【課題】より低消費電力化を実現した熱光学位相シフタ、およびこれを用いた可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタを提供すること。
【解決手段】請求項１に記載された発明は、光信号を導波するための光導波路１３と、該光導波路１３の一部を加熱することで前記光信号に位相変化を与えるヒータ１５とを備え、前記ヒータ１５の長手方向と前記光導波路１３の加熱される部分１３１、１３２の長手方向とが同じ向きになるように重なって設けられており、前記光導波路の加熱される部分が、複数本の互いに平行な光導波路を光学的に結合して往復する１本の導波路となるようにした折り返し構造に形成されることで、前記加熱される部分の光導波路が前記ヒータと重なる位置に高密度に設けられていることを特徴とする熱光学位相シフタである。可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタはこの熱光学位相シフタを用いて構成できる。 （もっと読む）

【課題】熱干渉を抑制した小型な多連熱光学位相シフタおよびそれを用いた光干渉回路を提供すること。
【解決手段】２つの方向性結合器１０２ａ、１０２ｂとそれらを連結するアーム導波路１０３からなるマッハツェンダ干渉計と、二重コア、アーム導波路１０３上に設置された薄膜ヒータ１１１、およびそのヒータ１１１に電力を供給する配線１１２とからなる位相シフタと、アーム導波路１０３の両側に形成された断熱溝１２１とから構成されている。二重コアとその上方の薄膜ヒータ１１１は、アーム導波路１０３で（図１の紙面の縦方向に）整列しておらず、アーム導波路１０３の長手方向に対して垂直方向に平行移動した位置にそれぞれが重なることがないように、ずらして配置したことを特徴としている。隣接する二重コアおよび薄膜ヒータ１１１をずらず量としては、薄膜ヒータ１１１の長さ以上にずらずことが重要である。 （もっと読む）

【課題】室温で共振器ポラリトン状態を動作させることを可能にする、コア・シェル型量子ドットの配列構造を提供する。
【解決手段】半導体から成るコア１と、このコア１の周囲に接して形成されたシェル２とによる、コア・シェル型量子ドット１１を用いて、複数個のコア・シェル型量子ドット１１が、双極子相互作用が働く範囲内の間隔で配列された、コア・シェル型量子ドットの配列構造２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】量子ドットと共振器の結合系におけるパーセル効果とフォトニックバンドギャップ効果を用いることで、波長変換を実現する装置および波長変換方法および単一光子発生装置を提供する。
【解決手段】
本発明の波長変換装置は、フォトニック結晶微小共振器と、量子ドットとを有する波長変換装置であって、前記フォトニック結晶微小共振器の共振器モード電場振幅は、最大値の略半分以上である領域に前記量子ドットが位置し、前記フォトニック結晶共振器は、少なくとも１つの直線偏光モードを有し、入力光は、前記量子ドットの光学遷移のうち、前記フォトニック結晶微小共振器と共鳴していない光学遷移の波長を持ち、出力光は、前記量子ドットの光学遷移のうち、前記フォトニック結晶微小共振器と共鳴し、かつ同一の直線偏光によって実現される光学遷移の波長を持つことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】光学回路を製造する方法を提供する。
【解決手段】光学回路を製造する方法は、ａ）光学回路によって実行される論理演算を選択する段階と、ｂ）前記光学回路によって実行される前記論理演算を実行するべく１つ又は複数のすべて光学的な論理ゲートによって前記光学回路を設計する段階と、ｃ）個々の論理演算を実行して光学入力信号に基づいて個々のバイナリ出力レベルを具備した光学出力信号を生成するべく共振周波数にチューニングされた強度に依存した屈折率の材料を有する対応した光学共振器を具備する個々の非線形素子によって前記すべて光学的な論理ゲートを形成することにより、前記光学回路を製造する段階であって、前記非線形素子を包含するべくフォトニック結晶を形成することによって実行されている、段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ構造により発生したキャリアの移動をコントロールすることで、長時間安定な光双安定メモリを実現する。
【解決手段】本発明は、高速動作が可能なキャリアプラズマ分散効果を用いた光双安定動作に基づいた光メモリを、フォトニック結晶の前記光共振器部位を挟んで対向する２つの領域に、キャリアを引き抜くためのＰ形半導体領域、Ｎ形半導体領域の２つの電極を設け、電界を印加する構造とし、生成したキャリアが非発光再結合して熱に変わる前に高速に共振器の外に引き出すことで、熱の発生を抑え、メモリ保持時間を延ばす。 （もっと読む）

【課題】すべて光学的なゲートを提供する。
【解決手段】すべて光学的なゲートは、第1、第2光学入力信号を受信する第1、第2入力媒体と第1、第2光学入力信号を合成する第1合成媒体とを含むORゲートと、第3光学入力信号として第１光学出力信号を受信する第3入力媒体と一定の連続波(CW)光を有する第4光学入力信号を受信する第4入力媒体と第3、第4光学入力信号から合成信号を合成する第2合成媒体と合成信号がロウ論理レベルを有する時にハイ論理レベルを有する第2光学出力信号としてCW光を出力し合成信号がハイ論理レベルを有する時に第2光学出力信号として光を出力しない第1非線形素子とを含むNOTゲートと、を有し、ORゲート及びNOTゲートはフォトニック結晶内に実装され、第1〜4入力媒体及び第1、第2合成媒体はフォトニック結晶内における構造物の欠如により定義され、第1非線形素子は第2合成媒体の出力側と光学出力媒体の入力側の間に光学的に配置される。 （もっと読む）

【課題】すべて光学的なメモリラッチを提供する。
【解決手段】すべて光学的なメモリラッチは、第1入力信号と第3入力信号とCW光とを受信するべく構成された第1論理ゲートであって、第1論理ゲートは、第1及び第3入力信号のバイナリ論理レベルに関する論理演算を実行して第1出力信号を生成する第1非線形素子と、第1出力信号とCW光のバイナリ論理レベルに関する論理演算をこれらの合成強度の非線形弁別を通じて実行するべく共振周波数にチューニングされた強度に依存した屈折率の材料から構成された光学共振器を有する第2非線形素子と有し、第2非線形素子はCW光を使用して第1出力信号の更に強力なバイナリ論理レベルを回復する第1論理ゲートと、第2入力信号と第4入力信号とCW光とを受信して第2出力信号を出力する第2論理ゲートと、を有し、第1出力信号は第2論理ゲートに第4入力信号として導波され、第2出力信号は第1論理ゲートに第3入力信号として導波される。 （もっと読む）

【課題】 消費電力が低減されたＯＢＯ平面導波路素子を提供する。
【解決手段】 ＯＢＯ平面導波路素子１は、Ｓｉ基板１０２と、Ｓｉ基板１０２上に形成されたＳｉＯ₂層１０３と、Ｓｉ基板１０２上に設けられた互いに平行な複数のＳｉ光導波路１０４とを備えている。Ｓｉ基板１０２の両側端部には、それぞれ、ヒータ１０７およびヒートシンク１０８が設けられている。ヒータ１０７およびヒートシンク１０８の機能によって、複数のＳｉ光導波路１０４が並ぶ方向において、Ｓｉ基板１０２の温度分布に勾配が形成される。この温度分布の勾配が形成される方向におけるＳｉ基板１０２の熱抵抗が２０Ｋ／Ｗより大きくかつ２０００Ｋ／Ｗより小さい。 （もっと読む）