【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を利用し、補強基板に接着した場合でも、薄板や補強版の破損を抑制し、さらには微小なクラックによる光損失などの性能劣化も抑制した、光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、該薄板には光導波路２が形成されており、該薄板に接着層５を介して接着された補強基板６とを有する光導波路素子において、該補強基板６の該薄板側の表面には、凹凸構造が形成され、該補強基板は、該凹凸構造が形成された後であり、かつ該薄板に接着する前に、キュリー温度以下の高温で熱処理されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＣドリフトが抑制された光導波路素子の製造方法を提供する。さらには、製造プロセスの途中で、ＤＣドリフトを調整することを可能とし、製造の歩留まりを改善する、光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板に、光導波路を形成する工程と、バッファ層を形成する工程と、電極を形成する工程とを有する、光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を形成した後に、該バッファ層内の特定物質の濃度分布を加熱によって調整するための１段階又は複数段階の界面拡散層熱調整工程（Ｓ１，Ｓ２）を組み込む。 （もっと読む）

【課題】シリコン導波路に対する損傷が抑制された状態で、シリコン細線導波路とゲルマニウム受光器とをモノリシックに形成できるようにする。
【解決手段】シリコン層１０３上の一部にｐ型シリコン層１３２およびゲルマニウム層１０７を形成した後で、よく知られたリソグラフィ技術とエッチング技術を利用した従来と同様な作製方法を用いてシリコン層１０３をパターニングし、シリコンコア１３１を形成する。なお、ｐ型シリコン層１３２は、このまま残るようにする。ここで、シリコンコア１３１は、一部がゲルマニウム層１０７の下のｐ型シリコン層１３２に接触するように形成する。 （もっと読む）

【課題】光ファイバとの結合損失の低い光導波路を得る。
【解決手段】酸化層、Ｓｉ層が積層された基板上に、光導波路となる領域に第１の酸化膜のマスクを形成し、第１の酸化膜をマスクとして前記Ｓｉ層をエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後、Ｓｉ層を覆う第２の酸化膜を形成する第２の酸化膜形成工程と、第２の酸化膜上の第１の酸化膜のマスクの両側となる領域に、光導波路の出力端に近づくに従い、相互に間隔が徐々に広がる２つのレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンをマスクとして、第２の酸化膜をエッチングする第２のエッチング工程と、第２のエッチング工程の後、熱酸化を行う熱酸化工程と、熱酸化工程の後、第３の酸化膜を形成する第３の酸化膜形成工程を有し、Ｓｉ層を光導波路とすることを特徴とする光導波路の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２、ｉ型ｃ−Ｇｅ層３およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４が光導波路３０に近接してシリコン基板１上に積層される。光導波路３０は、クラッド２０に接してクラッド２０上に形成されている。ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚（０．６μｍ）がクラッド２０の厚み（１．４μｍ）よりも薄く、かつ、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚とｉ型ｃ−Ｇｅ層３の膜厚との合計（２．０μｍ）がクラッド２０の厚みと光導波路３０の厚みとの合計（１．７μｍ）よりも大きい。その結果、光導波路３０中を伝搬する光は、光検出器１０のｉ型ｃ−Ｇｅ層３へ入射され、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４へ入射されない。 （もっと読む）

【課題】均一な粒径を有する金属酸化物微粒子を簡便に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物からなる微粒子を製造する方法であって、溶媒中の金属アルコキシドに可視光のみを照射する工程を有するようにした。可視光を照射することにより、ゾルゲル法における金属アルコキシドの加水分解が適度に促進されて、ゾルが安定した状態で生成されるため、得られる微粒子の粒径を均一に揃えることができることになる。 （もっと読む）

