【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】紫外光照射による特性の調整を高精度にできる光導波路回路の製造方法および製造装置を提供すること。
【解決手段】紫外光を吸収して媒質の屈折率を変化させるドーパントを含有するコアと該コアの周囲に形成されたクラッドとを備える光導波路回路の該コアに紫外光を照射する紫外光照射工程と、前記ドーパントからの発光量を測定する発光量測定工程と、を含み、前記測定した発光量の積算値に基づいて前記光導波路回路の特性を調整する。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、イオン注入工程を削減して、簡易な製造工程で光半導体素子を製造する。
【解決手段】 各スラブ導波路部とそれに接する隆起領域とに注入イオン分布のピークが、前記スラブ導波路部の厚さよりも深い位置となり且つ前記隆起領域の厚さよりも浅い位置になる条件で各導電型の不純物をイオン注入する。 （もっと読む）

【課題】
光ファイバの波長分散を補償可能であり、数１０Ｇｂｐｓを超える高速伝送にも適用可能な光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成される基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極３とを有する光変調器において、該光導波路から出射する出射光Ｌ２を光ファイバで導波し、該光ファイバの波長分散特性と逆の特性の波形歪を有するように、該光導波路に沿って該基板を所定のパターンで分極反転１０させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】マッハ・ツェンダ干渉計のアーム部の光路長差を短くして、光カプラの回路長を短くし、広い波長帯域で結合率の波長依存性の小さい導波型光カプラを提供する。
【解決手段】３つの方向性結合器とこれらを接続する２つのアーム部を有するマッハ・ツェンダ干渉計により導波型光カプラを構成する。光カプラの結合率の波長依存性が小さくなるように、結合率の計算式を与える各項を特徴付けて、方向性結合器の結合位相θ_１、θ_２、θ_３とアーム部の光路長差Ｓ_１２、Ｓ_２３に基本となる関係を与えて調整する。 （もっと読む）

【課題】ギャップ部を有する光導波路を、低損失で外部の光伝送体（光ファイバ等）に接続することができる光導波路素子を提供する。
【解決手段】光を導波する高屈折率領域６と、高屈折率領域６より屈折率が低いギャップ部５とを有するコア部４を備えた光導波路素子１０。ギャップ部５は、光の導波方向に沿って形成され、高屈折率領域６を幅方向に２つの部分領域６ａ、６ｂに分離する。コア部４は、導波方向の先端１２ａに向かって部分領域６ａ、６ｂの幅が狭くなる主テーパ部１２を有する。 （もっと読む）

【課題】 リッジ構造やブリッジ構造など有する光導波路においては、コアから外部環境までの距離が非常に短く、コア周辺のクラッドを構成するＰＳＧやＢＰＳＧの湿気による変質は、屈折率や応力変化をもたらし、光導波路の特性を容易に変化させてしまう。そこで本発明は、コア周辺のクラッドの湿気による変質を防止することが可能な光導波路、光導波回路およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 光が導波するコアと、コアを覆うクラッド層と、クラッド層の露出部分を覆う湿性部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来の３次元積層型導波回路においては、全体の作製プロセスが複雑であるという問題点があった。さらに、有機系の接着剤を用いてスタック構造を形成する場合の長期的な信頼性の問題や、クラッドに使用される材料の軟化点温度の低さのために、各層に渡って一貫して精度の良い回路を作製できない問題もあった。
【解決手段】本発明による光導波回路の作製方法においては、基板上に、アンダークラッド、コア、中間クラッド、コアのように順次積み重なった２層以上のコア層を、フォトマスクを用いて露光し、それら多層コア層を含むガラス膜を一括してエッチングすることによって形成する。同一構造の光導波回路を３次元的に一括して加工形成することを特徴とする。さらに、上述の方法により作製した２つの積層型ＡＷＧをオーバークラッド層を向かい合わせにしてスタックさせる構造により、等価的により多くの層を積層可能となる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】干渉計を構成する各光導波路を、光路長のばらつきを抑制して製造することができる光導波回路を提供する。
【解決手段】第１の入力光を２分岐して、第１および第２の光導波路に出力する、第１の光分岐素子と、前記第１および第２の光導波路の間に配置され、第２の入力光を分岐して、第３および第４の光導波路に出力する、第２の光分岐素子と、前記第１および第３の光導波路を伝播する光波を合流した後、分岐して出力する、第１の光結合器と、前記第２および第４の光導波路を伝播する光波を合流した後、分岐して出力する、第２の光結合器と、を有し、前記第１と第２の光導波路の対、並びに前記第２と第３の光導波路の対のうち、いずれか一方の対のみ光路長が等しく設定されている。 （もっと読む）

【課題】感光性光導波路、感光性光導波路の一部に少なくとも１つの傾斜ブラッグ回折格子が書き込まれた光フィルタ、および光フィルタの縦続からなる利得平滑化フィルタを備えた光伝送システムを提供する。
【解決手段】傾斜ブラッグ回折格子ＳＢＧの書込みに適した光導波路は、コアおよびクラッドを画定する屈折率プロファイルと、特定の感光度プロファイルとを有している。この感光度プロファイルＷ（ｒ）は、所与のＳＢＧ書込み角度θに対して、導波路中の逆伝搬としての基本モードの基本モード自身への結合Ｋ（θ）が実質的にゼロであり、かつ、角度θに対するその導関数Ｋ’（θ）も同じく実質的にゼロに等しいプロファイルである。角度を関数とした基本モードのゼロ導関数および同じくゼロ結合は、回折格子書込み角度を中心とした幅が拡大した反射ポケットが保証されることを意味している。 （もっと読む）

