフォワード制御信号を使用する。 （もっと読む）