【課題】シリコンコアの酸化が抑制できる低温条件で形成したクラッドに、この後の工程において損傷が発生しないようにする。
【解決手段】シリコンコア１３１の熱酸化が抑制できる範囲の温度条件で酸化シリコン膜１０６を形成した後、酸化シリコンの粘性流動が起こり始める９５０℃以上の高温条件で、酸化シリコン膜１０６（シリコン基板１０１）を加熱し、シリコンコア１３１を覆う上部クラッド層１６１を形成する。この加熱処理により、シリコンコア１３１の段差により生じていた酸化シリコン膜１０６の脆弱な部分の膜質が改善され、この後の工程において損傷が発生しないようになる。 （もっと読む）

【課題】他の光機能回路との集積が容易に可能で、損失の少ない光リミッタ回路及び光受信回路を提供すること。
【解決手段】導波路基板１０１上に下部クラッド層１０２、コア層１０３、上部クラッド層１０４を順に積層し、上部クラッド層１０４内に光非線形層１０５が埋設されている。尚、コア層１０３と光非線形層１０５は、コア層１０３から漏れた光がクラッド層の一部を透過して光非線形層１０５に結合可能な位置関係で配置されている。光非線形層１０５が上部クラッド層１０４に埋設されているが、光非線形層１０５は下部クラッド層１０３に埋設されていてもよい。下面と上面とを下部及び上部クラッド層１０２、１０４で挟まれているのみで、側面にはクラッド層がないが、コアの入出力面以外の側面全てがクラッドに覆われているような導波路でもよい。 （もっと読む）

導波路を作製する方法は、（ａ）基板（２２）と、基板上の下部クラッディング（２０）層と、下部クラッディング層上に窒化ケイ素、アモルファスシリコン、又はアモルファスシリコン−ゲルマニウム合金を含むコア層（２４）と、を含む導波路構成体を提供すること、（ｂ）コア層をパターン化すること、及び（ｃ）導波路構成体をアニール（２８）すること、を含む。
（もっと読む）

【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造を基板の表面に形成可能な三次元微細加工方法を提供する。
【解決手段】第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２を化学的に安定なIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。第２工程では、真空中で前記基板１を昇温させることにより、前記改質マスク部３以外の部分の前記自然酸化膜２を脱離させて基板表面を露出させる。第３工程では、真空にＶ族原料を供給した環境下で前記基板１を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部３上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み４を形成する。第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 （もっと読む）

【課題】真空プラズマ中での酸素欠損を回復させ、伝播損失の少ない光導波路を製造する。
【解決手段】酸化物化合物基板に光導波路を形成する光導波路の製造方法において、ドライエッチングプロセスにより、前記酸化物化合物基板に光導波路を形成する第１の工程と、前記光導波路が形成された前記酸化物化合物基板を、酸素雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記ドライエッチングプロセスで欠損した酸素を再結合させる第２の工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】犠牲層の平坦化が可能であり、また熱接合によるロッドの変形を低減することが可能となる３次元フォトニック結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】周期的な２次元パターン構造の積層体による３次元フォトニック結晶の製造方法であって、
基板上に、第１の材料からなる薄膜を形成する第１の工程と（図１（ａ））、
前記薄膜に周期的な２次元パターン構造を形成する第２の工程と（図１（ｂ））、
前記２次元パターン構造上に、第２の材料からなる薄膜を形成する第３の工程と（図１（ｃ））、
前記第２の材料からなる薄膜を平坦化する際に、下地の前記２次元パターン構造が露出する前に該平坦化を停止する第４の工程と（図１（ｄ））、
前記第１の工程から前記第４の工程を少なくとも２回以上繰り返し、前記２次元パターン構造による積層体を形成する第５の工程と（図１（ｆ）、（ｇ））、を含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】 容易に作製することができる上、用いる基板の選択性が高い、基板を接合させた構成の光学素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 導波基板２１とベース基板２２とを備え、導波基板２１とベース基板２２とが接合されていて、導波基板２１とベース基板２２との接合面において、一部に、接合していない非接合領域２４を備えている。 （もっと読む）