【課題】電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学素子ＷＧ１のコア１は、第１導電型の第１半導体コア領域３２と、第１半導体コア領域３２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第２導電型の第２半導体コア領域３３と、第１半導体コア領域３２と光の導波方向において隣接する第２導電型又は無極性の第３半導体コア領域２２と、第２半導体コア領域３３と光の導波方向において隣接し、第３半導体コア領域２２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第１導電型又は無極性の第４半導体コア領域２３と、を部分領域として含み、第１半導体コア領域３２と第２半導体コア領域３３とに電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】コアを光の導波方向に分割してそれぞれ独立に屈折率を調整しようとした場合に、分割されたコア間に発生する光の導波方向のリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】半導体のコア１をブロッキング領域１３，１４，１７，１８によって複数の領域に分離する。光の導波方向において対向配置された導電性コア１１，１２をそれぞれＰ型、Ｎ型とし、それとブロッキング領域を挟んで対向する導電性コア１５，１６をそれぞれＰ型、Ｎ型とする。導電性コア１１と導電性コア１５との間に配置するブロッキング領域１３をＮ型とし、導電性コア１２と導電性コア１６との間に配置するブロッキング領域１４をＰ型とする。 （もっと読む）

【課題】コアまたはクラッドの上層にさらにクラッドを形成する場合において、上層のクラッドの厚みを高精度に制御して、クラッドを平坦化できる積層光回路の製造方法を提供する。
【解決手段】クラッド上に形成されたコアの直上に金属マスクを形成する金属マスク形成工程１０１と、コア及び金属マスクをクラッドで埋め込むクラッド埋込工程１０２と、金属マスクが露出するまでクラッドを研磨して平坦化する研磨工程１０３と、露出した金属マスクを除去する金属マスク除去工程１０４と、平坦化したクラッドとコアとの段差の距離を計測する距離計測工程１０５と、平坦化したクラッド上及び金属マスク除去後のコア上に、段差の距離及びコアと次層のコアとの間の所望の距離に応じた厚さのクラッドを形成し、熱処理によってクラッドを一体成型することにより段差を平坦化する平坦化行程１０６とを含む。 （もっと読む）

【課題】高度な機能性を達成しつつ、長さを短縮し小型化することも可能であり、しかも製造工程における加工精度の管理を容易化できるグレーティング構造を有する基板型光導波路デバイスの設計方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程によって加工してなるグレーティング構造を有する基板型光導波路デバイスの設計方法であって、所望の光学特性を入力し逆散乱問題を解くことによって、ｚ軸（光導波路の長手方向）に沿ったコア幅を間隔Δｚごとに算出して、グレーティングピッチＰ_ＧがΔｚの整数倍となるグレーティング構造を設計し、Ｐを設計中心波長／（参照実効屈折率×２）とするとき、Ｐ−Δｚがフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程の適用可能な最小ピッチＰ_ｍｉｎ以上となるように、Δｚを設定する。 （もっと読む）

光導波路のコアが、凸部と凹部とを交互に有するグレーティング構造を有し、前記凹部におけるコアの幅が不均一である基板型光導波路デバイスの製造方法であって、高屈折率材料層を形成する高屈折率材料層形成工程と、前記高屈折率材料層の上に、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、位相シフト型のフォトマスクを用いて、遮光領域を前記フォトレジスト層上に形成する第１の露光工程と、バイナリ型のフォトマスクを用いて、遮光領域を前記フォトレジスト層上に形成する第２の露光工程と、前記フォトレジスト層を現像する現像工程と、前記現像工程により得られたフォトレジストパターンを用いて前記高屈折率材料層をエッチングするエッチング工程と、を有する基板型光導波路デバイスの製造方法。
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光導波路のコアの上面に、該コアより屈折率の低い低屈折率材料からなる溝部充填体で充填された溝部を有する基板型光導波路デバイスの製造方法であって、高屈折率材料層を形成する第１の高屈折率材料層形成工程と、前記高屈折率材料層の上に、前記低屈折率材料からなる低屈折率材料層を形成する低屈折率材料層形成工程と、前記低屈折率材料層の両側方を除去して前記溝部充填体を形成する溝部充填体形成工程と、前記溝部充填体の両側方を充填するように、高屈折率材料層を形成する第２の高屈折率材料層形成工程と、を有する基板型光導波路デバイスの製造方法。
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【課題】許容度が高い状態で製造ができる光分岐素子で、任意の分岐比が得られるようにする。
【解決手段】以下の式（１２）をｗについて微分し、微分値（微分した式）が０となる点が、コア幅の変動に対し、分岐比の変動が最も小さくなることを表している。従って、式（１２）をｗで微分した式が０となるように、コア１０３およびコア１０４のコア幅、コア１０３とコア１０４との中心間距離、コア１０３およびコア１０４の屈折率、およびコア間のクラッドの屈折率を設定する。
【数１】
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【課題】高歩留まりな波長可変レーザ、変調器集積波長可変レーザを提供する。
【解決手段】本発明による波長可変レーザは、平面光導波路によって光カプラが形成された基板と、基板上に取り付けられ光カプラにそれぞれ光信号を供給する複数のＤＦＢレーザ素子を有するＤＦＢアレイ部と、基板上に取り付けられ、光カプラが出力する光信号を増幅するＳＯＡ素子を有するＳＯＡ部とを備える。ＤＦＢアレイ部とＳＯＡ部とは同一の積層構造を有するチップ内に形成されている。 （もっと読む）