【課題】 高いアイソレーションと小さな損失を備え、かつ安価で量産に適した、導波路型光アイソレータの構成を提供する。
【解決手段】 基体上に第１のクラッド層とコア部と第２のクラッド層とを有し、このコア部をファラデー回転子とし、そのコア部の途中に、互いの偏光軸が４５度なすように第１及び第２の偏光素子が配置された導波路型光アイソレータにおいて、少なくとも前記基体に、第１及び第２の偏光素子をはめ込んで固定する溝を形成し、この溝の底部を基準となる平面に沿った位置決めができる位置決め面として、偏光素子の高精度の角度合わせを可能とすると共に、コア部の一部の断面積を他の部位に比して小さくすることによりモードフィルド径を増大せしめ損失の低減を図る。 （もっと読む）

【課題】
導波路型光アイソレータが搭載された光導波路回路基板において、その挿入損失の低減を図ると共に、両者の高精度な光軸調整を不要とすることにより製造コストの低減と量産性の向上を図る。
【解決手段】
導波路型光アイソレータに設けられた導波路のモードフィルド径を増大せしめると共に、導波路型光アイソレータに設けられた導波路と光導波路回路基板に設けられた導波路との結合効率を増大せしめることにより、両者の高精度な光軸調整を要せずして低挿入損失を実現する。 （もっと読む）

【課題】極めて扱いやすく、高濃度で均一な添加元素の添加が可能で、しかも段差被覆性が良好で高速合成時においても透明な膜の製造が可能な石英系ガラス用原料および石英系ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】珪素を含む有機化合物、または、硼素、リン、ゲルマニウムのうちから選ばれた少なくとも一種類の元素を含む有機化合物を、テトラヒドロフランを含む有機溶剤に溶解させた石英系ガラス用原料を、液体原料タンク２〜５から気化装置８で気化させて原料ガスとし、該原料ガスに反応ガスを混合してＣＶＤ反応炉１１で化学反応により基体１４上に石英系ガラスを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】３次元フォトニック結晶としてのバンドギャップ機能を備えた３次元構造体およびそれを有する発光素子を得ることを可能にする。
【解決手段】誘電体材料からなる第１部材４ａと、第１部材と同じ誘電体材料からなり第１部材よりも径が小さな第２部材４ｂとが交互に積層された積層構造をそれぞれ有する複数の基本要素４が基板２上に設けられ、複数の基本要素は基板上に周期的に配列されている。 （もっと読む）

【課題】ガラスの表面または内部に対し微細なパターンを高精度で効率良く、低コストで形成する。
【解決手段】特定のガラス形成酸化物と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移元素及び希土類元素から選ばれる少なくとも１種とを含有するガラス母体に、チタン、鉄、ニッケル、コバルト、マンガン、バナジウム、銅から選ばれる少なくとも１種を添加してなるガラスの表面または内部に、局所的な異質層を形成した後、エッチング剤と接触させて前記異質層または該異質層の周囲部分を除去することを特徴とするガラス材料の加工法。 （もっと読む）

【課題】 衝撃固化現象による成形体に形成された導波路を有する光学素子及びその光学素子を含む光集積デバイスを提供する。
【解決手段】 基板上に供給した超微粒子脆性材料に機械的衝撃力を負荷して前記超微粒子脆性材料を接合させて形成した成形体の光吸収端を、局所加熱により制御し、導波路を形成する。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を添加したＰＬＺＴ光導波路層を有する光増幅器であって、小型で高効率な光増幅器及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｐｂ_１−ｘＬａ_ｘ（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）_{１−ｘ／４}Ｏ_３（ＰＬＺＴ：０＜ｘ＜０．３、０＜ｙ＜１．０）を含んで構成される光導波路層（例えばチャンネル状光導波路層１６）であって、希土類元素がドープ量０．２モル％以上、１１．０モル％以下でドープされ、且つ固相エピタキシャル成長によって形成される単結晶膜からなる光導波路層（例えばチャンネル状光導波路層１６）を有することを特徴とする光増幅器である。 （もっと読む）